JPH05217988A - Washing device - Google Patents

Washing device

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JPH05217988A
JPH05217988A JP193992A JP193992A JPH05217988A JP H05217988 A JPH05217988 A JP H05217988A JP 193992 A JP193992 A JP 193992A JP 193992 A JP193992 A JP 193992A JP H05217988 A JPH05217988 A JP H05217988A
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JP
Japan
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cleaning
chemical solution
carrier
tank
wafer
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Withdrawn
Application number
JP193992A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Fujie
公司 藤江
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NEC Corp
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NEC Corp
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To wash a semiconductor substrate without shortening the life time of the same by a method wherein metals, eluated out of a carrier or the pipeline system of a washing device, are removed. CONSTITUTION:A washing device is provided with a pipeline system, including an acidic chemical solution supplying pipe 10 connected to a pipeline system constituted of an acidic chemical solution tank for washing a carrier, a washing tank 11, a pure water supplying pipe 12, chemical solution supplying pipes 13, 14 and a circulating pipeline 15, to resolve metals eluated by alkaline chemical solution by the acidic chemical solution and wash them out.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、処理後あるいは処理前
に半導体基板(以下、ウェーハと呼ぶ)を洗浄する洗浄
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a wafer) after or before processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は従来の洗浄装置の一例における構
成を示す図、図9は図8に於ける洗浄槽の模式断面図で
ある。従来、この種の洗浄装置は、例えば、図8に示す
ように、一端側に配置されウェーハを洗浄用キャリアに
移し替えるウェーハ移替え機構30aと、キャリアを薬
液に浸しウェーハを洗浄する洗浄槽11と、洗浄槽11
で処理されたウェーハに洗浄液を噴射させ薬液を洗い落
すシャワー槽32と、シャワー槽32で洗浄されたウェ
ーハをさらに水洗する水洗槽33と、水洗されたウェー
ハを乾燥する乾燥機34と、洗浄されたウェーハを他の
キャリアに移し替えるウェーハ移替え機構30bとで構
成されている。また、この洗浄装置はその工程順に一列
に並べて配置されていた。
2. Description of the Related Art FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an example of a conventional cleaning apparatus, and FIG. 9 is a schematic sectional view of a cleaning tank in FIG. Conventionally, this type of cleaning apparatus includes, for example, as shown in FIG. 8, a wafer transfer mechanism 30a arranged at one end side for transferring the wafer to a cleaning carrier, and a cleaning tank 11 for cleaning the wafer by immersing the carrier in a chemical solution. And the cleaning tank 11
A shower tank 32 for spraying a cleaning liquid on the wafer treated in step 1 to wash away the chemical, a washing tank 33 for further washing the wafer washed in the shower tank 32, a dryer 34 for drying the washed wafer, and a washing And a wafer transfer mechanism 30b for transferring another wafer to another carrier. In addition, the cleaning devices were arranged in a line in the order of the steps.

【0003】一方、この洗浄装置における洗浄槽は、図
9に示すように、洗浄液を貯える洗浄槽11と、この洗
浄槽11に薬液を供給するバルブ17及びフィルタ16
とで構成される純水供給管12及び薬液供給管13,1
4と、外槽19にオーバーフローされる薬液をくみ上げ
るポンプ18とこの薬液をろ過するフィルタ16及び洗
浄槽11にろ過される薬液を戻す循環用配管15をもつ
循環装置とを有している。
On the other hand, as shown in FIG. 9, the cleaning tank in this cleaning apparatus includes a cleaning tank 11 for storing a cleaning liquid, a valve 17 and a filter 16 for supplying a chemical liquid to the cleaning tank 11.
Pure water supply pipe 12 and chemical liquid supply pipes 13, 1
4, a pump 18 for pumping the chemical liquid overflowing to the outer tank 19, a filter 16 for filtering the chemical liquid, and a circulation device having a circulation pipe 15 for returning the chemical liquid filtered to the cleaning tank 11.

【0004】このような洗浄槽は、まず、純水供給管1
2から純水が、また薬液供給管13,14からそれぞれ
例えば、過酸化水素水及び水酸化アンモニウム薬液が洗
浄槽11に供給され槽内に薬液として満たされる。そし
て洗浄過程において洗浄槽11から外槽19に流出しポ
ンプ18によって再び洗浄槽11に導入され常に薬液は
更新されている。さらに洗浄能力が劣化したときあるい
は定期的に洗浄液はバルブ20を開くことによって洗浄
槽11外に排出される。
The cleaning tank of this kind is first of all purified water supply pipe 1.
Pure water is supplied from 2 and, for example, a hydrogen peroxide solution and an ammonium hydroxide chemical solution are supplied to the cleaning tank 11 from the chemical solution supply pipes 13 and 14, respectively, and the tank is filled with the chemical solution. Then, in the cleaning process, the chemical solution flows out from the cleaning tank 11 to the outer tank 19 and is again introduced into the cleaning tank 11 by the pump 18 so that the chemical solution is constantly renewed. Further, when the cleaning ability is deteriorated or periodically, the cleaning liquid is discharged to the outside of the cleaning tank 11 by opening the valve 20.

【0005】上述した洗浄装置における薬液供給配管系
統,純水供給配管系統及び薬液循環配管系統並びにウェ
ーハを収納するキャリアは、全て耐薬品性のある樹脂材
料で製作されており、金属材料は一切使用されていなか
った。
The chemical liquid supply piping system, the pure water supply piping system, the chemical liquid circulation piping system, and the carrier for accommodating wafers in the above-mentioned cleaning apparatus are all made of a resin material having chemical resistance, and no metal material is used. Was not done.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この従来の洗浄装置で
は、薬液供給及び純水供給系統並びに薬液循環系統に使
用されている部品は多孔質のテフロン系材料で製作され
ており、しばしばこの樹脂体材料には成形時においてア
ルミニウムや鉄などの金属などを含んでしまい、これが
洗浄中に薬液に抽出される。また、洗浄に使用するキャ
リアもテフロン系の多孔質材で製作されており、これら
金属を含んでいる。しかもこれらキャリアは大気中に触
れたり人の手に触れたら汚染する機会が多い。
In this conventional cleaning apparatus, the parts used in the chemical liquid supply and pure water supply systems and the chemical liquid circulation system are made of a porous Teflon-based material, and this resin body is often used. The material contains a metal such as aluminum or iron at the time of molding, and this is extracted into the chemical solution during cleaning. The carrier used for cleaning is also made of a Teflon-based porous material and contains these metals. Moreover, these carriers have many opportunities to be contaminated if they are exposed to the atmosphere or touched by human hands.

【0007】このようなキャリアや部品から抽出される
金属が洗浄液の中に入ると洗浄液や処理槽11を汚染し
てしまう。汚染された洗浄液にウェーハが浸潰すると、
洗浄液中に溶出した金属がウェーハに取り込まれ再結合
ライフタイムの低下をもたらすことになる。さらにこの
汚染は繰り返し行なわれ蓄積され、それに伴って再結合
ライフタイムはさらに低下していくという問題がある。
When the metal extracted from such a carrier or part enters the cleaning liquid, the cleaning liquid and the processing tank 11 are contaminated. When the wafer is immersed in the contaminated cleaning solution,
The metal eluted in the cleaning solution is taken into the wafer and the recombination lifetime is shortened. Furthermore, this contamination is repeatedly accumulated, and the recombination lifetime is further reduced accordingly.

【0008】本発明の目的は、これら問題を解消すべき
抽出される金属を除去する手段をもつ洗浄装置を提供す
ることである。
It is an object of the invention to provide a cleaning device with means for removing the extracted metal which should eliminate these problems.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の洗浄装置
は薬液を貯え半導体基板を浸漬する洗浄槽と、この洗浄
槽に前記薬液を供給する薬液供給配管系統部と、前記薬
液を循環させる薬液循環配管系統部と、前記薬液供給配
管系統部と前記洗浄槽とに酸性薬液を供給する酸性薬液
供給配管系統部とを備えている。
A first cleaning apparatus of the present invention comprises a cleaning tank for storing a chemical solution and immersing a semiconductor substrate, a chemical solution supply pipe system section for supplying the chemical solution to the cleaning tank, and a circulation of the chemical solution. And a chemical liquid circulation piping system section, an acidic chemical solution supply piping system section for supplying an acidic chemical solution to the chemical solution supply piping system section and the cleaning tank.

【0010】本発明の第2の洗浄装置は、第1の洗浄装
置に加えて前記半導体基板を収納するキャリアの単体の
みを浸漬する酸性薬液槽を備えている。
The second cleaning apparatus of the present invention comprises, in addition to the first cleaning apparatus, an acidic chemical solution tank in which only a single carrier for accommodating the semiconductor substrate is immersed.

【0011】[0011]

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1は本発明の第1の実施例の洗浄装置に
おける洗浄槽を示す模式断面図である。この洗浄装置に
おける洗浄槽は、図1に示すように、石英の洗浄槽11
は、その外側に洗浄外槽19を付帯している。洗浄槽1
1に純水を供給する純水供給12,過酸化水素水を供給
する薬液供給管13及び水酸化アンモニウム溶液を供給
する薬液供給管14以外に酸性薬液である弗酸と硝酸の
混合溶液例えば弗酸:硝酸=3:7の混合溶液を供給す
る酸性薬液供給管10を設けたことである。また、この
酸性薬液供給管10は他の3つの供給管12,13,1
4と接続しており、それぞれの配管系統にはバルブ17
とフィルタ16が独立して設けられている。さらに洗浄
槽11には洗浄液循環用の循環配管15が付帯してお
り、外槽19より薬液をくみ上げるポンプ18と薬液を
ろ過させるフィルター16が接続されている。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a cleaning tank in a cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the cleaning tank in this cleaning apparatus is a quartz cleaning tank 11
Has an outer washing tank 19 attached to the outside thereof. Cleaning tank 1
1, a pure water supply 12 for supplying pure water, a chemical solution supply pipe 13 for supplying hydrogen peroxide water, and a chemical solution supply pipe 14 for supplying an ammonium hydroxide solution, as well as a mixed solution of an acidic chemical solution such as hydrofluoric acid and nitric acid such as fluorine That is, the acidic chemical solution supply pipe 10 for supplying the mixed solution of acid: nitric acid = 3: 7 is provided. In addition, this acidic chemical liquid supply pipe 10 is provided with the other three supply pipes 12, 13, 1.
4 and the valves 17 are installed in each piping system.
And the filter 16 are provided independently. Further, a circulation pipe 15 for circulating the cleaning liquid is attached to the cleaning tank 11, and a pump 18 for pumping the chemical liquid from an outer tank 19 and a filter 16 for filtering the chemical liquid are connected.

【0013】このように構成された洗浄装置においてウ
ェーハを洗浄する場合は、まず、アルカリ性薬液である
水酸化アンモニウム溶液及び過酸化水素水とで洗浄する
前、あるいは1回以上アルカリ性薬液で洗浄した後に洗
浄槽11を酸性薬液で洗浄することである。さらに純
水,薬液供給管12,13,14を酸性溶液で洗浄する
ことである。すなわち、このことにより抽出された金属
を洗い流すことである。
In the case of cleaning a wafer in the cleaning apparatus having the above-described structure, first, before cleaning with an ammonium hydroxide solution which is an alkaline chemical solution and hydrogen peroxide solution, or after cleaning with an alkaline chemical solution at least once. That is, the washing tank 11 is washed with an acidic chemical solution. Further, the pure water and chemical solution supply pipes 12, 13 and 14 are washed with an acidic solution. That is, the metal extracted by this is washed away.

【0014】図2は図1の洗浄装置の一動作を説明する
ための流れ図である。次にこの洗浄装置においてアルカ
リ性薬液を使用して洗浄する場合の準備動作について説
明する。まず図2のステップAで洗浄槽11に残ってい
るアルカリ性溶液を排液する。排液はは図1のバルブ2
0を開けることによって成される。次にステップBで純
水を給水し、ステップCで図1に於ける循環配管15に
よって純水を循環した後、ステップDで排水しアルカリ
性溶液を十分に排除する。次にステップEで酸性薬液と
純水を例えば弗酸と硝酸の混酸と純水を1対10に混合
して洗浄槽11に導入する。これをステップFで循環配
管15によって循環した後、ステップGで排液する。さ
らにステップH純水を給水しステップ1循環配管15に
よって循環した後ステップJで排水し、酸性薬液を十分
に排除する。次に、ステップKアルカリ性薬液を供給す
る。このようにすれば、洗浄槽11内における金属は全
て除去されることになる。
FIG. 2 is a flow chart for explaining one operation of the cleaning apparatus of FIG. Next, the preparatory operation when cleaning is performed using an alkaline chemical in this cleaning device will be described. First, in step A of FIG. 2, the alkaline solution remaining in the cleaning tank 11 is drained. The drainage is the valve 2 in FIG.
Made by opening zero. Next, in step B, pure water is supplied, and in step C, the pure water is circulated through the circulation pipe 15 shown in FIG. 1, and then, in step D, it is drained to sufficiently remove the alkaline solution. Next, in step E, the acidic chemical solution and pure water, for example, a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid and pure water are mixed in a ratio of 1:10 and introduced into the cleaning tank 11. After circulating this through the circulation pipe 15 in step F, the liquid is drained in step G. Further, in step H, pure water is supplied and circulated through the circulation pipe 15 in step 1, and then drained in step J to sufficiently remove the acidic chemical solution. Next, the step K alkaline chemical liquid is supplied. By doing so, all the metal in the cleaning tank 11 will be removed.

【0015】また、酸性薬液を洗浄槽11に導入する際
にバルブ22,23を開ければ、洗浄薬液供給配管系統
もこの酸性薬液によって洗浄することができる。
Further, if the valves 22 and 23 are opened when the acidic chemical liquid is introduced into the cleaning tank 11, the cleaning chemical liquid supply pipe system can also be cleaned with this acidic chemical liquid.

【0016】このように洗浄槽及び配管系統中に含まれ
ている金属は酸性薬液中に溶け込み、排液される。従っ
て洗浄槽11洗浄液循環配管系統及び純水・薬液供給配
管系統の全べてから重金属を除去することができる。ま
た、キャリアの洗浄については、別の酸性薬液層で事前
に洗浄すれば良い。図3(a)及び(b)は本発明の第
2の実施例における洗浄装置の構成を示す図である。こ
の洗浄装置は、前述の実施例で説明した洗浄槽をもつア
ルカリ薬液で洗浄する洗浄装置の後段にウェーハ洗浄用
のキャリアを酸性薬液で洗浄する装置を付加させたこと
である。すなわち、図2に示すように、洗浄用キャリア
41のウェーハを運搬用キャリア42に移し替えるウェ
ーハ移替え機構35の後に洗浄用キャリア41を洗浄す
る酸性薬液洗浄槽36,シャワー槽38,乾燥機39及
びキャリアを搬送装置45に移載するキャリア移替え機
構40を設けたことである。
As described above, the metal contained in the cleaning tank and the piping system is dissolved in the acidic chemical liquid and discharged. Therefore, heavy metals can be removed from all of the cleaning tank 11 cleaning solution circulation piping system and the pure water / chemical solution supply piping system. Further, the carrier may be washed in advance with another acidic chemical liquid layer. 3 (a) and 3 (b) are views showing the configuration of the cleaning apparatus according to the second embodiment of the present invention. In this cleaning device, a device for cleaning a wafer cleaning carrier with an acidic chemical liquid is added after the cleaning device for cleaning with an alkaline chemical liquid having the cleaning tank described in the above embodiment. That is, as shown in FIG. 2, an acid chemical cleaning tank 36, a shower tank 38, and a dryer 39 for cleaning the cleaning carrier 41 after the wafer transfer mechanism 35 for transferring the wafer of the cleaning carrier 41 to the carrier 42 for transportation. And the carrier transfer mechanism 40 for transferring the carrier to the transfer device 45.

【0017】図4は図3の洗浄装置の一動作を説明する
ための流れ図である。次に、この洗浄装置の動作を図3
及び図4を参照して説明する。図3に示すウェーハが収
納された運搬用キャリア42がキャリアボックス43に
載置されウェーハ移替え機構30の前に運ばれてくる
と、まず、洗浄用キャリア41が、ウェーハ移替え機構
30内にセットされる。次に運搬用キャリア42がウェ
ーハ移替え機構30内にセットされる。次に、運搬用キ
ャリア42内のウェーハが洗浄用キャリア41に移し替
えられる。次に、洗浄用キャリア41は搬送機(図示せ
ず)によって洗浄槽11に移される。これと同時に運搬
用キャリア42はキャリアボックス43内に戻され、キ
ャリアボックス43はウェーハ移替え機構35の前に移
動する。そして、図4に示すステップA,B及びCを経
て前述の実施例と同様に配管系統及び洗浄槽が酸性薬液
で洗浄され、ウェーハの入った洗浄用キャリア41は洗
浄槽11,シャワー槽32,水洗槽33及び乾燥機34
を経てウェーハ移替え機構35に移載される。次に、ス
テップDでウェーハ移替え機構35の前に移動したキャ
リアボックス43内の運搬用キャリア42はウェーハ移
替え機構35内にセットされる。そして洗浄用キャリア
41内のウェーハが運搬用キャリア42内に移し替えら
れる。そして運搬用キャリア42はキャリアボックス4
3内に戻される。
FIG. 4 is a flow chart for explaining one operation of the cleaning apparatus of FIG. Next, the operation of this cleaning device is shown in FIG.
And FIG. 4 will be described. When the carrier 42 for storing the wafer shown in FIG. 3 is placed on the carrier box 43 and carried to the front of the wafer transfer mechanism 30, first, the cleaning carrier 41 is placed in the wafer transfer mechanism 30. Is set. Next, the carrier 42 for transportation is set in the wafer transfer mechanism 30. Next, the wafer in the carrier 42 is transferred to the carrier 41 for cleaning. Next, the cleaning carrier 41 is transferred to the cleaning tank 11 by a carrier (not shown). At the same time, the carrier 42 for transportation is returned into the carrier box 43, and the carrier box 43 moves in front of the wafer transfer mechanism 35. Then, through steps A, B and C shown in FIG. 4, the piping system and the cleaning tank are cleaned with an acidic chemical solution as in the above-described embodiment, and the cleaning carrier 41 containing the wafer is cleaned by the cleaning tank 11, the shower tank 32, and the cleaning tank 41. Washing tank 33 and dryer 34
After that, the wafer is transferred to the wafer transfer mechanism 35. Next, the carrier 42 in the carrier box 43 moved to the front of the wafer transfer mechanism 35 in step D is set in the wafer transfer mechanism 35. Then, the wafer in the cleaning carrier 41 is transferred to the carrying carrier 42. And the carrier 42 for transportation is the carrier box 4
Returned to 3

【0018】次に、ステップEでキャリア41は酸性薬
液洗浄槽36に移されここで、キャリアに取り込まれて
いる重金属が除去される。次に、ステップF〜Gで洗浄
用キャリア41はシャワー槽37,水洗槽38,乾燥機
39を経てキャリア移替え機構40へ移される。次にス
テップHでキャリア移替え機構40に移された洗浄用キ
ャリア41は、搬送装置45に移されウェーハ移替え機
構30の前に搬送される。このようにして、順次、キャ
リアも事前に洗浄することが出来る。なお、この実施例
では前段の洗浄をアルカリ薬液洗浄で説明したが、本発
明は特にこれを限定されることはない。
Next, in step E, the carrier 41 is transferred to the acidic chemical solution cleaning tank 36, where the heavy metals taken in by the carrier are removed. Next, in steps F to G, the cleaning carrier 41 is transferred to the carrier transfer mechanism 40 via the shower tank 37, the water cleaning tank 38, and the dryer 39. Next, the cleaning carrier 41 transferred to the carrier transfer mechanism 40 in step H is transferred to the transfer device 45 and transferred to the front of the wafer transfer mechanism 30. In this way, the carrier can be sequentially cleaned in advance. In this embodiment, the cleaning in the former stage is described as the cleaning with an alkaline chemical solution, but the present invention is not limited to this.

【0019】図5は図3の洗浄装置における他の動作を
説明するための流れ図である。この動作は、最初に洗浄
用キャリアを洗浄する場合の動作であって前述の実施例
の動作とはほぼ同じである。再び図3と図5を参照しな
がらまず、洗浄用キャリア41はウェーハ移替え機構3
5前の搬送装置45に先ずセットされる。次に、洗浄用
キャリア44はウェーハ移替え機構35を経て酸性薬液
洗浄槽46に移され、ステップAで洗浄用キャリア41
に取り込まれている金属が除去される。この後ステップ
B,Cでシャワー槽37,水洗槽38,乾燥機39を経
てキャリア移替え機構40へ送られる。そして搬送装置
45に移された後、ステップDでウェーハ移替え機構3
0の前まで搬送される。次に、ステップEでウェーハが
運搬用キャリア42から洗浄用キャリア41に移し替え
られ、前述の実施例と同様にステップF〜Gによりアル
カリ性溶液によって洗浄される。そしてステップ1でウ
ェーハは運搬用キャリア42に移し替えられ、洗浄用キ
ャリア41が再びステップAで洗浄される。
FIG. 5 is a flow chart for explaining another operation of the cleaning apparatus of FIG. This operation is an operation when the cleaning carrier is first cleaned, and is almost the same as the operation of the above-described embodiment. Referring again to FIGS. 3 and 5, first, the cleaning carrier 41 is the wafer transfer mechanism 3
First, it is set in the transport device 45 before 5. Next, the cleaning carrier 44 is transferred to the acidic chemical solution cleaning tank 46 via the wafer transfer mechanism 35, and in step A, the cleaning carrier 41.
The metal taken in is removed. After this, in steps B and C, it is sent to the carrier transfer mechanism 40 via the shower tank 37, the water washing tank 38, and the dryer 39. After being transferred to the transfer device 45, in step D, the wafer transfer mechanism 3
It is transported to the front of 0. Then, in step E, the wafer is transferred from the carrier 42 for transportation to the carrier 41 for cleaning and is cleaned with the alkaline solution in steps F to G as in the above-described embodiment. Then, in step 1, the wafer is transferred to the carrier 42 for transportation, and the cleaning carrier 41 is cleaned again in step A.

【0020】このように洗浄用キャリアが、ウェーハの
洗浄に引き続いてあるいは、ウェーハ洗浄の前に酸性溶
液によって金属が除去されるためアルカリ性溶液に対す
る金属汚染を抑えることができる。
As described above, since the cleaning carrier removes the metal by the acidic solution subsequent to the cleaning of the wafer or before the cleaning of the wafer, the contamination of the alkaline solution with the metal can be suppressed.

【0021】図5及び図7は従来および本発明の洗浄装
置で半導体基板であるウェーハを洗浄したときの再結合
ライフタイムの結果を示すグラフである。ちなみに従来
の洗浄装置と本発明の洗浄装置とを比較するために実験
を行ってみたところ、図6に示すように、従来は1μs
ecと劣化していたものが、洗浄槽及び配管系統を酸性
薬液で洗浄したものでは、25μSとして回復してい
る。さらにキャリアを洗浄したものについては95μS
とリファレンスウェーハ(理想的に洗浄されたもの)に
近い値になっている。
FIG. 5 and FIG. 7 are graphs showing the results of recombination lifetime when a wafer, which is a semiconductor substrate, is cleaned by the conventional cleaning apparatus and the cleaning apparatus of the present invention. By the way, when an experiment was conducted to compare the conventional cleaning device with the cleaning device of the present invention, as shown in FIG.
What was deteriorated to ec was recovered to 25 μS when the cleaning tank and the piping system were cleaned with the acidic chemical solution. 95 μS for the carrier washed
And the value is close to the reference wafer (ideally cleaned).

【0022】また、図7に示すように、キャリアを洗浄
したものにウェーハを収納し、アルカリ性薬液に浸潰す
る時間とライフタイムを調べたところ浸潰時間によっ
て、ライフタイムが短くなることが判明した。このこと
によって従来技術のところで述べた問題点を更めて確認
することが出来た。
Further, as shown in FIG. 7, when the wafer was housed in a carrier that had been washed and the time and the lifetime for immersing the wafer in an alkaline chemical solution were examined, it was found that the lifetime was shortened by the immersing time. did. From this, it was possible to further confirm the problems described in the prior art.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、同一洗浄
槽に洗浄用アルカリ性薬液を供給する薬液供給管系統の
他に洗浄槽,薬液供給配管系統及び薬液循環配管系統を
洗浄する酸性薬液を供給する薬液供給配管系統と、ウェ
ーハを収納して洗浄するキャリアをウェーハの洗浄前に
洗浄する酸性薬液洗浄槽を設けることによって、アルカ
リ薬液によって洗浄に使用される備品より抽出される金
属を溶かし洗い流すことが出来るので、再結合ライフタ
イムを短くすることなく洗浄できる洗浄装置が得られる
という効果がある。
As described above, the present invention provides an acidic chemical solution for cleaning the cleaning tank, the chemical solution supply piping system and the chemical solution circulation piping system in addition to the chemical solution supply pipe system for supplying the alkaline chemical solution for cleaning to the same cleaning tank. By supplying chemical liquid supply piping system and an acidic chemical liquid cleaning tank for cleaning the carrier that stores and cleans the wafer before cleaning the wafer, the metal extracted from the equipment used for cleaning with the alkaline chemical liquid is melted and washed away. Therefore, it is possible to obtain a cleaning device that can be cleaned without shortening the recombination lifetime.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の洗浄装置の一実施例における洗浄槽を
示す模式断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a cleaning tank in an embodiment of a cleaning device of the present invention.

【図2】図1の洗浄装置の一動作を説明するための流れ
図である。
FIG. 2 is a flow chart for explaining one operation of the cleaning apparatus of FIG.

【図3】本発明の洗浄装置の他の実施例における構成を
示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.

【図4】図3の洗浄装置における一動作を説明するため
の流れ図である。
4 is a flow chart for explaining one operation in the cleaning apparatus of FIG.

【図5】図3の洗浄装置における他の動作を説明するた
めの流れ図である。
5 is a flow chart for explaining another operation of the cleaning apparatus of FIG.

【図6】従来及び本発明の洗浄装置の洗浄によるライフ
タイムの結果を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the results of lifetimes of conventional cleaning devices and cleaning devices of the present invention.

【図7】従来及び本発明の洗浄装置の洗浄によるライフ
タイムの結果を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the results of lifetimes of conventional cleaning devices and cleaning devices of the present invention.

【図8】従来の洗浄装置の一例における構成を示す図で
ある。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an example of a conventional cleaning device.

【図9】図8の洗浄槽を示す模式断面図である。9 is a schematic cross-sectional view showing the cleaning tank of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 酸性薬液供給管 11 洗浄槽 12 純水供給管 13,14 薬液供給管 15 循環配管 16 フィルタ 17,20,21,22,23 バルブ 18 ポンプ 19 外槽 30,30a,30b,35 ウェーハ移替え機構 32,37 シャワー槽 33,38 水洗槽 34,39 乾燥機 40 キャリア移替え機構 41 洗浄用キャリア 42 運搬用キャリア 43 キャリアボックス 45 搬送装置 10 Acidic chemical liquid supply pipe 11 Cleaning tank 12 Pure water supply pipe 13,14 Chemical liquid supply pipe 15 Circulation pipe 16 Filter 17,20,21,22,23 Valve 18 Pump 19 Outer tank 30,30a, 30b, 35 Wafer transfer mechanism 32,37 Shower tank 33,38 Wash tank 34,39 Dryer 40 Carrier transfer mechanism 41 Cleaning carrier 42 Transport carrier 43 Carrier box 45 Transport device

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 薬液を貯え半導体基板を浸漬する洗浄槽
と、この洗浄槽に前記薬液を供給する薬液供給配管系統
部と、前記薬液を循環させる薬液循環配管系統部と、前
記薬液供給配管系統部と前記洗浄槽とに酸性薬液を供給
する酸性薬液供給配管系統部とを備えることを特徴とす
る洗浄装置。
1. A cleaning tank for storing a chemical solution for immersing a semiconductor substrate, a chemical solution supply piping system section for supplying the chemical solution to the cleaning tank, a chemical solution circulation piping system section for circulating the chemical solution, and the chemical solution supply piping system. And a cleaning tank, and an acidic chemical solution supply piping system section for supplying an acidic chemical solution to the cleaning tank.
【請求項2】 前記半導体基板を収納するキャリアの単
体のみを浸漬する酸性薬液槽を備えることを特徴とする
請求項1記載の洗浄装置。
2. The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising an acidic chemical solution tank in which only a single carrier of the semiconductor substrate is immersed.
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