JP3325135B2 - Substrate processing apparatus and processing tank used therein - Google Patents

Substrate processing apparatus and processing tank used therein

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JP3325135B2
JP3325135B2 JP28782694A JP28782694A JP3325135B2 JP 3325135 B2 JP3325135 B2 JP 3325135B2 JP 28782694 A JP28782694 A JP 28782694A JP 28782694 A JP28782694 A JP 28782694A JP 3325135 B2 JP3325135 B2 JP 3325135B2
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processing
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置およびそ
れに用いられる処理槽に関し、より特定的には、半導体
デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセ
ス、電子部品関連製造プロセス等において、シリコンウ
エハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板に対して所定
の処理(少なくとも洗浄処理および乾燥処理)を施す装
置およびそれに用いられる処理槽に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing tank used for the same, and more particularly, to a silicon wafer, glass, etc. The present invention relates to an apparatus for performing predetermined processing (at least cleaning processing and drying processing) on various substrates such as substrates and electronic components, and a processing tank used for the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウエハ等の各種基板を、温水を
使用して洗浄し、その洗浄後に基板表面を乾燥させる方
法としては、従来、例えば特開平3−30330号公報
に開示されているような方法が知られている。同号公報
には、基板をチャンバ内に収納し、そのチャンバ内に温
水を注入して基板を温水に浸した後、チャンバ内を温水
の蒸気圧以下に減圧して温水を沸騰させ、この温水の減
圧沸騰により基板を洗浄し、その洗浄後にチャンバ内に
純水を注入し、純水によって基板をすすいで清浄にした
後、チャンバ内の水を排出させるとともに、チャンバ内
を真空引きして、洗浄された基板を乾燥させるようにす
る基板の洗浄・乾燥処理方法が開示されている。また、
同号公報には、チャンバ内の水を排出させる際に、その
排水と同時に窒素ガスをチャンバ内に供給することによ
り、基板に塵埃が付着するのを有効に防止する技術が開
示されている。
2. Description of the Related Art As a method for cleaning various substrates such as silicon wafers using hot water and drying the substrate surface after the cleaning, a method disclosed in, for example, JP-A-3-30330 is conventionally known. Methods are known. In the same publication, a substrate is housed in a chamber, hot water is injected into the chamber, the substrate is immersed in the hot water, and then the pressure in the chamber is reduced to the vapor pressure of the hot water or less, and the hot water is boiled. The substrate is cleaned by boiling under reduced pressure, pure water is injected into the chamber after the cleaning, and the substrate is rinsed and cleaned with the pure water.Then, the water in the chamber is discharged, and the inside of the chamber is evacuated. A substrate cleaning / drying method for drying a cleaned substrate is disclosed. Also,
The publication discloses a technique for effectively preventing dust from adhering to a substrate by supplying nitrogen gas into the chamber at the same time as discharging the water from the chamber when the water is discharged from the chamber.

【0003】また、特開平5−275412号公報に
は、基板をチャンバ内の洗浄槽に収納し、温純水を洗浄
槽内へその底部から供給してその上部から溢れさせると
ともに、洗浄槽内部に温純水の上昇水流を形成し、その
温純水の上昇水流中に基板を浸漬させて洗浄し、その洗
浄後に基板を温純水中から引き上げて洗浄槽内から温純
水を排出し、その後チャンバ内を真空排気して、基板を
減圧乾燥させるようにする基板の洗浄・乾燥処理方法が
開示されている。また、同号公報には、温純水中からの
基板の引き上げ工程において、加熱されかつイオン化さ
れた窒素ガスを基板の周囲へ供給することにより、基板
に塵埃が付着するのを有効に防止する技術が開示されて
いる。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-275412 discloses that a substrate is housed in a cleaning tank in a chamber, hot pure water is supplied into the cleaning tank from the bottom and overflows from the top, and hot pure water is supplied into the cleaning tank. The substrate is immersed in the rising water flow of the hot pure water for cleaning, and after the cleaning, the substrate is pulled out of the hot pure water, the hot pure water is discharged from the cleaning tank, and then the chamber is evacuated. A method of cleaning and drying a substrate so as to dry the substrate under reduced pressure is disclosed. In addition, the same publication discloses a technique for effectively preventing dust from adhering to a substrate by supplying heated and ionized nitrogen gas to the periphery of the substrate in a step of lifting the substrate from hot pure water. It has been disclosed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記した特開平3−3
0330号公報に開示された方法では、温水により基板
を洗浄し純水で基板をすすいだ後、基板を静止させたま
まチャンバ内から排水するようにしている。このよう
に、基板を静止させた状態で排水し、チャンバ内の液面
を下げていって基板の周囲から水を排除するようにして
いるが、チャンバからの排水過程では、洗浄によって基
板表面から除去されて液中に拡散したパーティクルが液
面付近に集中する。このため、静止した基板の表面上を
液面が下降していく際に、基板の表面にパーティクルが
再付着し易い、といった問題点がある。
SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 3-3
In the method disclosed in Japanese Patent No. 0330, the substrate is washed with warm water, rinsed with pure water, and then drained from the chamber with the substrate kept still. In this way, the substrate is drained while the substrate is stationary, and the liquid level in the chamber is lowered to remove water from around the substrate. Particles that have been removed and diffused into the liquid concentrate near the liquid surface. For this reason, when the liquid level falls on the surface of the stationary substrate, there is a problem that particles easily adhere to the surface of the substrate.

【0005】一方、特開平5−275412号公報に開
示された方法では、基板洗浄後、洗浄槽の上部から純水
を溢れさせた状態で基板を純水中から引き上げるように
しているため、基板表面から除去されて純水中に拡散し
たパーティクルは、洗浄槽の上部から溢れ出る純水と共
に洗浄槽から排出され、基板の引き上げ時においてパー
ティクルが基板表面に再付着することが起こらない。し
かしながら、同号公報に開示された方法では、チャンバ
内において洗浄槽の上部に、基板の引き上げスペース、
すなわち乾燥スペースを確保しなければならず、チャン
バの内容積が大きくなってしまう。その結果、装置が大
型化してコストが上昇すると共に、減圧時において所定
の真空度に達するまでの時間が長くなるという問題点が
あった。また、この場合、基板の搬送位置(他工程から
のまたは他工程への搬送位置)は、チャンバのさらに上
にあるため、チャンバ内の基板を昇降させるリフタのス
トロークが大きくなる。その結果、コストの上昇を招
き、またリフタの強度も大きくする必要があるという問
題点がある。
On the other hand, in the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-275412, after cleaning the substrate, the substrate is lifted from the pure water in a state where the pure water overflows from the upper portion of the cleaning tank. The particles removed from the surface and diffused into the pure water are discharged from the cleaning tank together with the pure water overflowing from the upper part of the cleaning tank, and the particles do not adhere to the substrate surface when the substrate is lifted. However, in the method disclosed in the same publication, a space for lifting the substrate is provided above the cleaning tank in the chamber,
That is, a drying space must be secured, and the internal volume of the chamber increases. As a result, there is a problem in that the size of the apparatus is increased and the cost is increased, and the time required to reach a predetermined degree of vacuum during depressurization is lengthened. Further, in this case, the transfer position of the substrate (the transfer position from or to another process) is located further above the chamber, so that the stroke of the lifter that raises and lowers the substrate in the chamber increases. As a result, there is a problem that the cost is increased and the strength of the lifter needs to be increased.

【0006】それゆえに、本発明の目的は、基板洗浄後
にパーティクルが基板に再付着するのを防止でき、しか
も減圧チャンバの内容積を大幅に低減し得る基板処理装
置およびそれに用いられる処理槽を提供することであ
る。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a processing tank used for the same, which can prevent particles from re-adhering to the substrate after cleaning the substrate, and can significantly reduce the internal volume of the decompression chamber. It is to be.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
同一チャンバ内において、少なくとも基板の洗浄処理と
乾燥処理とを行う基板処理装置であって、チャンバ内に
は、複数の基板が所定の間隔を開けて配列される処理槽
が収納されており、処理槽は、外壁を規定する外板と、
外板の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつその表
面に複数の透孔が形成された仕切り板と、底部に接続さ
れた液体注入管と、外板に接続された液体排出管とを含
み、基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、液
体注入管から処理槽内に純水を連続して供給し、かつ液
体排出管から処理槽に貯まった純水を連続して排出する
ことを特徴とする。
The invention according to claim 1 is
A substrate processing apparatus for performing at least a cleaning process and a drying process on a substrate in the same chamber, wherein a processing tank in which a plurality of substrates are arranged at predetermined intervals is housed in the chamber. The tank has an outer plate defining an outer wall,
A partition plate provided at a predetermined interval inside the outer plate and having a plurality of through holes formed on the surface thereof, a liquid injection tube connected to the bottom, and a liquid discharge tube connected to the outer plate. In the draining process performed after the cleaning of the substrate is completed, the pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe into the processing tank, and the pure water stored in the processing tank is continuously discharged from the liquid discharge pipe. It is characterized by.

【0008】請求項2に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、排水工程において、処理槽に注入される純水の
単位時間当たりの量を、処理槽から排出される純水の単
位時間当たりの量の低下に応じて低減させるための純水
注入量制御手段をさらに備えている。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, in the drainage process, the amount of pure water injected into the processing tank per unit time is reduced per unit time of the pure water discharged from the processing tank. And a means for controlling the amount of pure water to be injected in order to reduce the amount according to the decrease in the amount of water.

【0009】請求項3に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、仕切り板に形成される透孔は、当該仕切り板の
上部から下部に行くに従って、その径が小さくされてい
ることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the diameter of the through hole formed in the partition plate is reduced from the upper portion to the lower portion of the partition plate. I do.

【0010】請求項4に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、 さらに、処理槽内の固定基板支持手段と、処理
槽内と処理槽外間で昇降自在な可動基板支持手段とを備
基板の排水工程終了後に行われる乾燥処理を行う際
に、当該乾燥処理中に固定基板支持手段から可動基板支
持手段へ基板を受け渡す
[0010] The invention according to claim 4 is the invention according to claim 1.
Oite further, the fixed substrate supporting means in the processing bath, and a vertically movable movable substrate support means in a processing tank Sotoma with the processing tank, when performing the drying process performed after the draining step is completed the substrate
During the drying process, the movable substrate is supported from the fixed substrate support means.
Transfer the substrate to the holding means .

【0011】請求項5に係る発明は、その内部に複数の
基板が所定の間隔を開けて配列され、同一チャンバ内に
おいて、各基板に対して少なくとも洗浄処理と乾燥処理
とを施す処理槽であって、外壁を規定する外板と、外板
の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつその表面に
複数の透孔が形成された仕切り板と、底部に接続された
液体注入管と、外板に接続された液体排出管とを備え、
基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、液体注
入管から純水が連続して供給され、かつ液体排出管から
処理槽に貯まった純水が連続して排出されることを特徴
とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a processing tank in which a plurality of substrates are arranged at predetermined intervals therein, and at least a cleaning process and a drying process are performed on each substrate in the same chamber. An outer plate defining an outer wall, a partition plate provided at a predetermined interval inside the outer plate, and having a plurality of through holes formed on the surface thereof, and a liquid injection pipe connected to a bottom portion, A liquid discharge pipe connected to the outer plate,
In a drain step performed after the cleaning of the substrate, pure water is continuously supplied from a liquid injection pipe, and pure water stored in a processing tank is continuously discharged from a liquid discharge pipe.

【0012】請求項6に係る発明は、その内部に複数の
基板が所定の間隔を開けて配列され、同一チャンバ内に
おいて、各基板に対して少なくとも洗浄処理と乾燥処理
とを施す処理槽であって、それぞれが回動可能な複数の
回動板によって構成され、かつ外壁を規定する分割外板
と、底部に接続された液体注入管とを備え、基板の洗浄
終了後に行われる排水工程において、液体注入管から純
水が連続して供給され、かつ回動板が上から順番に回動
されることにより処理槽に貯まった純水が連続して排出
されることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a processing tank in which a plurality of substrates are arranged at predetermined intervals therein, and at least a cleaning process and a drying process are performed on each substrate in the same chamber. In a drain step performed after cleaning of the substrate, the divided outer plate is formed by a plurality of rotatable rotating plates, and includes a divided outer plate defining an outer wall, and a liquid injection pipe connected to a bottom portion. It is characterized in that pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe, and pure water stored in the processing tank is continuously discharged by rotating the rotating plate in order from the top.

【0013】請求項7に係る発明は、同一チャンバ内に
おいて、少なくとも基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う
基板処理装置であって、 チャンバ内に収納されるととも
に、複数の基板が所定の間隔を空けて配列される処理槽
と、 処理槽内の固定基板支持手段と、 処理槽内と処理槽
外間で昇降自在な可動基板支持手段とを備え、 基板の洗
浄処理終了後に行われる乾燥処理を行う際に、当該乾燥
処理中に固定基板支持手段から可動基板支持手段へ基板
を受け渡す。
[0013] According to a seventh aspect of the present invention, in the same chamber.
Perform at least a cleaning process and a drying process on the substrate.
A substrate processing apparatus, which is housed in a chamber.
, A processing tank in which a plurality of substrates are arranged at predetermined intervals
When a fixed substrate supporting means in the processing bath, and in the processing tank processing tank
And a vertically movable movable substrate support means in Hokama, washing of the substrate
When performing the drying process performed after the end of the cleaning process,
Substrate from fixed substrate support to movable substrate support during processing
Hand over.

【0014】請求項8に係る発明は、請求項7の発明に
おいて、 処理槽内に設けられ、乾燥処理の際に基板の表
面にイソプロピルアルコール(IPA)を供給するIP
A導入管をさらに備える。
The invention according to claim 8 is the invention according to claim 7.
In the processing tank, the surface of the substrate is
IP that supplies isopropyl alcohol (IPA) to the surface
A introduction pipe is further provided.

【0015】[0015]

【作用】請求項1およびに係る発明においては、基板
の洗浄終了後に処理槽内の排水を行う場合、処理槽の底
部から純水を供給しつつ、外板から純水を排出するよう
にしている。ここで、処理槽内は、仕切り板によって仕
切られているため、外板と仕切り板との間の空間におけ
る純水は、仕切り板の内側の空間における純水よりも速
く排出されることになる。その結果、外板と仕切り板と
の間の空間における液面レベルと、仕切り板の内側の空
間における液面レベルとの間で段差が生じる。したがっ
て、仕切り板の内側の空間において、表面付近の純水
は、仕切り板に形成された透孔を介して、外板と仕切り
板との間の空間に流れ落ちることになる。これは、液面
がオーバーフローしている状態と全く等価である。この
ように、純水の液面が常にオーバーフローしながら低下
していくので、純水の表面に浮遊するパーティクルがオ
ーバーフロー水と共に排出され、基板の表面にパーティ
クルが再付着するのを防止できる。また、基板を処理槽
内で停止させたままで排水が行えるので、チャンバ内に
基板の引き上げスペース、すなわち乾燥スペースを別途
設ける必要が無くなり、チャンバの内容積を低減でき
る。その結果、装置が小型化され、かつ価格も安くでき
る。また、基板を昇降させるリフタの昇降ストロークが
短くなるため、そのコストが低下し、強度上も有利にな
る。
According to the first and fifth aspects of the present invention, when draining the inside of the processing tank after washing the substrate, the pure water is discharged from the outer plate while supplying the pure water from the bottom of the processing tank. ing. Here, since the inside of the processing tank is partitioned by the partition plate, the pure water in the space between the outer plate and the partition plate is discharged faster than the pure water in the space inside the partition plate. . As a result, a step occurs between the liquid level in the space between the outer plate and the partition plate and the liquid level in the space inside the partition plate. Therefore, in the space inside the partition plate, the pure water near the surface flows down into the space between the outer plate and the partition plate through the through hole formed in the partition plate. This is completely equivalent to a state where the liquid level overflows. As described above, since the level of pure water is constantly reduced while overflowing, particles floating on the surface of the pure water are discharged together with the overflow water, and the particles can be prevented from re-adhering to the surface of the substrate. In addition, since drainage can be performed while the substrate is stopped in the processing bath, there is no need to provide a space for lifting the substrate in the chamber, that is, a separate drying space, and the internal volume of the chamber can be reduced. As a result, the size of the device can be reduced and the price can be reduced. In addition, since the lift stroke of the lifter for moving the substrate up and down is shortened, the cost is reduced and the strength is advantageous.

【0016】排水工程では、単位時間当たりの純水注入
量を単位時間当たりの純水排出量よりも少なくする必要
がある。しかしながら、単位時間当たりの純水排出量
は、処理槽内の液面レベルの低下すなわち水圧の低下に
従って徐々に少なくなるため、単位時間当たりの純水注
入量を何らかの方法で制御する必要がある。そこで、請
求項2に係る発明においては、排水工程において、処理
槽に注入される純水の単位時間当たりの量が、処理槽か
ら排出される純水の単位時間当たりの量の低下に応じて
低減させるように、純水注入量を制御している。これに
よって、外板と仕切り板との間の空間における液面レベ
ルを、仕切り板の内側の空間における液面レベルよりも
常に低く保ちながら排水を行うことができる。
In the drainage step, the amount of pure water injected per unit time must be smaller than the amount of pure water discharged per unit time. However, the amount of pure water discharged per unit time gradually decreases as the liquid level in the treatment tank decreases, that is, as the water pressure decreases. Therefore, it is necessary to control the amount of pure water injected per unit time by some method. Therefore, in the invention according to claim 2, in the draining step, the amount of pure water injected into the treatment tank per unit time is reduced according to the decrease in the amount of pure water discharged from the treatment tank per unit time. The injection amount of pure water is controlled to reduce the amount. Thus, drainage can be performed while always keeping the liquid level in the space between the outer plate and the partition plate lower than the liquid level in the space inside the partition plate.

【0017】請求項3に係る発明においては、仕切り板
に形成される透孔の径が下に行くほど小さくなるため、
処理槽内の液面レベルが低くなるにつれて、仕切り板の
内側の空間から外板と仕切り板との間の空間に流れ落ち
る、すなわちオーバーフローする純水の量が少なくな
る。これによって、処理槽に注入される量と、処理槽か
ら排出される純水の量とのバランスが調整される。
In the invention according to claim 3, since the diameter of the through hole formed in the partition plate becomes smaller as going downward,
As the liquid level in the processing tank decreases, the amount of pure water flowing down from the space inside the partition plate to the space between the outer plate and the partition plate, that is, overflowing, decreases. Thereby, the balance between the amount injected into the processing tank and the amount of pure water discharged from the processing tank is adjusted.

【0018】請求項4および7に係る発明においては、
基板支持手段が処理槽内の固定のものと、処理槽内外間
で可動のものとがあるので、基板の乾燥処理を行う際に
両者で基板の受け渡しを行えば、基板端縁に液が残るこ
となく均一に乾燥できる。
In the invention according to claims 4 and 7 ,
Since the substrate support means may be fixed in the processing tank or movable between the inside and outside of the processing tank, if the substrate is transferred between both when performing the drying process of the substrate, the liquid remains at the edge of the substrate It can be dried uniformly without drying.

【0019】請求項に係る発明においては、基板の洗
浄終了後に処理槽内の排水を行う場合、分割外板を構成
する回動板を上から順番に回動することにより、処理槽
に貯まった純水がオーバーフロー状態を保ちながら連続
して排出される。
According to the sixth aspect of the present invention, when the processing tank is drained after the cleaning of the substrate is completed, the rotating plates constituting the divided outer plates are sequentially rotated from the top to store in the processing tank. The purified water is continuously discharged while maintaining the overflow state.

【0020】[0020]

【実施例】図1は、本発明の一実施例に係る基板処理装
置の構成を示す断面図である。図2は、減圧チャンバ内
に収納される処理槽の構成を示す一部破断斜視図であ
る。なお、本実施例の基板処理装置は、従来の洗浄・乾
燥装置と同様に、1つの減圧チャンバ内で、各種基板
(半導体集積回路のためのシリコンウエハ、液晶表示装
置のためのガラス基板、他の電子部品のための基板等)
の洗浄処理および乾燥処理を行うが、さらに、同一の減
圧チャンバ内でエッチングやレジスト膜剥離等のための
薬液処理も行える構成となっている。この薬液処理は、
基板を各種の薬液(硫酸、過酸化水素、塩酸、フッ酸、
バッファードフッ酸、リン酸等)に浸すことにより行わ
れる。ただし、本発明の基板処理装置は、従来の洗浄・
乾燥装置と同様、基板の洗浄処理および乾燥処理のみを
行う構成とされてもよいことを予め指摘しておく。この
場合、薬液処理は、他工程として別の装置で行われるで
あろう。以下、図1および図2を参照して、本実施例の
基板処理装置の構成について説明する。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing the configuration of the processing tank housed in the decompression chamber. Note that the substrate processing apparatus of the present embodiment, in the same manner as a conventional cleaning / drying apparatus, can store various substrates (a silicon wafer for a semiconductor integrated circuit, a glass substrate for a liquid crystal display, Substrates for electronic components, etc.)
Cleaning and drying processes, and a chemical solution process for etching, resist film peeling, and the like can be performed in the same reduced-pressure chamber. This chemical treatment
Substrate is coated with various chemicals (sulfuric acid, hydrogen peroxide, hydrochloric acid, hydrofluoric acid,
(Buffered hydrofluoric acid, phosphoric acid, etc.). However, the substrate processing apparatus of the present invention uses
It should be pointed out in advance that, similarly to the drying apparatus, only a cleaning process and a drying process for the substrate may be performed. In this case, the chemical treatment will be performed by another device as another process. Hereinafter, the configuration of the substrate processing apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0021】まず、図1を参照して、処理槽1は、減圧
チャンバ2内に、取り外し可能にまたは固定的に収納さ
れている。この処理槽1の内部には、複数枚(例えば、
50枚)の基板3がそれぞれ所定の間隔を開けてかつ平
行に配列されている。減圧チャンバ2は、処理槽1を収
納する本体21と、この本体21の上部に取り付けられ
る蓋22とから構成されている。蓋22を本体21に取
り付けると、Oリング23の作用により、蓋22と本体
21とが密着され、減圧チャンバ2の内部は密閉状態と
なる。また、蓋22の裏面には、IPA(イソプロピル
アルコール)導入管24が取り付けられている。このI
PA導入管24は、処理槽1の内部に収納される基板3
の配列方向(すなわち、図1の紙面に対して垂直方向)
に沿って延びており、その両端部は、蓋22を貫通し
て、図示しない外部のIPA供給源と接続されている。
First, referring to FIG. 1, a processing tank 1 is detachably or fixedly housed in a decompression chamber 2. A plurality of sheets (for example,
(50 sheets) of substrates 3 are arranged in parallel at predetermined intervals. The decompression chamber 2 includes a main body 21 that houses the processing tank 1 and a lid 22 that is attached to an upper part of the main body 21. When the lid 22 is attached to the main body 21, the lid 22 and the main body 21 are brought into close contact by the action of the O-ring 23, and the inside of the decompression chamber 2 is closed. An IPA (isopropyl alcohol) introduction tube 24 is attached to the back surface of the lid 22. This I
The PA introduction pipe 24 is provided for the substrate 3 accommodated in the processing tank 1.
(Ie, the direction perpendicular to the plane of FIG. 1)
, And both ends thereof are connected to an external IPA supply source (not shown) through the lid 22.

【0022】次に、図1および図2を参照して、処理槽
1の構成をより詳細に説明する。処理槽1の外壁は、外
板101によって規定されており、ほぼ直方体の外形を
有している。なお、処理槽1の上部は開口しており、そ
の底部は中央部が下方に突出した逆屋根形状に形成され
ている。この逆屋根形状の稜線102は、基板3の配列
方向に沿って延びている。外板101の上部外周には、
その周囲を取り囲むように、受け板103が設けられて
いる。この受け板103は、外板11の上部周縁と協働
して、処理槽1から溢れ出た液体(純水または薬液)を
受けるためのオーバーフロー溝104を形成する。処理
槽1の前端近傍であって、受け板12の下部には、孔が
開けられ、この孔にはオーバーフロー排液管105の一
端が接続されている。オーバーフロー排液管の他端は、
図示しないが、減圧チャンバ2の本体側面を貫通して外
部へと導かれている。すなわち、オーバーフロー溝10
4に溢れ出た純水(または薬液)は、このオーバーフロ
ー排液管105を介して減圧チャンバ2の外部へと排出
される。
Next, the configuration of the processing tank 1 will be described in more detail with reference to FIGS. The outer wall of the processing tank 1 is defined by an outer plate 101 and has a substantially rectangular parallelepiped outer shape. In addition, the upper part of the processing tank 1 is open, and the bottom part is formed in an inverted roof shape whose central part protrudes downward. The inverted roof-shaped ridge line 102 extends along the arrangement direction of the substrates 3. On the outer periphery of the upper part of the outer plate 101,
A receiving plate 103 is provided so as to surround the periphery. The receiving plate 103 forms an overflow groove 104 for receiving the liquid (pure water or chemical solution) overflowing from the processing tank 1 in cooperation with the upper peripheral edge of the outer plate 11. A hole is formed in the vicinity of the front end of the processing tank 1 and below the receiving plate 12, and one end of the overflow drain pipe 105 is connected to this hole. The other end of the overflow drain is
Although not shown, it is guided to the outside through the side surface of the main body of the decompression chamber 2. That is, the overflow groove 10
The pure water (or chemical solution) overflowing to 4 is discharged to the outside of the decompression chamber 2 via the overflow drain 105.

【0023】処理槽1の前端近傍であってその下部に
は、アップフロー管106が設けられる。このアップフ
ロー管106の一端は、図示しないが、減圧チャンバ2
の本体側面を貫通して外部へと導かれ、純水および薬液
の供給源に接続されている。アップフロー管106の他
端は、処理槽1の前端部で左右に分岐し、処理槽1の左
右両側部に設けられた注入内管107と接続されてい
る。この注入内管107の外周を所定の間隔を開けて取
り囲むように、注入外管108が設けられる。左右の注
入外管108は、それぞれ基板3の配列方向に沿って延
びており、処理槽1の底部と左右側部との間を連結して
いる。注入内管107の外周には、その軸方向に沿って
複数の孔107aが所定間隔毎に形成されている。各孔
107aは、処理槽内の基板3と反対の方向に向いて開
口している。注入外管108の外周には、複数のスリッ
ト108aが所定の間隔毎に形成されている。各スリッ
ト108aは、処理槽内の基板3の方向に向いて開口し
ている。また、各スリット108aは、それぞれが各基
板3の間に位置するように配置されている。なお、左右
の注入内管107および注入外管108は、処理槽1の
後端近傍において、終端されている。
An upflow pipe 106 is provided near the front end of the processing tank 1 and below the processing tank 1. Although not shown, one end of the upflow tube 106 is connected to the decompression chamber 2.
Is guided to the outside through the side surface of the main body, and connected to a supply source of pure water and a chemical solution. The other end of the upflow pipe 106 branches right and left at the front end of the processing tank 1, and is connected to inner injection pipes 107 provided on both left and right sides of the processing tank 1. An outer injection tube 108 is provided so as to surround the outer periphery of the inner injection tube 107 at a predetermined interval. The left and right injection outer tubes 108 extend along the direction in which the substrates 3 are arranged, and connect the bottom of the processing tank 1 and the left and right sides. A plurality of holes 107a are formed on the outer periphery of the inner injection tube 107 at predetermined intervals along the axial direction. Each hole 107a is open in a direction opposite to the substrate 3 in the processing tank. A plurality of slits 108a are formed on the outer periphery of the outer injection tube 108 at predetermined intervals. Each slit 108a is open toward the direction of the substrate 3 in the processing tank. The slits 108a are arranged so as to be located between the respective substrates 3. Note that the left and right inner injection pipes 107 and outer injection pipes 108 are terminated near the rear end of the processing tank 1.

【0024】外板101の左右側部であって、注入外管
108の斜め上方には、槽内排液管109が設けられ
る。この槽内排液管109の一端は、外板101の左右
側部に開けられた孔110と接続されている。また、左
右の槽内排液管109は、処理槽1の前端近傍において
統合され、その他端は、図示しないが減圧チャンバ2の
本体側面を貫通して外部へと導かれている。これによっ
て、処理槽内の液体が槽内排液管109を介して外部へ
と排出される。なお、減圧チャンバ2の外部に導かれた
槽内排液管109には、図3に示すような3方切換弁6
が取り付けられる。この3方切換弁6は、3つの排出位
置、すなわち微小排液位置、通常排液位置、排気位置の
いずれかに切り換え得るように構成されている。微小排
液位置では、処理槽内の液体が少量ずつ排出される。通
常排液位置では、処理槽内の液体が微小排液位置よりも
多い通常量ずつ排出される。排気位置では、処理槽内の
気体が排出される。
On the left and right sides of the outer plate 101, obliquely above the outer injection tube 108, a drainage tube 109 in the tank is provided. One end of the in-tank drain pipe 109 is connected to a hole 110 formed on the left and right sides of the outer plate 101. The left and right in-tank drain pipes 109 are integrated in the vicinity of the front end of the processing tank 1, and the other ends are guided to the outside through a main body side surface of the decompression chamber 2 (not shown). As a result, the liquid in the processing tank is discharged to the outside through the tank drain pipe 109. It should be noted that a three-way switching valve 6 as shown in FIG.
Is attached. The three-way switching valve 6 is configured to be able to switch to one of three discharge positions, that is, a minute drain position, a normal drain position, and an exhaust position. At the minute drainage position, the liquid in the processing tank is discharged little by little. At the normal draining position, the liquid in the processing tank is discharged by a larger amount than the minute draining position. At the exhaust position, the gas in the processing tank is exhausted.

【0025】処理槽1の内部には、左右1対の基板支持
部111が固定的に設けられる。これら基板支持部11
1両端部は、外板101の内壁の前端側面部分および後
端側面部分に固着されている。各基板支持部111に
は、所定間隔で複数の溝が形成されており、この溝に基
板3を差し込むことにより、処理槽内で基板3が位置決
めされて支持される。
Inside the processing tank 1, a pair of left and right substrate supporting portions 111 is fixedly provided. These substrate support portions 11
The two end portions are fixed to the front end side surface portion and the rear end side surface portion of the inner wall of the outer plate 101. A plurality of grooves are formed in each of the substrate support portions 111 at predetermined intervals. By inserting the substrate 3 into these grooves, the substrate 3 is positioned and supported in the processing tank.

【0026】また、処理槽1の内部には、外板101の
左右側面と所定の間隔を開けて対向する、左右1対の仕
切り板112が設けられている。各仕切り板112に
は、複数の孔112aがマトリクス状に形成されてい
る。各仕切り板112の底部の高さは、注入外管108
の上部位置よりも高くなっており、各スリット108a
から出射される液体(特に、純水)の流れを阻害しない
ようになっている。
A pair of left and right partition plates 112 facing the left and right side surfaces of the outer plate 101 at predetermined intervals are provided inside the processing tank 1. In each partition plate 112, a plurality of holes 112a are formed in a matrix. The height of the bottom of each partition plate 112 is the
Is higher than the upper position of each slit 108a.
The flow of the liquid (especially, pure water) emitted from is not obstructed.

【0027】さらに、上記のような処理槽1に関連して
リフタ4が設けられる。このリフタ4は、基板ガイド4
1と、この基板ガイド41を昇降させる昇降装置42
と、これら昇降装置42および基板ガイド41を連結す
る連結板43とから構成される。基板ガイド41には、
前述の基板支持部111に形成された溝と同様のピッチ
で複数の溝が形成されており、この溝に基板3を差し込
むことにより、基板3が位置決めされて支持される。
Further, a lifter 4 is provided in connection with the processing tank 1 as described above. The lifter 4 includes a substrate guide 4
1 and a lifting device 42 for raising and lowering the substrate guide 41
And a connecting plate 43 for connecting the lifting device 42 and the substrate guide 41. In the board guide 41,
A plurality of grooves are formed at the same pitch as the grooves formed in the substrate support portion 111 described above. By inserting the substrate 3 into these grooves, the substrate 3 is positioned and supported.

【0028】図4〜図10は、上記実施例に係る基板処
理装置の動作状態を、各工程別に示した図である。以
下、これら図4〜図10を参照して、上記実施例の動作
を説明する。
FIGS. 4 to 10 are diagrams showing the operation state of the substrate processing apparatus according to the above embodiment for each process. The operation of the above embodiment will be described below with reference to FIGS.

【0029】まず、図4を参照して、基板の搬送/ロー
ディング工程について説明する。搬送ロボット5は、他
工程の終了した基板3をチャック51によって複数枚把
持し、基板処理装置の上部位置まで搬送する。このと
き、減圧チャンバ2は蓋22が外され、基板ガイド41
は昇降装置42によって減圧チャンバ2の上部位置まで
持ち上げられている。次に、搬送ロボット5は、基板3
を基板ガイド41上に載置し、チャック51を矢印Aの
向きに回動させて、基板3を離す。これによって、基板
3が基板ガイド41によって支持される。次に、リフタ
4は、昇降装置42によって基板ガイド41を下降させ
る。基板ガイド41が処理槽内部の基板支持部111よ
りも下部位置に下降すると、基板3が基板ガイド41か
ら基板支持部111へと受け渡され、基板支持部111
によって基板3が支持される。その後、本体21に蓋2
2が被せられる。このとき、Oリング23の作用によっ
て、減圧チャンバ2が密閉される(図1参照)。
First, the substrate transfer / loading step will be described with reference to FIG. The transfer robot 5 grips a plurality of substrates 3 on which other processes have been completed by the chuck 51 and transfers the substrates 3 to an upper position of the substrate processing apparatus. At this time, the lid 22 is removed from the decompression chamber 2 and the substrate guide 41 is removed.
Is lifted to the upper position of the decompression chamber 2 by the lifting device 42. Next, the transfer robot 5
Is placed on the substrate guide 41, the chuck 51 is rotated in the direction of arrow A, and the substrate 3 is released. Thus, the substrate 3 is supported by the substrate guide 41. Next, the lifter 4 lowers the substrate guide 41 by the lifting device 42. When the substrate guide 41 is lowered to a position lower than the substrate support 111 inside the processing tank, the substrate 3 is transferred from the substrate guide 41 to the substrate support 111, and
Supports the substrate 3. Then, cover 2
2 is covered. At this time, the operation of the O-ring 23 seals the decompression chamber 2 (see FIG. 1).

【0030】次に、図5を参照して、薬液処理工程につ
いて説明する。薬液処理工程では、減圧チャンバ外部の
薬液供給源(図示せず)からアップフロー管106に薬
液が供給される。アップフロー管106は、供給された
薬液を、注入内管107へと導く。注入内管107内へ
と導かれた薬液は、注入内管107に形成された各孔1
07aから、注入外管108の内部へと流出し、さらに
注入外管108に形成された各スリット108aを介し
て処理槽1内へと流出する。アップフロー管106に
は、外部の薬液供給源から継続的に薬液が供給されるた
め、処理槽内の液面は、徐々に高くなり、やがて処理槽
の上部から溢れ出す。溢れ出した薬液は、オーバーフロ
ー溝104内に流れ込み、オーバーフロー排液管105
を介して減圧チャンバ2の外部へと排出される。したが
って、基板3は、常に新しい薬液に浸されることにな
る。このとき、図3の3方切換弁6は、微小排液位置に
切り換えられ、槽内排液管109からも薬液が少量ずつ
排出される。これによって、外板101と仕切り板11
2との間に薬液が滞留することが無く、処理槽内の薬液
との濃度との均一化が図られる。なお、エッチングのよ
うにある程度反応時間が必要である場合、薬液使用量を
少なくするため、液面が所定の高さになると、薬液の注
入が停止されるが、この場合は3方切換弁6を閉じて
(すなわち、いずれの排出位置にも切り換えない)、槽
内排液管109からの薬液の排出を停止すればよい。
Next, the chemical treatment step will be described with reference to FIG. In the chemical processing step, a chemical is supplied to the upflow pipe 106 from a chemical supply source (not shown) outside the decompression chamber. The upflow pipe 106 guides the supplied chemical solution to the inner injection pipe 107. The chemical solution guided into the injection inner tube 107 is filled in each hole 1 formed in the injection inner tube 107.
07a, flows out into the outer injection tube 108, and further flows out into the processing tank 1 through each slit 108a formed in the outer injection tube 108. Since the chemical liquid is continuously supplied to the upflow pipe 106 from an external chemical liquid supply source, the liquid level in the processing tank gradually increases, and eventually overflows from the upper part of the processing tank. The overflowed chemical solution flows into the overflow groove 104 and overflows into the overflow drain pipe 105.
Is discharged to the outside of the decompression chamber 2. Therefore, the substrate 3 is always immersed in a new chemical solution. At this time, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the minute drainage position, and the chemical solution is also discharged little by little from the drainage pipe 109 in the tank. Thereby, the outer plate 101 and the partition plate 11
The chemical solution does not stay between the treatment tank 2 and the concentration with the chemical solution in the processing tank. If a certain amount of reaction time is required, as in the case of etching, the injection of the chemical is stopped when the liquid level reaches a predetermined level in order to reduce the amount of the chemical used. In this case, the three-way switching valve 6 is used. (That is, do not switch to any of the discharge positions), and the discharge of the chemical solution from the in-tank drain pipe 109 may be stopped.

【0031】次に、同様に図5を参照して、洗浄工程に
ついて説明する。洗浄工程では、減圧チャンバ外部の純
水供給源(図示せず)からアップフロー管106に純水
が供給される。アップフロー管106は、供給された純
水を、注入内管107へと導く。注入内管107内へと
導かれた純水は、注入内管107に形成された各孔10
7aから、注入外管108の内部へと流出する。注入外
管108内に流入した純水は、注入外管108に形成さ
れた各スリット108aから処理槽1内へと噴出する。
ここで、各スリット108aは、処理槽内で配列された
各基板3の間に位置するように配置されているため、各
スリット108aから噴出した純水は、各基板間へと流
れ込む。また、基板ガイド41の中央部には、基板3の
配列方向に沿って延びる基板支持板41aが形成されて
いるため、各スリット108aから噴出する水平方向の
純水流は、この基板支持板41aに当たって上昇流へと
その向きが転換される。したがって、各基板間には、図
5に示す矢印の方向に純水流が生じ、各基板表面がまん
べんなく洗浄される。このとき、処理槽の上部から溢れ
出した薬液および純水は、オーバーフロー溝104内に
流れ込み、オーバーフロー排液管105を介して減圧チ
ャンバ2の外部へと排出される。したがって、洗浄によ
って基板表面から除去されて純水中に拡散したパーティ
クルは、液表面にに滞留せず、オーバーフロー水と共に
外部へと効率良く排出される。このとき、図3の3方切
換弁6は、微小排液位置に切り換えられる。これによっ
て、外板101と仕切り板112との間に滞留した薬液
が効率良く槽内排液管109を介して外部へ排出され
る。アップフロー管106には、外部の純水供給源から
継続的に純水が供給されるため、徐々に処理槽内の薬液
の濃度が薄まり、やがて処理槽内の液体は純水のみとな
る。そして、排出された純水中に含まれるパーティクル
の量が所定量以下になったところで、洗浄工程が終了す
る。
Next, the cleaning step will be described with reference to FIG. In the cleaning step, pure water is supplied to the upflow pipe 106 from a pure water supply source (not shown) outside the decompression chamber. The upflow pipe 106 guides the supplied pure water to the injection inner pipe 107. The pure water guided into the injection inner pipe 107 is filled with each hole 10 formed in the injection inner pipe 107.
From 7a, it flows into the inside of the outer injection tube 108. The pure water that has flowed into the outer injection tube 108 is jetted into the processing tank 1 from each slit 108 a formed in the outer injection tube 108.
Here, since each slit 108a is arranged so as to be located between the substrates 3 arranged in the processing tank, the pure water jetted from each slit 108a flows into the space between the substrates. Further, since a substrate supporting plate 41a extending along the arrangement direction of the substrates 3 is formed at the center of the substrate guide 41, the horizontal pure water flow spouted from each slit 108a hits the substrate supporting plate 41a. The direction is changed to an upward flow. Therefore, a pure water flow is generated between the substrates in the direction of the arrow shown in FIG. 5, and the surfaces of the substrates are evenly cleaned. At this time, the chemical solution and pure water that overflowed from the upper part of the processing tank flow into the overflow groove 104 and are discharged to the outside of the decompression chamber 2 through the overflow drain pipe 105. Therefore, the particles removed from the substrate surface by the cleaning and diffused into the pure water do not stay on the liquid surface but are efficiently discharged to the outside together with the overflow water. At this time, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the minute drainage position. As a result, the chemical solution retained between the outer plate 101 and the partition plate 112 is efficiently discharged to the outside through the in-tank drain pipe 109. Since pure water is continuously supplied to the upflow pipe 106 from an external pure water supply source, the concentration of the chemical solution in the processing tank gradually decreases, and the liquid in the processing tank eventually becomes pure water only. Then, when the amount of particles contained in the discharged pure water becomes equal to or less than a predetermined amount, the cleaning process ends.

【0032】次に、図6および図7を参照して、本発明
の特徴となる排水工程について説明する。排水工程で
は、図3の3方切換弁6が、通常排液位置に切り換えら
れる。一方、外部の純水供給源から処理槽への純水の注
入は依然として継続される。このとき、単位時間当たり
の純水注入量を単位時間当たりの純水排出量よりも少な
くすることにより(純水注入量<純水排出量)、外板1
01と仕切り板112との間の空間(以下、仕切り空間
と称する)の液面レベルと、仕切り板112の内側の空
間(以下、内側空間と称する)の液面レベルとの間に差
ができる。すなわち、仕切り空間の液面レベルは、内側
空間の液面レベルよりも低くなる。したがって、内側空
間の純水は、その表面近傍部分が仕切り板112の孔1
12a(図2参照)を介して、仕切り空間内へと落下す
る。そのため、処理槽内の純水の液面は、常にオーバー
フロー状態を保ちながら下降していく。これによって、
純水の表面に浮遊するパーティクルがオーバーフロー水
と共に排出され、基板3の表面にパーティクルが再付着
するのを防止できる。すなわち、表面を常にオーバーフ
ローさせている純水中から基板を引き上げる従来の技術
(すなわち、特開平5−275412号公報に開示され
た技術)と全く同じ効果が得られる。図7に示すよう
に、処理槽内の液面レベルが基板3よりも完全に下がっ
たら、純水注入を停止し、処理槽内の純水を排出する。
Next, the drainage process which is a feature of the present invention will be described with reference to FIGS. In the drainage process, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the normal drainage position. On the other hand, the injection of pure water from the external pure water supply source to the treatment tank is still continued. At this time, by making the pure water injection amount per unit time smaller than the pure water discharge amount per unit time (pure water injection amount <pure water discharge amount), the outer plate 1
There is a difference between the liquid level in a space between the first partition 01 and the partition plate 112 (hereinafter, referred to as a partition space) and the liquid level in a space inside the partition plate 112 (hereinafter, referred to as an inside space). . That is, the liquid level in the partition space is lower than the liquid level in the inner space. Therefore, the pure water in the inner space is filled with the hole 1 in the partition plate 112 near the surface.
It falls into the partition space via 12a (see FIG. 2). Therefore, the liquid level of the pure water in the processing tank always falls while maintaining the overflow state. by this,
The particles floating on the surface of the pure water are discharged together with the overflow water, and the particles can be prevented from re-adhering to the surface of the substrate 3. That is, the same effect as the conventional technique of pulling the substrate out of pure water whose surface always overflows (that is, the technique disclosed in JP-A-5-275412) can be obtained. As shown in FIG. 7, when the liquid level in the processing bath is completely lower than that of the substrate 3, the injection of pure water is stopped, and the pure water in the processing bath is discharged.

【0033】次に、図8を参照して、乾燥工程について
説明する。乾燥工程では、図示しない外部のIPA供給
源からIPA導入管24にIPA蒸気が供給される。I
PA導入管24は、供給されたIPA蒸気をまんべんな
く各基板3に向けて噴出する。各基板3の表面では、水
滴がIPA蒸気と置換される。すなわち、IPAは、基
板表面に付いた水滴の表面張力を低下させるため、当該
水滴は、自重によって基板表面から流れ落ちる。このと
き、図3の3方切換弁6は、排気位置に切り換えられ
る。これによって、減圧チャンバ内の余分な気体が排気
され、IPAガスが各基板に効率良く分散される。な
お、水溶性でかつ基板上に残る水滴の表面張力を低下さ
せる性質を有しておれば、IPA蒸気に代えて他の有機
溶剤の蒸気を用いても良い。また、このような有機溶剤
の蒸気に代えて、加熱された水蒸気を吹き付けて基板表
面を乾燥させるようにしても良い。基板表面での水滴と
IPAとの置換が終了すると、IPA蒸気の供給が停止
される。一方、槽内排液管109を介する排気動作は継
続される。これによって、処理槽内が減圧される。その
結果、IPA蒸気の沸点が低下し、基板表面で純と置
換したIPAは、速やかに蒸発し、基板表面は短時間で
乾燥する。
Next, the drying step will be described with reference to FIG. In the drying step, IPA vapor is supplied to the IPA introduction pipe 24 from an external IPA supply source (not shown). I
The PA introduction pipe 24 jets the supplied IPA vapor evenly toward each substrate 3. On the surface of each substrate 3, water droplets are replaced with IPA vapor. That is, since IPA lowers the surface tension of water droplets attached to the substrate surface, the water droplets flow down from the substrate surface by their own weight. At this time, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the exhaust position. As a result, excess gas in the decompression chamber is exhausted, and the IPA gas is efficiently dispersed on each substrate. Note that as long as it is water-soluble and has a property of reducing the surface tension of water droplets remaining on the substrate, a vapor of another organic solvent may be used instead of the IPA vapor. Further, instead of such an organic solvent vapor, heated steam may be sprayed to dry the substrate surface. When the replacement of the water droplets with the IPA on the substrate surface is completed, the supply of the IPA vapor is stopped. On the other hand, the evacuation operation via the in-tank drain pipe 109 is continued. Thereby, the pressure inside the processing tank is reduced. As a result, the boiling point of the IPA vapor decreases, and the IPA that has been replaced with pure water on the substrate surface evaporates quickly, and the substrate surface dries in a short time.

【0034】また、このとき基板支持部111と基板3
の接触部分に残りやすい水滴をも除去するためにIPA
蒸気を供給して、一定時間経過した後、基板ガイド41
を若干上昇させて基板3を受け取ると基板支持部111
と基板3の接触していた部分が露出し、当該部分が良好
に乾燥できる。
At this time, the substrate support 111 and the substrate 3
IPA to remove water droplets that are likely to remain on the contact area
After a certain period of time has passed by supplying steam, the substrate guide 41
Is slightly raised to receive the substrate 3 and the substrate support 111
The portion where the substrate 3 and the substrate 3 are in contact is exposed, and the portion can be dried well.

【0035】次に、図9および図10を参照して、基板
のアンローディング/搬送工程について説明する。ま
ず、図9に示すように減圧チャンバの本体21から蓋2
2が取り外され、リフタ4によって基板ガイド41が上
昇させられる。図10に示すように、基板ガイド41が
減圧チャンバの上部位置まで上昇すると、搬送ロボット
5はチャック51によって基板3を把持し、他の位置へ
と搬送する。
Next, the substrate unloading / transporting step will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG.
2 is removed, and the substrate guide 41 is raised by the lifter 4. As shown in FIG. 10, when the substrate guide 41 moves up to the upper position of the decompression chamber, the transfer robot 5 holds the substrate 3 by the chuck 51 and transfers the substrate 3 to another position.

【0036】前述したように、排水工程では、単位時間
当たりの純水注入量を単位時間当たりの純水排出量より
も少なくする必要がある。しかしながら、単位時間当た
りの純水排出量は、処理槽内の液面レベルの低下すなわ
ち水圧の低下に従って徐々に少なくなるため、単位時間
当たりの純水注入量を何らかの方法で制御する必要があ
る。このために用いられる制御機構の一例を図11を参
照して説明する。図11において、処理槽1の内部に
は、液面センサ71が設けられる。この液面センサ71
には、微圧計72を介して微小量の窒素等の不活性ガス
が供給される。したがって、液面センサ71の先端から
は、窒素ガスの泡が排出される。なお、窒素ガスの泡に
よって基板に悪影響を及ぼさないようにするため、液面
センサ71には、中空円柱状のカバー76が被せられて
いる。微圧計72は、液面センサ71からの窒素ガスの
排出圧を検出することにより、処理槽内の現在の液面レ
ベルを測定する。演算回路73は、微圧計72の測定結
果に基づき、処理槽内に注入すべき現在の単位時間当た
りの純水の量を演算する。演算回路73の演算結果は、
電空レギュレータ74に与えられ、パイロットエアー圧
に変換される。このパイロットエアー圧によって圧力調
整器75は、アップフロー管106に供給する純水の圧
力すなわち処理槽内に注入される純水の量を制御する。
これによって、処理槽内の液面レベルの低下に応じて、
処理槽に注入される純水の量が低減され、常に、(純水
注入量<純水排出量)の関係が成立する。
As described above, in the drainage process, the amount of pure water injected per unit time needs to be smaller than the amount of pure water discharged per unit time. However, the amount of pure water discharged per unit time gradually decreases as the liquid level in the treatment tank decreases, that is, as the water pressure decreases. Therefore, it is necessary to control the amount of pure water injected per unit time by some method. An example of a control mechanism used for this will be described with reference to FIG. In FIG. 11, a liquid level sensor 71 is provided inside the processing tank 1. This liquid level sensor 71
Is supplied with a minute amount of an inert gas such as nitrogen through a micro pressure gauge 72. Therefore, bubbles of the nitrogen gas are discharged from the tip of the liquid level sensor 71. The liquid level sensor 71 is covered with a hollow columnar cover 76 in order to prevent the substrate from being adversely affected by nitrogen gas bubbles. The micro pressure gauge 72 measures the current liquid level in the processing tank by detecting the discharge pressure of the nitrogen gas from the liquid level sensor 71. The arithmetic circuit 73 calculates the current amount of pure water to be injected into the processing tank per unit time based on the measurement result of the micro pressure gauge 72. The calculation result of the calculation circuit 73 is
It is provided to the electropneumatic regulator 74 and is converted to pilot air pressure. The pressure regulator 75 controls the pressure of the pure water supplied to the upflow pipe 106, that is, the amount of the pure water injected into the processing tank, by the pilot air pressure.
With this, according to the decrease in the liquid level in the processing tank,
The amount of pure water injected into the treatment tank is reduced, and the relationship of (pure water injection amount <pure water discharge amount) is always established.

【0037】なお、上記のような制御機構は一例にすぎ
ず他の方法によって純水の注入量と排出量とのバランス
を調整するようにしても良い。例えば、仕切り板112
に形成される孔112aの径を、上部から下部に行くに
従って小さくするようにしても良い。この場合、処理槽
内の液面レベルが高いときは、前述の内側空間から仕切
り空間に流れ落ちる純水の量が多くなり、逆に、処理槽
内の液面レベルが低いときは、前述の内側空間から仕切
り空間に流れ落ちる純水の量が少なくなり、純水の注入
量と排出量とのバランスが調整される。
The above control mechanism is merely an example, and the balance between the amount of pure water injected and the amount of discharged pure water may be adjusted by another method. For example, the partition plate 112
The diameter of the hole 112a formed in the hole may be reduced from the upper part to the lower part. In this case, when the liquid level in the processing tank is high, the amount of pure water flowing down from the inner space to the partitioning space increases, and conversely, when the liquid level in the processing tank is low, The amount of pure water flowing down from the space to the partition space is reduced, and the balance between the amount of pure water injected and the amount of discharged pure water is adjusted.

【0038】図12は、処理槽の他の実施例を示してい
る。本実施例の処理槽は、その底部中央に、ピエゾ素子
等から成る超音波振動子8が取り付けられている。洗浄
時において、この超音波振動子を駆動することにより、
処理槽内に超音波が伝搬し、それによって各基板3の洗
浄効果が高められる。本実施例のその他の構成は、図1
に示す処理槽1と同様であり、相当する部分には同一の
参照番号を付しておく。
FIG. 12 shows another embodiment of the processing tank. In the processing tank of this embodiment, an ultrasonic vibrator 8 composed of a piezo element or the like is attached at the bottom center. At the time of cleaning, by driving this ultrasonic vibrator,
Ultrasonic waves propagate in the processing bath, thereby enhancing the effect of cleaning each substrate 3. The other configuration of the present embodiment is shown in FIG.
And the corresponding parts are denoted by the same reference numerals.

【0039】図13は、処理槽のさらに他の実施例を示
している。本実施例の処理槽は、図1に示す処理槽1の
ような仕切り板112は設けられていない。それに代え
て、処理槽100の外壁は分割外板120によって構成
されている。この分割外板120は、それぞれが単独で
回動可能な複数の回動板によって構成されている。いず
れかの回動板を初期位置(垂直に立った状態)から外方
へ回動させると、その部分で外壁に隙間が生じ、処理槽
内の純水が外部へ排出されるようになっている。そし
て、各回動板を上から順番に外方に回動させることによ
り、純水表面のオーバーフロー状態を保ちながら、液面
レベルを低下させることができる。
FIG. 13 shows still another embodiment of the processing tank. The processing tank of this embodiment is not provided with the partition plate 112 like the processing tank 1 shown in FIG. Instead, the outer wall of the processing tank 100 is constituted by the divided outer plate 120. The divided outer plate 120 is constituted by a plurality of rotating plates each of which can rotate independently. When any of the rotating plates is rotated outward from the initial position (in a state of standing vertically), a gap is formed in the outer wall at that portion, and pure water in the processing tank is discharged to the outside. I have. Then, by rotating each rotating plate outward in order from the top, the liquid level can be lowered while maintaining the overflow state of the pure water surface.

【0040】[0040]

【発明の効果】請求項1〜の発明によれば、処理槽内
で基板を静止させたまま、純水の液面を常にオーバーフ
ローさせながら低下させることができる。その結果、純
水の表面に浮遊するパーティクルがオーバーフロー水と
共に排出され、基板の表面にパーティクルが再付着する
のを防止できる。また、チャンバ内に基板の引き上げス
ペース、すなわち乾燥スペースを別途設ける必要が無く
なり、チャンバの内容積を低減できる。したがって、装
置の小型化および低価格化が図れる。また、基板を昇降
させるリフタの昇降ストロークが短くなるため、そのコ
ストも低減でき、強度上も有利になる。
According to the first to sixth aspects of the present invention, it is possible to lower the level of pure water while constantly overflowing the liquid level while keeping the substrate stationary in the processing tank. As a result, the particles floating on the surface of the pure water are discharged together with the overflow water, and the particles can be prevented from re-adhering to the surface of the substrate. In addition, there is no need to separately provide a space for lifting the substrate in the chamber, that is, a drying space. Therefore, the size and cost of the device can be reduced. In addition, since the lift stroke of the lifter for moving the substrate up and down is shortened, the cost can be reduced and the strength is advantageous.

【0041】さらに、請求項2の発明によれば、排水工
程において、処理槽に注入される純水の単位時間当たり
の量が、処理槽から排出される純水の単位時間当たりの
量の低下に応じて低減するように、純水注入量を制御し
ているので、外板と仕切り板との間の空間における液面
レベルを、仕切り板の内側の空間における液面レベルよ
りも常に低く保ちながら排水を行うことができる。
Further, according to the second aspect of the invention, in the drainage process, the amount of pure water injected into the treatment tank per unit time is reduced by the amount of pure water discharged from the treatment tank per unit time. As the pure water injection amount is controlled so as to decrease according to the above, the liquid level in the space between the outer plate and the partition plate is always kept lower than the liquid level in the space inside the partition plate. While draining can be done.

【0042】さらに、請求項3の発明によれば、仕切り
板に形成される透孔の径を下に行くほど小さくし、処理
槽内の液面レベルが低くなるにつれて、仕切り板の内側
の空間から外板と仕切り板との間の空間に流れ落ちる純
水の量が少なくなるようにしているので、処理槽に注入
される純水の量と、処理槽から排出される純水の量との
バランスを常に適切な関係に調整できる。
Further, according to the third aspect of the present invention, the diameter of the through-hole formed in the partition plate is made smaller as going downward, and the space inside the partition plate becomes lower as the liquid level in the processing tank becomes lower. The amount of pure water flowing into the space between the outer plate and the partition plate from the outside is reduced so that the amount of pure water injected into the treatment tank and the amount of pure water discharged from the treatment tank The balance can always be adjusted to an appropriate relationship.

【0043】さらに、請求項4および7の発明によれ
ば、乾燥処理中に2つの基板支持手段が基板を持ち換え
るので、基板と支持手段が常に接触する部分がなくな
り、基板全体が均一に乾燥できる。
Further, according to the fourth and seventh aspects of the present invention, since the two substrate support means change the substrate during the drying process, there is no portion where the substrate and the support means are always in contact, and the entire substrate is uniformly dried. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置の構成を
示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例において、減圧チャンバ内に収納
される処理槽の構成を示す一部破断斜視図である。
FIG. 2 is a partially broken perspective view showing a configuration of a processing tank housed in a decompression chamber in the embodiment of FIG.

【図3】図1の実施例において、槽内排液管109に取
り付けられる3方切換弁を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a three-way switching valve attached to the in-tank drain pipe 109 in the embodiment of FIG.

【図4】図1の実施例において、基板の搬送/ローディ
ング時の動作状態を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an operation state at the time of carrying / loading a substrate in the embodiment of FIG. 1;

【図5】図1の実施例において、基板の薬液処理工程お
よび洗浄工程における動作状態を示す図である。
FIG. 5 is a view showing an operation state in a chemical solution processing step and a cleaning step of the substrate in the embodiment of FIG. 1;

【図6】図1の実施例において、排水工程における動作
状態を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an operation state in a drainage step in the embodiment of FIG.

【図7】図1の実施例において、排水工程終了時の動作
状態を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an operation state at the end of a drainage process in the embodiment of FIG.

【図8】図1の実施例において、基板の乾燥工程におけ
る動作状態を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an operation state in a substrate drying step in the embodiment of FIG. 1;

【図9】図1の実施例において、基板のアンローディン
グ時の動作状態を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an operation state when the substrate is unloaded in the embodiment of FIG. 1;

【図10】図1の実施例において、基板の搬送時の動作
状態を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an operation state at the time of transferring a substrate in the embodiment of FIG. 1;

【図11】液面レベルの低下に連動して、純水の注入量
を制御する機構の一例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an example of a mechanism for controlling the amount of pure water injected in conjunction with a decrease in the liquid level.

【図12】処理槽の他の実施例を示す図である。FIG. 12 is a view showing another embodiment of the processing tank.

【図13】処理槽のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 13 is a view showing still another embodiment of the processing tank.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…処理槽 101…外板 106…アップフロー管 107…注入内管 108…注入外管 109…槽内排液管 111…基板支持部 112…仕切り板 112a…孔 2…減圧チャンバ 24…IPA導入管 3…基板 4…リフタ 71…液面センサ 8…超音波振動子 120…分割外板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing tank 101 ... Outer plate 106 ... Upflow pipe 107 ... Injection inner pipe 108 ... Injection outer pipe 109 ... Drain pipe in tank 111 ... Substrate support part 112 ... Partition plate 112a ... Hole 2 ... Decompression chamber 24 ... IPA introduction Tube 3 ... Substrate 4 ... Lifter 71 ... Liquid level sensor 8 ... Ultrasonic vibrator 120 ... Split outer plate

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 同一チャンバ内において、少なくとも基
板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であっ
て、 前記チャンバ内には、複数の前記基板が所定の間隔を開
けて配列される処理槽が収納されており、 前記処理槽は、 外壁を規定する外板と、 前記外板の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつそ
の表面に複数の透孔が形成された仕切り板と、 底部に接続された液体注入管と、 前記外板に接続された液体排出管とを含み、 前記基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、前
記液体注入管から前記処理槽内に純水を連続して供給
し、かつ前記液体排出管から前記処理槽に貯まった純水
を連続して排出することを特徴とする、基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing at least a substrate cleaning process and a drying process in a same chamber, wherein a processing tank in which a plurality of the substrates are arranged at predetermined intervals in the chamber. Is stored, the processing tank, an outer plate defining an outer wall, provided at a predetermined interval inside the outer plate, and a partition plate having a plurality of through holes formed on the surface thereof, A liquid injection pipe connected to a bottom portion; and a liquid discharge pipe connected to the outer plate. In a draining process performed after the cleaning of the substrate, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe into the processing tank. A substrate processing apparatus, wherein the pure water stored in the processing tank is continuously discharged from the liquid discharge pipe.
【請求項2】 前記排水工程において、前記処理槽に注
入される純水の単位時間当たりの量を、処理槽から排出
される純水の単位時間当たりの量の低下に応じて低減さ
せるための純水注入量制御手段をさらに備える、請求項
1に記載の基板処理装置。
2. The method according to claim 1, wherein in the draining step, the amount of pure water injected into the processing tank per unit time is reduced according to a decrease in the amount of pure water discharged from the processing tank per unit time. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a pure water injection amount control unit.
【請求項3】 前記仕切り板に形成される透孔は、当該
仕切り板の上部から下部に行くに従って、その径が小さ
くされていることを特徴とする、請求項1に記載の基板
処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the diameter of the through-hole formed in the partition plate is reduced from an upper portion to a lower portion of the partition plate.
【請求項4】 さらに、前記処理槽内の固定基板支持手
段と、 前記処理槽内と処理槽外間で昇降自在な可動基板支持手
段とを備え、 前記基板の前記排水工程終了後に行われる前記乾燥処理
を行う際に、当該乾燥処理中に前記固定基板支持手段か
ら前記可動基板支持手段へ前記基板を受け渡す、請求項
1に記載の 基板処理装置。
4. Further, the fixed substrate supporting means of the processing bath, the processing and the processing tank Bei example a vertically movable movable substrate support means in Sotoma tank, said to be performed the following draining process is completed the substrate Drying process
When performing, during the drying process, the fixed substrate support means
Transferring the substrate to the movable substrate supporting means from
2. The substrate processing apparatus according to 1.
【請求項5】 その内部に複数の基板が所定の間隔を開
けて配列され、同一チャンバ内において、各基板に対し
て少なくとも洗浄処理と乾燥処理とを施す処理槽であっ
て、 外壁を規定する外板と、 前記外板の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつそ
の表面に複数の透孔が形成された仕切り板と、 底部に接続された液体注入管と、 前記外板に接続された液体排出管とを備え、 前記基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、前
記液体注入管から純水が連続して供給され、かつ前記液
体排出管から前記処理槽に貯まった純水が連続して排出
されることを特徴とする、処理槽。
5. A processing tank in which a plurality of substrates are arranged at predetermined intervals and at least a cleaning process and a drying process are performed on each substrate in the same chamber, and define an outer wall. An outer plate, a partition plate provided at a predetermined interval inside the outer plate and having a plurality of through-holes formed on a surface thereof; a liquid injection pipe connected to a bottom portion; and a connection to the outer plate. In a drain step performed after the cleaning of the substrate is completed, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe, and pure water stored in the processing tank from the liquid discharge pipe is provided. A treatment tank characterized by being continuously discharged.
【請求項6】 その内部に複数の基板が所定の間隔を開
けて配列され、同一チャンバ内において、各基板に対し
て少なくとも洗浄処理と乾燥処理とを施す処理槽であっ
て、 それぞれが回動可能な複数の回動板によって構成され、
かつ外壁を規定する分割外板と、 底部に接続された液体注入管とを備え、 前記基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、前
記液体注入管から純水が連続して供給され、かつ回動板
が上から順番に回動されることにより前記処理槽に貯ま
った純水が連続して排出されることを特徴とする、処理
槽。
6. A processing tank in which a plurality of substrates are arranged at a predetermined interval and at least a cleaning process and a drying process are performed on each substrate in the same chamber. Constituted by a plurality of possible rotating plates,
And a divided outer plate defining an outer wall; and a liquid injection pipe connected to a bottom portion. In a draining step performed after washing of the substrate, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe, and A processing tank, wherein the pure water stored in the processing tank is continuously discharged by rotating the moving plate in order from the top.
【請求項7】 同一チャンバ内において、少なくとも基
板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であっ
て、 前記チャンバ内に収納されるとともに、複数の前記基板
が所定の間隔を空けて配列される処理槽と、 前記処理槽内の固定基板支持手段と、 前記処理槽内と処理槽外間で昇降自在な可動基板支持手
段とを備え、 前記基板の前記洗浄処理終了後に行われる乾燥処理を行
う際に、当該乾燥処理中に前記固定基板支持手段から前
記可動基板支持手段へ前記基板を受け渡す、基板処理装
置。
7. At least a substrate in the same chamber.
A substrate processing apparatus that performs plate cleaning and drying.
A plurality of the substrates accommodated in the chamber and
Are arranged at predetermined intervals, fixed substrate support means in the processing tank, and a movable substrate supporter which can be moved up and down between the processing tank and the outside of the processing tank.
And a stage, line drying process performed after the cleaning process the end of the substrate
During the drying process,
A substrate processing apparatus for delivering the substrate to the movable substrate supporting means;
Place.
【請求項8】 前記処理槽内に設けられ、前記乾燥処理
の際に前記基板の表面にイソプロピルアルコール(IP
A)を供給するIPA導入管をさらに備える、請求項7
に記載の基板処理装置。
8. The drying treatment provided in the treatment tank.
At this time, isopropyl alcohol (IP
8. The system according to claim 7, further comprising an IPA introduction pipe for supplying A).
A substrate processing apparatus according to claim 1.
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