JPH05218169A - テスト用ｉｃパッケージ - Google Patents
テスト用ｉｃパッケージInfo
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- JPH05218169A JPH05218169A JP4018856A JP1885692A JPH05218169A JP H05218169 A JPH05218169 A JP H05218169A JP 4018856 A JP4018856 A JP 4018856A JP 1885692 A JP1885692 A JP 1885692A JP H05218169 A JPH05218169 A JP H05218169A
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- Japan
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- leads
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 29
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止部内の温度測定を正確に行うことができ
るテスト用ＩＣパッケージを提供する。 【構成】 テスト用ＩＣパッケージ１は、リード２，３
からなる一対のリード１００と、チップ４と、封止部５
とからなる。一対のリード１００は、各リード２，３の
端部を溶接により接合し、この各端部を封止部５内に封
入したものである。また、各リード２，３は熱電対とな
る異種の金属材料からなるものであり、封止部５内での
各リード２，３の溶接点は、温度測定点１Ｍとなる。こ
の各リード２，３を構成する金属材料の組合せとして
は、白金ロジウム−白金およびクロメル−クロメル等が
ある。このような一対のリード１００を封止部５の長手
方向に複数並列に封入してある。また、チップ４は、一
対のリード１００上に載置したものである。
るテスト用ＩＣパッケージを提供する。 【構成】 テスト用ＩＣパッケージ１は、リード２，３
からなる一対のリード１００と、チップ４と、封止部５
とからなる。一対のリード１００は、各リード２，３の
端部を溶接により接合し、この各端部を封止部５内に封
入したものである。また、各リード２，３は熱電対とな
る異種の金属材料からなるものであり、封止部５内での
各リード２，３の溶接点は、温度測定点１Ｍとなる。こ
の各リード２，３を構成する金属材料の組合せとして
は、白金ロジウム−白金およびクロメル−クロメル等が
ある。このような一対のリード１００を封止部５の長手
方向に複数並列に封入してある。また、チップ４は、一
対のリード１００上に載置したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣパッケージの耐
熱性を試験するためのテスト用ＩＣパッケージに関する
ものである。
熱性を試験するためのテスト用ＩＣパッケージに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＩＣパッケージの耐熱性の試験と
しては、ＩＣパッケージの封止部に外部から穴を開け、
この穴内に熱電対を挿入した後、再び樹脂を流し込んで
封止してテスト用ＩＣパッケージとし、熱電対により内
部の温度測定を行ったものが報告されている（沖電気研
究開発第１２８号，VOL.52,NO.4 ）。
しては、ＩＣパッケージの封止部に外部から穴を開け、
この穴内に熱電対を挿入した後、再び樹脂を流し込んで
封止してテスト用ＩＣパッケージとし、熱電対により内
部の温度測定を行ったものが報告されている（沖電気研
究開発第１２８号，VOL.52,NO.4 ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のテスト用ＩＣパッケージを用いた温度測定で
は、穴に流し込んだ樹脂が封止部の材料と異なる場合に
は、この部分の熱伝導率が変化し、また、穴に流し込ん
だ樹脂が形成する形状により、テスト用ＩＣパッケージ
の外形が変化してしまうことがある。その結果、テスト
用ＩＣパッケージ内の温度分布が実際のＩＣパッケージ
内の温度分布と異なってしまい、正確な温度測定を行う
ことができないという問題があった。また、封止部に形
成した穴に挿入した熱電対により温度測定を行っている
ため、封止部の多点に対する温度測定が困難であるとい
う問題があった。
うな従来のテスト用ＩＣパッケージを用いた温度測定で
は、穴に流し込んだ樹脂が封止部の材料と異なる場合に
は、この部分の熱伝導率が変化し、また、穴に流し込ん
だ樹脂が形成する形状により、テスト用ＩＣパッケージ
の外形が変化してしまうことがある。その結果、テスト
用ＩＣパッケージ内の温度分布が実際のＩＣパッケージ
内の温度分布と異なってしまい、正確な温度測定を行う
ことができないという問題があった。また、封止部に形
成した穴に挿入した熱電対により温度測定を行っている
ため、封止部の多点に対する温度測定が困難であるとい
う問題があった。
【０００４】この発明の目的は、上記問題点に鑑み、封
止部内の温度測定を正確に行うことができるテスト用Ｉ
Ｃパッケージを提供することである。
止部内の温度測定を正確に行うことができるテスト用Ｉ
Ｃパッケージを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明のテスト用ＩＣ
パッケージは、チップを封入した封止部内に、熱電対と
なる異種の金属材料からなる一対のリードの各端部を接
合して封入したものである。
パッケージは、チップを封入した封止部内に、熱電対と
なる異種の金属材料からなる一対のリードの各端部を接
合して封入したものである。
【０００６】
【作用】この発明の構成によれば、チップを封入した封
止部内に、熱電対となる異種の金属材料からなる一対の
リードの各端部を接合して封入することで、従来のよう
に封止部の外形を変化させることがなく、実際のＩＣパ
ッケージと略同一外観形状および同一構造に対して内部
の温度測定ができる。これにより、封止部内の温度測定
を正確に行うことができる。
止部内に、熱電対となる異種の金属材料からなる一対の
リードの各端部を接合して封入することで、従来のよう
に封止部の外形を変化させることがなく、実際のＩＣパ
ッケージと略同一外観形状および同一構造に対して内部
の温度測定ができる。これにより、封止部内の温度測定
を正確に行うことができる。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の一実施例のテスト用ＩＣパ
ッケージの構成を示す断面図である。図１において、１
はテスト用ＩＣパッケージ、２および３はリード、４は
シリコンからなるチップ、５はチップ４を外部環境から
保護する封止材料からなる封止部である。
ッケージの構成を示す断面図である。図１において、１
はテスト用ＩＣパッケージ、２および３はリード、４は
シリコンからなるチップ、５はチップ４を外部環境から
保護する封止材料からなる封止部である。
【０００８】図１に示すように、テスト用ＩＣパッケー
ジ１は、リード２，３からなる一対のリード１００と、
チップ４と、封止部５とからなる。一対のリード１００
は、各リード２，３の端部を溶接により接合し、この各
端部を封止部５内に封入したものである。また、各リー
ド２，３は熱電対となる異種の金属材料からなるもので
あり、封止部５内での各リード２，３の溶接点は、温度
測定点１Ｍとなる。この各リード２，３を構成する金属
材料の組合せとしては、白金ロジウム−白金，クロメル
−クロメル，クロメル−コンスタンタン，鉄−コンスタ
ンタンおよび銅−コンスタンタン等がある。このような
一対のリード１００を封止部５の長手方向に複数並列に
封入してある。
ジ１は、リード２，３からなる一対のリード１００と、
チップ４と、封止部５とからなる。一対のリード１００
は、各リード２，３の端部を溶接により接合し、この各
端部を封止部５内に封入したものである。また、各リー
ド２，３は熱電対となる異種の金属材料からなるもので
あり、封止部５内での各リード２，３の溶接点は、温度
測定点１Ｍとなる。この各リード２，３を構成する金属
材料の組合せとしては、白金ロジウム−白金，クロメル
−クロメル，クロメル−コンスタンタン，鉄−コンスタ
ンタンおよび銅−コンスタンタン等がある。このような
一対のリード１００を封止部５の長手方向に複数並列に
封入してある。
【０００９】また、チップ４は、一対のリード１００上
に載置したものである。このように構成したテスト用Ｉ
Ｃパッケージ１は、実際のＩＣパッケージと略同一外観
形状および同一構造となり、また、各リード２，３の溶
接点である温度測定点１Ｍは、封止部５内での最大リー
ド数存在することとなる。なお、このテスト用ＩＣパッ
ケージ１は、耐熱試験用のものであるため、チップ４に
半導体回路となるパターンが形成されてなくても良い。
に載置したものである。このように構成したテスト用Ｉ
Ｃパッケージ１は、実際のＩＣパッケージと略同一外観
形状および同一構造となり、また、各リード２，３の溶
接点である温度測定点１Ｍは、封止部５内での最大リー
ド数存在することとなる。なお、このテスト用ＩＣパッ
ケージ１は、耐熱試験用のものであるため、チップ４に
半導体回路となるパターンが形成されてなくても良い。
【００１０】次に、このように構成したテスト用ＩＣパ
ッケージの温度測定方法を図２を参照しながら説明す
る。図２はこの発明の一実施例のテスト用ＩＣパッケー
ジを用いた温度測定回路を示す概略図である。図２にお
いて、６は金属線７，８からなる通常の熱電対、１２は
温度が一定に保たれた基準接点部、１３は導線、１４は
電圧計である。
ッケージの温度測定方法を図２を参照しながら説明す
る。図２はこの発明の一実施例のテスト用ＩＣパッケー
ジを用いた温度測定回路を示す概略図である。図２にお
いて、６は金属線７，８からなる通常の熱電対、１２は
温度が一定に保たれた基準接点部、１３は導線、１４は
電圧計である。
【００１１】図２に示すように、テスト用ＩＣパッケー
ジ１のリード２と、このリード２と同一の金属材料から
なる金属線７の一端とを接続し、金属線７の他端を基準
接続部１２および導線１３に接続し、また、テストＩＣ
パッケージ１のリード３と、このリード３と同一の金属
材料からなる金属線８の一端とを接続し、金属線８の他
端を基準接点部１２および導線１３に接続してある。そ
して、導線１３間に電圧計１４を接続してある。
ジ１のリード２と、このリード２と同一の金属材料から
なる金属線７の一端とを接続し、金属線７の他端を基準
接続部１２および導線１３に接続し、また、テストＩＣ
パッケージ１のリード３と、このリード３と同一の金属
材料からなる金属線８の一端とを接続し、金属線８の他
端を基準接点部１２および導線１３に接続してある。そ
して、導線１３間に電圧計１４を接続してある。
【００１２】このようにテストＩＣパッケージ１の各リ
ード２，３，通常の熱電対６，基準接点部１２および電
圧計１４により閉回路を形成してある。このように接続
することで、電圧計１４により、基準接点部１２におけ
る温度と、テスト用ＩＣパッケージ１内のリード２，３
の各端部の溶接点すなわち温度測定点１Ｍにおける温度
との差に応じた起電力を測定し、封止部５内での温度測
定を行う。熱電対６の金属線７，８を各リード２，３に
繋ぎ変えることでテスト用ＩＣパッケージ１内の各部の
温度測定を行うことができる。
ード２，３，通常の熱電対６，基準接点部１２および電
圧計１４により閉回路を形成してある。このように接続
することで、電圧計１４により、基準接点部１２におけ
る温度と、テスト用ＩＣパッケージ１内のリード２，３
の各端部の溶接点すなわち温度測定点１Ｍにおける温度
との差に応じた起電力を測定し、封止部５内での温度測
定を行う。熱電対６の金属線７，８を各リード２，３に
繋ぎ変えることでテスト用ＩＣパッケージ１内の各部の
温度測定を行うことができる。
【００１３】以上のように、チップ４を封入した封止部
５内に、熱電対となる異種の金属材料からなる一対のリ
ード１００の各端部を接合して封入することで、封止部
５内の温度測定ができ、しかも、従来のように封止部の
外形を変化させることがなく、実際のＩＣパッケージと
略同一外観形状および同一構造のテスト用ＩＣパッケー
ジを得ることできる。これにより、封止部５内の温度測
定を正確に行うことができる。さらに、一対のリード１
００を封止部５内の複数所定箇所に封入することで、熱
電対となる一対のリード１００の溶接点である温度測定
点１Ｍが内部に多数存在することとなり、封止部５内の
多点に対する温度測定を正確に行うことができるテスト
用ＩＣパッケージ１を得ることができる。
５内に、熱電対となる異種の金属材料からなる一対のリ
ード１００の各端部を接合して封入することで、封止部
５内の温度測定ができ、しかも、従来のように封止部の
外形を変化させることがなく、実際のＩＣパッケージと
略同一外観形状および同一構造のテスト用ＩＣパッケー
ジを得ることできる。これにより、封止部５内の温度測
定を正確に行うことができる。さらに、一対のリード１
００を封止部５内の複数所定箇所に封入することで、熱
電対となる一対のリード１００の溶接点である温度測定
点１Ｍが内部に多数存在することとなり、封止部５内の
多点に対する温度測定を正確に行うことができるテスト
用ＩＣパッケージ１を得ることができる。
【００１４】
【発明の効果】この発明のテスト用ＩＣパッケージによ
れば、チップを封入した封止部内に、熱電対となる異種
の金属材料からなる一対のリードの各端部を接合して封
入することで、封止部内の温度測定ができ、しかも、従
来のように封止部の外形を変化させることがなく、実際
のＩＣパッケージと略同一外観形状および同一構造のテ
スト用ＩＣパッケージを得ることできる。これにより、
封止部内の温度測定を正確に行うことができる。
れば、チップを封入した封止部内に、熱電対となる異種
の金属材料からなる一対のリードの各端部を接合して封
入することで、封止部内の温度測定ができ、しかも、従
来のように封止部の外形を変化させることがなく、実際
のＩＣパッケージと略同一外観形状および同一構造のテ
スト用ＩＣパッケージを得ることできる。これにより、
封止部内の温度測定を正確に行うことができる。
【図１】この発明の一実施例のテスト用ＩＣパッケージ
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施例のテスト用ＩＣパッケージ
を用いた温度測定回路を示す概略図である。
を用いた温度測定回路を示す概略図である。
１ テスト用ＩＣパッケージ ２ リード ３ リード ４ チップ ５ 封止部 100 一対のリード
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また、チップ４は、一対のリード１００上
に載置したものである。このように構成したテスト用Ｉ
Ｃパッケージ１は、実際のＩＣパッケージと略同一外観
形状および同一構造となり、また、各リード２，３の溶
接点である温度測定点１Ｍは、封止部５内において、最
大リード端子数の半数存在することができる。なお、こ
のテスト用ＩＣパッケージ１は、耐熱試験用のものであ
るため、チップ４に半導体回路となるパターンが形成さ
れてなくても良い。
に載置したものである。このように構成したテスト用Ｉ
Ｃパッケージ１は、実際のＩＣパッケージと略同一外観
形状および同一構造となり、また、各リード２，３の溶
接点である温度測定点１Ｍは、封止部５内において、最
大リード端子数の半数存在することができる。なお、こ
のテスト用ＩＣパッケージ１は、耐熱試験用のものであ
るため、チップ４に半導体回路となるパターンが形成さ
れてなくても良い。
Claims (1)
- 【請求項１】 チップを封入した封止部内に、熱電対と
なる異種の金属材料からなる一対のリードの各端部を接
合して封入したテスト用ＩＣパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018856A JPH05218169A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | テスト用ｉｃパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018856A JPH05218169A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | テスト用ｉｃパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218169A true JPH05218169A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11983184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018856A Pending JPH05218169A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | テスト用ｉｃパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218169A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859444A (en) * | 1991-08-08 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| KR100533569B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2005-12-06 | 삼성전자주식회사 | 테스트용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4018856A patent/JPH05218169A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859444A (en) * | 1991-08-08 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| KR100533569B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2005-12-06 | 삼성전자주식회사 | 테스트용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
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