JP3243708B2 - Processing method and processing apparatus - Google Patents

Processing method and processing apparatus

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JP3243708B2 JP34527895A JP34527895A JP3243708B2 JP 3243708 B2 JP3243708 B2 JP 3243708B2 JP 34527895 A JP34527895 A JP 34527895A JP 34527895 A JP34527895 A JP 34527895A JP 3243708 B2 JP3243708 B2 JP 3243708B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、被処理体を洗浄
し乾燥する処理方法及び処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing method and apparatus for cleaning and drying an object to be processed.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス基板等の被処理
体を洗浄液やリンス液等の処理液が貯留された処理液槽
に順次浸漬して洗浄を行う洗浄装置が広く用いられてい
る。また、このような洗浄装置では、処理液槽で洗浄し
た被処理体を別の槽に大気中を搬送しその槽で被処理体
を乾燥する乾燥装置を備えている。しかし、このような
洗浄・乾燥装置においては、処理液槽で洗浄した被処理
体例えば半導体ウエハは大気中で被処理体を乾燥する乾
燥装置に搬送されるので、その搬送中にウエハの表面に
付着する水滴等によって大気中のパーティクルがトラッ
プされ乾燥装置で乾燥された際にそのパーティクルがウ
エハの表面に残渣してしまうという問題があった。
2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a semiconductor manufacturing apparatus, an object to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD glass substrate is sequentially immersed in a processing liquid tank in which a processing liquid such as a cleaning liquid or a rinsing liquid is stored. Is widely used. Further, such a cleaning apparatus is provided with a drying device that transports the object to be processed washed in the processing liquid tank to another tank in the atmosphere and dries the object to be processed in the tank. However, in such a cleaning / drying apparatus, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer, which has been cleaned in a processing liquid tank, is transferred to a drying apparatus for drying the object to be processed in the atmosphere. There is a problem that particles in the atmosphere are trapped by water droplets and the like that adhere to the wafer, and when the particles are dried by a drying device, the particles remain on the surface of the wafer.

【0003】この問題を解決する方法として、被処理体
を収容する容器内で水洗流体にて洗浄処理した後、容器
内に溶剤例えばIPA(イソプロピルアルコール)等の
乾燥ガスを供給して水洗流体を乾燥ガスで置換後に、液
滴が被処理体の表面に実質的に残らない速度で、水洗流
体を被処理体の表面から直接置換することにより、水洗
流体を乾燥ガスで置換する表面乾燥処理方法が知られて
いる(特開平3−169013号公報参照)。
As a method for solving this problem, after a cleaning treatment is performed with a washing fluid in a container for accommodating the object to be processed, a dry gas such as IPA (isopropyl alcohol) is supplied into the container to remove the washing fluid. A surface drying treatment method in which the flushing fluid is replaced with a dry gas by directly displacing the flushing fluid from the surface of the treatment target at a speed at which droplets do not substantially remain on the surface of the treatment target after the replacement with the dry gas. Is known (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-169003).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、被処理体の
表面の自然酸化膜や金属不純物を除去するために、洗浄
工程に加えて例えばフッ化水素酸(HF)の薬液によっ
て被処理体を処理し、その後薬液を例えば純水洗浄によ
り除去する処理が行われている。このような洗浄・乾燥
処理を行うには、被処理体をHFで薬液処理した後に純
水洗浄処理を行い、その後に乾燥処理を行う必要がある
ため、HFの供給・排出手段を具備しない上述の特開平
3−169013号公報に記載の処理方法・処理装置を
そのまま適用することはできない。したがって、HF処
理部と乾燥処理部とを別個に設けざるを得ない。
By the way, in order to remove a natural oxide film and metal impurities on the surface of the object to be treated, the object to be treated is treated with a chemical solution of hydrofluoric acid (HF) in addition to the cleaning step. Thereafter, a process of removing the chemical solution by, for example, cleaning with pure water is performed. In order to perform such cleaning / drying processing, it is necessary to perform pure water cleaning processing after subjecting the object to be processed with a chemical solution with HF and then perform drying processing. The processing method and processing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-169003 cannot be directly applied. Therefore, the HF processing section and the drying processing section must be provided separately.

【0005】しかしながら、HFによる薬液処理後に純
水洗浄する場合、図10に示すように、被処理体例えば
半導体ウエハWの表面に向かって純水を供給するため、
純水によるすすぎに一定の時間を要し、そのためウエハ
Wの表面にHFが残留し、この残留HFによってウエハ
Wがエッチングされてしまい、ウエハWの面内均一性が
損なわれるという問題があった。また、残留HFは水滴
状となるため、上述したように乾燥装置に搬送する間に
水滴に大気中のパーティクルがトラップする恐れがあ
り、また、その水滴の一部が乾きあるいは乾燥装置で乾
かす際、ウエハWの表面に乾燥むらが発生し次工程で歩
留まりを低下させるという問題がある。
However, in the case of cleaning with pure water after the chemical solution treatment with HF, as shown in FIG. 10, pure water is supplied toward the surface of the object to be processed, for example, the semiconductor wafer W.
A certain time is required for rinsing with pure water, so that HF remains on the surface of the wafer W, and the remaining HF causes the wafer W to be etched, thereby deteriorating the in-plane uniformity of the wafer W. . In addition, since the residual HF is in the form of water droplets, particles in the atmosphere may be trapped in the water droplets during transportation to the drying device as described above, and some of the water droplets may be dried or dried by the drying device. In addition, there is a problem that drying unevenness occurs on the surface of the wafer W and lowers the yield in the next step.

【0006】また、被処理体がベアウエハ又はPoly
−Si膜付ウエハ等疎水性ウエハである場合、HF処理
の後に純水洗浄すると、空気の巻き込み又は純水中のシ
リカ成分等によって生成されると思われるSiOx等の
不純物がウエハ表面に付着又は生成し、パターン形成時
の不良原因となり、歩留まり低下の原因となってしまう
という問題もあった。
The object to be processed is a bare wafer or a poly wafer.
In the case of a hydrophobic wafer such as a wafer with a Si film, if pure water cleaning is performed after the HF treatment, impurities such as SiOx, which are considered to be generated by air entrapment or a silica component in the pure water, adhere to the wafer surface or There is also a problem in that they are generated and cause a defect at the time of pattern formation, which causes a reduction in yield.

【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体を薬液処理及び洗浄し乾燥するに際し、被
処理体にパーティクルの付着あるいは乾燥むら等を抑制
することができる処理方法及び処理装置を提供すること
を目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a processing method and a processing apparatus capable of suppressing adhesion of particles to a processing target or uneven drying when processing and cleaning and drying the processing target. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理方法は、被処理体を薬液処理
及び洗浄し乾燥する処理方法であって、 処理部を構成
する内槽内に配設された上記被処理体を薬液で処理する
工程と、 上記薬液を上記内槽底部に設けられた排出口
から排液する工程と、 上記被処理体を洗浄液で洗浄す
る工程と、 上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程の
後、上記内槽からオーバーフローした薬液及び洗浄液を
受け止める外槽と、この外槽の開口部を開閉するカップ
とを密接し、上記内槽と上記カップとの間を気密状態に
する工程と、 上記外槽に設けられたガス供給口から乾
燥ガスを供給すると共に、この外槽の上部に設けられた
排気口から上記乾燥ガスを排気する工程と、 上記洗浄
液の界面部に上記被処理体に対して疎水性を有する領域
を形成する工程と、 上記被処理体を上記界面部より実
質的に突出させつつ乾燥ガスにより乾燥する工程と、を
有することを特徴とするものである(請求項1)。
To achieve the above object, according to the Invention The first processing method of the present invention is a processing method for dry chemical processing and cleaning the object to be processed, constituting the processing unit
Treating the object to be treated disposed in the inner tank with a chemical solution, discharging the chemical solution from a discharge port provided at the bottom of the inner tank, and treating the object to be treated. A step of cleaning with a cleaning liquid and a step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid.
After that, the chemical solution and cleaning solution overflowing from the inner tank are
An outer tub to receive and a cup to open and close the opening of this outer tub
And tightly seal the space between the inner tank and the cup.
And drying from a gas supply port provided in the outer tank.
A dry gas is supplied and an upper part of the outer tank is provided.
Exhausting the dry gas from an exhaust port , forming an area having hydrophobicity with respect to the object at the interface of the cleaning liquid, and substantially projecting the object from the interface. Drying with a drying gas while drying (claim 1).

【0009】この発明の第2の処理方法は、被処理体を
薬液処理及び洗浄し乾燥する処理方法であって、 処理
を構成する内槽内に配設された上記被処理体を薬液で
処理する工程と、 上記薬液を上記内槽底部に設けられ
た排出口から排液する工程と、 上記被処理体を洗浄液
で洗浄する工程と、 上記被処理体を洗浄液で洗浄する
工程の後、上記内槽からオーバーフローした薬液及び洗
浄液を受け止める外槽と、この外槽の開口部を開閉する
カップとを密接し、上記内槽と上記カップとの間を気密
状態にする工程と、 上記外槽に設けられたガス供給口
から乾燥ガスを供給すると共に、この外槽の上部に設け
られた排気口から上記乾燥ガスを排気する工程と、
記洗浄液の界面部に乾燥ガスを含有する領域を形成する
工程と、上記被処理体を上記界面部より実質的に突出さ
せつつ上記界面部上方に形成された乾燥ガス雰囲気によ
り乾燥する工程と、有することを特徴とするものであ
る(請求項2)。
A second processing method according to the present invention is a processing method for treating, cleaning, and drying an object to be treated with a chemical solution, wherein the object to be treated, which is disposed in an inner tank constituting a processing section, is treated with a chemical solution. A step of treating, wherein the chemical is provided at the bottom of the inner tank.
Draining from the discharged outlet , cleaning the object with a cleaning liquid, and cleaning the object with a cleaning liquid.
After the process, the chemical solution overflowing from the inner tank and washing
Open and close the outer tank that receives the purified liquid and the opening of this outer tank
Close the cup and airtight between the inner tank and the cup
And a gas supply port provided in the outer tank.
Supply dry gas from
Exhausting the dry gas from the exhaust port , forming a region containing the dry gas at the interface of the cleaning liquid, and causing the object to be processed to substantially protrude from the interface, it is characterized in that and a step of drying the drying gas atmosphere is formed above (claim 2).

【0010】この発明の第3の処理方法は、被処理体を
薬液処理及び洗浄し乾燥する処理方法であって、 処理
を構成する内槽内に配設された上記被処理体を薬液で
処理する工程と、 上記薬液を上記内槽底部に設けられ
た排出口から排液する工程と、 上記被処理体を洗浄液
で洗浄する工程と、 上記被処理体を洗浄液で洗浄する
工程の後、上記内槽からオーバーフローした薬液及び洗
浄液を受け止める外槽と、この外槽の開口部を開閉する
カップとを密接し、上記内槽と上記カップとの間を気密
状態にする工程と、 上記外槽に設けられたガス供給口
から乾燥ガスを供給すると共に、この外槽の上部に設け
られた排気口から上記乾燥ガスを排気する工程と、
記洗浄液を上記被処理体が洗浄液中に維持された状態で
上記内槽底部に設けられた排出口から排出する工程と、
上記被処理体を上記洗浄液の界面部から界面部上方に
形成された乾燥ガス雰囲気に実質的に突出させ乾燥する
工程と、を有することを特徴とするものである(請求項
3)。
[0010] A third processing method of the present invention is a processing method for treating, cleaning and drying an object to be treated with a chemical solution, wherein the object to be treated disposed in an inner tank constituting a processing section is treated with a chemical solution. A step of treating, wherein the chemical is provided at the bottom of the inner tank.
Draining from the discharged outlet , cleaning the object with a cleaning liquid, and cleaning the object with a cleaning liquid.
After the process, the chemical solution overflowing from the inner tank and washing
Open and close the outer tank that receives the purified liquid and the opening of this outer tank
Close the cup and airtight between the inner tank and the cup
And a gas supply port provided in the outer tank.
Supply dry gas from
Exhausting the dry gas from the exhaust port provided, and applying the cleaning liquid in a state where the object to be processed is maintained in the cleaning liquid.
Discharging from an outlet provided at the bottom of the inner tank ;
A step of substantially projecting the object to be processed from the interface of the cleaning liquid into a dry gas atmosphere formed above the interface and drying the object.

【0011】上記処理方法において、内槽とカップとの
間を気密状態にする工程の後、内槽内の洗浄液を内槽か
ら外槽へオーバーフローすると共に、気密雰囲気内に不
活性ガスを供給する方が好ましい(請求項)。また、
被処理体を洗浄液で洗浄する工程中に、内槽上部に設け
られた比抵抗検出手段により洗浄液の比抵抗値を検出
し、この洗浄液の比抵抗値が所定の値になった後、乾燥
処理を行う方が好ましい(請求項)。
[0011] In the above processing method, the inner tank and the cup
After the step of between the airtight state, the overflow the washing liquid in the inner tank from the inner tank to the outer tank, preferably laterally supplying an inert gas into the airtight atmosphere (claim 4). Also,
Provided above the inner tank during the process of cleaning the workpiece with the cleaning liquid
Detecting the specific resistance of the cleaning liquid by obtained resistivity detecting means, after the specific resistance value of the washing liquid reaches a predetermined value, who performs the drying process is preferred (claim 5).

【0012】また、この発明の第1の処理装置は、被処
理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する処理装置であって、
上記被処理体を処理する処理部と、溶剤を加熱して乾
燥ガスを生成する乾燥ガス生成部と、上記処理部と乾燥
ガス生成部とを連通する乾燥ガス供給路とを具備し、
上記処理部は、上記被処理体を収容する内槽と、この内
槽からオーバーフローした薬液及び洗浄液を受け止める
外槽とで構成され、 上記内槽底部に、薬液及び洗浄液の
供給・排出口を設けると共に、少なくとも薬液の排出口
に強制排液機構を設け、 上記外槽に、開閉弁を介設す
る上記乾燥ガス供給路を接続するガス供給口を設けると
共に、この外槽の上部に、開閉弁を介設する排気路を接
続する排気口を設け、 上記外槽に密接し、上記内槽と
の間を気密状態にするカップを設けたことを特徴とする
ものである(請求項)。
Further, a first processing apparatus of the present invention is a processing apparatus for processing, cleaning and drying an object to be processed with a chemical solution,
A processing unit for processing the object to be processed, a dry gas generation unit that generates a dry gas by heating a solvent, and a dry gas supply path that communicates the processing unit and the dry gas generation unit,
The processing unit includes an inner tank that stores the object to be processed,
Receives overflowing chemicals and cleaning solutions from the tank
It is composed of an outer tub, to the tank bottom, provided with a supply and discharge port of the chemical solution and the cleaning liquid, provided a forced drainage mechanism to at least chemical outlet in the outer tub, to interposed off valve
Providing a gas supply port connecting the dry gas supply path
In both cases, an exhaust passage with an on-off valve is connected to the upper part of this outer tank.
A continuous exhaust port is provided, close to the outer tank, and connected to the inner tank.
In which characterized in that a cup airtight between (claim 6).

【0013】また、この発明の第2の処理装置は、被処
理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する処理装置であって、
上記被処理体を処理する処理部と、溶剤を加熱して乾
燥ガスを生成する乾燥ガス生成部と、上記処理部と乾燥
ガス生成部とを連通する乾燥ガス供給路とを具備し、
上記処理部は、上記被処理体を収容する内槽と、この内
槽からオーバーフローした薬液及び洗浄液を受け止める
外槽とで構成され、 上記内槽底部に、薬液及び洗浄液の
供給・排出口を設けると共に、少なくとも薬液の排出口
に強制排液機構を設け、 上記外槽に、開閉弁を介設す
る上記乾燥ガス供給路を接続するガス供給口を設けると
共に、この外槽の上部に、開閉弁を介設する排気路を接
続する排気口を設け、 上記外槽に密接し、上記内槽と
の間を気密状態にするカップを設け、 上記内槽上
に、内槽内に供給される洗浄液の比抵抗値を測定する比
抵抗検出手段を設けたことを特徴とするものである(請
求項)。この場合、比抵抗検出手段からの検出信号を
受ける制御手段からの信号に基づいて洗浄液供給部の開
閉手段を制御する方が好ましい(請求項)。また、比
抵抗検出手段からの検出信号を受ける制御手段からの信
号に基づいて乾燥ガス供給部の開閉手段を制御する方が
好ましい(請求項)。
[0013] A second processing apparatus of the present invention is a processing apparatus for processing an object to be processed with a chemical solution, cleaning and drying the object,
A processing unit for processing the object to be processed, a dry gas generation unit that generates a dry gas by heating a solvent, and a dry gas supply path that communicates the processing unit and the dry gas generation unit,
The processing unit includes an inner tank that stores the object to be processed,
Receives overflowing chemicals and cleaning solutions from the tank
It is composed of an outer tub, to the tank bottom, provided with a supply and discharge port of the chemical solution and the cleaning liquid, provided a forced drainage mechanism to at least chemical outlet in the outer tub, to interposed off valve
Providing a gas supply port connecting the dry gas supply path
In both cases, an exhaust passage with an on-off valve is connected to the upper part of this outer tank.
A continuous exhaust port is provided, close to the outer tank, and connected to the inner tank.
The cup between airtight provided on the tank top portion and is characterized in that a specific resistance detection means for measuring the resistivity of the cleaning liquid supplied to the inner tank (according Item 7 ). In this case, better to control the opening and closing means of the cleaning liquid supply section based on a signal from the control means for receiving a detection signal from the specific resistance detecting means it is preferable (claim 8). Further, it is preferable to control the opening / closing means of the dry gas supply unit based on a signal from a control means that receives a detection signal from the specific resistance detection means (Claim 9 ).

【0014】上記処理装置において、上記強制排液機構
を、処理部の底部に設けられた複数の排液口と、各排液
口を開閉する蓋体と、この蓋体を開閉駆動する開閉手段
とで構成するか(請求項10)、あるいは、上記強制排
液機構を、薬液及び洗浄液の供給・排出口を有し処理部
の底部に対して接離可能な蓋体と、この蓋体を開閉駆動
する開閉手段とで構成することができる(請求項
)。
In the above processing apparatus, the forcible drainage mechanism includes a plurality of drainage ports provided at the bottom of the processing section, a lid for opening and closing each drainage port, and an opening / closing means for driving the lid to open and close. (Claim 10 ) or a lid having a supply / discharge port for supplying a chemical solution and a cleaning liquid and capable of coming in contact with and separating from the bottom of the processing unit; it can be constituted by the opening and closing means for opening and closing (claim 1
1 ).

【0015】この発明によれば、処理部を構成する内槽
内に配設された被処理体を薬液で処理した後、薬液を
槽底部に設けられた排出口から排液し、次いで、被処理
体を洗浄液で洗浄した後、内槽からオーバーフローした
薬液及び洗浄液を受け止める外槽と、この外槽の開口部
を開閉するカップとを密接し、内槽とカップとの間を気
密状態にし、次いで、外槽に設けられたガス供給口から
乾燥ガスを供給すると共に、この外槽上部に設けられた
排気口から乾燥ガスを排気し、洗浄液の界面部に被処理
体に対して疎水性を有する領域を形成して、被処理体を
界面部より実質的に突出させつつ乾燥ガスにより乾燥す
ることにより、被処理体を大気に晒すことなく、薬液処
理、洗浄処理及び乾燥処理を連続的に行うことができ
る。この際、薬液処理後、薬液を強制的に排出すること
で、被処理体の表面の薬液の残渣を抑制することができ
る。また、被処理体を洗浄液の界面部より突出する際、
被処理体に対して洗浄液の残渣を抑制し、乾燥ガスに晒
すことができるので、被処理体に乾燥むらが発生するの
を抑制することができる。
According to the present invention, after the object to be processed disposed in the inner tank constituting the processing section is treated with the chemical, the chemical is removed .
The liquid was discharged from a discharge port provided at the bottom of the tank , and then the object to be processed was washed with a cleaning liquid, and then overflowed from the inner tank.
An outer tank that receives chemicals and cleaning liquid, and the opening of this outer tank
Close the cup that opens and closes the air tightly.
Dense, then through the gas supply port provided in the outer tank
A dry gas is supplied and provided on the outer tank.
By exhausting the drying gas from the exhaust port , forming a region having hydrophobicity with respect to the object at the interface of the cleaning liquid, and drying the object with the drying gas while substantially protruding the object from the interface. The chemical treatment, the cleaning treatment, and the drying treatment can be continuously performed without exposing the target object to the atmosphere. At this time, by forcibly discharging the chemical solution after the chemical solution treatment, the residue of the chemical solution on the surface of the object to be processed can be suppressed. Also, when projecting the object from the interface of the cleaning liquid,
Since the residue of the cleaning liquid on the object to be processed can be suppressed and the object can be exposed to a dry gas, it is possible to suppress the occurrence of uneven drying of the object to be processed.

【0016】また、被処理体を洗浄液で洗浄する工程中
に、内槽上部に設けられた比抵抗検出手段により洗浄液
の比抵抗値を検出し、この洗浄液の比抵抗値が所定の値
になった後、乾燥ガスを供給すると共に、洗浄液を被処
理体が洗浄液中に維持された状態で排出することによ
り、洗浄処理を確実にすると共に、洗浄・乾燥処理を迅
速に行うことができる。
Further, during the step of cleaning the object to be processed with the cleaning liquid, the specific resistance of the cleaning liquid is detected by a specific resistance detecting means provided at the upper part of the inner tank, and the specific resistance of the cleaning liquid becomes a predetermined value. Then, by supplying a drying gas and discharging the cleaning liquid while the object to be processed is maintained in the cleaning liquid, the cleaning processing can be ensured and the cleaning / drying processing can be performed quickly.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態を添
付図面に基づいて詳細に説明する。図1は、この発明に
係る処理装置を備えた洗浄処理システム1の構成を示す
斜視図で、この洗浄処理システム1は、洗浄処理部2
と、この洗浄処理部2の両側端部に設けられたローダ部
3及びアンローダ部4とで主要部が構成されている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a cleaning processing system 1 including a processing apparatus according to the present invention.
And a loader section 3 and an unloader section 4 provided at both end portions of the cleaning processing section 2 to constitute a main part.

【0018】上記ローダ部3は、未洗浄の被処理体、例
えば半導体ウエハ(以下にウエハという)が所定枚数、
例えば25枚収容されたキャリアCを搬入、載置させる
載置部5と、この載置部5のキャリアCからウエハを取
り出して位置決めし、所定の間隔かつ所定の枚数分のウ
エハを後述する搬送機構に17に対して受け渡しを行う
中継部7に移送するための移送装置8とで主に構成され
ている。
The loader unit 3 includes a predetermined number of uncleaned objects, for example, semiconductor wafers (hereinafter, referred to as wafers).
For example, a mounting section 5 for loading and mounting 25 carriers C accommodated therein, a wafer taken out of the carrier C of the mounting section 5 and positioned, and a predetermined interval and a predetermined number of wafers are transferred as described later. It mainly comprises a transfer device 8 for transferring to the relay section 7 which transfers the data to the mechanism 17.

【0019】上記洗浄処理部2は、一次洗浄ユニットか
らn次洗浄ユニットまで複数の洗浄ユニット10a,1
0b,…,10nが順次配列されて構成されている。そ
れらの各洗浄ユニット10a〜10n内の洗浄ユニット
10aは、例えば薬液槽11,一次水洗槽12、二次水
洗槽13から構成され、薬液槽11において薬液洗浄
後、一次水洗槽12及び二次水洗槽13において純水に
よりウエハに付着した薬液を洗浄した後、ウエハは、更
に下流の洗浄ユニット10b〜10nの内所定の洗浄ユ
ニットに移載され所定の処理が施されるよう構成されて
いる。
The cleaning section 2 includes a plurality of cleaning units 10a, 1 from the primary cleaning unit to the n-th cleaning unit.
, 10n are sequentially arranged. The cleaning unit 10a in each of the cleaning units 10a to 10n includes, for example, a chemical tank 11, a primary washing tank 12, and a secondary washing tank 13. After the chemical liquid is washed in the chemical tank 11, the primary washing tank 12 and the secondary washing tank are used. After cleaning the chemical solution attached to the wafer with pure water in the tank 13, the wafer is transferred to a predetermined cleaning unit among the downstream cleaning units 10b to 10n and subjected to a predetermined process.

【0020】また、上記洗浄処理部2の最下流の洗浄ユ
ニット10nには、後述するように同一槽の薬液例えば
フッ化水素酸(HF)による処理及び純水による最終洗
浄を行うと共に、乾燥ガス例えば溶剤としてのイソプロ
ピルアルコール(IPA)等で洗浄処理が終了したウエ
ハを乾燥させるためのこの発明の処理装置である洗浄・
乾燥処理装置15の洗浄・乾燥処理槽20(処理部)が
順次配列されて、一連の洗浄処理を行うことができるよ
うに構成されている。
The cleaning unit 10n at the most downstream side of the cleaning processing unit 2 is subjected to a treatment with a chemical solution such as hydrofluoric acid (HF) and a final cleaning with pure water in the same tank as described later, For example, a cleaning / cleaning apparatus according to the present invention for drying a wafer that has been cleaned with isopropyl alcohol (IPA) or the like as a solvent.
The cleaning / drying processing tanks 20 (processing units) of the drying processing apparatus 15 are sequentially arranged so that a series of cleaning processing can be performed.

【0021】また、上記洗浄ユニット10b〜10n側
方には、把持機構、例えばウエハチャック16によって
複数枚例えば50枚のウエハを上記中継部7から受け取
ると共にそれらのウエハを一括して把持し、それらのウ
エハを垂直及び水平方向に移動し所定の処理槽に対して
搬入出する搬送機構17が設けられている。本実施形態
では、この搬送機構17は複数台、例えば3台設けられ
ており、その搬送範囲を制限することによって、それぞ
れ洗浄ユニット10b〜10n間における例えば薬液の
干渉を防止するよう配慮されている。
Further, a plurality of wafers, for example, 50 wafers are received from the relay unit 7 by a gripping mechanism, for example, a wafer chuck 16, and the wafers are collectively gripped on the sides of the cleaning units 10 b to 10 n. A transfer mechanism 17 is provided for moving the wafer in the vertical and horizontal directions and carrying the wafer into and out of a predetermined processing tank. In the present embodiment, a plurality of, for example, three transport mechanisms 17 are provided, and by limiting the transport range, care is taken to prevent interference of, for example, a chemical solution between the cleaning units 10b to 10n. .

【0022】一方、上記アンローダ部4は、前述の洗浄
ユニット10b〜10nによって洗浄し乾燥されたウエ
ハを収納するキァリアCを載置可能に構成された載置部
6を備えており、この載置部6から洗浄・乾燥処理が終
了しキャリアCに戻されたウエハは載置外に搬出され
る。
On the other hand, the unloader section 4 includes a mounting section 6 which is capable of mounting a carrier C for storing a wafer which has been cleaned and dried by the above-described cleaning units 10b to 10n. The wafer returned to the carrier C after the cleaning / drying processing from the section 6 is completed is carried out of the mounting.

【0023】次に、この発明の処理装置である上記洗浄
ユニット10nの洗浄・乾燥処理装置15の構成を説明
する。
Next, the configuration of the cleaning / drying processing device 15 of the cleaning unit 10n, which is the processing device of the present invention, will be described.

【0024】◎第一実施形態 上記洗浄・乾燥処理装置15は、図2及び図3に示すよ
うに洗浄液、例えば純水と薬液例えばHF(具体的に
は、HF:H2O=1:99〜1:19のHF液)を収
容可能に構成された箱型の処理部としての洗浄・乾燥処
理槽20(以下に処理槽という)と、IPAを加熱して
乾燥ガスを生成する乾燥ガス生成部40と、処理槽20
と乾燥ガス生成部40とを連通する乾燥ガス供給路30
と、乾燥ガス供給路30に三方切換弁V6及びフィルタ
51を介して連通する不活性ガス例えば窒素(N2)ガ
ス供給路50とで主に構成されている。
First Embodiment As shown in FIGS. 2 and 3, the cleaning / drying processing apparatus 15 includes a cleaning liquid such as pure water and a chemical such as HF (specifically, HF: H2O = 1: 99 to 1). : A cleaning / drying processing tank 20 (hereinafter, referred to as a processing tank) as a box-shaped processing section configured to be able to store the HF liquid (19: HF solution), and a dry gas generating section 40 for heating the IPA to generate a dry gas. And the processing tank 20
Dry gas supply path 30 that communicates with the dry gas generator 40
And an inert gas, for example, nitrogen (N2) gas supply passage 50 which communicates with the dry gas supply passage 30 via the three-way switching valve V6 and the filter 51.

【0025】上記処理槽20は、この処理槽20内に配
設され、上記搬送機構17によって搬入される所定間
隔、例えばハーフピッチかつ所定枚数例えば50枚のウ
エハWを垂直に保持する保持具21を備えている。この
処理槽20は、保持具21が収納されてウエハWを処理
液中に浸潰することが可能な内槽20aと、この内槽2
0aの上端からオーバーフローする純水を受け止める外
槽20bとで構成されている。この外槽20bの底部に
は、その純水を排出するための排出口22が設けられて
おり、この排出口22から使用済みの純水は配管を介し
て回収手段23に回収されるよう構成されている。
The processing tank 20 is provided in the processing tank 20 and has a holder 21 for vertically holding a predetermined interval, for example, a half pitch and a predetermined number of, for example, 50 wafers W, which are carried in by the transfer mechanism 17. It has. The processing tank 20 includes an inner tank 20a in which the holder 21 is stored and capable of immersing the wafer W in the processing liquid, and an inner tank 2a.
The outer tank 20b receives pure water overflowing from the upper end of the outer tank 20a. A discharge port 22 for discharging the pure water is provided at the bottom of the outer tank 20b. From the discharge port 22, the used pure water is collected by a collecting means 23 through a pipe. Have been.

【0026】また、上記内槽20aの底部20cには供
給・排出口24が設けられ、この供給・排出口24に対
して内槽20aの純水を排出するラインL1と、内槽2
0a内に一次洗浄用の純水を供給するラインL2及び内
槽20a内にHFを供給するラインL3が接続され、ラ
インL1は、供給・排出口24から純水を開閉手段V1を
介して液を回収手段23に回収されるよう構成されてい
る。ラインL2は、ポンプP1と開閉弁V2とを介設して
純水を内槽20a内に供給する供給管19aと接続され
ている。また、ラインL3は、ポンプP2と開閉弁V3と
を介設してHF液を内槽20aに供給する供給管19b
と接続されている。
A supply / discharge port 24 is provided at the bottom 20c of the inner tank 20a. A line L1 for discharging pure water from the inner tank 20a to the supply / discharge port 24, and an inner tank 2
A line L2 for supplying pure water for primary cleaning into the inner tank 20a and a line L3 for supplying HF into the inner tank 20a are connected to each other. The line L1 is connected to the pure water from the supply / discharge port 24 via the opening / closing means V1. Is collected by the collecting means 23. The line L2 is connected to a supply pipe 19a for supplying pure water into the inner tank 20a via a pump P1 and an on-off valve V2. The line L3 is provided with a supply pipe 19b for supplying the HF liquid to the inner tank 20a via the pump P2 and the on-off valve V3.
Is connected to

【0027】上記ラインL2,L3から供給・排出口24
より槽内に導入された純水とHF液は、上記保持具21
と上記底部20cとの間に介装された整流手段25を介
して、乱流を抑制して均等にウエハWの周囲に供給させ
るよう構成されている。
The supply / discharge port 24 from the lines L2 and L3
The pure water and the HF solution introduced into the tank are retained by the holding fixture 21.
Through the rectifying means 25 interposed between the wafer W and the bottom portion 20c, turbulence is suppressed and the wafer W is supplied uniformly around the wafer W.

【0028】この場合、上記整流手段25は、処理槽2
0を上下に区画するように水平に配設される整流板25
aと、供給・排出口24の上方に配置される拡散板25
bとで構成されている。この整流板25aには多数の小
孔25cが穿設されており、供給・排出口24より導入
された純水又はHF液は、まず、拡散板25bの裏面に
衝突し、その拡散板25bの周縁部より整流板25aの
裏面全体に拡散され、その後整流板25aの小孔25c
を通過して、上記保持具21により保持されたウエハW
の周囲に供給されるので、乱流を生じることなく均等な
流速でウエハWを包み込み、ウエハW全体をむら無く均
等に洗浄又は浸漬することが可能なように構成されてい
る。
In this case, the rectifying means 25 is provided in the processing tank 2.
Rectifier plate 25 horizontally arranged so as to partition 0 vertically
a and a diffusion plate 25 disposed above the supply / discharge port 24
b. A large number of small holes 25c are formed in the current plate 25a, and pure water or HF liquid introduced from the supply / discharge port 24 first collides with the back surface of the diffusion plate 25b, and the diffusion plate 25b It is diffused from the peripheral edge to the entire back surface of the current plate 25a, and then the small holes 25c of the current plate 25a are formed.
And the wafer W held by the holder 21
, The wafer W is wrapped at a uniform flow rate without generating turbulence, and the entire wafer W can be uniformly washed or immersed.

【0029】また、上記処理槽20の内槽20aの底部
両側には、内槽20a内に溜ったHF液を短時間に排出
するための強制排液機構60が設けられている。この強
制排液機構60は、上記内槽20aの底部側壁に設けら
れた大口径の排液口61と、この排液口61を開閉する
蓋体62と、蓋体62を開閉駆動する開閉駆動手段例え
ば油圧シリンダ63とで構成されている。なお、開閉駆
動手段は油圧シリンダ63以外に例えばエアーシリンダ
であってもよく、また、リンク機構等の機械式やソレノ
イドを用いた電気式等任意のものを用いることができ
る。
On both sides of the bottom of the inner tank 20a of the processing tank 20, forcible drainage mechanisms 60 for draining the HF liquid accumulated in the inner tank 20a in a short time are provided. The forced drainage mechanism 60 includes a large-diameter drain port 61 provided on the bottom side wall of the inner tank 20a, a lid 62 that opens and closes the drain port 61, and an opening and closing drive that opens and closes the lid 62. For example, a hydraulic cylinder 63 is provided. The opening / closing drive means may be, for example, an air cylinder other than the hydraulic cylinder 63, and may be of any type such as a mechanical type such as a link mechanism or an electric type using a solenoid.

【0030】このように構成される強制排液機構60の
開閉駆動手段例えば油圧シリンダ63を駆動して、蓋体
62を排液口61から離すことにより、ウエハWを浸漬
して処理するために内槽20a内に溜ったHF液を短時
間に外部へ排出することができる。なお、内槽20a内
から排出されるHF液は図示しない排液管を介して所定
の排液タンク等に排出される。
The opening / closing drive means for the forced drainage mechanism 60 constructed as described above, for example, the hydraulic cylinder 63 is driven to separate the lid 62 from the drainage port 61 so that the wafer W is immersed and processed. The HF liquid accumulated in the inner tank 20a can be discharged to the outside in a short time. The HF liquid discharged from the inner tank 20a is discharged to a predetermined drain tank via a drain pipe (not shown).

【0031】一方、処理槽20の上部側には、二次洗浄
用の洗浄液例えば純水の供給部が設けられている。この
純水供給部は、図2に示すように、ラインL2から分岐
するラインL4に接続されて純水を一時的に貯留するタ
ンク100にて形成されている。この純水供給用タンク
100内に、ラインL4に介設される開閉弁V4及び上記
ポンプP1を介して純水が一時的に貯留され、タンク1
00の供給口に設けられた開閉弁Vtを操作して所定量
の純水が内槽20a内のウエハWに向って供給されるよ
うに構成されている。なお、タンク100を別の供給源
に接続してもよい。また、純水を供給・排出口24から
供給して純水洗浄するようにしてもよい。
On the other hand, on the upper side of the processing tank 20, a cleaning liquid for secondary cleaning, for example, a supply section of pure water is provided. As shown in FIG. 2, the pure water supply unit is formed of a tank 100 that is connected to a line L4 branched from a line L2 and temporarily stores pure water. Pure water is temporarily stored in the pure water supply tank 100 via an on-off valve V4 provided on the line L4 and the pump P1.
A predetermined amount of pure water is supplied to the wafer W in the inner tank 20a by operating the on-off valve Vt provided at the supply port No. 00. Note that the tank 100 may be connected to another supply source. Alternatively, pure water may be supplied from the supply / discharge port 24 to perform pure water cleaning.

【0032】また、処理槽20の外槽20bの対向する
辺の上部側の一方には、乾燥ガス供給路30と接続する
乾燥ガス供給口31が設けられ、他方の上部壁には排気
口32が設けられ、この排気口32に開閉弁V5及び排
気手段33を介設する排気路34が接続されている。な
お、乾燥ガス供給路30の外周部には、乾燥ガスの沸点
以上の温度、IPAガスの場合、好ましくは80℃以上
の所定温度に設定する加熱手段例えばヒータ(図示せ
ず)が配設されている。
A dry gas supply port 31 connected to a dry gas supply path 30 is provided on one side of the opposite side of the outer tank 20b of the processing tank 20, and an exhaust port 32 is provided on the other upper wall. The exhaust port 32 is connected to an exhaust path 34 provided with an on-off valve V5 and an exhaust means 33. A heating means, for example, a heater (not shown) for setting the temperature to a temperature equal to or higher than the boiling point of the dry gas, and preferably to a predetermined temperature equal to or higher than 80 ° C. in the case of the IPA gas is provided on the outer peripheral portion of the dry gas supply path 30. ing.

【0033】また、上記処理槽20の上方には、図2に
示すように、カップ27が設けられている。このカップ
27は、上記外槽20bの上面と当接する封止部材例え
ばOリング28を具備しており、図示しない移動機構に
よって外槽20bに対して図中矢印のように近接あるい
は離脱して、処理槽20の開口部を開閉し得るように構
成されている。
A cup 27 is provided above the processing tank 20, as shown in FIG. The cup 27 includes a sealing member such as an O-ring 28 that contacts the upper surface of the outer tub 20b. The cup 27 approaches or separates from the outer tub 20b by a moving mechanism (not shown) as indicated by an arrow in the drawing. The opening of the processing tank 20 can be opened and closed.

【0034】上記のように、処理槽20の外槽20b
に、不活性ガス供給路50と連通する乾燥ガス供給路3
0及び排気路34を接続することにより、処理槽20内
に乾燥ガス例えばIPAガス及び不活性ガス例えばN2
ガスを供給することができると共に、必要に応じて排気
することができる。この場合、カップ27には乾燥ガス
の供給・排出部を設けないため、カップ27の移動部に
乾燥ガスの供給用の例えばPFA等の合成樹脂製のフレ
キシブルチューブを使用する必要がない。したがって、
上記フレキシブルチューブを使用した場合に、乾燥ガス
の加熱温度例えばIPAガスの沸点80℃以上の高温度
によってフレキシブルチューブが劣化し、パーティクル
等が発生するのを防止することができる。
As described above, the outer tank 20b of the processing tank 20
The dry gas supply path 3 communicating with the inert gas supply path 50
0 and the exhaust path 34, a drying gas such as IPA gas and an inert gas such as N2
Gas can be supplied and exhausted as needed. In this case, since the supply / discharge section of the dry gas is not provided in the cup 27, it is not necessary to use a flexible tube made of a synthetic resin such as PFA for supplying the dry gas in the moving section of the cup 27. Therefore,
When the flexible tube is used, it is possible to prevent the flexible tube from deteriorating due to the heating temperature of the drying gas, for example, the high temperature of the boiling point of IPA gas of 80 ° C. or more, and to generate particles and the like.

【0035】また、上記処理槽20の内槽20aの上部
には、通口71が設けられており、この通口71に、内
槽20a内の二次洗浄用の純水の比抵抗値を検出するた
めの比抵抗値検出手段としての比抵抗値検出器70を介
設する検出管72が接続されている。このように比抵抗
値検出器70を設けることにより、HF液によってウエ
ハWを処理した後に、HF液が排液され、その後、二次
洗浄用の純水が内槽20aのウエハWに供給されて二次
洗浄が行われる際の内槽20a内の純水とHF液の混合
液の比抵抗値を検出することができ、例えば比抵抗値が
6〜7MΩに達したとき、後述する制御手段80を駆動
して二次洗浄が終了したことを知らせると共に、次工程
の乾燥工程を行うことができる。なお、純水の比抵抗値
は18MΩである。
A through-hole 71 is provided above the inner tank 20a of the processing tank 20, and the specific resistance of the secondary cleaning pure water in the inner tank 20a is formed in the through-hole 71. A detection tube 72 provided with a specific resistance value detector 70 as specific resistance value detecting means for detection is connected. By providing the specific resistance value detector 70 in this manner, after treating the wafer W with the HF liquid, the HF liquid is drained, and then pure water for secondary cleaning is supplied to the wafer W in the inner tank 20a. The specific resistance value of the mixed solution of pure water and HF liquid in the inner tank 20a when the secondary cleaning is performed can be detected. For example, when the specific resistance value reaches 6 to 7 MΩ, By driving 80, it is notified that the secondary cleaning has been completed, and the drying step of the next step can be performed. The specific resistance of pure water is 18 MΩ.

【0036】一方、上記乾燥ガス生成部40は、溶剤例
えばIPAの蒸気生成部41と、この蒸気生成部41内
のIPAの蒸気(乾燥ガス)を凝縮する乾燥ガス遮断用
の冷却部42とで主に構成されている。
On the other hand, the dry gas generating section 40 includes a vapor generating section 41 of a solvent, for example, IPA, and a cooling section 42 for shutting off the dry gas for condensing the IPA vapor (dry gas) in the vapor generating section 41. It is mainly composed.

【0037】この場合、蒸気生成部41は、この蒸気生
成部41の底部に設けられてIPAを貯留する液貯留部
43を有し、この液貯留部43の下部にはヒータ44が
設けられている。また、冷却部42は、蒸気生成部41
の上部側の内壁に沿って配管される冷却蛇管にて形成さ
れており、この冷却蛇管に連通する冷媒供給手段45の
駆動によって冷却蛇管中に冷媒が供給されるように構成
されている。
In this case, the vapor generation section 41 has a liquid storage section 43 provided at the bottom of the vapor generation section 41 for storing IPA, and a heater 44 is provided below the liquid storage section 43. I have. Further, the cooling unit 42 includes the steam generation unit 41
Is formed by a cooling snake pipe piped along an inner wall on the upper side of the cooling snake pipe, and a refrigerant is supplied into the cooling snake pipe by driving a coolant supply means 45 communicating with the cooling snake pipe.

【0038】このように構成することにより、冷却蛇管
中に冷媒が供給された状態において、IPAの蒸気が凝
縮されて上方すなわち乾燥ガス供給路30側への乾燥ガ
スの流出が阻止され、また、冷媒供給手段45の駆動が
停止され、冷却蛇管への冷媒の供給が停止することによ
り、蒸気生成部41で生成された乾燥ガスが乾燥ガス供
給路30を介して上記処理槽20内へ供給されるように
なっている。
With this configuration, in a state in which the refrigerant is supplied into the cooling coil, the vapor of the IPA is condensed and the outflow of the dry gas upward, that is, toward the dry gas supply path 30 is prevented. When the driving of the refrigerant supply unit 45 is stopped and the supply of the refrigerant to the cooling coil is stopped, the dry gas generated by the steam generation unit 41 is supplied into the processing tank 20 via the dry gas supply path 30. It has become so.

【0039】なお、上記蒸気生成部41の冷却部42の
上方側壁部には排出口46が設けられ、この排出口46
に開閉手段例えば開閉弁V7を介して排出路47が連通
されている。また、この排出路47は排気手段48に接
続されている。
A discharge port 46 is provided on the upper side wall of the cooling section 42 of the steam generation section 41.
A discharge path 47 is communicated with an opening means such as an opening / closing valve V7. Further, the discharge path 47 is connected to an exhaust unit 48.

【0040】また、上記開閉弁V1〜V7,Vt,ポンプ
P1,P2,冷媒供給手段45,比抵抗値検出器70は洗
浄・乾燥処理装置15の処理を制御する制御手段80に
より、所定の処理プログラムに従って駆動されるように
構成されている。
The on-off valves V1 to V7, Vt, the pumps P1, P2, the refrigerant supply means 45, and the specific resistance detector 70 are controlled by the control means 80 for controlling the processing of the cleaning / drying processing apparatus 15 by predetermined processing. It is configured to be driven according to a program.

【0041】次に、上記実施形態の通常の動作について
説明する。まず、図1に示すように、未処理のウエハW
を25枚ずつ収納したキャリアCを、洗浄処理システム
1外から例えば搬送ロボット(図示せず)あるいは作業
者によって、ローダ部3の載置部5の所定位置に載置す
る。
Next, a normal operation of the above embodiment will be described. First, as shown in FIG.
Of the loader unit 3 is loaded from outside the cleaning system 1 by, for example, a transfer robot (not shown) or an operator.

【0042】そして、移送装置8によりキャリアCを順
次クランプし、中継部7に移送する。この中継部7にお
いてキャリアC内のウエハWを位置合わせ、例えばオリ
フラ合わせし、更にウエハWを、所定の処理枚数例えば
50枚かつそれぞれのウエハWを所定の時間に揃え、そ
れらのウエハWを一括して1ロットとして搬送機構17
のウエハチャック16に保持する。
Then, the carrier C is sequentially clamped by the transfer device 8 and transferred to the relay section 7. In the relay section 7, the wafers W in the carrier C are aligned, for example, aligned with an orientation flat, and a predetermined number of processed wafers, for example, 50 wafers, and each of the wafers W are aligned for a predetermined time, and these wafers W are collectively collected. Transfer mechanism 17
Is held on the wafer chuck 16.

【0043】この後、搬送機構17のウエハチャック1
6に保持された1ロット分のウエハWを、洗浄ユニット
10aの薬液槽11に搬送し、そして、薬液槽11内に
所定の薬液を導入し、ウエハWに対して所定の洗浄処理
を行う。この所定の処理としては、例えばウエハWの表
面に付着した汚染の種類、例えば有機物不純物、金属不
純物などに応じて、所定の薬液が導入され、薬液洗浄処
理が施される。この場合、有機物汚染に対しては、アン
モニア水と過酸化水素水の混合液により洗浄を行う。
Thereafter, the wafer chuck 1 of the transfer mechanism 17
The wafer W for one lot held in 6 is transferred to the chemical solution tank 11 of the cleaning unit 10a, and a predetermined chemical solution is introduced into the chemical solution tank 11, and a predetermined cleaning process is performed on the wafer W. As the predetermined process, a predetermined chemical solution is introduced according to the type of contamination attached to the surface of the wafer W, for example, an organic impurity, a metal impurity, and the like, and a chemical solution cleaning process is performed. In this case, with respect to organic matter contamination, cleaning is performed with a mixed solution of aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide.

【0044】この洗浄を行った後、搬送機構17で薬液
槽11からウエハWを取り出して、一次水洗槽12に搬
送し、そこで純水による一次洗浄を行う。その後、純水
洗浄後のウエハWを二次水洗槽13に送り、純水による
二次洗浄を行い、ウエハWに付着した薬液をより完全に
洗浄する。なお、この二次水洗槽13は、インターフェ
イス槽とも称されるものであり、別種の薬液による洗浄
が行われる隣接する洗浄ユニットの間にあって、両薬液
の混合を防止するためのバッファとしての機能を有する
ものである。
After the cleaning, the wafer W is taken out of the chemical solution tank 11 by the transfer mechanism 17 and transferred to the primary washing tank 12, where the primary cleaning with pure water is performed. After that, the wafer W after the pure water cleaning is sent to the secondary water washing tank 13, where the secondary cleaning with the pure water is performed, and the chemical liquid attached to the wafer W is more completely cleaned. The secondary washing tank 13 is also referred to as an interface tank, and is provided between adjacent washing units for washing with different kinds of chemicals, and has a function as a buffer for preventing mixing of both chemicals. Have

【0045】この後、ウエハWに対して必要な洗浄処理
を行った後、ウエハWは搬送機構17により洗浄ユニッ
ト10nの図3に示す処理槽20に移送され、処理槽2
0の内槽20a内の保持具21の所定位置にウエハWを
配置する。
Thereafter, after performing necessary cleaning processing on the wafer W, the wafer W is transferred to the processing tank 20 of the cleaning unit 10n shown in FIG.
The wafer W is arranged at a predetermined position of the holder 21 in the inner tank 20a.

【0046】なお、ウエハWを内槽20a内に配置する
際、制御手段80によってポンプPと開閉弁V2を駆動
し、純水を開閉弁V2により所定の流量内槽20a内に
送流しつつ、内槽20aから溢れた純水を外槽20b内
に流れ込ませ回収手段23によって回収している。つま
り、ウエハWを搬送機構17により内槽20a内に搬入
する場合、内槽20aに溜められる純水に常に新しい純
水を供給し内槽20aから外槽20b側に排出していな
いと、搬送機構17等に万が一にも付着するパーティク
ルを内槽20a内に引き込むことになりウエハWの歩留
まりを低下させるため、純水を内槽20a内に供給して
いる。
When the wafer W is placed in the inner tank 20a, the pump P and the opening / closing valve V2 are driven by the control means 80, and the pure water is fed into the inner tank 20a at a predetermined flow rate by the opening / closing valve V2. Pure water overflowing from the inner tank 20a flows into the outer tank 20b and is collected by the collecting means 23. In other words, when the wafer W is loaded into the inner tank 20a by the transfer mechanism 17, if the pure water stored in the inner tank 20a is always supplied with new pure water and not discharged from the inner tank 20a to the outer tank 20b, the transfer is performed. Pure water is supplied into the inner tank 20a in order to draw particles adhering to the mechanism 17 and the like into the inner tank 20a and lower the yield of the wafer W.

【0047】この後、図4に示すフローチャートの手順
でウエハWの洗浄・乾燥処理が行われる。すなわち、予
め定められた処理のプログラムに従って、制御手段80
によってポンプPと開閉弁V2を駆動し、純水を開閉弁
V2により所定の流量(流量を段階的に変化させてもよ
い)かつ所定時間あるいは内槽20a内の純水の抵抗値
が所定の値に達するまで内槽20a内に送流しつつ、洗
浄処理を行う(ステップA)。
Thereafter, the cleaning and drying processing of the wafer W is performed according to the procedure of the flowchart shown in FIG. That is, the control means 80 is controlled according to a predetermined processing program.
By driving the pump P and the on-off valve V2, the pure water is flowed by the on-off valve V2 at a predetermined flow rate (the flow rate may be changed stepwise) and for a predetermined time or the resistance value of the pure water in the inner tank 20a becomes a predetermined value. The cleaning process is performed while flowing into the inner tank 20a until the value reaches the value (Step A).

【0048】ポンプP1が停止し、開閉弁V2が閉じて一
次洗浄処理が終了すると、次に、制御手段80によって
ポンプP2と開閉弁V3が駆動し、内槽20a内に上記H
F液が所定の流量(流量を段階的に変化させてもよい)
かつ所定時間内槽20a内に送流しつつ、ウエハWを浸
漬して自然酸化膜及び金属不純物を除去する処理を行う
(ステップB)。
When the pump P1 stops and the on-off valve V2 closes to complete the primary cleaning process, the pump P2 and the on-off valve V3 are then driven by the control means 80, and the above H is stored in the inner tank 20a.
Fluid F has a predetermined flow rate (flow rate may be changed stepwise)
The wafer W is immersed in the inner tank 20a for a predetermined time to remove the natural oxide film and metal impurities (step B).

【0049】ポンプP2が停止し、開閉弁V3が閉じて薬
液処理が終了すると、次に、制御手段80によって強制
排液機構60の油圧シリンダ63が駆動し、蓋体62が
排液口61を開放すると、内槽20a内に溜っているH
F液が短時間に外部に排出(排液)される(ステップ
C)。
When the pump P2 stops and the on-off valve V3 closes to complete the chemical treatment, the hydraulic cylinder 63 of the forced drainage mechanism 60 is driven by the control means 80, and the lid 62 closes the drainage port 61. When opened, the H accumulated in the inner tank 20a
The liquid F is discharged (discharged) to the outside in a short time (step C).

【0050】この薬液排液工程が終了し、蓋体62が再
び排液口61を閉じた後、ポンプP1と開閉弁V2,V4
の駆動によって予めタンク100内に貯留された純水
を、制御手段80からの指令によって開閉弁Vtが開放
することにより、タンク100からウエハWに向けて供
給して二次洗浄を行う(ステップD)。この二次洗浄処
理によって前の薬液処理工程にウエハWに付着したHF
液の残渣が除去されつつ、ウエハWは二次洗浄用の純水
に浸漬される。この際、この純水とHF液との混合液の
一部が通口71を介して検出管72に流れ、検出管72
に介設された比抵抗値検出器70によってその比抵抗値
が検出される。そして、検出された比抵抗値が6〜7M
Ω以上の場合は、二次洗浄処理が終了し、また、比抵抗
値が6〜7MΩ以下の場合は、二次洗浄が続行される
(ステップE)。
After the chemical liquid draining step is completed and the lid 62 closes the drain port 61 again, the pump P1 and the on-off valves V2 and V4 are closed.
The secondary cleaning is performed by supplying the pure water previously stored in the tank 100 by driving the tank 100 to the wafer W by opening the on-off valve Vt in accordance with a command from the control means 80 (step D). ). The HF adhering to the wafer W in the previous chemical solution processing step by this secondary cleaning process
While removing the liquid residue, the wafer W is immersed in pure water for secondary cleaning. At this time, a part of the mixture of the pure water and the HF solution flows to the detection tube 72 via the opening 71, and the detection tube 72
The specific resistance value is detected by a specific resistance value detector 70 interposed between the first and second sensors. Then, the detected specific resistance value is 6 to 7M.
If it is equal to or more than Ω, the secondary cleaning process is finished. If the specific resistance value is 6 to 7 MΩ or less, the secondary cleaning is continued (step E).

【0051】この二次洗浄処理が終了すると、次に、図
5に示すように、カップ27を外槽20b側に移動し、
カップ27のOリング28と外槽20bの上面とを密接
して、カップ27と内槽20aとを気密状態にする(ス
テップF)。この状態で制御手段80によってN2ガス
供給手段から処理槽20内にN2ガスを供給しつつ、ポ
ンプP1と開閉弁V2を駆動し、供給・排出口24より純
水を内槽20aに供給し、図5に示すように、純水の液
位をy1方向に上げ、内槽20aの上面よりオーバーフ
ロー(溢流)させる。このようにすることによって、N
2ガスの導入に伴ないカップ27内等に付着するパーテ
ィクルを内槽20aから排出し、更に、純水の界面に浮
遊するパーティクルも排出する。このようにして、所定
時間の後、制御手段80にて開閉弁V2を閉じ内槽20
a内への純水の供給を停止する。なお、この際、ウエハ
Wは、純水中に維持された状態を保っている。また、上
記洗浄・薬液処理を行っている間、乾燥ガス生成部40
では、IPAの蒸気が生成され、冷媒供給手段45の駆
動により冷却部すなわち冷却蛇管中に供給される冷媒に
よって凝縮されて乾燥ガス供給路30側への供給が阻止
されている。なお、この際、開閉手段V7は閉じてい
る。
When the secondary cleaning process is completed, the cup 27 is moved to the outer tub 20b as shown in FIG.
The O-ring 28 of the cup 27 and the upper surface of the outer tank 20b are brought into close contact with each other to make the cup 27 and the inner tank 20a airtight (step F). In this state, the pump P1 and the on-off valve V2 are driven while supplying N2 gas from the N2 gas supply means into the processing tank 20 by the control means 80, and pure water is supplied from the supply / discharge port 24 to the inner tank 20a. As shown in FIG. 5, the level of pure water is raised in the y1 direction, and the level of the pure water overflows from the upper surface of the inner tank 20a.
Low (overflow). By doing so, N
2 The particles adhering to the inside of the cup 27 and the like due to the introduction of the gas are discharged from the inner tank 20a, and the particles floating on the interface of pure water are also discharged. In this way, after a predetermined time, the on-off valve V2 is closed by the control means 80 and the inner tank 20 is closed.
The supply of pure water into a is stopped. At this time, the wafer W is kept state kept in pure water. Further , during the cleaning / chemical solution treatment, the dry gas generation unit 40
In this case, the vapor of IPA is generated, condensed by the cooling medium supplied to the cooling section, that is, the cooling coil by driving the cooling medium supply means 45, and the supply to the drying gas supply path 30 is prevented. At this time, the opening / closing means V7 is closed.

【0052】次に、制御手段80にて開閉弁V5を開放
すると共に排気手段33を駆動し、更に制御手段80に
よってN2ガス供給手段からの供給を停止すると共に、
冷媒供給手段45の駆動を停止する。これにより、カッ
プ27と内槽20a間は所定の圧力にされIPAガスが
充満することになる。そして、図6に示すように、内槽
20aの純水の液面LDから所定の距離y2かつ所定の
濃度に、IPAガスが溶け込んだIPA液層が形成され
る(ステップG)。
Next, the control means 80 opens the on-off valve V5, drives the exhaust means 33, and stops the supply from the N2 gas supply means by the control means 80.
The drive of the refrigerant supply means 45 is stopped. As a result, the pressure between the cup 27 and the inner tank 20a is set to a predetermined pressure, and is filled with the IPA gas. Then, as shown in FIG. 6, an IPA liquid layer in which the IPA gas is dissolved is formed at a predetermined distance y2 and a predetermined concentration from the liquid level LD of the pure water in the inner tank 20a (Step G).

【0053】なお、上述のIPA液槽の幅及び濃度は、
予め求められたデータに基づいてその幅を所望の最適値
にするようにIPAガスの流量及びその流入時間及び排
気手段の排気に伴うカップ27と内槽20a間の圧力等
の条件にて設定される。
The width and concentration of the above-mentioned IPA liquid tank are as follows:
Based on the data obtained in advance, the width is set under conditions such as the flow rate of the IPA gas, its inflow time, and the pressure between the cup 27 and the inner tank 20a due to the exhaust of the exhaust means so that the width becomes a desired optimum value. You.

【0054】この後、制御手段80にて開閉弁V5を閉
じると共に排気手段33を停止し、IPAガスを所定の
流量流しつつ開閉弁V1を開放し純水を内槽20aの底
部方向、つまり供給・排出口24より所定の流量でウエ
ハWが液に浸からない状態まで排出して乾燥処理を行う
(ステップH)。この工程の際、内槽20aから排出す
る純水の排出量はウエハWに純水が実質的に残らない程
度以上の量で排出するのが好ましい。
Thereafter, the control means 80 closes the on-off valve V5 and stops the exhaust means 33, opens the on-off valve V1 while flowing the IPA gas at a predetermined flow rate, and supplies pure water to the bottom of the inner tank 20a, that is, to supply pure water. The wafer W is discharged from the discharge port 24 at a predetermined flow rate until the wafer W is not immersed in the liquid, and a drying process is performed (step H). In this step, it is preferable that the amount of pure water discharged from the inner tank 20a be discharged so that the pure water does not substantially remain on the wafer W.

【0055】次に、この純水の排出時に伴うウエハWの
乾燥について、図7を参照して説明する。上述の供給・
排出口24より所定の流量で純水を矢印方向に排液する
と、純水91の界面に上述のように形成されたIPA液
層90の界面には、ウエハWに対して山型92が発生
し、IPA液層90と純水91との境界部は、ウエハW
に対して谷型93が発生する。この谷型93は、IPA
のぬれ性によりウエハWの表面の状態にかかわらず発生
し、ウエハWの表面は疎水性の状態となる。この疎水性
状態により純水91もウエハWに対して谷型93となり
純水中に万が一にも含有するパーティクルを液からIP
Aガス雰囲気に引き上げられる際にウエハWに残渣とし
て残すのを抑えることが可能となる。更に、疎水性状態
により純水91もウエハWに対して谷型93となるの
で、ウエハWを液からIPAガス雰囲気に引き上げた
際、ウエハWの表面に純水91の水滴を残すこともなく
なる。そして、ウエハWは、表面からIPAガス雰囲気
に出た際、IPAガスによって乾燥される。
Next, the drying of the wafer W during the discharge of the pure water will be described with reference to FIG. The above supply
When pure water is discharged from the discharge port 24 at a predetermined flow rate in the direction of the arrow, a mountain 92 is formed on the wafer W at the interface of the IPA liquid layer 90 formed at the interface of the pure water 91 as described above. The boundary between the IPA liquid layer 90 and the pure water 91 is
A valley 93 occurs. This valley 93 is IPA
This occurs regardless of the state of the surface of the wafer W due to the wettability of the wafer W, and the surface of the wafer W becomes hydrophobic. Due to this hydrophobic state, the pure water 91 also becomes a valley-shaped 93 with respect to the wafer W.
It is possible to suppress the residue on the wafer W when being pulled up to the A gas atmosphere. Further, since the pure water 91 also forms a valley 93 with respect to the wafer W due to the hydrophobic state, when the wafer W is pulled up from the liquid to the IPA gas atmosphere, water drops of the pure water 91 do not remain on the surface of the wafer W. . Then, when the wafer W comes out of the surface into the IPA gas atmosphere, the wafer W is dried by the IPA gas.

【0056】この後、制御手段80にて開閉弁V5を開
放すると共に排気手段33を駆動し、かつ冷媒供給手段
45を駆動し、冷却蛇管中に冷媒を供給してIPAガス
の供給を停止する。この後、カップ27を図示しない移
動機構によって処理槽20から離脱させる。
Thereafter, the control means 80 opens the on-off valve V5, drives the exhaust means 33, drives the refrigerant supply means 45, supplies the refrigerant into the cooling coil, and stops the supply of the IPA gas. . Thereafter, the cup 27 is detached from the processing tank 20 by a moving mechanism (not shown).

【0057】次に、制御手段80にて開閉弁V7を開放
すると共に排気手段48を駆動して乾燥ガス供給路30
中に残留するIPAガスを排出する。所定時間IPAガ
スの排出を行った後、制御手段80にてN2ガス供給手
段を駆動してN2ガスを乾燥ガス供給路30内に供給
し、乾燥ガス供給路30内をN2ガス雰囲気に置換す
る。
Next, the on-off valve V7 is opened by the control means 80 and the exhaust means 48 is driven to drive the dry gas supply path 30.
The remaining IPA gas is exhausted. After discharging the IPA gas for a predetermined time, the N2 gas supply means is driven by the control means 80 to supply the N2 gas into the dry gas supply path 30, and the inside of the dry gas supply path 30 is replaced with an N2 gas atmosphere. .

【0058】以後、上述の各工程すなわち上述のステッ
プA〜Hを繰り返し行うことにより、所定枚数例えば5
0枚毎のウエハWを連続して洗浄し乾燥することができ
る。
Thereafter, by repeating the above steps, that is, the above steps A to H, a predetermined number of sheets, for example, 5
Zero wafers W can be continuously washed and dried.

【0059】なお、洗浄・乾燥されたウエハWは、搬送
機構17を介してアンローダ部4の載置部6上に載置さ
れる所定のキャリアCに収納されて一連の洗浄・乾燥工
程が終了する。
The washed and dried wafer W is stored in a predetermined carrier C placed on the placing section 6 of the unloader section 4 via the transfer mechanism 17, and a series of washing and drying steps is completed. I do.

【0060】◎第二実施形態 図8はこの発明の処理装置の第二実施形態の要部を示す
概略構成図である。第二実施形態は、洗浄処理・薬液処
理の処理時間の短縮化を図れるようにした場合である。
すなわち、上記内槽20aの底部に設けられる供給・排
出口24を複数例えば2個設けることにより、一次洗浄
用の純水の供給量及び排出量を増大させると共に、HF
液の供給量を増大させて、処理時間の短縮を図れるよう
にした場合である。なお、図面では供給・排出口24が
2個設けられているが、勿論3個以上設けてもよい。な
お、第二実施形態において、その他の部分は上記第一実
施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付し
て、その説明は省略する。
Second Embodiment FIG. 8 is a schematic diagram showing a main part of a second embodiment of the processing apparatus of the present invention. The second embodiment is a case where the processing time of the cleaning processing and the chemical liquid processing can be reduced.
That is, by providing a plurality of, for example, two supply / discharge ports 24 provided at the bottom of the inner tank 20a, the supply amount and discharge amount of pure water for primary cleaning are increased, and
This is a case where the supply time of the liquid is increased so that the processing time can be shortened. Although two supply / discharge ports 24 are provided in the drawing, three or more supply / discharge ports may be provided. In the second embodiment, other parts are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0061】◎第三実施形態 図9はこの発明の処理装置の第三実施形態の要部を示す
概略構成図である。第三実施形態は、薬液例えばHF液
の排液を更に短時間に多量に排出可能にする強制排液機
構60を具備した場合である。すなわち、上記内槽20
aの底部全域を開口して排液口61を形成し、この排液
口61に、複数例えば2個の供給・排出口24を有する
蓋体64を開閉可能に配設し、そして、蓋体64を開閉
駆動手段例えば油圧シリンダ65によって開閉駆動する
ようにした場合である。このように構成することによ
り、上記内槽20a内に溜ったHF液を瞬時に排液する
ことが可能となり、処理時間の短縮化及びウエハWへの
パーティクルの付着を更に確実に抑制することができ
る。
Third Embodiment FIG. 9 is a schematic diagram showing a main part of a third embodiment of the processing apparatus of the present invention. In the third embodiment, a case is provided in which a forced drainage mechanism 60 is provided which enables a large amount of drainage of a chemical solution such as an HF solution to be drained in a shorter time. That is, the inner tank 20
The drainage port 61 is formed by opening the entire bottom of “a”, and a lid 64 having a plurality of, for example, two supply / discharge ports 24 is disposed in the drainage port 61 so as to be openable and closable. This is a case where the opening / closing drive unit 64 is driven to open / close by a drive unit such as a hydraulic cylinder 65. With this configuration, the HF liquid accumulated in the inner tank 20a can be drained instantaneously, and the processing time can be reduced and the adhesion of particles to the wafer W can be more reliably suppressed. it can.

【0062】第三実施形態において、供給・排出口24
の数は必しも2個である必要はなく、3個以上設けても
よく、あるいは、1個であってもよい。なお、第三実施
形態において、その他の部分は上記第一実施形態と同じ
であるので、同一部分には同一符号を付して、その説明
は省略する。
In the third embodiment, the supply / discharge port 24
Is not necessarily two, but may be three or more, or may be one. In the third embodiment, other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0063】次に、上述の実施形態の効果について説明
する。上述のようにしてウエハWの洗浄・乾燥を行うこ
とにより、洗浄・乾燥処理槽20で、大気に晒すことな
くウエハWの一次洗浄−薬液処理−二次洗浄−乾燥処理
を連続的に行うことができる。また、薬液処理後に、薬
液を短時間内に多量に強制排出(排液)することができ
るので、ウエハW表面の薬液の残渣を抑制することがで
きると共に、大気中のパーティクルが付着するのを抑制
することができ、ウエハWの洗浄・乾燥工程における歩
留まりを向上することができる。更に、ウエハWの洗浄
・乾燥工程における歩留まりを向上することができるの
で、次工程、例えばCVD装置で成膜処理あるいはエッ
チング装置でエッチング処理あるいは塗布装置によるレ
ジスト処理等を行う際のウエハWの処理の歩留まりを向
上することができる。また、洗浄工程終了後、N2ガス
を供給しつつ洗浄液の液面領域を排液し、液に混入する
パーティクルを除去しているので、洗浄液を排出する
際、ウエハWに付着するパーティクルを防止あるいはそ
の量を抑制することができ、ウエハWの歩留まりを向上
することができる。更に、ウエハWの洗浄後、洗浄液の
界面に乾燥ガス液層を形成し、この乾燥ガス液層をウエ
ハWに対して疎水性の状態にしているので、洗浄液から
乾燥ガス雰囲気に引き上げられる際に、ウエハWに洗浄
液が付着するのを抑えることができる。よって、ウエハ
Wに乾燥むら等がなくなりウォーターマーク等の発生を
抑制し、ウエハWの歩留まりを向上することができる。
Next, the effects of the above embodiment will be described. By performing the cleaning and drying of the wafer W as described above, the cleaning / drying processing tank 20 continuously performs the primary cleaning-chemical solution processing-secondary cleaning-drying processing of the wafer W without exposing the wafer W to the atmosphere. Can be. Further, since the chemical solution can be forcibly discharged (discharged) in a short time after the chemical solution treatment, the residue of the chemical solution on the surface of the wafer W can be suppressed, and particles in the atmosphere can be prevented from adhering. Thus, the yield in the cleaning / drying process of the wafer W can be improved. Further, the yield in the cleaning / drying process of the wafer W can be improved, so that the processing of the wafer W in the next process, for example, when performing a film forming process with a CVD device, an etching process with an etching device, a resist process with a coating device, or the like. Yield can be improved. Further, after the cleaning step, the liquid surface area of the cleaning liquid is drained while supplying the N2 gas to remove particles mixed in the liquid, so that when the cleaning liquid is discharged, particles adhering to the wafer W can be prevented or prevented. The amount can be suppressed, and the yield of the wafer W can be improved. Furthermore, after the cleaning of the wafer W, a dry gas liquid layer is formed on the interface of the cleaning liquid, and the dry gas liquid layer is in a state of being hydrophobic with respect to the wafer W. In addition, the cleaning liquid can be prevented from adhering to the wafer W. Therefore, unevenness in drying of the wafer W is eliminated, and generation of a watermark or the like can be suppressed, and the yield of the wafer W can be improved.

【0064】また、乾燥処理後、乾燥ガス供給路内に残
留する乾燥ガスを排出すると共に、乾燥ガス供給路内を
不活性ガスで置換するので、乾燥ガス供給部に残渣する
乾燥ガスの生成物により発生するパーティクルを抑制
し、次の乾燥処理の際に乾燥むら等が発生するのを抑制
することができ、歩留まりを向上することができる。
After the drying process, the dry gas remaining in the dry gas supply path is discharged, and the inside of the dry gas supply path is replaced with an inert gas. Can be suppressed, and the occurrence of uneven drying or the like during the next drying process can be suppressed, and the yield can be improved.

【0065】◎その他の実施形態 上述の実施形態においては、洗浄・乾燥処理槽の純水の
温度を別段定めていなかったが、例えば供給されるIP
Aガスと略同温あるいはそれ以上の所定温度に設定する
ことにより、純水の表面にIPA液層の形成を早めスル
ープット等を向上することもできる。また、乾燥ガスと
してIPAを使用したが、それに限らず純水に溶け被処
理体に対して疎水性を有するものであれば、それに限定
されないことは言うまでもない。また、被処理体として
半導体ウエハを用いたが、液晶基板としてのガラス基板
等にも適用することができる。また、不活性ガスとして
N2ガスを用いたが、希ガス例えばアルゴンガスでもよ
い。また、洗浄・乾燥処理槽に被処理体のみを搬送し処
理したが、所定のピッチ間隔に被処理体を収容する収容
器ごとその処理槽に搬送し処理してもよい。また、この
発明の処理方法及び処理装置を洗浄処理システムに適応
した例を述べたが、そのシステムに限らず他の装置、例
えばCVD装置等の成膜処理装置あるいはエッチング装
置等のエッチング処理装置の一部に具備してシステム化
してもよい。
Other Embodiments In the above-described embodiment, the temperature of pure water in the cleaning / drying tank is not specified separately.
By setting the temperature to a predetermined temperature substantially equal to or higher than that of the gas A, the formation of the IPA liquid layer on the surface of the pure water can be accelerated, and the throughput can be improved. In addition, IPA was used as the drying gas, but it is needless to say that the drying gas is not limited to this as long as it is soluble in pure water and has hydrophobicity to the object to be processed. Further, although a semiconductor wafer is used as an object to be processed, the present invention can be applied to a glass substrate or the like as a liquid crystal substrate. Further, although the N2 gas is used as the inert gas, a rare gas such as an argon gas may be used. In addition, although only the object to be processed is transported to the washing / drying processing tank, the processing may be performed by transporting the entire container accommodating the object to be processed to the processing tank at a predetermined pitch interval. In addition, the example in which the processing method and the processing apparatus of the present invention are applied to a cleaning processing system has been described. A system may be provided with some of them.

【0066】[0066]

【発明の効果】1)この発明によれば、処理部を構成す
る内槽内に配設された被処理体を薬液で処理した後、薬
液を内槽底部に設けられた排出口から排液し、次いで、
被処理体を洗浄液で洗浄した後、内槽からオーバーフロ
ーした薬液及び洗浄液を受け止める外槽と、この外槽の
開口部を開閉するカップとを密接し、内槽とカップとの
間を気密状態にし、次いで、外槽に設けられたガス供給
口から乾燥ガスを供給すると共に、この外槽上部に設け
られた排気口から乾燥ガスを排気し、洗浄液の界面部に
被処理体に対して疎水性を有する領域を形成して、被処
理体を界面部より実質的に突出させつつ乾燥ガスにより
乾燥するので、被処理体を大気に晒すことなく、薬液処
理、洗浄処理及び乾燥処理を連続的に行うことができ
る。この際、薬液処理後、薬液を強制的に排出すること
で、被処理体の表面の薬液の残渣を抑制することができ
る。また、被処理体を洗浄液の界面部より突出する際、
被処理体に対して洗浄液の残渣を抑制し、乾燥ガスに晒
すことができるので、被処理体に乾燥むらが発生するの
を抑制することができる。したがって、歩留まりの向上
及びスループットの向上が図れ、かつ装置の小型化を図
ることができる。
According to the present invention, the processing section is constituted.
After treating the object to be treated disposed in the inner tank with the chemical, the chemical is drained from the outlet provided at the bottom of the inner tank , and then
After cleaning the object with the cleaning solution, overflow
And an outer tank for receiving the
Close the cup that opens and closes the opening, and
Airtight, and then the gas supply provided in the outer tank
A dry gas is supplied from the mouth, and it is installed above this outer tank.
The drying gas is exhausted from the exhaust port , a region having hydrophobicity to the object is formed at the interface of the cleaning liquid, and the object is dried with the drying gas while substantially protruding from the interface. Therefore, the chemical treatment, the cleaning treatment, and the drying treatment can be performed continuously without exposing the object to be treated to the atmosphere. At this time, by forcibly discharging the chemical solution after the chemical solution treatment, the residue of the chemical solution on the surface of the object to be processed can be suppressed. Also, when projecting the object from the interface of the cleaning liquid,
Since the residue of the cleaning liquid on the object to be processed can be suppressed and the object can be exposed to a dry gas, it is possible to suppress the occurrence of uneven drying of the object to be processed. Therefore, the yield and the throughput can be improved, and the size of the apparatus can be reduced.

【0067】2)被処理体を洗浄液で洗浄する工程中
に、内槽上部に設けられた比抵抗検出手段により洗浄液
の比抵抗値を検出し、この洗浄液の比抵抗値が所定の値
になった後、乾燥ガスを供給すると共に、洗浄液を被処
理体が洗浄液中に維持された状態で排出することによ
り、洗浄処理を確実にすると共に、洗浄・乾燥処理を迅
速に行うことができるので、上記1)に加えて更に歩留
まりの向上を図ることができる。
2) During the step of cleaning the object to be processed with the cleaning liquid, the specific resistance of the cleaning liquid is detected by a specific resistance detecting means provided at the upper part of the inner tank, and the specific resistance of the cleaning liquid becomes a predetermined value. After that, while supplying the drying gas and discharging the cleaning liquid while the object to be processed is maintained in the cleaning liquid, the cleaning processing can be surely performed, and the cleaning / drying processing can be quickly performed. In addition to the above 1), the yield can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の処理装置を適用した洗浄処理システ
ムの概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view of a cleaning system to which a processing apparatus of the present invention is applied.

【図2】この発明の処理装置の第一実施形態の一部を示
す概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a part of the first embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【図3】この発明における処理部の一部を断面で示す概
略斜視図である。
FIG. 3 is a schematic perspective view showing a part of a processing unit in the present invention in a cross section.

【図4】この発明の処理方法の手順を示すフローチャー
トである。
FIG. 4 is a flowchart showing a procedure of a processing method of the present invention.

【図5】この発明における洗浄処理の動作を説明する概
略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view illustrating an operation of a cleaning process according to the present invention.

【図6】この発明における乾燥処理の動作を説明する概
略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view illustrating an operation of a drying process according to the present invention.

【図7】この発明における乾燥処理の動作を説明する概
略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view illustrating an operation of a drying process according to the present invention.

【図8】この発明の処理装置の第二実施形態の一部を示
す概略構成図である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a part of a second embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【図9】この発明の処理装置の第三実施形態の一部を示
す概略構成図である。
FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a part of a third embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【図10】従来の薬液処理後の洗浄処理を説明する図で
ある。
FIG. 10 is a view for explaining a conventional cleaning process after a chemical solution process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 洗浄・乾燥処理槽(処理部)20a 内槽 20b 外槽 24 供給・排出口27 カップ 30 乾燥ガス供給路31 乾燥ガス供給口 32 排気口 34 排気路 40 乾燥ガス生成部 50 不活性ガス供給路 60 強制排液機構 61 排液口 62,64 蓋体 63,65 油圧シリンダ(開閉駆動手段) 70 比抵抗値検出器(比抵抗値検出手段) 80 制御手段 90 IPA液層 100 タンク V1〜V6,Vt 開閉弁(開閉手段) W 半導体ウエハ(被処理体) Reference Signs List 20 cleaning / drying processing tank (processing section) 20a inner tank 20b outer tank 24 supply / discharge port 27 cup 30 dry gas supply path 31 dry gas supply port 32 exhaust port 34 exhaust path 40 dry gas generation section 50 inert gas supply path Reference Signs List 60 Forced drainage mechanism 61 Drainage port 62, 64 Lid 63, 65 Hydraulic cylinder (opening / closing drive means) 70 Specific resistance value detector (specific resistance value detection means) 80 Control means 90 IPA liquid layer 100 Tank V1 to V6, Vt opening / closing valve (opening / closing means) W Semiconductor wafer (workpiece)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−84872(JP,A) 特開 平3−169013(JP,A) 特開 昭62−109322(JP,A) 特開 昭64−71133(JP,A) 特開 平8−148464(JP,A) 特開 平1−210092(JP,A) 特開 平7−283194(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-6-84872 (JP, A) JP-A-3-169013 (JP, A) JP-A-62-109322 (JP, A) JP-A 64-64 71133 (JP, A) JP-A-8-148484 (JP, A) JP-A-1-210092 (JP, A) JP-A-7-283194 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被処理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する
処理方法であって、 処理部を構成する内槽内に配設された上記被処理体を薬
液で処理する工程と、 上記薬液を上記内槽底部に設けられた排出口から排液す
る工程と、 上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程と、上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程の後、上記内槽か
らオーバーフローした薬液及び洗浄液を受け止める外槽
と、この外槽の開口部を開閉するカップとを密接し、上
記内槽と上記カップとの間を気密状態にする工程と、 上記外槽に設けられたガス供給口から乾燥ガスを供給す
ると共に、この外槽の上部に設けられた排気口から上記
乾燥ガスを排気する工程と、 上記洗浄液の界面部に上記被処理体に対して疎水性を有
する領域を形成する工程と、 上記被処理体を上記界面部より実質的に突出させつつ乾
燥ガスにより乾燥する工程と、を有することを特徴とす
る処理方法。
1. A method for treating, cleaning, and drying an object to be treated with a chemical solution, comprising: treating the object to be treated, which is disposed in an inner tank constituting a treatment unit , with a chemical solution; After the step of draining the liquid from a discharge port provided at the bottom of the inner tank , the step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid, and the step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid,
Outer tank that receives chemicals and cleaning liquids that overflow
And the cup that opens and closes the opening of this outer tank,
A step of sealing the space between the inner tank and the cup, and supplying a dry gas from a gas supply port provided in the outer tank.
And the exhaust port provided at the top of this outer tank
A step of exhausting a dry gas, a step of forming a region having hydrophobicity with respect to the object at the interface of the cleaning liquid, and a step of drying the object with the dry gas while substantially protruding the object from the interface. A drying step.
【請求項2】 被処理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する
処理方法であって、 処理部を構成する内槽内に配設された上記被処理体を薬
液で処理する工程と、 上記薬液を上記内槽底部に設けられた排出口から排液す
る工程と、 上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程と、上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程の後、上記内槽か
らオーバーフローした薬液及び洗浄液を受け止める外槽
と、この外槽の開口部を開閉するカップとを密接し、上
記内槽と上記カップとの間を気密状態にする工程と、 上記外槽に設けられたガス供給口から乾燥ガスを供給す
ると共に、この外槽の上部に設けられた排気口から上記
乾燥ガスを排気する工程と、 上記洗浄液の界面部に乾燥ガスを含有する領域を形成す
る工程と、 上記被処理体を上記界面部より実質的に突出させつつ上
記界面部上方に形成された乾燥ガス雰囲気により乾燥す
る工程と、有することを特徴とする処理方法。
2. A treatment method for treating, cleaning, and drying an object to be treated with a chemical solution, comprising: treating the object to be treated, which is disposed in an inner tank constituting a treatment section , with a chemical solution; After the step of draining the liquid from a discharge port provided at the bottom of the inner tank , the step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid, and the step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid,
Outer tank that receives chemicals and cleaning liquids that overflow
And the cup that opens and closes the opening of this outer tank,
A step of sealing the space between the inner tank and the cup, and supplying a dry gas from a gas supply port provided in the outer tank.
And the exhaust port provided at the top of this outer tank
Exhausting the drying gas, forming a region containing the drying gas at the interface of the cleaning liquid, and drying the object to be processed formed above the interface while substantially protruding the object from the interface. processing method characterized by having the steps of drying by the gas atmosphere.
【請求項3】 被処理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する
処理方法であって、 処理部を構成する内槽内に配設された上記被処理体を薬
液で処理する工程と、 上記薬液を上記内槽底部に設けられた排出口から排液す
る工程と、 上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程と、上記被処理体を洗浄液で洗浄する工程の後、上記内槽か
らオーバーフローした薬液及び洗浄液を受け止める外槽
と、この外槽の開口部を開閉するカップとを密接し、上
記内槽と上記カップとの間を気密状態にする工程と、 上記外槽に設けられたガス供給口から乾燥ガスを供給す
ると共に、この外槽の上部に設けられた排気口から上記
乾燥ガスを排気する工程と、 上記洗浄液を上記被処理体が洗浄液中に維持された状態
上記内槽底部に設けられた排出口から排出する工程
と、 上記被処理体を上記洗浄液の界面部から界面部上方に形
成された乾燥ガス雰囲気に実質的に突出させ乾燥する工
程と、を有することを特徴とする処理方法。
3. A treatment method for treating, cleaning, and drying an object to be treated with a chemical solution, comprising: treating the object to be treated, which is disposed in an inner tank constituting a treatment section , with a chemical solution; After the step of draining the liquid from a discharge port provided at the bottom of the inner tank , the step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid, and the step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid,
Outer tank that receives chemicals and cleaning liquids that overflow
And the cup that opens and closes the opening of this outer tank,
A step of sealing the space between the inner tank and the cup, and supplying a dry gas from a gas supply port provided in the outer tank.
And the exhaust port provided at the top of this outer tank
Exhausting a drying gas, discharging the cleaning liquid from a discharge port provided at the bottom of the inner tank while the object to be processed is maintained in the cleaning liquid, and interfacing the object to be processed with the cleaning liquid A step of substantially projecting into a dry gas atmosphere formed above the interface portion from above and drying.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の処
理方法において、上記内槽とカップとの間を気密状態にする工程の後、
槽内の洗浄液を内槽から外槽へオーバーフローすると共
に、気密雰囲気内に不活性ガスを供給することを特徴と
する処理方法。
4. The processing method according to claim 1 , wherein the cleaning liquid in the inner tank overflows from the inner tank to the outer tank after the step of sealing the space between the inner tank and the cup. And supplying an inert gas into an airtight atmosphere.
【請求項5】 請求項1ないし3のいずれかに記載の処
理方法において、 被処理体を洗浄液で洗浄する工程中に、内槽上部に設け
られた比抵抗検出手段により洗浄液の比抵抗値を検出
し、この洗浄液の比抵抗値が所定の値になった後、乾燥
処理を行うことを特徴とする処理方法。
5. The processing method according to claim 1, wherein the processing object is provided above the inner tank during the step of cleaning the object to be processed with a cleaning liquid.
A processing method comprising: detecting a specific resistance value of a cleaning liquid by a specific resistance detection unit provided; and performing a drying process after the specific resistance value of the cleaning liquid reaches a predetermined value.
【請求項6】 被処理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する
処理装置であって、 上記被処理体を処理する処理部と、溶剤を加熱して乾燥
ガスを生成する乾燥ガス生成部と、上記処理部と乾燥ガ
ス生成部とを連通する乾燥ガス供給路とを具備し、上記処理部は、上記被処理体を収容する内槽と、この内
槽からオーバーフローした薬液及び洗浄液を受け止める
外槽とで構成され、 上記内槽底部に、 薬液及び洗浄液の供給・排出口を設け
ると共に、少なくとも薬液の排出口に強制排液機構を設
け、上記外槽に、開閉弁を介設する上記乾燥ガス供給路を接
続するガス供給口を設けると共に、この外槽の上部に、
開閉弁を介設する排気路を接続する排気口を設け、 上記外槽に密接し、上記内槽との間を気密状態にするカ
ップを設けた ことを特徴とする処理装置。
6. A workpiece a chemical treatment and washing and drying processing apparatus, a processing unit for processing the object to be processed, a drying gas generator for generating a solvent is heated to dry the gas, the A drying gas supply passage communicating the processing unit and the drying gas generation unit, wherein the processing unit includes: an inner tank that stores the object to be processed;
Receives overflowing chemicals and cleaning solutions from the tank
An outer tank, a supply / discharge port for a chemical solution and a cleaning liquid is provided at the bottom of the inner tank , a forced drainage mechanism is provided at least at a discharge port for the chemical solution, and an open / close valve is provided in the outer tank. Connect dry gas supply path
In addition to providing a continuous gas supply port, at the top of this outer tank,
An exhaust port is provided for connecting an exhaust path provided with an on-off valve, and is provided so as to be in close contact with the outer tank and airtight between the inner tank.
Tsu processing apparatus characterized in that a flop.
【請求項7】 被処理体を薬液処理及び洗浄し乾燥する
処理装置であって、 上記被処理体を処理する処理部と、溶剤を加熱して乾燥
ガスを生成する乾燥ガス生成部と、上記処理部と乾燥ガ
ス生成部とを連通する乾燥ガス供給路とを具備し、上記処理部は、上記被処理体を収容する内槽と、この内
槽からオーバーフローした薬液及び洗浄液を受け止める
外槽とで構成され、 上記内槽底部に、 薬液及び洗浄液の供給・排出口を設け
ると共に、少なくとも薬液の排出口に強制排液機構を設
け、上記外槽に、開閉弁を介設する上記乾燥ガス供給路を接
続するガス供給口を設けると共に、この外槽の上部に、
開閉弁を介設する排気路を接続する排気口を設け、 上記外槽に密接し、上記内槽との間を気密状態にするカ
ップを設け、 上記内槽上部に、内槽内に供給される洗浄液の比抵抗値
を測定する比抵抗検出手段を設けたことを特徴とする処
理装置。
7. A workpiece a chemical treatment and washing and drying processing apparatus, a processing unit for processing the object to be processed, a drying gas generator for generating a solvent is heated to dry the gas, the A drying gas supply passage communicating the processing unit and the drying gas generation unit, wherein the processing unit includes: an inner tank that stores the object to be processed;
Receives overflowing chemicals and cleaning solutions from the tank
An outer tank, a supply / discharge port for a chemical solution and a cleaning liquid is provided at the bottom of the inner tank , a forced drainage mechanism is provided at least at a discharge port for the chemical solution, and an open / close valve is provided in the outer tank. Connect dry gas supply path
In addition to providing a continuous gas supply port, at the top of this outer tank,
An exhaust port is provided for connecting an exhaust path provided with an on-off valve, and is provided so as to be in close contact with the outer tank and airtight between the inner tank.
The-up provided on the tank top unit, the process is characterized in that a specific resistance detection means for measuring the resistivity of the cleaning liquid supplied to the inner tank device.
【請求項8】 請求項記載の処理装置において、 比抵抗検出手段からの検出信号を受ける制御手段からの
信号に基づいて洗浄液供給部の開閉手段を制御すること
を特徴とする処理装置。
8. The processing apparatus according to claim 7, wherein the opening / closing means of the cleaning liquid supply unit is controlled based on a signal from a control means receiving a detection signal from the specific resistance detection means.
【請求項9】 請求項7又は8記載の処理装置におい
て、 比抵抗検出手段からの検出信号を受ける制御手段からの
信号に基づいて乾燥ガス供給部の開閉手段を制御するこ
とを特徴とする処理装置。
9. The processing apparatus according to claim 7, wherein the opening / closing means of the dry gas supply unit is controlled based on a signal from a control means for receiving a detection signal from the specific resistance detection means. apparatus.
【請求項10】 請求項又は記載の処理装置におい
て、 強制排液機構を、処理部の底部に設けられた複数の排液
口と、各排液口を開閉する蓋体と、この蓋体を開閉駆動
する開閉手段とで構成してなることを特徴とする処理装
置。
10. An apparatus according to claim 6 or 7, wherein the forced drainage system, a plurality of drain port provided at the bottom of the processor, a lid for opening and closing the respective drain port, the lid A processing apparatus comprising: opening and closing means for opening and closing a body.
【請求項11】 請求項又は記載の処理装置におい
て、 強制排液機構を、薬液及び洗浄液の供給・排出口を有し
処理部の底部に対して接離可能な蓋体と、この蓋体を開
閉駆動する開閉手段とで構成してなることを特徴とする
処理装置。
In the processing apparatus 11. The method of claim 6 or 7, wherein the forced drainage mechanism, separable therefrom lid member against the bottom of the processing unit has a supply and discharge port of the chemical solution and the cleaning solution, the lid A processing apparatus comprising: opening and closing means for opening and closing a body.
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