JP3335527B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus

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JP3335527B2
JP3335527B2 JP17170296A JP17170296A JP3335527B2 JP 3335527 B2 JP3335527 B2 JP 3335527B2 JP 17170296 A JP17170296 A JP 17170296A JP 17170296 A JP17170296 A JP 17170296A JP 3335527 B2 JP3335527 B2 JP 3335527B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板などの基板を処理槽で水洗す
る水洗工程を含む基板処理方法とその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing method including a water washing step of washing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device in a processing tank and an apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の基板処理装置としては、基板洗
浄装置と呼ばれる装置(以下、「FS」と略すこともあ
る)や、基板洗浄・乾燥装置と呼ばれる装置(以下、
「FL」と略すこともある)、ウエット・ステーション
と呼ばれる装置(以下、「W・S」と略すこともある)
などがある。
2. Description of the Related Art As a substrate processing apparatus of this kind, there is an apparatus called a substrate cleaning apparatus (hereinafter sometimes abbreviated as "FS") or an apparatus called a substrate cleaning / drying apparatus (hereinafter, referred to as "FS").
A device called a wet station (hereinafter sometimes abbreviated as "WS")
and so on.

【0003】前記FSは、一般的に、処理槽での基板に
対する薬液処理(例えば、フッ酸などによるエッチング
処理)を所定時間行い、それに続き、同一の処理槽で基
板に対する水洗(純水による基板洗浄)を所定時間行う
ように構成されている。
In general, the FS performs a chemical treatment (for example, an etching treatment with hydrofluoric acid) on a substrate in a treatment tank for a predetermined time, and then performs a water rinse (substrate with pure water) on the substrate in the same treatment tank. (Washing) for a predetermined time.

【0004】また、前記FLは、一般的に、上記FSと
同様に同一の処理槽で薬液処理と水洗を続けて行い、水
洗の後、処理槽から基板を引き上げ、前記処理槽が収納
されたチャンバ内で乾燥処理を行うように構成されてい
る。
[0004] Further, the FL generally performs chemical solution treatment and water washing in the same processing tank in the same manner as the above-mentioned FS, and after the water washing, the substrate is pulled up from the processing tank and the processing tank is stored. It is configured to perform a drying process in the chamber.

【0005】さらに、前記W・Sは、薬液処理用の処理
槽(薬液槽)と水洗用の処理槽(水洗槽)とが1組以上
備えられるとともに、各処理槽間で基板を搬送する基板
搬送機構などを備えている。このW・Sでは、薬液槽で
薬液処理し、基板搬送機構で薬液槽から水洗槽に基板を
搬送して水洗するというように一連の処理を処理槽を替
えながら行うように構成されている。
Further, the WS has one or more sets of a processing tank (chemical tank) for chemical treatment and a processing tank (rinsing tank) for rinsing, and a substrate for transferring the substrate between the processing tanks. It has a transport mechanism. In WS, a series of processes are performed while changing the processing tank, such as performing a chemical processing in a chemical tank and transporting the substrate from the chemical tank to the washing tank by the substrate transfer mechanism and washing the substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。上記FSやFLでは、薬液処理で基板から剥離等
したパーティクルやその後の水洗時に基板から洗い流さ
れたパーティクルが単一の処理槽の純水内に浮遊し、水
洗工程でパーティクルが基板に再付着し、水洗の仕上が
りが悪いという問題があった。上記W・Sでは、薬液処
理と水洗を処理槽を分けて行っているので、水洗工程で
の基板へのパーティクルの再付着は幾分軽減される。し
かしながら、薬液槽から水洗槽に基板を搬送する際に薬
液槽内のパーティクルが基板とともに水洗槽に持ち込ま
れたり、水洗槽での水洗時に基板からパーティクルが洗
い流され、それらパーティクルが水洗槽の純水内に浮遊
し、水洗工程でパーティクルが基板に再付着し、水洗の
仕上がりが良好とは言えなかった。
However, the prior art having such a structure has the following problems. In the above FS or FL, particles separated from the substrate in the chemical solution treatment and particles washed out from the substrate at the time of subsequent water washing float in pure water of a single treatment tank, and the particles re-attach to the substrate in the water washing process. However, there was a problem that the finish of washing was poor. In the above-mentioned WS, since the chemical solution treatment and the water washing are performed in separate treatment tanks, the reattachment of particles to the substrate in the water washing step is somewhat reduced. However, when the substrate is transported from the chemical tank to the washing tank, the particles in the chemical tank are brought into the washing tank together with the substrate, or the particles are washed off from the substrate during the washing in the washing tank. The particles floated inside, and the particles re-adhered to the substrate in the washing step, and the finish of the washing was not good.

【0007】そこで、従来一般に、薬液処理や水洗は、
処理槽の底部から液(薬液や純水)を供給しながら、処
理槽の上部から液を溢れ出させて処理槽外に排出して処
理槽に液の上昇液流を形成して薬液処理や水洗を行って
いる。このように処理することにより、基板から剥離し
たり洗い流されて処理槽内の液に浮遊するパーティクル
は、上記液の上昇液流とともに液面に上昇され、処理槽
の上部から溢れ出る液とともに処理槽外に排出されるの
で、水洗時の基板へのパーティクルの再付着は軽減され
る。
Therefore, conventionally, chemical treatment and washing with water are generally performed as follows.
While supplying liquid (chemical solution or pure water) from the bottom of the processing tank, the liquid overflows from the upper part of the processing tank and is discharged out of the processing tank to form an ascending liquid flow of the liquid in the processing tank to perform chemical processing. We wash with water. As a result of this treatment, the particles that are peeled off or washed away from the substrate and float on the liquid in the processing tank rise to the liquid surface with the rising liquid flow of the above liquid, and are processed together with the liquid that overflows from the upper part of the processing tank. Since the particles are discharged out of the tank, the re-adhesion of particles to the substrate during washing with water is reduced.

【0008】しかしながら、薬液処理や水洗を上記液の
上昇液流を形成した状態で行っているにもかかわらず、
水洗後の基板にパーテイクルが残留しているのが実情で
ある。これは、液面に上昇されたパーティクルの全てが
処理槽外に排出されずに液面にパーティクルが浮遊して
いて、水洗後に基板を処理槽(水洗槽)から引き上げる
際に、液面に浮遊しているパーティクルが基板に再付着
するものと考えられる。そこで、例えば、水洗時間を長
くして、液面に浮遊するパーテイクルが全て処理槽外に
排出させてから基板を処理槽から引き上げるようにすれ
ば、水洗後の基板へのパーテイクルの再付着が無くなる
ことが期待できる。しかしながら、そのように水洗時間
を長くすれば処理全体のスループットが悪くなり生産性
の低下を招いてしまう。
[0008] However, despite the fact that the chemical treatment and the water washing are performed in a state where the rising liquid flow of the above liquid is formed,
The fact is that particles remain on the washed substrate. This is because all of the particles that have risen to the liquid level are not discharged out of the processing tank, and the particles float on the liquid surface. When the substrate is lifted from the processing tank (washing tank) after washing with water, the particles float on the liquid surface. It is considered that the particles are reattached to the substrate. Therefore, for example, if the washing time is lengthened, and all the particles floating on the liquid surface are discharged out of the processing tank and then the substrate is lifted from the processing tank, the particles do not re-adhere to the substrate after the washing. I can expect that. However, if the washing time is lengthened in such a manner, the throughput of the entire process is deteriorated and the productivity is reduced.

【0009】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、生産性の低下を招かず、基板へのパー
ティクルの付着を大幅に抑制し、水洗の仕上がりを良好
にすることができる基板処理方法とその装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to significantly reduce the adhesion of particles to a substrate and improve the finish of water washing without lowering productivity. It is an object of the present invention to provide a substrate processing method and an apparatus therefor.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明に係る基板処理方法は、処理
槽で基板を水洗する水洗工程を含む基板処理方法におい
て、前記水洗工程が終了するよりも前の段階で、前記基
板を水洗する処理槽に界面活性剤を供給し、前記界面活
性剤の供給終了後に、前記水洗工程の残り時間で基板を
水洗するようにしたことを特徴とするものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, in the substrate processing method according to the first aspect of the present invention, in the substrate processing method including the rinsing step of rinsing the substrate in a processing tank, the substrate is rinsed at a stage before the rinsing step is completed. A surfactant is supplied to the treatment tank, and after the supply of the surfactant is completed, the substrate is washed with water for the remaining time of the washing step.

【0011】また、請求項2に記載の発明に係る基板処
理方法は、上記請求項1に記載の基板処理方法におい
て、前記水洗工程は、前記処理槽に上昇液流を形成した
状態で行うものであり、かつ、前記処理槽への界面活性
剤の供給は前記処理槽の上方から行うことを特徴とする
ものである。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing method of the first aspect, the water washing step is performed in a state where an ascending liquid flow is formed in the processing tank. And supplying the surfactant to the treatment tank is performed from above the treatment tank.

【0012】また、請求項3に記載の発明に係る基板処
理装置は、基板を水洗する処理槽を備えた基板処理装置
において、前記基板を水洗する処理槽に界面活性剤を供
給する界面活性剤供給手段と、前記処理槽で所定時間の
間、基板を水洗する制御を行うとともに、その水洗が終
了するよりも前の段階で、その処理槽に界面活性剤を供
給し、前記界面活性剤の供給終了後に、前記水洗工程の
残り時間で基板を水洗するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a processing tank for washing a substrate with water, wherein the surfactant supplies a surfactant to the processing tank for washing the substrate with water. Supplying means, for a predetermined time in the processing tank, while performing control to wash the substrate, at a stage prior to the end of the washing, to supply a surfactant to the processing tank, After supply is completed, control means for controlling the substrate to be washed with water in the remaining time of the washing step,
It is characterized by having.

【0013】また、請求項4に記載の発明に係る基板処
理装置は、上記請求項3に記載の基板処理装置におい
て、前記界面活性剤供給手段は、前記処理槽の上方から
界面活性剤を供給するように構成し、かつ、前記制御手
段は、前記処理槽での基板の水洗を、前記処理槽に上昇
液流を形成した状態で行うように制御することを特徴と
するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the third aspect, the surfactant supply means supplies a surfactant from above the processing tank. And the control means controls the washing of the substrate in the processing tank so that the substrate is washed with a rising liquid flow in the processing tank.

【0014】[0014]

【作用】請求項1に記載の方法発明の作用は次のとおり
である。すなわち、水洗工程が終了するよりも前の段階
で、基板を水洗する処理槽に界面活性剤を供給する。水
洗工程は、所定時間の間基板を水洗することで行う。そ
して、界面活性剤の供給終了(供給停止)後に、水洗工
程の残り時間で基板を水洗する。すなわち、水洗工程の
終了タイミングをTWEとし、界面活性剤の供給の停止
タイミングをTKEとすると、TKEはTWEよりも時
間的に前である。また、界面活性剤の供給は、例えば、
水洗工程の初期段階や途中段階に開始する。なお、FS
やFLでは、同一の処理槽で水洗工程に先立ち薬液処理
が行われるので、そのような装置では界面活性剤の供給
を、薬液処理の途中段階や最終段階に開始してもよい。
また、処理槽への界面活性剤の供給は、処理槽の上方か
ら行ってもよいし、処理槽の底部から行ってもよい。
The operation of the method according to the first aspect is as follows. That is, the surfactant is supplied to a treatment tank for washing the substrate at a stage before the end of the washing step. The rinsing step is performed by rinsing the substrate with water for a predetermined time. Then, after the end of the supply of the surfactant (stop of the supply), the substrate is washed with water for the remaining time of the washing step. That is, assuming that the end timing of the washing step is TWE and the stop timing of the supply of the surfactant is TKE, TKE is temporally earlier than TWE. Also, the supply of the surfactant, for example,
It starts at the initial stage or the middle stage of the washing process. FS
In FL and FL, the chemical treatment is performed prior to the water washing step in the same treatment tank, and in such an apparatus, the supply of the surfactant may be started at an intermediate stage or the final stage of the chemical treatment.
The surfactant may be supplied to the processing tank from above the processing tank or from the bottom of the processing tank.

【0015】このように処理することで、基板へのパー
ティクルの付着が大幅に抑制でき、水洗の仕上がりが良
好になった。これは、疎水基と親水基とを有する界面活
性剤がパーティクルに配合した結果、パーティクルが基
板に付着し難くなったものと考えられる。
By performing such treatment, the adhesion of particles to the substrate can be greatly suppressed, and the finish of water washing has been improved. This is considered to be because the surfactant having a hydrophobic group and a hydrophilic group was blended into the particles, and as a result, the particles did not easily adhere to the substrate.

【0016】上記界面活性剤の供給は、基板へのパーテ
ィクルの付着を抑制するために行うものである。基板表
面の濡れ性を向上させることを目的として行うものでは
ない。また、逆に、基板表面に界面活性剤が付着したま
ま水洗工程を終了するのはむしろ好ましくない。そこ
で、界面活性剤の供給終了後に基板を水洗するように
し、基板に付着した界面活性剤を洗い流してから水洗工
程を終えるようにしている。
The above-mentioned surfactant is supplied to suppress the adhesion of particles to the substrate. It is not performed for the purpose of improving the wettability of the substrate surface. Conversely, it is rather undesirable to end the water washing step with the surfactant attached to the substrate surface. Therefore, the substrate is washed with water after the completion of the supply of the surfactant, and the washing process is completed after the surfactant attached to the substrate is washed away.

【0017】請求項2に記載の方法発明によれば、水洗
工程は、処理槽に上昇液流を形成した状態で行う。これ
により、処理槽内の液は処理槽の底部から上方へと流
れ、処理槽の上部から溢れ出て排出される。この上昇液
流によって処理槽の液内に浮遊するパーティクルは処理
槽の上部の液面へと上昇され、処理槽から排出される。
そして、上記状態において、処理槽の上方から界面活性
剤を供給することで、処理槽の上部の液面に上昇された
パーティクルを効率よく改質(基板に付着し難く改質)
できる。従って、水洗工程が終了し、基板を処理槽から
引き上げる際、基板が液面を通過しても、液面に残留し
ているパーティクルは基板に付着し難く、水洗を終了し
処理槽から引き上げられた基板にはパーティクルがほと
んど付着せず、水洗の仕上がりを良好にすることができ
る。また、上述のように、上昇液流が形成された状態
で、界面活性剤を処理槽の上方から供給すれば、界面活
性剤は液面の下方に流れ難く、処理槽の液内に浸漬され
ている基板に界面活性剤が付着し難い。しかも、界面活
性剤の供給の停止後も水洗が行われるので、供給された
界面活性剤は処理槽の上部から排出される液とともに排
出され、水洗が終了した段階で液面に界面活性剤がほと
ん残留しなくなるので、基板を処理槽から引き上げる際
にも基板に界面活性剤が付着するのを防止できる。
According to the second aspect of the present invention, the water washing step is performed in a state where a rising liquid flow is formed in the treatment tank. As a result, the liquid in the processing tank flows upward from the bottom of the processing tank, and overflows from the upper part of the processing tank and is discharged. Particles floating in the liquid in the processing tank are raised to the liquid level in the upper part of the processing tank by this rising liquid flow, and are discharged from the processing tank.
Then, in the above state, by supplying a surfactant from above the processing tank, particles raised on the liquid surface at the upper part of the processing tank are efficiently reformed (modified so as to be less likely to adhere to the substrate).
it can. Therefore, when the rinsing step is completed and the substrate is lifted from the processing tank, even if the substrate passes through the liquid surface, particles remaining on the liquid surface are unlikely to adhere to the substrate. The particles hardly adhere to the substrate, and the finish of the washing with water can be improved. Also, as described above, if the surfactant is supplied from above the processing tank in a state where the rising liquid flow is formed, the surfactant is unlikely to flow below the liquid surface, and is immersed in the liquid in the processing tank. The surfactant does not easily adhere to the substrate. Moreover, since the water washing is performed even after the supply of the surfactant is stopped, the supplied surfactant is discharged together with the liquid discharged from the upper portion of the processing tank, and the surfactant is added to the liquid surface when the water cleaning is completed. Since almost no residue remains, it is possible to prevent the surfactant from adhering to the substrate even when the substrate is pulled out of the processing bath.

【0018】請求項3に記載の発明は、上記請求項1に
記載の方法発明を好適に、かつ、自動的に行うための装
置であり、その作用は次のとおりである。すなわち、制
御手段は、処理槽で所定時間の間、基板を水洗する制御
を行い、界面活性剤供給手段を制御して、その水洗が終
了するよりも前の段階で、その処理槽に界面活性剤を供
給する。そして、界面活性剤の供給終了後に、水洗工程
の残り時間で基板を水洗する。
A third aspect of the present invention is an apparatus for suitably and automatically performing the method of the first aspect of the present invention, and its operation is as follows. That is, the control means controls the water washing of the substrate in the processing tank for a predetermined time, controls the surfactant supply means, and adds the surfactant to the processing tank at a stage before the end of the water washing. Supply the agent. Then, after the supply of the surfactant is completed, the substrate is washed with water for the remaining time of the washing step.

【0019】請求項4に記載の発明は、上記請求項2に
記載の方法発明を好適に、かつ、自動的に行うための装
置であり、その作用は次のとおりである。すなわち、制
御手段は、処理槽で所定時間の間、処理槽に上昇水流を
形成した状態で基板を水洗する制御を行い、界面活性剤
供給手段を制御して、その水洗が終了するよりも前の段
階で、その処理槽の上方から界面活性剤を供給する。そ
して、界面活性剤の供給終了後に、水洗工程の残り時間
で基板を水洗する。
A fourth aspect of the present invention is an apparatus for suitably and automatically performing the method of the second aspect of the present invention, and its operation is as follows. That is, the control means controls the water washing of the substrate in a state where the rising water flow is formed in the processing tank for a predetermined time in the processing tank, controls the surfactant supply means, and controls the surfactant supply before the end of the water washing. In this step, a surfactant is supplied from above the treatment tank. Then, after the supply of the surfactant is completed, the substrate is washed with water for the remaining time of the washing step.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】図1は、本発明の第1の実施の形態の概略
構成を示す図であり、図2は、本発明の第2の実施の形
態の概略構成を示す図である。なお、図では、処理槽部
分を縦断面図で描いている。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a second embodiment of the present invention. In the figure, the processing tank portion is drawn in a vertical sectional view.

【0022】図1に示す第1の実施の形態は、界面活性
剤を処理槽1の上方から供給するように構成している。
すなわち、処理槽1の上方にノズル2が配設されてい
る。このノズル2は、管路3、4、5を介して純水供給
源6、界面活性剤供給源7に連通接続されている。管路
4、5には開閉弁8、9が介装されていて、これら開閉
弁8、9を開にすることで、純水で希釈された界面活性
剤をノズル2からシャワー状に処理槽1に供給するよう
になっている。
In the first embodiment shown in FIG. 1, a surfactant is supplied from above the processing tank 1.
That is, the nozzle 2 is disposed above the processing tank 1. The nozzle 2 is connected to a pure water supply source 6 and a surfactant supply source 7 through conduits 3, 4, and 5. Opening / closing valves 8 and 9 are interposed in the pipelines 4 and 5, and by opening these on / off valves 8 and 9, the surfactant diluted with pure water is treated from the nozzle 2 into a shower tank. 1 is supplied.

【0023】処理槽1の底部には、液(この場合は純
水)を供給する液供給管10が取り付けられている。こ
の液供給管10は、開閉弁11が介装された管路12を
介して純水供給源13に連通接続されている。この開閉
弁11を開にすることで、純水が処理槽1に供給され
る。そして、基板Wが処理槽1の純水内に浸漬された状
態で水洗工程(所定時間の基板Wの水洗)が実施され、
水洗工程が終了すると、図示しない昇降機構によって基
板Wが処理槽1から引き上げられる。なお、水洗工程
中、および、上記基板Wの引き上げ中は、処理槽1の底
部からの純水の供給が継続され、処理槽1の上部から純
水が溢れ出て、処理槽1に純水の上昇液流が形成され
る。
At the bottom of the processing tank 1, a liquid supply pipe 10 for supplying a liquid (in this case, pure water) is attached. The liquid supply pipe 10 is connected to a pure water supply source 13 via a pipe 12 in which an on-off valve 11 is provided. By opening the on-off valve 11, pure water is supplied to the processing tank 1. Then, a rinsing step (rinsing of the substrate W for a predetermined time) is performed in a state where the substrate W is immersed in pure water of the processing tank 1,
When the rinsing step is completed, the substrate W is pulled up from the processing tank 1 by a lifting mechanism (not shown). During the rinsing step and during the lifting of the substrate W, the supply of pure water from the bottom of the processing tank 1 is continued, and the pure water overflows from the upper part of the processing tank 1 and the pure water flows into the processing tank 1. Is formed.

【0024】なお、各開閉弁の開閉などの制御は、マイ
クロコンピューターなどで構成される制御部100が行
うようになっている。
The opening and closing of each on-off valve is controlled by a control unit 100 composed of a microcomputer or the like.

【0025】図2に示す第2の実施の形態は、界面活性
剤を処理槽1の底部から供給するように構成している。
すなわち、界面活性剤供給源14に連通接続された管路
15が管路12に連通接続され、管路15に開閉弁16
が介装されている。この開閉弁16を適宜のタイミング
で開にすることにより所定のタイミングで、純水供給源
13からの純水で希釈した界面活性剤を処理槽1に供給
できるようになっている。その他の構成は、第1の実施
の形態と同様であるので、共通する部分は図1と同一符
号を付して説明を省略する。また、水洗工程や、水洗工
程後の基板Wの引き上げも上記第1の実施の形態と同様
の動作で行われる。
In the second embodiment shown in FIG. 2, a surfactant is supplied from the bottom of the processing tank 1.
That is, the pipe 15 connected to the surfactant supply source 14 is connected to the pipe 12, and the on-off valve 16 is connected to the pipe 15.
Is interposed. By opening the on-off valve 16 at an appropriate timing, a surfactant diluted with pure water from the pure water supply source 13 can be supplied to the treatment tank 1 at a predetermined timing. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and thus common portions are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1 and description thereof is omitted. Further, the water washing step and the lifting of the substrate W after the water washing step are performed by the same operation as in the first embodiment.

【0026】上記第1、第2の実施の形態において、純
水供給源13から処理槽1に純水を供給を継続しての水
洗工程が終了するよりも前の段階で、処理槽1に(純水
で希釈した)界面活性剤を供給する。例えば、図3
(a)に示すように、水洗工程の初期段階で界面活性剤
の供給を行ってもよいし、図3(b)に示すように水洗
工程の途中段階で界面活性剤の供給を行ってもよい。そ
して、界面活性剤の供給終了後(供給停止後)に、水洗
工程の残り時間で基板Wが水洗されるようなタイミング
で界面活性剤の供給を行う。
In the first and second embodiments, the treatment tank 1 is supplied to the treatment tank 1 at a stage prior to the end of the washing step in which pure water is continuously supplied from the pure water supply source 13 to the treatment tank 1. Supply surfactant (diluted with pure water). For example, FIG.
As shown in FIG. 3A, the surfactant may be supplied at an early stage of the washing step, or as shown in FIG. 3B, the surfactant may be supplied at an intermediate stage of the washing step. Good. Then, after the supply of the surfactant is completed (after the supply is stopped), the supply of the surfactant is performed at such a timing that the substrate W is washed with water in the remaining time of the washing step.

【0027】このように界面活性剤を供給したことで、
基板Wへのパーティクルの付着を大幅に抑制することが
でき、界面活性剤の供給後の水洗により、供給した界面
活性剤が基板Wの表面に付着してもそれが残留するのを
防止できる。
By supplying the surfactant as described above,
Adhesion of particles to the substrate W can be greatly suppressed, and washing with water after the supply of the surfactant can prevent the supplied surfactant from remaining on the surface of the substrate W even if it adheres to the surface of the substrate W.

【0028】なお、先にも述べたように、界面活性剤の
供給は、基板Wへのパーティクルの付着を抑制するため
に行うものである。基板Wの表面の濡れ性を向上させる
ことを目的として行うものではない。また、逆に、基板
Wの表面に界面活性剤が付着したまま水洗工程を終了す
るのはむしろ好ましくない。そこで、この実施の形態で
は、基板Wへのパーティクルの付着を抑制し、かつ、基
板Wの表面に残留しない程度に界面活性剤を希釈して供
給するようにしている。このような希釈濃度としては、
例えば、純水1000に対して界面活性剤が1程度であ
る。なお、上記希釈濃度は処理槽1に供給する段階での
ものであり、処理槽1に供給された後の処理槽1内での
界面活性剤の濃度はさらに薄くなる。また、処理槽1内
での界面活性剤の濃度が充分薄く(基板Wへのパーティ
クルの付着を抑制し、かつ、基板Wの表面に残留しない
程度に薄く)なるのであれば、界面活性剤を純水で希釈
して供給せずに、界面活性剤を直接供給するようにして
もよい。
As described above, the supply of the surfactant is performed to suppress adhesion of particles to the substrate W. It is not performed for the purpose of improving the wettability of the surface of the substrate W. Conversely, it is rather undesirable to end the washing step with the surfactant attached to the surface of the substrate W. Therefore, in this embodiment, the adhesion of particles to the substrate W is suppressed, and the surfactant is diluted and supplied so as not to remain on the surface of the substrate W. Such dilution concentrations include:
For example, the amount of the surfactant is about 1 per 1000 pure water. Note that the above-mentioned dilution concentration is at the stage of supplying to the processing tank 1, and the concentration of the surfactant in the processing tank 1 after being supplied to the processing tank 1 is further reduced. If the concentration of the surfactant in the treatment tank 1 is sufficiently low (thin enough to suppress adhesion of particles to the substrate W and not to remain on the surface of the substrate W), the surfactant may be used. The surfactant may be directly supplied without being diluted with pure water and supplied.

【0029】また、上記第2の実施の形態の場合、希釈
した界面活性剤を処理槽1に供給しているものの、供給
された界面活性剤は、処理槽1内の純水の上昇液流とと
もにに処理槽1の底部から上部へと流れ、その際に、処
理槽1の純水内に浸漬された基板Wに界面活性剤が触れ
る可能性がある。処理槽1に供給された界面活性剤はな
るべく基板Wに触れない方が好ましい。その点からする
と、上記第1の実施の形態では、処理槽1に純水の上昇
液流が形成された状態で、界面活性剤を処理槽1の上方
から供給しているので、処理槽1の純水内に浸漬されて
いる基板Wに供給された界面活性剤が触れ難くなる。さ
らに、上記第1の実施の形態では、処理槽1に供給され
た界面活性剤は、界面活性剤の供給後の水洗時に純水と
ともに処理槽1の上部から溢れ出て排出されるので、水
洗工程終了時には液面QH(図1参照)に界面活性剤が
ほとんど残留しない。従って、水洗工程後の基板Wの引
き上げ時に基板Wが液面QHを通過しても、基板Wに界
面活性剤が付着するのを防止することもできる。
Further, in the case of the second embodiment, although the diluted surfactant is supplied to the processing tank 1, the supplied surfactant is supplied to the rising liquid flow of pure water in the processing tank 1. At the same time, the water flows from the bottom to the top of the processing tank 1, and at that time, the surfactant may come into contact with the substrate W immersed in the pure water of the processing tank 1. It is preferable that the surfactant supplied to the processing tank 1 does not touch the substrate W as much as possible. From that point, in the first embodiment, the surfactant is supplied from above the processing tank 1 in a state where the rising liquid flow of the pure water is formed in the processing tank 1, so that the processing tank 1 The surface active agent supplied to the substrate W immersed in pure water becomes difficult to touch. Further, in the first embodiment, the surfactant supplied to the processing tank 1 overflows from the upper part of the processing tank 1 and is discharged together with pure water at the time of washing after the surfactant is supplied. At the end of the process, almost no surfactant remains on the liquid surface QH (see FIG. 1). Therefore, even when the substrate W passes the liquid level QH when the substrate W is lifted after the water washing step, it is possible to prevent the surfactant from adhering to the substrate W.

【0030】なお、図4に示すように、処理槽1の底部
に、開閉弁20が介装された排水用の管路21が設けら
れ、水洗工程中に、基板Wを処理槽1内に静止させた状
態で処理槽1内の液を処理槽1の底部から排出する工程
を含むように水洗が行われる場合も考えられる。このよ
うな場合でも、図の二点鎖線で示す界面活性剤供給機構
22(ノズル2、管路3〜5、純水供給源6、界面活性
剤供給源7、開閉弁8、9)か23(界面活性剤供給源
14、管路15、開閉弁16)のいずれかを設け、処理
槽1内の液を処理槽1の底部から排出するより前に、界
面活性剤を処理槽1に供給することで、基板Wへのパー
ティクルの付着を大幅に抑制することができる。
As shown in FIG. 4, a drain pipe 21 provided with an on-off valve 20 is provided at the bottom of the processing tank 1 so that the substrate W is placed in the processing tank 1 during the washing step. Water washing may be performed so as to include a step of discharging the liquid in the processing tank 1 from the bottom of the processing tank 1 in a stationary state. Even in such a case, the surfactant supply mechanism 22 (nozzle 2, pipe lines 3 to 5, pure water supply 6, surfactant supply 7, on-off valves 8, 9) indicated by a two-dot chain line in the figure or 23 (Surfactant supply source 14, pipe line 15, opening / closing valve 16) is provided to supply the surfactant to the processing tank 1 before the liquid in the processing tank 1 is discharged from the bottom of the processing tank 1. By doing so, adhesion of particles to the substrate W can be significantly suppressed.

【0031】なお、上記実施の形態では、界面活性剤の
供給を制御部100により自動的に行うように構成した
が、開閉弁8、9や、開閉弁16などの開閉を人手で行
い、界面活性剤の供給を手動で行うように構成してもよ
い。
In the above embodiment, the surfactant is supplied automatically by the control unit 100. However, the on-off valves 8, 9 and the on-off valve 16 are manually opened and closed, and the The activator may be supplied manually.

【0032】以下、本発明を具体的に実施する実施例を
説明する。
Hereinafter, embodiments for specifically embodying the present invention will be described.

【0033】[0033]

【実施例】【Example】

<第1実施例>図5は、第1実施例に係る基板処理装置
の構成を示す図である。なお、図では、チャンバや処理
槽部分を縦断面図で描いている。また、図中、第1、第
2の実施の形態と共通する部分は、図1、図2と同一符
号を付してその説明を省略する。
<First Embodiment> FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. In the drawing, the chamber and the processing tank are drawn in a vertical sectional view. Also, in the figure, portions common to the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2, and the description thereof is omitted.

【0034】この第1実施例は、基板洗浄・乾燥装置
(FL)に本発明を適用した実施例である。この装置
は、密閉チャンバ30内に処理槽1やリフター31、ガ
ス供給用のノズル32、界面活性剤供給用のノズル2な
どが設けられている。密閉チャンバ30の上面には基板
Wを搬入出するための開口33が設けられている。ま
た、基板Wを搬入出するときだけ開口33を開く開閉自
在の蓋34も設けられている。そして、蓋34が閉じら
れた状態で、チャンバ30内は気密に密閉されるように
なっている。
The first embodiment is an embodiment in which the present invention is applied to a substrate cleaning / drying apparatus (FL). In this apparatus, a treatment tank 1, a lifter 31, a gas supply nozzle 32, a surfactant supply nozzle 2 and the like are provided in a closed chamber 30. An opening 33 for carrying in / out the substrate W is provided on the upper surface of the closed chamber 30. Further, an openable / closable lid 34 that opens the opening 33 only when the substrate W is carried in and out is provided. When the lid 34 is closed, the inside of the chamber 30 is hermetically sealed.

【0035】また、チャンバ30の底部には、排液・排
気口35が設けられている。この排液・排気口35は、
管路36、37を介して排液ドレイン38に連通接続さ
れるとともに、管路36、39を介して排気ダクト40
に連通接続されている。管路37、39には開閉弁4
1、42が介装され、管路39には水封式真空ポンプ4
3も介装されている。開閉弁41を開にすることで、処
理槽1の上部から溢れ出た液を排液し、開閉弁42を開
にすることで、チャンバ30内を強制排気するようにな
っている。
A drain / exhaust port 35 is provided at the bottom of the chamber 30. This drain / exhaust port 35 is
Fluid drain 38 is connected through lines 36 and 37 and exhaust duct 40 is connected through lines 36 and 39.
Is connected to the On-off valve 4 is installed in pipes 37 and 39
1 and 42 are interposed, and a water ring vacuum pump 4
3 is also interposed. By opening the on-off valve 41, the liquid overflowing from the upper part of the processing tank 1 is drained, and by opening the on-off valve 42, the inside of the chamber 30 is forcibly evacuated.

【0036】また、薬液供給源44に連通接続され、開
閉弁45が介装された管路46が、液供給管10に連通
接続された管路12に連通接続されている。開閉弁45
を開にすることで、所定の薬液(例えば、フッ化水素酸
など)を処理槽1の底部から処理槽1内に供給できるよ
うになっている。これにより、処理槽1で薬液処理と水
洗を続けて行えるようになっている。
A pipe 46 connected to the chemical supply source 44 and provided with an opening / closing valve 45 is connected to the pipe 12 connected to the liquid supply pipe 10. On-off valve 45
By opening, a predetermined chemical solution (for example, hydrofluoric acid or the like) can be supplied into the processing tank 1 from the bottom of the processing tank 1. As a result, chemical treatment and water washing can be performed in the treatment tank 1 continuously.

【0037】ノズル32には、フィルター47、ヒータ
ー48、開閉弁49が介装された管路50を介して不活
性ガス供給源51が連通接続されている。また、管路5
0には、開閉弁52、53、有機溶剤蒸気供給部54が
介装された分岐管路55が連通接続されている。開閉弁
49を開、開閉弁52、53を閉にすることで、ヒータ
ー48で加熱され、フィルター47で清浄化された不活
性ガス(窒素ガスなど)をチャンバ30内に供給するこ
とができる。また、開閉弁49を閉、開閉弁52、53
を開にすることで、不活性ガスをキャリアとして、有機
溶剤の蒸気がヒーター48で加熱され、フィルター47
で清浄化されてからチャンバ30内に供給することがで
きる。なお、有機溶剤蒸気供給部54は、ヒーター54
aで有機溶剤を加熱して有機溶剤の蒸気を発生させるよ
うになっている。また、有機溶剤としては、イソプロピ
ールアルコール(IPA)などのアルコール類や、その
他ケトン類、エーテル類などが用いられる。
An inert gas supply source 51 is connected to the nozzle 32 through a pipe 50 in which a filter 47, a heater 48, and an on-off valve 49 are interposed. In addition, pipe 5
A branch pipe 55 in which open / close valves 52 and 53 and an organic solvent vapor supply unit 54 are interposed is connected to 0. By opening the on-off valve 49 and closing the on-off valves 52 and 53, an inert gas (such as nitrogen gas) heated by the heater 48 and purified by the filter 47 can be supplied into the chamber 30. Further, the on-off valve 49 is closed, and the on-off valves 52, 53
Is opened, the vapor of the organic solvent is heated by the heater 48 using the inert gas as a carrier,
And then supplied into the chamber 30. The organic solvent vapor supply unit 54 includes a heater 54
In step a, the organic solvent is heated to generate vapor of the organic solvent. As the organic solvent, alcohols such as isopropyl alcohol (IPA), ketones, ethers, and the like are used.

【0038】リフター31は、図示しない昇降機構によ
り昇降自在に構成されている。このリフター31に基板
Wが支持され、図の実線で示す上昇位置と、図の二点鎖
線で示す下降位置との間で、基板Wが昇降されるように
なっている。基板Wの搬入は以下のように行われる。ま
ず、蓋34が開き、図示しない基板搬送機構が開口33
を介して基板Wをチャンバ30内に搬入し、その基板W
を、上昇されているリフター31にセットする。そし
て、基板搬送機構がチャンバ30の外に後退すると蓋3
4が閉じる。基板Wが搬入されると、リフター31は下
降し、基板Wを処理槽1内に投入する。この状態で薬液
処理や水洗が行われる。そして、水洗が終了すると、リ
フター31は上昇し、基板Wを上昇位置に位置させ、そ
こで乾燥処理が施される。乾燥処理が終了すると、蓋3
4が開き、基板搬送機構が開口33から進入してきてリ
フター31から処理済の基板を取り出す。そして、基板
搬送機構が開口33を介して基板Wをチャンバ30の外
に搬出すると蓋34が閉じる。
The lifter 31 is configured to be able to move up and down by a lifting mechanism (not shown). The lifter 31 supports the substrate W, and the substrate W is raised and lowered between a rising position shown by a solid line in the figure and a lowering position shown by a two-dot chain line in the figure. The loading of the substrate W is performed as follows. First, the lid 34 is opened, and the substrate transport mechanism (not shown) is opened.
The substrate W is carried into the chamber 30 through the
Is set on the lifter 31 that has been raised. When the substrate transfer mechanism is retracted out of the chamber 30, the lid 3
4 closes. When the substrate W is carried in, the lifter 31 descends and puts the substrate W into the processing tank 1. In this state, chemical treatment and washing are performed. Then, when the washing is completed, the lifter 31 moves up to position the substrate W at the ascending position, where a drying process is performed. When the drying process is completed, the lid 3
4 is opened, the substrate transport mechanism enters from the opening 33, and the processed substrate is taken out from the lifter 31. Then, when the substrate transport mechanism carries the substrate W out of the chamber 30 through the opening 33, the lid 34 closes.

【0039】また、処理槽1の底部には、排水口56が
設けられている。この排水口56は、開閉弁57が介装
された管路58を介して排水ドレイン59に連通接続さ
れている。開閉弁57を開にすることで、処理槽1内の
液を処理槽1の底部から排出できるようになっている。
A drain 56 is provided at the bottom of the processing tank 1. The drain 56 is connected to a drain 59 via a conduit 58 in which an on-off valve 57 is interposed. By opening the on-off valve 57, the liquid in the processing tank 1 can be discharged from the bottom of the processing tank 1.

【0040】この第1実施例では、ノズル2、管路3、
4、5、純水供給源6、界面活性剤供給源7、開閉弁
8、9などからなる界面活性剤供給機構22を備えてい
るが、それに代えて、界面活性剤供給源7、管路15、
開閉弁16などからなる界面活性剤供給機構23を備え
るように構成してもよい。
In the first embodiment, the nozzle 2, the pipe 3,
4 and 5, a pure water supply source 6, a surfactant supply source 7, and a surfactant supply mechanism 22 including on-off valves 8, 9 and the like. 15,
It may be configured to include a surfactant supply mechanism 23 including the on-off valve 16 and the like.

【0041】なお、蓋34の開閉やリフター31の昇
降、各開閉弁の開閉などの制御は制御部100が行う。
The control unit 100 controls the opening and closing of the lid 34, the lifting and lowering of the lifter 31, and the opening and closing of each on-off valve.

【0042】次に、上記第1実施例装置の動作を図6の
タイミングチャートなどを参照して説明する。
Next, the operation of the first embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG.

【0043】なお、図6のタイミングチャートでは薬液
処理からの動作を示しているが、それに先立ち、上述し
たように基板Wの搬入や基板Wの処理槽1への投入が行
われる。基板Wの搬入の際には、加熱され清浄化された
不活性ガスがチャンバ30内に供給されていて、以降も
不活性ガスの供給が継続される。また、基板Wの処理槽
1への投入に先立ち、処理槽1の底部から純水を供給
し、処理槽1の上部から溢れ出た純水を排水して処理槽
1に純水の上昇液流を形成する。そして、純水の上昇液
流が形成されている状態で、リフター31が下降し、基
板Wが処理槽1内に投入される。
Although the timing chart of FIG. 6 shows the operation from the chemical solution processing, the loading of the substrate W and the loading of the substrate W into the processing tank 1 are performed as described above. When the substrate W is loaded, the heated and cleaned inert gas is supplied into the chamber 30, and the supply of the inert gas is continued thereafter. Prior to the introduction of the substrate W into the processing tank 1, pure water is supplied from the bottom of the processing tank 1, the pure water overflowing from the upper part of the processing tank 1 is drained, and the pure water rising liquid is supplied to the processing tank 1. Form a flow. Then, with the rising liquid flow of the pure water being formed, the lifter 31 descends, and the substrate W is loaded into the processing tank 1.

【0044】さて、処理槽1に純水の上昇液流が形成さ
れ、基板Wがその中に浸漬された状態で、開閉弁45が
開にされ、純水とともに薬液が処理槽1の底部から供給
され、薬液処理が開始される。そして、所定時間の間、
薬液を供給すると、開閉弁45を閉にして薬液の供給を
停止し薬液処理を終了する。この薬液処理の終了によ
り、処理槽1内には純水のみが供給される状態になり、
水洗工程が開始する。この第1実施例では、水洗工程の
開始と同時に(薬液の供給停止と同時に)、開閉弁8、
9(または、開閉弁16)を開にして処理槽1への界面
活性剤の供給を開始し、所定時間の間、界面活性剤を供
給すると、開閉弁8、9(または、開閉弁16)を閉に
して処理槽1への界面活性剤の供給を停止する。そし
て、界面活性剤の供給停止後、水洗工程の残り時間で基
板Wの水洗が行われる。
Now, an ascending liquid flow of pure water is formed in the processing tank 1 and the opening / closing valve 45 is opened in a state where the substrate W is immersed therein, and the chemical solution together with the pure water flows from the bottom of the processing tank 1. It is supplied and the chemical treatment is started. And for a predetermined time,
When the chemical is supplied, the on-off valve 45 is closed to stop the supply of the chemical, and the chemical processing ends. By the completion of the chemical solution treatment, only the pure water is supplied into the treatment tank 1,
The water washing process starts. In the first embodiment, the on-off valve 8 and the on-off valve 8
9 (or on-off valve 16) is opened to start supplying the surfactant to the processing tank 1, and when the surfactant is supplied for a predetermined time, the on-off valves 8, 9 (or on-off valve 16) Is closed, and the supply of the surfactant to the processing tank 1 is stopped. Then, after the supply of the surfactant is stopped, the substrate W is washed with water in the remaining time of the washing step.

【0045】水洗工程が終了するよりも前に、チャンバ
30内への有機溶剤の蒸気の供給を開始し、水洗工程が
終了すると、リフター31が上昇して基板Wが処理槽1
から引き上げられ乾燥処理が行われる。なお、この基板
Wの引き上げも、純水の上昇水流が形成された状態で行
われる。そして、基板Wの引き上げが完了すると、純水
の供給を停止するとともに、処理槽1内の純水を処理槽
1の底部から排水し、チャンバ30内の強制排気を行っ
てチャンバ30内を減圧する。このとき、不活性ガスの
供給を完全に停止してもよいし、排気量よりも少ない供
給量で不活性ガスを供給してもよい(図6の点線)。チ
ャンバ30内を減圧しての乾燥が終了すると、チャンバ
30内の強制排気を停止するとともに、不活性ガスの所
定量での供給を再開し、チャンバ30内を大気圧に戻し
て減圧を解放する。その後、基板Wの搬出が行われる。
Before the rinsing step is completed, the supply of the vapor of the organic solvent into the chamber 30 is started. When the rinsing step is completed, the lifter 31 rises and the substrate W is removed from the processing tank 1.
And a drying process is performed. The lifting of the substrate W is also performed in a state where the rising water flow of the pure water is formed. When the lifting of the substrate W is completed, the supply of the pure water is stopped, the pure water in the processing tank 1 is drained from the bottom of the processing tank 1, and the chamber 30 is forcibly evacuated to reduce the pressure in the chamber 30. I do. At this time, the supply of the inert gas may be completely stopped, or the inert gas may be supplied with a supply amount smaller than the exhaust amount (dotted line in FIG. 6). When the drying by reducing the pressure in the chamber 30 is completed, the forced evacuation in the chamber 30 is stopped, the supply of the inert gas at a predetermined amount is restarted, and the pressure in the chamber 30 is returned to the atmospheric pressure to release the reduced pressure. . Thereafter, the substrate W is carried out.

【0046】本発明者は、上記第1実施例装置を用い
て、以下のような比較実験を行って、本発明の効果を確
かめた。
The inventor conducted the following comparative experiment using the apparatus of the first embodiment to confirm the effect of the present invention.

【0047】まず、図6に示す手順のうち、界面活性剤
の供給を行わずに薬液処理、水洗、乾燥処理を行った実
験を行った。この実験では、水洗工程を15分行った。
その結果、乾燥後の基板Wの表面には約500個程度の
パーティクルの付着が認められた。
First, in the procedure shown in FIG. 6, an experiment was conducted in which a chemical solution treatment, water washing, and drying treatment were performed without supplying a surfactant. In this experiment, the washing step was performed for 15 minutes.
As a result, about 500 particles adhered to the surface of the dried substrate W.

【0048】次に、図6に示す手順のとおりに装置を動
作させての実験を行った。この実験では、水洗工程を1
5分、水洗工程の開始と同時に界面活性剤の(処理槽1
の上方からの)供給を開始し、その界面活性剤の供給を
1分間行った。そして、界面活性剤の供給停止後、水洗
工程の残り時間14分間で基板Wを水洗した。また、純
水1000に対して界面活性剤が1の割合に界面活性剤
を希釈して界面活性剤の供給を行った。その結果、乾燥
後の基板Wの表面に付着していたパーティクルは約10
個程度にまで激減していた。
Next, an experiment was conducted in which the apparatus was operated according to the procedure shown in FIG. In this experiment, one washing step was performed.
5 minutes, the surfactant (treatment tank 1)
(From above) and the surfactant was supplied for 1 minute. Then, after the supply of the surfactant was stopped, the substrate W was washed with water for 14 minutes remaining in the washing step. Further, the surfactant was diluted with the surfactant at a ratio of 1 per 1000 pure water to supply the surfactant. As a result, particles adhering to the surface of the substrate W after drying are reduced to about 10%.
It was drastically reduced to about one.

【0049】この比較実験結果からも明らかなように、
所定のタイミングで界面活性剤を供給することで、水洗
時間を特別に長くすることなく、基板Wへのパーティク
ルの付着を大幅に抑制でき、生産性の低下を招かずに、
水洗の仕上がりを良好とすることができるようになっ
た。
As is clear from the results of this comparative experiment,
By supplying the surfactant at a predetermined timing, it is possible to significantly suppress the adhesion of particles to the substrate W without particularly lengthening the washing time, and without reducing the productivity.
The washing finish can be improved.

【0050】なお、図6のタイミングチャートでは、界
面活性剤の供給を水洗工程の開始とともに行うようにし
たが、例えば、図3(b)に示すように、水洗工程の途
中段階で界面活性剤を供給するようにしてもよい。ま
た、この実施例および次の第2実施例では、同一の処理
槽1で薬液処理と水洗を続けて行うので、薬液処理中や
薬液処理から水洗にかけて界面活性剤を供給するように
してもよい。ただし、薬液処理中は、基板Wからパーテ
ィクルが剥離等して次々に処理槽1の液内に排出されて
いる。供給した界面活性剤が処理槽1の上部から溢れ出
る液とともに排出された後に、処理槽1の液内にパーテ
ィクルが排出されていると、それらパーティクルが基板
Wに付着する可能性が出てくる。従って、本発明をより
効果的に実現するためには、パーティクルがある程度出
尽くしてそれらパーティクルが液面に浮遊した状態で界
面活性剤を供給するのが好ましい。それら点を考慮する
と、薬液処理中や薬液処理から水洗にかけて界面活性剤
を供給する場合には、薬液処理の最終段階や、薬液処理
の最終段階から水洗の初期段階にかけて界面活性剤を供
給するのが好ましい。
In the timing chart of FIG. 6, the surfactant is supplied at the same time as the start of the water washing step. For example, as shown in FIG. May be supplied. In this embodiment and the following second embodiment, the chemical treatment and the water washing are continuously performed in the same treatment tank 1. Therefore, the surfactant may be supplied during the chemical treatment or from the chemical treatment to the water washing. . However, during the chemical treatment, the particles are separated from the substrate W and are discharged one after another into the liquid in the treatment tank 1. If particles are discharged into the liquid in the processing tank 1 after the supplied surfactant is discharged together with the liquid overflowing from the upper part of the processing tank 1, there is a possibility that the particles adhere to the substrate W. . Therefore, in order to more effectively realize the present invention, it is preferable to supply the surfactant in a state where the particles are exhausted to some extent and the particles are suspended on the liquid surface. Considering these points, if the surfactant is supplied during chemical treatment or from chemical treatment to washing, the surfactant should be supplied from the final stage of chemical treatment or from the final stage of chemical treatment to the initial stage of washing. Is preferred.

【0051】また、この実施例および次の第2実施例で
は、同一の処理槽1で薬液処理と水洗を続けて行うの
で、薬液処理の終了時点(水洗の開始時点)では、処理
槽1内の液に薬液が混ざった状態である。この薬液は、
水洗工程で供給される純水により処理槽1の上部から次
第に排出されるが、処理槽1内の液に薬液が混ざった状
態から純水のみの状態への置換は高速に行えない。水洗
工程は、上記薬液が混ざった液から純水のみへの置換の
工程を含めているので、従来一般に、水洗時間を短縮す
るのは難しかった。しかしながら、水洗工程を以下のよ
うに実施すれば、水洗時間の短縮化を図ることができ
る。すなわち、薬液処理が終了して水洗工程に移行する
と、その初期段階で、一旦、処理槽1内の液を処理槽1
の底部から排出する。この処理槽1内の液の底部からの
排出に先立ち、界面活性剤の供給を行っておく。そし
て、この処理槽1内の液の底部からの排出に続き、処理
槽1の底部から純水を供給し、その上昇液流内で基板W
の水洗を行う。このようにすれば、上記薬液が混ざった
液から純水のみへの置換を高速に行うことができ、水洗
時間を短縮することが可能となる。また、処理槽1内の
液の底部からの排出により、処理槽1の液内や液面に浮
遊していたパーティクルは処理槽1の底部から一気に排
出される。しかも、処理槽1内の液の底部からの排出に
先立ち界面活性剤の供給を行っているので、処理槽1内
の液の底部からの排出の際にパーティクルが基板Wに付
着するのを抑制できる。そして、処理槽1内の液の底部
からの排出の後に形成した清浄な純水の上昇液流で基板
Wを水洗するので、水洗の仕上がりは極めて良好とな
る。なお、処理槽1内の液の底部からの排出の後に形成
した純水の上昇液流での水洗時に基板Wから洗い流され
るなどで新たに処理槽1の純水内にパーティクルが浮遊
する場合には、上記清浄な純水の上昇液流での水洗の初
期段階などに界面活性剤を供給するようにしてもよい。
In this embodiment and the following second embodiment, the chemical treatment and the water washing are continuously performed in the same treatment tank 1. Therefore, at the end of the chemical treatment (the start of the water washing), the inside of the treatment tank 1 is stopped. This is a state in which the liquid is mixed with the chemical. This chemical is
Although the water is gradually discharged from the upper part of the processing tank 1 by the pure water supplied in the washing step, the state in which the liquid chemical in the processing tank 1 is mixed with the pure water cannot be replaced at a high speed. Since the washing step includes a step of replacing the liquid mixed with the chemical solution with pure water only, it has been generally difficult to shorten the washing time in the past. However, if the rinsing step is performed as described below, the rinsing time can be reduced. That is, when the chemical solution treatment is completed and the process proceeds to the washing step, the liquid in the treatment tank 1 is temporarily removed in the initial stage.
Drain from the bottom. Prior to discharging the liquid in the processing tank 1 from the bottom, a surfactant is supplied. Then, following the discharge of the liquid in the processing tank 1 from the bottom, pure water is supplied from the bottom of the processing tank 1 and the substrate W is supplied in the rising liquid flow.
Wash with water. In this case, the liquid containing the chemical solution can be replaced with pure water only at high speed, and the washing time can be reduced. Further, due to the discharge of the liquid in the processing tank 1 from the bottom, the particles floating in the liquid of the processing tank 1 and on the liquid surface are discharged from the bottom of the processing tank 1 at once. In addition, since the surfactant is supplied before the liquid in the processing tank 1 is discharged from the bottom, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate W when the liquid in the processing tank 1 is discharged from the bottom. it can. Then, the substrate W is washed with the rising liquid flow of clean pure water formed after the liquid in the processing tank 1 is discharged from the bottom portion, so that the finish of the water washing is extremely good. In addition, when particles are newly floating in the pure water of the processing tank 1 due to being washed off from the substrate W at the time of washing with the rising liquid flow of the pure water formed after the liquid in the processing tank 1 is discharged from the bottom. The surfactant may be supplied at an initial stage of washing with the rising liquid flow of the pure water.

【0052】<第2実施例>図7は、第2実施例に係る
基板処理装置の構成を示す図である。なお、図では、処
理槽部分を縦断面図で描いている。また、図中、第1、
第2の実施の形態、第1実施例と共通する部分は、図
1、図2、図5と同一符号を付してその説明を省略す
る。
<Second Embodiment> FIG. 7 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment. In the figure, the processing tank portion is drawn in a vertical sectional view. Also, in the figure, the first,
Portions common to the second embodiment and the first embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIGS. 1, 2, and 5, and description thereof is omitted.

【0053】この第2実施例は、基板洗浄装置(FS)
に本発明を適用した実施例である。この装置は、処理槽
1が収納されたチャンバ内で乾燥処理を行わないこと以
外は、上記第1実施例(FL)と略同じである。なお、
この第2実施例装置では、所定温度に温めた温純水で水
洗や薬液処理が行われることがあるので、温純水供給源
61に連通接続され、開閉弁62が介装された管路63
を、液供給管10に連通接続された管路12に連通接続
している。また、この第2実施例装置でも、処理槽1や
リフター31が、図示しないチャンバに収納されるよう
に構成れることがあるが、この場合のチャンバは、通
常、第1実施例のような密閉チャンバではなく、気密に
密閉されない開放チャンバで構成される。
In the second embodiment, a substrate cleaning apparatus (FS)
This is an embodiment to which the present invention is applied. This apparatus is substantially the same as the first embodiment (FL) except that the drying processing is not performed in the chamber in which the processing tank 1 is stored. In addition,
In the apparatus of the second embodiment, washing and chemical treatment may be performed with hot pure water heated to a predetermined temperature. Therefore, a pipe 63 connected to a hot pure water supply source 61 and provided with an on-off valve 62 is provided.
Is connected to a pipe 12 connected to the liquid supply pipe 10. Also in the second embodiment, the processing tank 1 and the lifter 31 may be configured to be housed in a chamber (not shown). In this case, the chamber is usually closed as in the first embodiment. It is not a chamber but an open chamber that is not hermetically sealed.

【0054】この第2実施例装置の動作は、図6のタイ
ミングチャートのうち、乾燥処理に関する不活性ガス供
給、有機溶剤供給、純水排水、減圧乾燥、減圧解放を省
いた手順で実行される。すなわち、薬液処理、界面活性
剤の供給、水洗が行われ、水洗が終了すると、純水の上
昇液流が形成された状態で、基板Wが処理槽1から引き
上げられ、そのまま搬出が行われる。
The operation of the apparatus according to the second embodiment is executed in the timing chart of FIG. 6 in which the supply of the inert gas, the supply of the organic solvent, the drainage of pure water, the drying under reduced pressure, and the release under reduced pressure are omitted. . That is, the chemical solution treatment, the supply of the surfactant, and the rinsing are performed, and when the rinsing is completed, the substrate W is pulled up from the processing tank 1 in a state where the rising liquid flow of the pure water is formed, and the substrate W is unloaded.

【0055】この第2実施例においても、上記第1実施
例と同様に、基板Wへのパーティクルの付着を大幅に抑
制でき、生産性を低下させずに、水洗の仕上がりを良好
とすることができる。
In the second embodiment, as in the first embodiment, the adhesion of particles to the substrate W can be largely suppressed, and the finish of water washing can be improved without lowering the productivity. it can.

【0056】なお、この第2実施例では、乾燥処理を行
わないので、乾燥処理中の純水排出(処理槽1の底部か
らの純水の排出)を行うための排水口56、開閉弁5
7、管路58、排水ドレイン59などの構成を備えてい
ない。しかしながら、先に述べた薬液から純水への置換
の高速化のために、処理槽1内の液を処理槽1の底部か
ら排出するために、上記排水口56、開閉弁57、管路
58、排水ドレイン59などの構成を備えてもよい。
In the second embodiment, since the drying process is not performed, the drain port 56 for discharging the pure water during the drying process (discharging of the pure water from the bottom of the processing tank 1) and the open / close valve 5 are provided.
7, the pipe 58, the drain 59, and the like are not provided. However, in order to discharge the liquid in the processing tank 1 from the bottom of the processing tank 1 in order to speed up the replacement of the chemical liquid with the pure water as described above, the drain port 56, the on-off valve 57, and the pipe 58 are required. , A drainage drain 59 or the like.

【0057】また、この第2実施例装置では、例えば、
図8に示すように構成して、複数種類(2種類以上)の
異なる薬液(薬液A、B、…、N)を処理槽1の底部か
ら供給できるようにして、複数の薬液による薬液処理を
行うこともある。この場合、処理手順は、通常、薬液A
での薬液処理、水洗、薬液Bでの薬液処理、水洗、…薬
液Nでの薬液処理、水洗、基板Wの引き上げというよう
に行われる。このとき、界面活性剤の供給を、各回の水
洗と関連させて行い、各回の水洗時に基板Wへのパーテ
ィクルの付着を抑制するようにしてもよいが、界面活性
剤の供給を基板Wの引き上げ前の、最後の水洗のみで行
うようにしてもよい。途中の水洗などで基板Wへのパー
ティクルの付着があっても、最後の水洗でそれらパーテ
ィクルが洗い流され、かつ、最後の水洗で基板Wへのパ
ーティクルの付着が抑制できれば、最終的な仕上がりは
良好となるし、基板Wの処理槽1からの引き上げは最後
の水洗の後でのみ行われる。従って、最終的な仕上がり
を良好とするには、少なくとも最後の水洗で界面活性剤
を供給するようにすればよい。なお、上記第1実施例に
おいても、同様に複数種類の薬液による薬液を行えるよ
うに構成してもよく、その場合の動作、界面活性剤の供
給などについては、上記説明と同様のことが言える。
In the apparatus of the second embodiment, for example,
By configuring as shown in FIG. 8, a plurality of (two or more) different chemical solutions (chemical solutions A, B,..., N) can be supplied from the bottom of the processing tank 1 so that the chemical solution treatment with the plurality of chemical solutions is performed. Sometimes they do. In this case, the processing procedure is usually the chemical A
, Washing with water, washing with chemical solution B, washing with water,..., Washing with chemical solution N, washing with water, and lifting the substrate W. At this time, the supply of the surfactant may be performed in association with each washing, and the adhesion of particles to the substrate W may be suppressed at each washing. You may make it perform only by the last and last water washing. Even if particles adhere to the substrate W due to water washing in the middle, if the particles are washed away in the last water washing and the adhesion of the particles to the substrate W can be suppressed in the last water washing, the final finish is good. Then, the lifting of the substrate W from the processing tank 1 is performed only after the last washing with water. Therefore, in order to improve the final finish, it is sufficient to supply the surfactant at least in the last washing. It should be noted that the first embodiment may be configured so that a plurality of types of chemicals can be used in the same manner, and the operation in that case, the supply of the surfactant, and the like can be said to be the same as those described above. .

【0058】<第3実施例>図9は、第3実施例に係る
基板処理装置の構成を示す図である。なお、図中、第
1、第2の実施の形態と共通する部分は、図1、図2と
同一符号を付してその説明を省略する。
<Third Embodiment> FIG. 9 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment. In the drawings, portions common to the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2, and description thereof is omitted.

【0059】この第3実施例は、ウエット・ステーショ
ン(W・S)に本発明を適用した実施例である。この装
置は、薬液処理用の処理槽(薬液槽)1aと水洗用の処
理槽(水洗槽)1bとが1組以上備えられ(図では1組
だけ描いているが、2組以上備えられることもある)、
乾燥部70や、各処理槽1a、1b、乾燥部70の間で
基板を搬送する基板搬送機構(図示せず)なども備えて
いる。
The third embodiment is an embodiment in which the present invention is applied to a wet station (WS). This apparatus is provided with at least one set of a treatment tank (chemical tank) 1a for chemical treatment and a treatment tank (rinse tank) 1b for washing (only one set is shown in the figure, but at least two sets are provided). There is also)
A drying unit 70, a substrate transport mechanism (not shown) for transporting a substrate between the processing tanks 1a and 1b, and the drying unit 70 are also provided.

【0060】薬液槽1aでは、薬液の上昇液流が形成さ
れた状態で薬液処理が行われる。そのため、例えば、図
に示すように、薬液槽1aの上部には、薬液槽1aの上
部から溢れ出た薬液を受ける受け部71が設けられ、受
け部71で受けた薬液をポンプ72で吸引してフィルタ
ー73を通して薬液槽1aの底部から供給するというよ
うに、薬液を循環させている。そして、薬液の上昇液流
の中に基板Wが所定時間浸漬されて薬液処理が行われ
る。
In the chemical solution tank 1a, the chemical solution processing is performed in a state where the rising liquid flow of the chemical solution is formed. Therefore, for example, as shown in the figure, a receiving portion 71 for receiving the chemical solution overflowing from the upper portion of the chemical solution tank 1a is provided on the upper portion of the chemical solution tank 1a, and the chemical solution received by the receiving portion 71 is sucked by the pump 72. The chemical is circulated such that the chemical is supplied from the bottom of the chemical tank 1a through the filter 73. Then, the substrate W is immersed in the rising liquid flow of the chemical solution for a predetermined time, and the chemical solution processing is performed.

【0061】水洗槽1bの底部には、開閉弁74が介装
された管路75を介して純水供給源76が連通接続され
ていて、水洗槽1bの底部から純水を供給し、水洗槽1
bの上部から溢れ出た純水を排出して、純水の上昇液流
が形成するようになっている。そして、その純水の上昇
液流の中に基板Wが所定時間浸漬されて水洗が行われ
る。また、この実施例装置では、この水洗槽1bに、界
面活性剤供給機構22または23が付設され、例えば、
図3(a)や図3(b)に示すように、水洗工程中の所
定のタイミングで界面活性剤を供給するように構成して
いる。
A pure water supply source 76 is connected to the bottom of the washing tank 1b through a pipe 75 in which an on-off valve 74 is interposed, and pure water is supplied from the bottom of the washing tank 1b. Tank 1
The pure water overflowing from the upper portion b is discharged to form a rising liquid flow of the pure water. Then, the substrate W is immersed in the rising liquid flow of the pure water for a predetermined period of time to perform water washing. In the apparatus of this embodiment, the washing tank 1b is provided with a surfactant supply mechanism 22 or 23.
As shown in FIGS. 3A and 3B, the surfactant is supplied at a predetermined timing during the washing step.

【0062】乾燥部70は、基板Wを高速回転させた
り、熱源からの熱などにより、水洗後の濡れている基板
Wを乾燥させる。
The drying unit 70 dries the wet substrate W after washing with water by rotating the substrate W at a high speed or using heat from a heat source.

【0063】基板搬送機構は、図の点線の矢印で示すよ
うに基板Wを搬送する。すなわち、まず、薬液槽1a内
の薬液の上昇液流の中に基板Wを浸漬させる。そして、
所定時間の薬液処理が終了すると、薬液槽1aから基板
Wを引き上げ、水洗槽1bへと搬送し、水洗槽1b内の
純水の上昇液流の中に基板Wを浸漬させる。所定時間の
水洗が終了すると、水洗槽1bから基板Wを引き上げ、
乾燥部70へと搬送し、乾燥部70に基板Wを投入して
乾燥処理を行わせる。乾燥後の基板Wは、基板搬送機構
で取り出される。
The substrate transport mechanism transports the substrate W as indicated by the dotted arrow in the figure. That is, first, the substrate W is immersed in the rising liquid flow of the chemical solution in the chemical solution tank 1a. And
When the chemical solution treatment for a predetermined time is completed, the substrate W is pulled up from the chemical solution tank 1a, transported to the washing tank 1b, and immersed in the rising liquid flow of pure water in the washing tank 1b. When the rinsing for a predetermined time is completed, the substrate W is pulled up from the rinsing tank 1b,
The substrate W is transported to the drying unit 70, and the substrate W is charged into the drying unit 70 to perform a drying process. The dried substrate W is taken out by the substrate transport mechanism.

【0064】なお、この種のW・Sは、キャリア方式で
構成されることもあるし、キャリアレス方式で構成され
ることもある。キャリア方式とは、複数枚の基板Wをキ
ャリアに収納した状態で、基板搬送機構による搬送、薬
液槽1aでの薬液処理、水洗槽1bでの水洗、乾燥部7
0での乾燥が行われる方式である。また、キャリアレス
方式は、キャリアを用いずに、複数枚の基板Wを基板搬
送機構が支持して搬送し、薬液槽1a、水洗槽1b、乾
燥部70に備えられた基板支持部材に基板Wが支持され
た状態で薬液処理や水洗、乾燥が行われる方式である。
W・Sが上記キャリア方式、キャリアレス方式のいずれ
の方式で構成されていても本発明は適用可能である。
Incidentally, this kind of WS may be constituted by a carrier system or may be constituted by a carrierless system. The carrier method is a method in which a plurality of substrates W are stored in a carrier and transported by a substrate transport mechanism, a chemical solution treatment in a chemical solution tank 1a, a water washing in a water washing tank 1b, and a drying unit 7.
This is a method in which drying at 0 is performed. In the carrierless system, a plurality of substrates W are supported and transported by a substrate transport mechanism without using a carrier, and the substrate W is attached to a substrate supporting member provided in the chemical solution tank 1a, the washing tank 1b, and the drying unit 70. Is a method in which chemical treatment, washing with water, and drying are performed in a state where is supported.
The present invention is applicable regardless of whether the WS is configured by the carrier system or the carrierless system.

【0065】このW・Sでは、薬液処理と水洗を別の処
理槽(薬液槽1a、水洗槽1b)で行うようにしている
が、従来、水洗の仕上がりは良好とは言えなかった。こ
れに対して、この実施例では、水洗槽1bでの水洗工程
中の所定のタイミングで界面活性剤を供給するようにし
たので、水洗中や、水洗後の基板Wの引き上げ時などに
基板Wにパーティクルが付着するのを大幅に抑制でき、
水洗の仕上がりを良好にすることができるようなった。
In the WS, the chemical treatment and the water washing are performed in separate treatment tanks (the chemical tank 1a and the washing tank 1b), but the finish of the water washing has not been said to be good. On the other hand, in this embodiment, the surfactant is supplied at a predetermined timing during the rinsing step in the rinsing tank 1b. Therefore, the substrate W is washed during rinsing or when the substrate W is lifted after rinsing. Particles can be greatly reduced from adhering to
The finish of the washing was improved.

【0066】なお、薬液槽1aと水洗槽1bが複数組備
えられ、複数種類の薬液による薬液処理が行われること
もある。この場合、例えば、上記第1、第2実施例での
複数種類の薬液による薬液処理と同様に、薬液Aによる
薬液処理、水洗、薬液Bによる薬液処理、水洗、…、薬
液Nによる薬液処理、水洗、乾燥という処理手順で行わ
れる。なお、各薬液処理は別個の薬液槽1aで行われ、
各回の水洗は別個の水洗槽1bで行われる。このとき、
全ての水洗槽1bに界面活性剤供給機構22または23
を付設し、各回の水洗工程で界面活性剤を供給するよう
にしてもよいが、乾燥前の水洗槽1bにのみ界面活性剤
供給機構22または23を付設し、最後の水洗工程での
み界面活性剤を供給するようにしてもよい。
In some cases, a plurality of sets of the chemical solution tank 1a and the washing tank 1b are provided, and a chemical solution treatment using a plurality of types of chemical solutions may be performed. In this case, for example, similarly to the chemical treatment with a plurality of types of chemicals in the first and second embodiments, the chemical treatment with the chemical A, the water washing, the chemical treatment with the chemical B, the water washing,. Washing and drying are performed. Each chemical solution treatment is performed in a separate chemical solution tank 1a,
Each washing is performed in a separate washing tank 1b. At this time,
Surfactant supply mechanism 22 or 23 to all washing tanks 1b
May be provided in each washing step, but a surfactant supply mechanism 22 or 23 is provided only in the washing tank 1b before drying, and the surfactant is provided only in the last washing step. An agent may be supplied.

【0067】また、この第3実施例では、薬液処理と水
洗を処理槽を分けて行っているが、薬液槽1aから水洗
槽1bへの基板Wの搬送時に、基板Wとともに薬液が水
洗槽1bに持ち込まれ、水洗槽1bの純水内に薬液が混
ざることもある。このような場合、水洗工程の処理時間
は、水洗槽1b内の液が純水のみに戻るまでの時間を含
めて長く設定されることがある。このような場合に、水
洗槽1bの底部から水洗槽1b内の液を排出できるよう
にし、水洗工程の初期段階で、水洗槽1b内の薬液が混
ざった液を水洗槽1bの底部から排出し、次に、水洗槽
1bの底部からの純水の供給を再開し、水洗槽1aで純
水の上昇液流を形成して水洗を行うようにすれば、薬液
が混ざった純水を純水のみに高速に置換でき、水洗工程
の処理時間を短縮することができる。そして、その場合
に、薬液が混ざった水洗槽1b内の液を水洗槽1bの底
部から排出するのに先立って、水洗槽1bに界面活性剤
を供給するようにすれば、液の排出時に基板Wにパーテ
ィクルが付着するのを抑制できる。また、液の排出後に
再び純水の上昇液流を形成しての水洗の際にも、その初
期段階などに界面活性剤を供給するようにすれば、最終
的な基板Wの仕上がりが極めて良好となる。
In the third embodiment, the chemical treatment and the rinsing are performed in separate treatment tanks. However, when the substrate W is transferred from the chemical tank 1a to the rinsing tank 1b, the chemical is washed together with the substrate W in the rinsing tank 1b. And the chemical solution may be mixed into the pure water of the washing tank 1b. In such a case, the processing time of the washing step may be set long, including the time until the liquid in the washing tank 1b returns to pure water only. In such a case, the liquid in the washing tank 1b can be discharged from the bottom of the washing tank 1b, and the liquid mixed with the chemical solution in the washing tank 1b is discharged from the bottom of the washing tank 1b at an initial stage of the washing step. Then, the supply of pure water from the bottom of the washing tank 1b is restarted, and a rising liquid flow of the pure water is formed in the washing tank 1a to perform washing. Can be replaced at a high speed, and the processing time of the washing step can be reduced. In this case, if the surfactant is supplied to the washing tank 1b before the liquid in the washing tank 1b mixed with the chemical is discharged from the bottom of the washing tank 1b, the substrate is discharged when the liquid is discharged. Adhesion of particles to W can be suppressed. Also, when the surfactant is supplied in the initial stage or the like during the washing with the rising liquid flow of the pure water again after the discharge of the liquid, the final finish of the substrate W is extremely good. Becomes

【0068】[0068]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明に係る基板処理方法によれば、水洗工程
が終了するよりも前の段階で、基板を水洗する処理槽に
界面活性剤を供給するようにしたので、水洗の時間を従
来と同じかそれよりも短くしながら、基板へのパーティ
クルの付着を大幅に抑制できた。従って、生産性の低下
を招かず、水洗の仕上がりを良好にすることができた。
また、界面活性剤の供給終了後に、水洗工程の残り時間
で基板を水洗するようにしたので、処理槽に供給した界
面活性剤が水洗終了後にも残留するような不都合も防止
できる。
As is clear from the above description, according to the substrate processing method according to the first aspect of the present invention, an interface is provided in a processing tank for rinsing the substrate before the rinsing step is completed. Since the activator was supplied, it was possible to greatly suppress the adhesion of particles to the substrate while keeping the time for water washing the same as or shorter than the conventional case. Therefore, it was possible to improve the finish of water washing without lowering the productivity.
Further, since the substrate is washed with water during the remaining time of the washing step after the end of the supply of the surfactant, it is possible to prevent the inconvenience that the surfactant supplied to the processing tank remains even after the end of the washing.

【0069】請求項2に記載の発明に係る基板処理方法
によれば、水洗工程を、処理槽に上昇水流を形成した状
態で行い、処理槽への界面活性剤の供給を処理槽の上方
から行うようにしたので、基板へのパーティクルの付着
をより好適に抑制することができ、さらに、処理槽に供
給した界面活性剤が基板に付着するのを好適に防止する
ことができる。
According to the substrate processing method of the second aspect of the present invention, the water washing step is performed in a state where a rising water flow is formed in the processing tank, and the surfactant is supplied to the processing tank from above the processing tank. Since the process is performed, the adhesion of particles to the substrate can be more appropriately suppressed, and the surfactant supplied to the processing tank can be appropriately prevented from being attached to the substrate.

【0070】また、請求項3に記載の発明によれば、上
記請求項1に記載の発明に係る基板処理方法を好適に、
かつ、自動的に行い得る基板処理装置を実現できる。
According to the third aspect of the present invention, the substrate processing method according to the first aspect of the present invention is preferably used.
In addition, a substrate processing apparatus that can be automatically performed can be realized.

【0071】また、請求項4に記載の発明によれば、上
記請求項2に記載の発明に係る基板処理方法を好適に、
かつ、自動的に行い得る基板処理装置を実現できる。
According to the fourth aspect of the present invention, the substrate processing method according to the second aspect of the present invention is preferably used.
In addition, a substrate processing apparatus that can be automatically performed can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の概略構成を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態の概略構成を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a second embodiment of the present invention.

【図3】各実施の形態の動作を説明すためのタイミング
チャートである。
FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of each embodiment.

【図4】各実施の形態の変形例を説明するための図であ
る。
FIG. 4 is a diagram for explaining a modified example of each embodiment.

【図5】第1実施例に係る基板処理装置の構成を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.

【図6】第1実施例の動作を説明すためのタイミングチ
ャートである。
FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the first embodiment.

【図7】第2実施例に係る基板処理装置の構成を示す図
である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.

【図8】第2実施例の変形例の要部構成を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing a main configuration of a modification of the second embodiment.

【図9】第3実施例に係る基板処理装置の構成を示す図
である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:処理槽 1b:水洗槽 14:純水供給源 15:管路 15:開閉弁 22、23:界面活性剤供給機構 100:制御部 W:基板 1: Treatment tank 1b: Rinse tank 14: Pure water supply source 15: Pipe line 15: Open / close valve 22, 23: Surfactant supply mechanism 100: Control unit W: Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B08B 3/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 3/04

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 処理槽で基板を水洗する水洗工程を含む
基板処理方法において、 前記水洗工程が終了するよりも前の段階で、前記基板を
水洗する処理槽に界面活性剤を供給し、前記界面活性剤
の供給終了後に、前記水洗工程の残り時間で基板を水洗
するようにしたことを特徴とする基板処理方法。
1. A substrate processing method including a rinsing step of rinsing a substrate in a processing tank, wherein a surfactant is supplied to a processing tank for rinsing the substrate at a stage before the rinsing step is completed. After the supply of the surfactant is completed, the substrate is washed with water for the remaining time of the washing step.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理方法におい
て、 前記水洗工程は、前記処理槽に上昇液流を形成した状態
で行うものであり、かつ、前記処理槽への界面活性剤の
供給は前記処理槽の上方から行うことを特徴とする基板
処理方法。
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the water washing step is performed in a state where an ascending liquid flow is formed in the processing tank, and a surfactant is supplied to the processing tank. A substrate processing method performed from above the processing bath.
【請求項3】 基板を水洗する処理槽を備えた基板処理
装置において、 前記基板を水洗する処理槽に界面活性剤を供給する界面
活性剤供給手段と、 前記処理槽で所定時間の間、基板を水洗する制御を行う
とともに、その水洗が終了するよりも前の段階で、その
処理槽に界面活性剤を供給し、前記界面活性剤の供給終
了後に、前記水洗工程の残り時間で基板を水洗するよう
に制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
3. A substrate processing apparatus provided with a processing tank for washing a substrate with water, a surfactant supply means for supplying a surfactant to the processing tank for washing the substrate with water, and a substrate for a predetermined time in the processing tank. A surfactant is supplied to the treatment tank at a stage before the end of the water washing, and the substrate is washed with water for the remaining time of the washing step after the end of the supply of the surfactant. A substrate processing apparatus, comprising: control means for performing control so as to perform the control.
【請求項4】 請求項3に記載の基板処理装置におい
て、 前記界面活性剤供給手段は、前記処理槽の上方から界面
活性剤を供給するように構成し、かつ、 前記制御手段は、前記処理槽での基板の水洗を、前記処
理槽に上昇液流を形成した状態で行うように制御するこ
とを特徴とする基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the surfactant supply unit is configured to supply a surfactant from above the processing tank, and the control unit performs the processing. A substrate processing apparatus, wherein control is performed such that washing of a substrate in a tank is performed with an ascending liquid flow formed in the processing tank.
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