JP3865969B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理液中に半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を浸漬し、当該処理液からその基板を離脱させることによって所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、上記基板の製造工程においては、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプロピルアルコール(以下、「IPA」と称する)等の有機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処理装置が用いられている。
【0003】
純水から基板を引き出しつつ乾燥処理を行う手法としては、一般に、引き上げ乾燥および引き下げ乾燥の2つが知られている。
【0004】
引き上げ乾燥とは、リフタ等に載せられた基板を処理液から引き上げつつ乾燥処理を行う手法である。すなわち、基板はリフタに載置され、そのリフタによって処理槽中の処理液に降下・浸漬される。そして、浸漬処理(通常は、純水による洗浄処理)が終了後、リフタによって基板を処理槽から引き上げつつ、基板の周辺にIPAを供給し、さらにその後減圧雰囲気とすることによって基板の乾燥処理を行っている。
【0005】
一方、引き下げ乾燥とは、処理槽中の処理液を排液することによって基板の乾燥処理を行う手法である。すなわち、基板は処理槽中の定位置に不動に保持されており、その処理槽に処理液が満たされることによって浸漬処理が進行する。浸漬処理が終了すると、基板は定位置に保持されたまま、処理槽中の処理液が排液され、液面が低下することによって基板が気中に露出される。そして、基板の周辺にIPAが供給され、さらにその後減圧雰囲気とすることによって基板の乾燥処理を行っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、引き上げ乾燥を行う場合は、リフタによって基板を昇降移動させるため、移動時におけるリフタの駆動部の振動によって基板とリフタとの間で微量の摩擦が生じ、その摩擦に伴うパーティクル等の汚染物質が発生して基板に付着することがある。このようなリフタ駆動部の振動によって発生するパーティクルは微量ではあるものの、技術の進展によって乾燥処理時のパーティクル量が低下し、より一層の高い清浄度が要求されている近年の状況下においては、そのような微量のパーティクル発生であっても問題となる。
【0007】
一方、引き下げ乾燥を行う場合は、基板が移動されることはないためリフタの駆動部の振動に起因するパーティクルは発生しないものの、処理槽中の液面の低下にともなってその液面に漂うパーティクルが基板に付着するという問題が発生する。
【0008】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理液から基板を離脱させるときに基板へのパーティクル付着を低減することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、処理液中に基板を浸漬し、当該処理液から前記基板を離脱させることによって所定の処理を行う基板処理装置であって、(a) 前記処理液を貯留する処理槽と、(b) 前記処理槽内に設けられ、前記処理槽に前記処理液を供給する液供給手段と、(c) 前記基板を保持する保持手段と、(d) 前記処理槽を上昇させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液中に浸漬させることと、前記液供給手段からの処理液供給によって前記処理槽から前記処理液をオーバーフローさせつつ前記処理槽を下降させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液から離脱させることとができる処理槽昇降手段と、(e) 前記処理槽の上方に設けられた開閉自在な開閉部と、前記処理槽と前記開閉部との間の空間部分を囲んで遮蔽する遮蔽面とを有し、前記開閉部を閉じているときに、前記処理槽の昇降状態に応じて体積が変化する閉空間を前記処理槽の上方に規定する閉空間規定手段と、 (f) 前記閉空間を減圧する減圧手段と、 (g) 前記処理槽が上昇しているときに前記閉空間に所定のガスを供給するガス供給手段と、を備えている。
【0012】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明にかかる基板処理装置において、前記保持手段を昇降させる保持手段昇降手段をさらに備えている。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0014】
<1.基板処理装置の構成>
まず、本発明にかかる基板処理装置の構成について説明する。図1は、基板処理装置の正面図である。また、図2は、基板処理装置の側面図である。
【0015】
この基板処理装置は、純水中に基板を浸漬して洗浄を行った後、純水から基板を離脱させて乾燥処理を行う装置である。基板処理装置は、外槽10と、処理槽20と、リフターアーム30と、槽昇降機構40とを備えている。
【0016】
処理槽20は、フッ酸等の薬液または純水(以下、これらを総称して「処理液」とする)を貯留して基板に表面処理を行うことが可能な槽であり、外槽10の内部に収容されている。処理槽20の内部には、処理槽20に処理液を供給するための液供給ノズル25を設けている。液供給ノズル25は、ベローズ26を介して外槽10の処理液供給口に接続されている(図2参照)。さらに、当該処理液供給口は、図外の処理液供給源に接続されている。従って、処理液供給源から供給された処理液はベローズ26を介して液供給ノズル25に導かれ、処理槽20内部に吐出される。
【0017】
また、処理槽20には、その下部に急速排液バルブ27が設けられている。急速排液バルブ27は、大口径のバルブであり、開放状態においては処理槽20に貯留されている処理液を急速に排液することができる。急速排液バルブ27は、ベローズ28を介して外槽10の排液口に接続されている。急速排液バルブ27から排液された処理液は、ベローズ28内を流れて外槽10の外部に排出される。
【0018】
リフターアーム30は、外槽10内において複数の基板Wを載置することが可能に設けられている。リフターアーム30には、3本の保持部31、32、33が固設されている。3本の保持部31、32、33のそれぞれには基板Wの外縁部がはまり込んで基板Wを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔にて配列して設けられている。
【0019】
リフターアーム30は、リフタ35によって鉛直方向に昇降可能とされている。リフタ35は、モータ36とボールネジ37とで構成されている。ボールネジ37には、リフターアーム30が螺合されるとともに、そのボールネジ37はモータ36によって回転自在とされている。モータ36がボールネジ37を正または逆方向に回転させると、それに螺合されているリフターアーム30が昇降する。
【0020】
リフターアーム30が処理位置(図1中の実線にて示す位置)まで降下された状態においては、外槽10の上部が蓋15によって閉鎖されている。蓋15が閉鎖されているときには、蓋15と外槽10との隙間はオーリング12によってシールされている。一方、リフターアーム30が基板受渡位置(図1中の2点鎖線にて示す位置)まで上昇しているときは、蓋15が図示を省略する蓋開閉機構によって開けられ、外槽10の上部が開放されている。
【0021】
本発明にかかる基板処理装置においては、外槽10内に処理槽20を昇降させる槽昇降機構40を設けている。槽昇降機構40は、モータ41、プーリ42、ベルト43、従動プーリ44およびボールネジ45を備えている。モータ41に接続されたプーリ42と、ボールネジ45に接続された従動プーリ44とにはベルト43が掛けられている。モータ41が正または逆方向に回転動作を行うと、それに伴ってプーリ42が回転し、ベルト43が回走する。そして、ベルト43が従動プーリ44およびボールネジ45を回転させる。ボールネジ45には、処理槽20の槽壁外側に固設されたバスホルダ21が螺合されている。よって、モータ41の回転によってボールネジ45が回転すると、処理槽20が昇降することとなるのである。
【0022】
基板Wを載置したリフターアーム30が下降している状態において、処理液を貯留した処理槽20が処理位置(図1中の2点鎖線位置)まで上昇すると、該処理液中に基板Wを浸漬させることができる。そして、リフターアーム30を停止させたまま、処理槽20が待機位置(図1中の実線位置)まで下降すると、リフターアーム30に保持された基板Wが処理液から離脱されるのである。
【0023】
また、処理槽20のバスホルダ21の上側には上部ジャバラ18が設けられている。さらに、バスホルダ21の下側には下部ジャバラ19が設けられている。上部ジャバラ18は、バスホルダ21の上端と外槽10の上壁との間に伸縮自在に設けられたシール部材である。蓋15(開閉部)が閉鎖されている状態においては、蓋15、オーリング12、上部ジャバラ18(遮蔽面)、バスホルダ21によって処理槽20の上方に閉空間が形成されている。ここで、上部ジャバラ18は伸縮自在であるため、処理槽20が昇降しても、その動作に追随して上部ジャバラ18が伸縮し、当該閉空間の気密性が維持されるとともに、該閉空間のサイズ(体積)が増減する。なお、下部ジャバラ19は、槽昇降機構40を処理液の雰囲気から遮断するために設けられた伸縮自在のシール部材である。
【0024】
バスホルダ21の一部には排液ベローズ22が接続されている。排液ベローズ22は、処理槽20からバスホルダ21に溢れ出た処理液を装置外部に排出するための部材である。排液ベローズ22は、伸縮自在であるため、処理槽20が昇降してもその排液機能を喪失することはない。なお、処理液供給のためのベローズ26および急速排液のためのベローズ28も、処理槽20が昇降に追随して自在に伸縮することが可能である。
【0025】
外槽10の内部であって、上部ジャバラ18によって形成される閉空間の内側には、IPA・N2供給ノズル50が配置されている。IPA・N2供給ノズル50は、装置外部のガス供給源から導かれたIPA、窒素またはそれらの混合ガスを該閉空間に供給するガス供給手段である。
【0026】
また、基板処理装置は減圧部60を備えている。減圧部60は、吸引ポンプおよびそれに付随するバルブ等によって構成されており、上部ジャバラ18によって形成される閉空間内を減圧することができる。
【0027】
<2.基板処理装置の動作>
次に、上記の構成を有する基板処理装置の動作について図3から図9を参照しつつ説明する。図3から図9は、基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【0028】
まず、図外の基板搬送ロボットからリフターアーム30に複数の未処理基板Wが渡される(図3)。このときには、蓋15が開けられて、外槽10の上部が開放されており、その開放部分を通過してリフターアーム30が基板受渡位置まで上昇している。また、処理槽20は槽昇降機構40によって下降されている。なお、本実施形態においては、液供給ノズル25から純水が供給され処理槽20内部には純水が貯留されているものとする。そして、処理槽20から溢れ出た純水はバスホルダ21によって回収され、排液ベローズ22から外槽10の外部に排出されている。
【0029】
次に、図4の矢印A1にて示すように、リフタ35がリフターアーム30を鉛直方向下向きに降下させる。リフターアーム30の降下に伴って、それに載置された基板Wも当然に降下する。このときには、処理槽20は下方に待機したまま移動しない。なお、処理槽20内においては液供給ノズル25からの純水供給が継続されており、処理槽20からは純水が溢れ出し続けている。
【0030】
リフターアーム30が外槽10内の所定の処理位置まで降下すると、蓋15が閉じられる。蓋15が閉じられた時点にて、蓋15、オーリング12、上部ジャバラ18、バスホルダ21によって処理槽20の上方に閉空間が形成されることとなる。
【0031】
次に、図5の矢印A2にて示すように、槽昇降機構40が処理槽20を鉛直方向上向きに上昇させる。このときには、リフターアーム30が所定の処理位置にて待機している。また、上述のように、排液ベローズ22、ベローズ26およびベローズ28は、処理槽20の上昇に連動して伸縮する。
【0032】
処理槽20が上昇するのに伴って、リフターアーム30に保持された基板Wが徐々に処理槽20中の純水に浸かる。やがて、処理槽20が処理位置まで上昇すると、図5に示すように、基板Wの全体が処理槽20中の純水に浸漬されることとなる。
【0033】
図5に示すような状態にて液供給ノズル25から純水を供給し続けることにより、基板Wの水洗処理が進行する。なお、洗浄処理に供された水は、処理槽20から溢れ出た後バスホルダ21によって回収され、伸張した排液ベローズ22から外槽10の外部に排出される。
【0034】
基板Wの水洗処理が所定時間行われた後、IPAのプレパージが行われる(図6)。IPAのプレパージは、IPA・N2供給ノズル50から上方に向けてIPAを噴出し、上部ジャバラ18によって形成される閉空間SP内をIPA雰囲気とする処理である。
【0035】
このときに、処理槽20が上昇しているため、閉空間SPの容量は小さなものとなる。従って、プレパージにおけるIPA・N2供給ノズル50からのIPA供給量を少なくすることができるとともに、供給時間を短縮することもできるのである。なお、IPAのプレパージが行われているときも液供給ノズル25からの純水供給は続けられ、処理槽20からは純水が溢れ出している。
【0036】
閉空間SPがIPA雰囲気にて満たされると、図7の矢印A3にて示すように、槽昇降機構40が処理槽20を鉛直方向下向きに下降させる。処理槽20が下降するのにしたがって、基板Wが徐々に処理槽20中の純水から離脱され、処理槽20が元の待機位置まで下降すると、図7に示すように、基板Wの全体が純水から離脱される。処理槽20の下降段階においては、常に液供給ノズル25からの純水供給は続けられ、処理槽20からは純水が溢れ出している。
【0037】
また、この段階では、IPA・N2供給ノズル50からのIPA噴出が続行されており、閉空間SP内へのIPAパージが行われている。IPA雰囲気中に露出された基板Wの表面にはIPA蒸気が凝縮し、基板Wに付着した水滴がIPAに置換される。
【0038】
処理槽20の下降段階においては、リフターアーム30は処理位置に待機したまま移動しない。従って、リフターアーム30の昇降に伴う振動が基板Wに伝わることはなく、リフタ35の振動に起因した基板Wとリフターアーム30の保持部31、32、33との摩擦が生じることもない。よって、摩擦によるパーティクル発生は防止され、基板Wへのパーティクル付着を低減することができる。
【0039】
また、処理槽20の下降段階においては、常に液供給ノズル25からの純水供給は続けられ、処理槽20の上部からは純水が溢れ出しているため、液面に漂うパーティクルは処理槽20から溢れ出す純水とともに槽外に排出されることとなる。従って、そのような液面に漂うパーティクルが基板Wに付着するのを防止することができる。
【0040】
このように、本発明にかかる基板処理装置は、槽昇降機構40によって処理槽20自体を昇降させることができるため、基板Wを保持するリフターアーム30を停止させたまま、純水を処理槽20からオーバーフローさせつつ処理槽20(すなわち、液面)を下降させることができ、その結果、基板Wへのパーティクル付着を低減することができるのである。換言すれば、本発明にかかる基板処理装置は処理槽20を昇降させることによって、従来の引き上げ乾燥の利点(処理槽から純水をオーバーフローさせつつ基板を引き上げられる)と引き下げ乾燥の利点(基板に振動を与えない)とを巧みに兼ね備えているのである。
【0041】
処理槽20が待機位置まで下降し、基板Wの表面に付着した水滴がIPAに置換されると、液供給ノズル25からの純水供給が停止されるとともに急速排液バルブ27が開放され、処理槽20内の純水が急速排液バルブ27およびベローズ28を介して急速排水される。また、それと同時に、IPA・N2供給ノズル50からは窒素ガスが噴出され(N2パージ)、閉空間SP内のIPA雰囲気が窒素雰囲気に置換される。
【0042】
その後、図8の矢印A4にて示すように、槽昇降機構40が処理槽20を鉛直方向上向きに再び上昇させる。なお、この段階においては、処理槽20の内部は排水されて空であり、また、IPA・N2供給ノズル50からの窒素ガス噴出は停止されている。
【0043】
処理槽20が処理位置まで上昇した後、減圧部60(図1参照)が吸引を開始し、閉空間SP内を減圧雰囲気とする。リフターアーム30に保持された基板Wの周辺が減圧雰囲気となることにより、基板Wに付着していたIPAが蒸発し、基板Wの乾燥が促進される。
【0044】
このときに、処理槽20が上昇しているため、閉空間SPの容量は小さなものとなる。従って、減圧段階における減圧部60の負担を軽減することができるとともに、減圧時間を短縮することもできるのである。このことは、既述したIPA供給時間の短縮と相俟って、基板処理時間全体の短縮に繋がる。
【0045】
基板Wの乾燥が完了すると、再びIPA・N2供給ノズル50から窒素ガスが噴出されてN2パージが行われる。そして、閉空間SP内の気圧が大気圧にまで戻ると、蓋15が開けられる(図9)。その後、リフタ35がリフターアーム30を鉛直方向上向きに上昇させ、リフターアーム30から基板搬送ロボットに基板Wが渡されて一連の基板処理が終了する。
【0046】
<3.変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、処理槽20の上方に閉空間を形成するために、伸縮自在のシール部材たる上部ジャバラ18を使用していたが、これに限定されず、図10のようにしても良い。図10は、本発明にかかる基板処理装置の他の例の正面図である。
【0047】
図10の基板処理装置が、図1に示した基板処理装置と異なる点は、伸縮自在のシール部材たる上部ジャバラ18に代えて、オーリング16とシール壁17を用いている点である。オーリング16は、バスホルダ21の端部に設けられている。オーリング16はバスホルダ21とシール壁17との隙間をシールする(いわゆるオーリングシール)ことができ、シール壁17に対して摺動自在とされている。従って、上記実施形態と同様に、蓋15が閉鎖されていると、蓋(開閉部)15、オーリング12、オーリング16、シール壁(遮蔽面)17、バスホルダ21によって処理槽20の上方に閉空間が形成される。そして、オーリング16がシール壁17に対して摺動自在となるようにされているため、処理槽20の昇降が可能であり、その昇降によっても当該閉空間の気密性が維持されるとともに、該閉空間のサイズ(体積)が増減する。なお、残余の点については上記実施形態の基板処理装置と同じである。
【0048】
よって、図10の基板処理装置においても、槽昇降機構40によって処理槽20自体を昇降させることができるため、基板Wを保持するリフターアーム30を停止させたまま、純水をオーバーフローさせつつ処理槽20を下降させることができ、基板Wへのパーティクル付着を低減することができる。また、IPA供給段階や減圧段階において、処理槽20の上方に形成された閉空間の容量を小さなものとすることができるため、IPA供給時間や減圧時間を短縮することができる。
【0049】
また、上記実施形態においては、基板Wを保持するリフターアーム30を停止させたまま、処理槽20を昇降させて乾燥処理を行っていたが、リフターアーム30と処理槽20とを同時に昇降させて乾燥処理を行うようにしても良い。すなわち、純水による洗浄処理の終了後、リフターアーム30を上昇させつつ処理槽20を下降させ、基板Wを処理槽20中の純水から離脱させるのである。
【0050】
このようにすると、リフターアーム30の昇降に伴う振動が基板Wに伝わることは避けられないものの、リフターアーム30と処理槽20とを同時に昇降させているため、迅速に基板Wを純水から離脱させることができる。従って、基板Wの清浄度よりも乾燥処理時間の短縮が要求されているような状況下においては、最適な態様となる。
【0051】
また、上記実施形態においては、リフタ35および槽昇降機構40をモータとボールネジとを用いて構成していたが、これに限定されるものではなく、例えば、プーリとベルトを用いた機構としても良く、リフタ35および槽昇降機構40の高さ位置と昇降速度を制御可能な機構であればかまわない。
【0052】
さらに、本発明にかかる技術は、1つの処理槽内にて薬液処理と水洗処理とを行ういわゆるワンバスタイプの処理装置にも適用可能であるし、薬液処理および水洗処理を異なる処理槽で行ういわゆる多槽式の処理装置であっても適用可能である。多槽式の処理装置に適用する場合は、通常、最終の仕上水洗槽に適用するのが効果的であるが、他の水洗槽や薬液槽に適用しても良い。
【0053】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1の発明によれば、処理槽を上昇させて保持手段に保持された基板を処理液中に浸漬させることと、液供給手段からの処理液供給によって処理槽から処理液をオーバーフローさせつつ処理槽を下降させて保持手段に保持された基板を処理液から離脱させることとができるため、基板を保持する保持手段を停止させたまま、液面に漂うパーティクルを処理液とともに処理槽からオーバーフローさせつつその処理槽を下降させることができ、処理液から基板を離脱させるときに基板へのパーティクル付着を低減することができる。また、処理槽昇降手段が処理槽を昇降させることによって、その体積が変化する閉空間を処理槽の上方に規定する閉空間規定手段と、閉空間を減圧する減圧手段と、を備えているため、減圧手段が閉空間を減圧するときに、その体積を減少させることができ、減圧手段の負担を軽減するとともに、減圧時間を短縮することができる。さらに、処理槽が上昇しているときに閉空間に所定のガスを供給するガス供給手段を備えており、ガス供給量を少なくすることができるとともに、供給時間を短縮することができる。
【0056】
また、請求項2の発明によれば、保持手段を昇降させる保持手段昇降手段を備えているため、保持手段と処理槽とを同時に昇降させることができ、処理に要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる基板処理装置の正面図である。
【図2】図1の基板処理装置の側面図である。
【図3】図1の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図4】図1の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図5】図1の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図6】図1の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図7】図1の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図8】図1の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図9】図1の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図10】本発明にかかる基板処理装置の他の例の正面図である。
【符号の説明】
10 外槽
15 蓋
16 オーリング
17 シール壁
18 上部ジャバラ
20 処理槽
25 液供給ノズル
30 リフターアーム
35 リフタ
40 槽昇降機構
50 IPA・N2供給ノズル
60 減圧部
SP 閉空間
W 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, etc. (hereinafter simply referred to as “substrate”) are immersed in the processing liquid, and the substrate is detached from the processing liquid. It is related with the substrate processing apparatus which performs a predetermined process by doing.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in the manufacturing process of the substrate, after sequentially performing a treatment with a chemical solution such as hydrofluoric acid and a cleaning treatment with pure water, isopropyl alcohol (hereinafter referred to as “IPA”) or the like while pulling out the substrate from the pure water. 2. Description of the Related Art Substrate processing apparatuses that perform drying by supplying an organic solvent vapor to the periphery of a substrate are used.
[0003]
In general, there are two known methods for performing a drying process while pulling out a substrate from pure water: pull-up drying and pull-down drying.
[0004]
Pull-up drying is a technique for performing a drying process while pulling up a substrate placed on a lifter or the like from a processing solution. That is, the substrate is placed on the lifter, and is lowered and immersed in the processing liquid in the processing tank by the lifter. Then, after the dipping process (usually a cleaning process with pure water) is finished, the substrate is dried by lifting the substrate from the processing tank with a lifter, supplying IPA to the periphery of the substrate, and then setting the atmosphere under reduced pressure. Is going.
[0005]
On the other hand, pull-down drying is a technique for drying a substrate by draining the processing liquid in the processing tank. That is, the substrate is held in a fixed position in the processing tank, and the immersion process proceeds by filling the processing tank with the processing liquid. When the immersion process is completed, the processing liquid in the processing tank is drained while the substrate is held at a fixed position, and the liquid level is lowered to expose the substrate to the air. Then, IPA is supplied to the periphery of the substrate, and after that, the substrate is dried by setting a reduced pressure atmosphere.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when lifting and drying, since the substrate is moved up and down by the lifter, a slight amount of friction is generated between the substrate and the lifter due to the vibration of the drive unit of the lifter during the movement, and contaminants such as particles accompanying the friction are generated. May occur and adhere to the substrate. Although the amount of particles generated by the vibration of the lifter driving unit is very small, the amount of particles during the drying process is reduced due to the advancement of technology, and under the recent situation where a higher degree of cleanliness is required, Even such a small amount of particles is a problem.
[0007]
On the other hand, when performing drying by pulling down, particles are not generated due to vibration of the lifter drive unit because the substrate is not moved, but particles that float on the liquid level as the liquid level in the treatment tank decreases. The problem of adhering to the substrate occurs.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can reduce the adhesion of particles to a substrate when the substrate is detached from the processing liquid.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process by immersing a substrate in a processing solution and detaching the substrate from the processing solution. A processing tank for storing the processing liquid; (b) a liquid supply means provided in the processing tank for supplying the processing liquid to the processing tank; (c) a holding means for holding the substrate; and (d). Raising the processing tank to immerse the substrate held in the holding means in the processing liquid, and supplying the processing liquid from the liquid supply means while overflowing the processing liquid from the processing tank, the processing tank A processing tank lifting / lowering means capable of lowering the substrate and separating the substrate held by the holding means from the processing liquid, (e) an openable / closable opening / closing part provided above the processing tank, and the processing Surrounding the space between the tank and the opening / closing part And a shielding surface for蔽, while closing the opening portion, a closed space defining means for defining a closed space volume is changed according to an elevating state of the processing tank above the processing bath, ( f) decompression means for decompressing the closed space; and (g) gas supply means for supplying a predetermined gas to the closed space when the processing tank is raised .
[0012]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further comprises a holding means raising / lowering means for raising and lowering the holding means.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0014]
<1. Configuration of substrate processing apparatus>
First, the configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a front view of the substrate processing apparatus. FIG. 2 is a side view of the substrate processing apparatus.
[0015]
This substrate processing apparatus is an apparatus for performing a drying process by detaching a substrate from pure water after immersing the substrate in pure water for cleaning. The substrate processing apparatus includes an
[0016]
The
[0017]
In addition, the
[0018]
The
[0019]
The
[0020]
In the state where the
[0021]
In the substrate processing apparatus according to the present invention, a
[0022]
In the state where the
[0023]
An upper bellows 18 is provided on the upper side of the
[0024]
A drainage bellows 22 is connected to a part of the
[0025]
An IPA / N 2 supply nozzle 50 is disposed inside the
[0026]
In addition, the substrate processing apparatus includes a
[0027]
<2. Operation of substrate processing apparatus>
Next, the operation of the substrate processing apparatus having the above configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 3 to FIG. 9 are diagrams for explaining processing in the substrate processing apparatus.
[0028]
First, a plurality of unprocessed substrates W are transferred from the substrate transfer robot (not shown) to the lifter arm 30 (FIG. 3). At this time, the
[0029]
Next, as shown by arrow A1 in FIG. 4, the
[0030]
When the
[0031]
Next, as shown by arrow A2 in FIG. 5, the
[0032]
As the
[0033]
By continuing to supply pure water from the
[0034]
After the substrate W is washed with water for a predetermined time, IPA pre-purge is performed (FIG. 6). The IPA pre-purge is a process in which IPA is ejected upward from the IPA / N 2 supply nozzle 50 and the inside of the closed space SP formed by the upper bellows 18 is changed to an IPA atmosphere.
[0035]
At this time, since the
[0036]
When the closed space SP is filled with the IPA atmosphere, the
[0037]
Further, at this stage, the IPA ejection from the IPA / N 2 supply nozzle 50 is continued, and the IPA purge into the closed space SP is performed. IPA vapor condenses on the surface of the substrate W exposed in the IPA atmosphere, and water droplets attached to the substrate W are replaced with IPA.
[0038]
In the descending stage of the
[0039]
In the descending stage of the
[0040]
Thus, since the substrate processing apparatus according to the present invention can move the
[0041]
When the
[0042]
Thereafter, as indicated by an arrow A4 in FIG. 8, the
[0043]
After the
[0044]
At this time, since the
[0045]
When the drying of the substrate W is completed, nitrogen gas is again ejected from the IPA / N 2 supply nozzle 50 to perform N 2 purge. Then, when the atmospheric pressure in the closed space SP returns to atmospheric pressure, the
[0046]
<3. Modification>
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, in the above-described embodiment, the upper bellows 18 that is an expandable / contractible seal member is used to form a closed space above the
[0047]
The substrate processing apparatus shown in FIG. 10 is different from the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 in that an O-
[0048]
Therefore, also in the substrate processing apparatus of FIG. 10, the
[0049]
Moreover, in the said embodiment, although the
[0050]
In this way, it is inevitable that the vibration accompanying the raising and lowering of the
[0051]
Moreover, in the said embodiment, although the
[0052]
Furthermore, the technology according to the present invention can be applied to a so-called one-bath type processing apparatus that performs a chemical treatment and a water washing treatment in one treatment tank, and the chemical treatment and the water washing treatment are performed in different treatment tanks. Even a so-called multi-tank processing apparatus is applicable. When applied to a multi-tank processing apparatus, it is usually effective to apply to the final finishing water washing tank, but it may be applied to other water washing tanks or chemical tanks.
[0053]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the processing tank is raised by immersing the substrate held by the holding means in the processing liquid and by supplying the processing liquid from the liquid supply means. The substrate held by the holding means can be released from the processing liquid by lowering the processing tank while overflowing the processing liquid from the processing liquid, so that particles floating on the liquid surface can be removed while the holding means holding the substrate is stopped. The treatment tank can be lowered while overflowing from the treatment tank together with the treatment liquid, and particle adhesion to the substrate can be reduced when the substrate is detached from the treatment liquid. In addition, since the processing tank lifting / lowering means moves up and down the processing tank, the processing tank lifting / lowering means includes a closed space defining means for defining a closed space whose volume changes above the processing tank, and a decompression means for decompressing the closed space. When the decompression means decompresses the closed space, the volume of the decompression means can be reduced, the burden on the decompression means can be reduced, and the decompression time can be shortened. Furthermore, a gas supply means for supplying a predetermined gas to the closed space when the processing tank is rising is provided, so that the gas supply amount can be reduced and the supply time can be shortened.
[0056]
According to the second aspect of the present invention, since the holding means raising / lowering means for raising and lowering the holding means is provided, the holding means and the treatment tank can be raised and lowered at the same time, and the time required for processing can be shortened. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a side view of the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining a state of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1;
4 is a diagram for explaining a state of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
5 is a diagram for explaining a state of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
6 is a diagram for explaining a state of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
7 is a diagram for explaining a state of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
8 is a diagram for explaining a state of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
9 is a diagram for explaining a state of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
FIG. 10 is a front view of another example of the substrate processing apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
10 the
Claims (2)
(a) 前記処理液を貯留する処理槽と、
(b) 前記処理槽内に設けられ、前記処理槽に前記処理液を供給する液供給手段と、
(c) 前記基板を保持する保持手段と、
(d) 前記処理槽を上昇させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液中に浸漬させることと、前記液供給手段からの処理液供給によって前記処理槽から前記処理液をオーバーフローさせつつ前記処理槽を下降させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液から離脱させることとができる処理槽昇降手段と、
(e) 前記処理槽の上方に設けられた開閉自在な開閉部と、前記処理槽と前記開閉部との間の空間部分を囲んで遮蔽する遮蔽面とを有し、前記開閉部を閉じているときに、前記処理槽の昇降状態に応じて体積が変化する閉空間を前記処理槽の上方に規定する閉空間規定手段と、
(f) 前記閉空間を減圧する減圧手段と、
(g) 前記処理槽が上昇しているときに前記閉空間に所定のガスを供給するガス供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for performing a predetermined process by immersing a substrate in a processing liquid and detaching the substrate from the processing liquid,
(a) a treatment tank for storing the treatment liquid;
(b) a liquid supply means that is provided in the processing tank and supplies the processing liquid to the processing tank;
(c) holding means for holding the substrate;
(d) Raising the treatment tank and immersing the substrate held in the holding means in the treatment liquid, and overflowing the treatment liquid from the treatment tank by supplying the treatment liquid from the liquid supply means A processing tank lifting means capable of lowering the processing tank and releasing the substrate held by the holding means from the processing liquid;
(e) having an openable / closable opening / closing part provided above the processing tank, and a shielding surface that surrounds and shields a space portion between the processing tank and the opening / closing part, and closes the opening / closing part. A closed space defining means for defining a closed space whose volume changes according to the ascending / descending state of the treatment tank above the treatment tank;
(f) decompression means for decompressing the closed space;
(g) gas supply means for supplying a predetermined gas to the closed space when the processing tank is raised;
A substrate processing apparatus comprising:
前記保持手段を昇降させる保持手段昇降手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising holding means raising / lowering means for raising and lowering the holding means .
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