JPH08141526A - Substrate treatment apparatus and treatment tank used therein - Google Patents

Substrate treatment apparatus and treatment tank used therein

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JPH08141526A
JPH08141526A JP28782694A JP28782694A JPH08141526A JP H08141526 A JPH08141526 A JP H08141526A JP 28782694 A JP28782694 A JP 28782694A JP 28782694 A JP28782694 A JP 28782694A JP H08141526 A JPH08141526 A JP H08141526A
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substrate
pure water
processing tank
tank
treatment tank
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Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PURPOSE: To reduce the inner vol. of a vacuum chamber to a large extent by preventing the re-adhesion of particles to a substrate after the washing of the substrate. CONSTITUTION: When a treatment tank 1 is drained after a substrate 3 is washed with pure water, pure water is discharged from an outer plate 101 while supplied from the bottom part of the treatment tank 1. The treatment tank is partitioned by partition plates 112 and the pure water in the space between them is discharged rapidly as compared with the pure water in the space inside the partition plates 112. As a result, difference in level is generated between the liquid level in the former space and that in the latter space and the pure water of the surface of the latter space flows down to the outside through a through-hole and the liquid level thereof lowers by the overflow of pure water and, therefore, particles floating on the surface of pure water overflow to be discharged and the re-adhesion of particles to the surface of the substrate is prevented. Since drainage is performed while the substrate is stopped within the treatment tank, it is unnecessary to provide a substrate lifting space in a chamber and the inner vol. of the chamber can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置およびそ
れに用いられる処理槽に関し、より特定的には、半導体
デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセ
ス、電子部品関連製造プロセス等において、シリコンウ
エハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板に対して所定
の処理(少なくとも洗浄処理および乾燥処理)を施す装
置およびそれに用いられる処理槽に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing bath used for the same, and more specifically, in a semiconductor device manufacturing process, a liquid crystal display manufacturing process, an electronic component-related manufacturing process, etc., a silicon wafer, a glass, etc. The present invention relates to an apparatus for performing a predetermined process (at least a cleaning process and a drying process) on various substrates such as substrates and electronic components, and a processing tank used for the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウエハ等の各種基板を、温水を
使用して洗浄し、その洗浄後に基板表面を乾燥させる方
法としては、従来、例えば特開平3−30330号公報
に開示されているような方法が知られている。同号公報
には、基板をチャンバ内に収納し、そのチャンバ内に温
水を注入して基板を温水に浸した後、チャンバ内を温水
の蒸気圧以下に減圧して温水を沸騰させ、この温水の減
圧沸騰により基板を洗浄し、その洗浄後にチャンバ内に
純水を注入し、純水によって基板をすすいで清浄にした
後、チャンバ内の水を排出させるとともに、チャンバ内
を真空引きして、洗浄された基板を乾燥させるようにす
る基板の洗浄・乾燥処理方法が開示されている。また、
同号公報には、チャンバ内の水を排出させる際に、その
排水と同時に窒素ガスをチャンバ内に供給することによ
り、基板に塵埃が付着するのを有効に防止する技術が開
示されている。
2. Description of the Related Art As a method for cleaning various substrates such as silicon wafers using hot water and drying the substrate surface after the cleaning, a method disclosed in, for example, JP-A-3-30330 is conventionally known. Methods are known. In the same publication, a substrate is housed in a chamber, hot water is injected into the chamber to immerse the substrate in the hot water, and then the chamber is depressurized to a vapor pressure of the hot water or less to boil the hot water. After cleaning the substrate by reduced pressure boiling of water, injecting pure water into the chamber after the cleaning, rinsing the substrate with pure water to clean it, draining the water in the chamber, and evacuating the chamber, A substrate cleaning / drying treatment method for drying a cleaned substrate is disclosed. Also,
The publication discloses a technique for effectively preventing dust from adhering to a substrate by supplying nitrogen gas into the chamber at the same time as draining the water when the water in the chamber is discharged.

【0003】また、特開平5−275412号公報に
は、基板をチャンバ内の洗浄槽に収納し、温純水を洗浄
槽内へその底部から供給してその上部から溢れさせると
ともに、洗浄槽内部に温純水の上昇水流を形成し、その
温純水の上昇水流中に基板を浸漬させて洗浄し、その洗
浄後に基板を温純水中から引き上げて洗浄槽内から温純
水を排出し、その後チャンバ内を真空排気して、基板を
減圧乾燥させるようにする基板の洗浄・乾燥処理方法が
開示されている。また、同号公報には、温純水中からの
基板の引き上げ工程において、加熱されかつイオン化さ
れた窒素ガスを基板の周囲へ供給することにより、基板
に塵埃が付着するのを有効に防止する技術が開示されて
いる。
Further, in JP-A-5-275412, a substrate is housed in a cleaning tank in a chamber, hot pure water is supplied into the cleaning tank from the bottom thereof to overflow from the upper portion thereof, and hot pure water is introduced into the cleaning tank. To form a rising water flow of, the substrate is immersed in the rising water flow of the warm pure water for cleaning, and after the cleaning, the substrate is pulled out of the warm pure water to discharge the warm pure water from the cleaning tank, and then the chamber is evacuated to a vacuum, A substrate cleaning / drying treatment method is disclosed in which the substrate is dried under reduced pressure. Further, in the same publication, in a process of pulling a substrate out of hot pure water, a technique of effectively preventing dust from adhering to the substrate by supplying heated and ionized nitrogen gas to the periphery of the substrate is disclosed. It is disclosed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記した特開平3−3
0330号公報に開示された方法では、温水により基板
を洗浄し純水で基板をすすいだ後、基板を静止させたま
まチャンバ内から排水するようにしている。このよう
に、基板を静止させた状態で排水し、チャンバ内の液面
を下げていって基板の周囲から水を排除するようにして
いるが、チャンバからの排水過程では、洗浄によって基
板表面から除去されて液中に拡散したパーティクルが液
面付近に集中する。このため、静止した基板の表面上を
液面が下降していく際に、基板の表面にパーティクルが
再付着し易い、といった問題点がある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
In the method disclosed in Japanese Patent No. 0330, the substrate is washed with warm water, rinsed with pure water, and then drained from the chamber while the substrate is stationary. In this way, the substrate is drained while the substrate is stationary, and the liquid level in the chamber is lowered to remove water from around the substrate. Particles that have been removed and diffused into the liquid concentrate near the liquid surface. For this reason, when the liquid level falls on the surface of the stationary substrate, there is a problem that particles easily adhere to the surface of the substrate.

【0005】一方、特開平5−275412号公報に開
示された方法では、基板洗浄後、洗浄槽の上部から純水
を溢れさせた状態で基板を純水中から引き上げるように
しているため、基板表面から除去されて純水中に拡散し
たパーティクルは、洗浄槽の上部から溢れ出る純水と共
に洗浄槽から排出され、基板の引き上げ時においてパー
ティクルが基板表面に再付着することが起こらない。し
かしながら、同号公報に開示された方法では、チャンバ
内において洗浄槽の上部に、基板の引き上げスペース、
すなわち乾燥スペースを確保しなければならず、チャン
バの内容積が大きくなってしまう。その結果、装置が大
型化してコストが上昇すると共に、減圧時において所定
の真空度に達するまでの時間が長くなるという問題点が
あった。また、この場合、基板の搬送位置(他工程から
のまたは他工程への搬送位置)は、チャンバのさらに上
にあるため、チャンバ内の基板を昇降させるリフタのス
トロークが大きくなる。その結果、コストの上昇を招
き、またリフタの強度も大きくする必要があるという問
題点がある。
On the other hand, in the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-275412, after cleaning the substrate, the substrate is pulled up from the pure water while the pure water overflows from the upper part of the cleaning tank. The particles removed from the surface and diffused in the pure water are discharged from the cleaning tank together with the pure water overflowing from the upper part of the cleaning tank, and the particles do not reattach to the substrate surface when the substrate is pulled up. However, in the method disclosed in the above publication, a space for raising the substrate is provided in the chamber above the cleaning tank.
That is, it is necessary to secure a drying space, and the inner volume of the chamber becomes large. As a result, there is a problem that the size of the apparatus is increased and the cost is increased, and that it takes a long time to reach a predetermined degree of vacuum when the pressure is reduced. Further, in this case, since the substrate transfer position (the transfer position from or to another process) is further above the chamber, the stroke of the lifter for raising and lowering the substrate in the chamber becomes large. As a result, there is a problem that the cost is increased and it is necessary to increase the strength of the lifter.

【0006】それゆえに、本発明の目的は、基板洗浄後
にパーティクルが基板に再付着するのを防止でき、しか
も減圧チャンバの内容積を大幅に低減し得る基板処理装
置およびそれに用いられる処理槽を提供することであ
る。
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which can prevent particles from re-adhering to the substrate after cleaning the substrate and can significantly reduce the internal volume of the decompression chamber, and a processing bath used therefor. It is to be.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
同一チャンバ内において、少なくとも基板の洗浄処理と
乾燥処理とを行う基板処理装置であって、チャンバ内に
は、複数の基板が所定の間隔を開けて配列される処理槽
が収納されており、処理槽は、外壁を規定する外板と、
外板の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつその表
面に複数の透孔が形成された仕切り板と、底部に接続さ
れた液体注入管と、外板に接続された液体排出管とを含
み、基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、液
体注入管から処理槽内に純水を連続して供給し、かつ液
体排出管から処理槽に貯まった純水を連続して排出する
ことを特徴とする。
The invention according to claim 1 is
A substrate processing apparatus for performing at least a substrate cleaning process and a drying process in the same chamber, wherein a processing tank in which a plurality of substrates are arranged at a predetermined interval is housed in the chamber. The tank is an outer plate that defines the outer wall,
A partition plate provided inside the outer plate with a predetermined gap and having a plurality of through holes formed on the surface thereof, a liquid injection pipe connected to the bottom portion, and a liquid discharge pipe connected to the outer plate. In the drainage process performed after the completion of cleaning of the substrate, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe into the processing tank, and the pure water stored in the processing tank is continuously discharged from the liquid discharge pipe. Is characterized by.

【0008】請求項2に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、排水工程において、処理槽に注入される純水の
単位時間当たりの量を、処理槽から排出される純水の単
位時間当たりの量の低下に応じて低減させるための純水
注入量制御手段をさらに備えている。
According to a second aspect of the invention, in the invention of the first aspect, the amount of pure water injected into the treatment tank per unit time in the drainage step is defined as the amount of pure water discharged from the treatment tank per unit time. It further comprises a pure water injection amount control means for reducing the amount according to the decrease in the amount.

【0009】請求項3に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、仕切り板に形成される透孔は、当該仕切り板の
上部から下部に行くに従って、その径が小さくされてい
ることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the diameter of the through hole formed in the partition plate is made smaller from the upper part to the lower part of the partition plate. To do.

【0010】請求項4に係る発明は、同一チャンバ内に
おいて、少なくとも基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う
基板処理装置であって、チャンバ内に収納されるととも
に、複数の基板が所定の間隔を空けて配列される処理槽
と、処理槽内の固定基板支持手段と、処理槽内と処理槽
外間で昇降自在な可動基板支持手段とを備えている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing at least a cleaning process and a drying process on a substrate in the same chamber, wherein the plurality of substrates are accommodated in the chamber and a plurality of substrates are arranged at predetermined intervals. It is provided with a processing tank which is arranged so as to be vacant, a fixed substrate supporting means inside the processing tank, and a movable substrate supporting means which can be raised and lowered between the inside and outside of the processing tank.

【0011】請求項5に係る発明は、その内部に複数の
基板が所定の間隔を開けて配列され、同一チャンバ内に
おいて、各基板に対して少なくとも洗浄処理と乾燥処理
とを施す処理槽であって、外壁を規定する外板と、外板
の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつその表面に
複数の透孔が形成された仕切り板と、底部に接続された
液体注入管と、外板に接続された液体排出管とを備え、
基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、液体注
入管から純水が連続して供給され、かつ液体排出管から
処理槽に貯まった純水が連続して排出されることを特徴
とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a processing tank in which a plurality of substrates are arranged at a predetermined interval, and each substrate is subjected to at least a cleaning process and a drying process in the same chamber. An outer plate that defines the outer wall, a partition plate that is provided inside the outer plate at a predetermined interval, and has a plurality of through holes formed on the surface thereof, and a liquid injection pipe connected to the bottom portion, With a liquid discharge pipe connected to the outer plate,
In the drainage process performed after the cleaning of the substrate, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe, and pure water stored in the processing tank is continuously discharged from the liquid discharge pipe.

【0012】請求項6に係る発明は、その内部に複数の
基板が所定の間隔を開けて配列され、同一チャンバ内に
おいて、各基板に対して少なくとも洗浄処理と乾燥処理
とを施す処理槽であって、それぞれが回動可能な複数の
回動板によって構成され、かつ外壁を規定する分割外板
と、底部に接続された液体注入管とを備え、基板の洗浄
終了後に行われる排水工程において、液体注入管から純
水が連続して供給され、かつ回動板が上から順番に回動
されることにより処理槽に貯まった純水が連続して排出
されることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a processing tank in which a plurality of substrates are arranged at a predetermined interval, and each substrate is subjected to at least a cleaning process and a drying process in the same chamber. In the drainage step performed after the completion of cleaning of the substrate, each of which is composed of a plurality of rotatable plates that are rotatable and includes a divided outer plate that defines an outer wall and a liquid injection pipe connected to the bottom, Pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe, and the pure water stored in the processing tank is continuously discharged by rotating the rotary plate in order from the top.

【0013】[0013]

【作用】請求項1および4に係る発明においては、基板
の洗浄終了後に処理槽内の排水を行う場合、処理槽の底
部から純水を供給しつつ、外板から純水を排出するよう
にしている。ここで、処理槽内は、仕切り板によって仕
切られているため、外板と仕切り板との間の空間におけ
る純水は、仕切り板の内側の空間における純水よりも速
く排出されることになる。その結果、外板と仕切り板と
の間の空間における液面レベルと、仕切り板の内側の空
間における液面レベルとの間で段差が生じる。したがっ
て、仕切り板の内側の空間において、表面付近の純水
は、仕切り板に形成された透孔を介して、外板と仕切り
板との間の空間に流れ落ちることになる。これは、液面
がオーバーフローしている状態と全く等価である。この
ように、純水の液面が常にオーバーフローしながら低下
していくので、純水の表面に浮遊するパーティクルがオ
ーバーフロー水と共に排出され、基板の表面にパーティ
クルが再付着するのを防止できる。また、基板を処理槽
内で停止させたままで排水が行えるので、チャンバ内に
基板の引き上げスペース、すなわち乾燥スペースを別途
設ける必要が無くなり、チャンバの内容積を低減でき
る。その結果、装置が小型化され、かつ価格も安くでき
る。また、基板を昇降させるリフタの昇降ストロークが
短くなるため、そのコストが低下し、強度上も有利にな
る。
In the inventions according to claims 1 and 4, when draining the inside of the processing tank after cleaning the substrate, the pure water is discharged from the outer plate while supplying the pure water from the bottom of the processing tank. ing. Here, since the inside of the processing tank is partitioned by the partition plate, the pure water in the space between the outer plate and the partition plate is discharged faster than the pure water in the space inside the partition plate. . As a result, a level difference occurs between the liquid level in the space between the outer plate and the partition plate and the liquid level in the space inside the partition plate. Therefore, in the space inside the partition plate, the pure water near the surface flows down into the space between the outer plate and the partition plate through the through hole formed in the partition plate. This is completely equivalent to the state where the liquid surface overflows. In this way, since the liquid surface of pure water is constantly overflowing and falling, it is possible to prevent particles floating on the surface of pure water from being discharged together with overflow water and reattaching to the surface of the substrate. In addition, since the drainage can be performed while the substrate is stopped in the processing tank, it is not necessary to separately provide a space for raising the substrate, that is, a drying space in the chamber, and the inner volume of the chamber can be reduced. As a result, the device can be downsized and the cost can be reduced. Further, since the lifting stroke of the lifter for raising and lowering the substrate is shortened, the cost thereof is reduced, which is advantageous in strength.

【0014】排水工程では、単位時間当たりの純水注入
量を単位時間当たりの純水排出量よりも少なくする必要
がある。しかしながら、単位時間当たりの純水排出量
は、処理槽内の液面レベルの低下すなわち水圧の低下に
従って徐々に少なくなるため、単位時間当たりの純水注
入量を何らかの方法で制御する必要がある。そこで、請
求項2に係る発明においては、排水工程において、処理
槽に注入される純水の単位時間当たりの量が、処理槽か
ら排出される純水の単位時間当たりの量の低下に応じて
低減させるように、純水注入量を制御している。これに
よって、外板と仕切り板との間の空間における液面レベ
ルを、仕切り板の内側の空間における液面レベルよりも
常に低く保ちながら排水を行うことができる。
In the drainage process, the amount of pure water injected per unit time needs to be smaller than the amount of pure water discharged per unit time. However, the amount of pure water discharged per unit time gradually decreases as the liquid level in the processing tank decreases, that is, the water pressure decreases. Therefore, it is necessary to control the amount of pure water injected per unit time by some method. Therefore, in the invention according to claim 2, in the drainage process, the amount of pure water injected into the treatment tank per unit time is reduced according to the decrease in the amount of pure water discharged from the treatment tank per unit time. The pure water injection amount is controlled so as to reduce the amount. Thereby, drainage can be performed while always keeping the liquid level in the space between the outer plate and the partition plate lower than the liquid level in the space inside the partition plate.

【0015】請求項3に係る発明においては、仕切り板
に形成される透孔の径が下に行くほど小さくなるため、
処理槽内の液面レベルが低くなるにつれて、仕切り板の
内側の空間から外板と仕切り板との間の空間に流れ落ち
る、すなわちオーバーフローする純水の量が少なくな
る。これによって、処理槽に注入される量と、処理槽か
ら排出される純水の量とのバランスが調整される。
In the invention according to claim 3, since the diameter of the through hole formed in the partition plate becomes smaller as it goes downward,
As the liquid level in the processing tank decreases, the amount of pure water that flows down from the space inside the partition plate to the space between the outer plate and the partition plate, that is, overflows, decreases. As a result, the balance between the amount injected into the processing tank and the amount of pure water discharged from the processing tank is adjusted.

【0016】請求項4に係る発明においては、基板支持
手段が処理槽内の固定のものと、処理槽内外間で可動の
ものとがあるので、基板の乾燥処理を行う際に両者で基
板の受け渡しを行えば、基板端縁に液が残ることなく均
一に乾燥できる。
In the invention according to claim 4, since the substrate supporting means includes a fixed one inside the processing tank and a movable one between the inside and outside of the processing tank, both of the substrates are supported when the substrate is dried. If it is delivered, the liquid can be uniformly dried without the liquid remaining on the edge of the substrate.

【0017】請求項5に係る発明においては、基板の洗
浄終了後に処理槽内の排水を行う場合、分割外板を構成
する回動板を上から順番に回動することにより、処理槽
に貯まった純水がオーバーフロー状態を保ちながら連続
して排出される。
According to the fifth aspect of the present invention, when draining the inside of the processing tank after the cleaning of the substrate is completed, the rotating plates constituting the divided outer plates are sequentially rotated from the top so as to be stored in the processing tank. Pure water is continuously discharged while maintaining the overflow state.

【0018】[0018]

【実施例】図1は、本発明の一実施例に係る基板処理装
置の構成を示す断面図である。図2は、減圧チャンバ内
に収納される処理槽の構成を示す一部破断斜視図であ
る。なお、本実施例の基板処理装置は、従来の洗浄・乾
燥装置と同様に、1つの減圧チャンバ内で、各種基板
(半導体集積回路のためのシリコンウエハ、液晶表示装
置のためのガラス基板、他の電子部品のための基板等)
の洗浄処理および乾燥処理を行うが、さらに、同一の減
圧チャンバ内でエッチングやレジスト膜剥離等のための
薬液処理も行える構成となっている。この薬液処理は、
基板を各種の薬液(硫酸、過酸化水素、塩酸、フッ酸、
バッファードフッ酸、リン酸等)に浸すことにより行わ
れる。ただし、本発明の基板処理装置は、従来の洗浄・
乾燥装置と同様、基板の洗浄処理および乾燥処理のみを
行う構成とされてもよいことを予め指摘しておく。この
場合、薬液処理は、他工程として別の装置で行われるで
あろう。以下、図1および図2を参照して、本実施例の
基板処理装置の構成について説明する。
1 is a sectional view showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing the structure of the processing tank housed in the decompression chamber. The substrate processing apparatus of the present embodiment is similar to the conventional cleaning / drying apparatus in one decompression chamber, and various substrates (silicon wafers for semiconductor integrated circuits, glass substrates for liquid crystal display devices, etc. Substrates for electronic components, etc.)
Although the cleaning treatment and the drying treatment are performed, the chemical treatment for etching and resist film peeling can be performed in the same decompression chamber. This chemical treatment is
Substrates are coated with various chemicals (sulfuric acid, hydrogen peroxide, hydrochloric acid,
Buffered hydrofluoric acid, phosphoric acid, etc.). However, the substrate processing apparatus of the present invention is
It is pointed out in advance that, like the drying device, only the cleaning process and the drying process of the substrate may be performed. In this case, the chemical liquid treatment will be performed by another device as another process. The configuration of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.

【0019】まず、図1を参照して、処理槽1は、減圧
チャンバ2内に、取り外し可能にまたは固定的に収納さ
れている。この処理槽1の内部には、複数枚(例えば、
50枚)の基板3がそれぞれ所定の間隔を開けてかつ平
行に配列されている。減圧チャンバ2は、処理槽1を収
納する本体21と、この本体21の上部に取り付けられ
る蓋22とから構成されている。蓋22を本体21に取
り付けると、Oリング23の作用により、蓋22と本体
21とが密着され、減圧チャンバ2の内部は密閉状態と
なる。また、蓋22の裏面には、IPA(イソプロピル
アルコール)導入管24が取り付けられている。このI
PA導入管24は、処理槽1の内部に収納される基板3
の配列方向(すなわち、図1の紙面に対して垂直方向)
に沿って延びており、その両端部は、蓋22を貫通し
て、図示しない外部のIPA供給源と接続されている。
First, referring to FIG. 1, the processing tank 1 is detachably or fixedly housed in a decompression chamber 2. A plurality of sheets (for example,
The (fifty) substrates 3 are arranged in parallel at predetermined intervals. The decompression chamber 2 is composed of a main body 21 that houses the processing tank 1, and a lid 22 that is attached to the upper portion of the main body 21. When the lid 22 is attached to the main body 21, the lid 22 and the main body 21 are brought into close contact with each other by the action of the O-ring 23, and the inside of the decompression chamber 2 is sealed. Further, an IPA (isopropyl alcohol) introducing pipe 24 is attached to the back surface of the lid 22. This I
The PA introduction pipe 24 is the substrate 3 housed inside the processing tank 1.
Array direction (that is, the direction perpendicular to the plane of FIG. 1)
, And both ends thereof penetrate the lid 22 and are connected to an external IPA supply source (not shown).

【0020】次に、図1および図2を参照して、処理槽
1の構成をより詳細に説明する。処理槽1の外壁は、外
板101によって規定されており、ほぼ直方体の外形を
有している。なお、処理槽1の上部は開口しており、そ
の底部は中央部が下方に突出した逆屋根形状に形成され
ている。この逆屋根形状の稜線102は、基板3の配列
方向に沿って延びている。外板101の上部外周には、
その周囲を取り囲むように、受け板103が設けられて
いる。この受け板103は、外板11の上部周縁と協働
して、処理槽1から溢れ出た液体(純水または薬液)を
受けるためのオーバーフロー溝104を形成する。処理
槽1の前端近傍であって、受け板12の下部には、孔が
開けられ、この孔にはオーバーフロー排液管105の一
端が接続されている。オーバーフロー排液管の他端は、
図示しないが、減圧チャンバ2の本体側面を貫通して外
部へと導かれている。すなわち、オーバーフロー溝10
4に溢れ出た純水(または薬液)は、このオーバーフロ
ー排液管105を介して減圧チャンバ2の外部へと排出
される。
Next, the structure of the processing tank 1 will be described in more detail with reference to FIGS. 1 and 2. The outer wall of the processing tank 1 is defined by the outer plate 101 and has a substantially rectangular parallelepiped outer shape. The top of the processing tank 1 is open, and the bottom of the processing tank 1 is formed in the shape of an inverted roof with its central portion protruding downward. The inverted roof-shaped ridge line 102 extends along the arrangement direction of the substrates 3. On the outer periphery of the upper part of the outer plate 101,
A receiving plate 103 is provided so as to surround the periphery thereof. The receiving plate 103 cooperates with the upper peripheral edge of the outer plate 11 to form an overflow groove 104 for receiving the liquid (pure water or chemical liquid) overflowing from the processing tank 1. A hole is made in the lower part of the receiving plate 12 near the front end of the processing tank 1, and one end of the overflow drainage pipe 105 is connected to this hole. The other end of the overflow drain is
Although not shown, it penetrates the side surface of the main body of the decompression chamber 2 and is guided to the outside. That is, the overflow groove 10
The pure water (or the chemical liquid) overflowing to 4 is discharged to the outside of the decompression chamber 2 through the overflow drain pipe 105.

【0021】処理槽1の前端近傍であってその下部に
は、アップフロー管106が設けられる。このアップフ
ロー管106の一端は、図示しないが、減圧チャンバ2
の本体側面を貫通して外部へと導かれ、純水および薬液
の供給源に接続されている。アップフロー管106の他
端は、処理槽1の前端部で左右に分岐し、処理槽1の左
右両側部に設けられた注入内管107と接続されてい
る。この注入内管107の外周を所定の間隔を開けて取
り囲むように、注入外管108が設けられる。左右の注
入外管108は、それぞれ基板3の配列方向に沿って延
びており、処理槽1の底部と左右側部との間を連結して
いる。注入内管107の外周には、その軸方向に沿って
複数の孔107aが所定間隔毎に形成されている。各孔
107aは、処理槽内の基板3と反対の方向に向いて開
口している。注入外管108の外周には、複数のスリッ
ト108aが所定の間隔毎に形成されている。各スリッ
ト108aは、処理槽内の基板3の方向に向いて開口し
ている。また、各スリット108aは、それぞれが各基
板3の間に位置するように配置されている。なお、左右
の注入内管107および注入外管108は、処理槽1の
後端近傍において、終端されている。
An upflow pipe 106 is provided near the front end of the processing tank 1 and below the front end. Although not shown, one end of the upflow pipe 106 has a pressure reducing chamber 2
Is penetrated through the side surface of the main body to be guided to the outside, and is connected to a supply source of pure water and a chemical solution. The other end of the upflow pipe 106 branches left and right at the front end of the processing tank 1 and is connected to the injection inner pipes 107 provided on both left and right sides of the processing tank 1. An outer injection tube 108 is provided so as to surround the outer circumference of the inner injection tube 107 at a predetermined interval. The left and right outer injection tubes 108 extend along the arrangement direction of the substrates 3 and connect the bottom of the processing tank 1 and the left and right side portions. A plurality of holes 107a are formed in the outer circumference of the injection inner tube 107 along the axial direction at predetermined intervals. Each hole 107a is opened in the direction opposite to the substrate 3 in the processing tank. A plurality of slits 108 a are formed on the outer circumference of the outer injection tube 108 at predetermined intervals. Each slit 108a is open toward the substrate 3 in the processing bath. Further, each slit 108 a is arranged so as to be located between each substrate 3. The left and right inner injection pipes 107 and outer injection pipes 108 are terminated near the rear end of the processing tank 1.

【0022】外板101の左右側部であって、注入外管
108の斜め上方には、槽内排液管109が設けられ
る。この槽内排液管109の一端は、外板101の左右
側部に開けられた孔110と接続されている。また、左
右の槽内排液管109は、処理槽1の前端近傍において
統合され、その他端は、図示しないが減圧チャンバ2の
本体側面を貫通して外部へと導かれている。これによっ
て、処理槽内の液体が槽内排液管109を介して外部へ
と排出される。なお、減圧チャンバ2の外部に導かれた
槽内排液管109には、図3に示すような3方切換弁6
が取り付けられる。この3方切換弁6は、3つの排出位
置、すなわち微小排液位置、通常排液位置、排気位置の
いずれかに切り換え得るように構成されている。微小排
液位置では、処理槽内の液体が少量ずつ排出される。通
常排液位置では、処理槽内の液体が微小排液位置よりも
多い通常量ずつ排出される。排気位置では、処理槽内の
気体が排出される。
A tank drain pipe 109 is provided on the left and right sides of the outer plate 101 and obliquely above the injection outer pipe 108. One end of the in-tank drain pipe 109 is connected to holes 110 formed on the left and right side portions of the outer plate 101. Further, the left and right in-tank drainage pipes 109 are integrated near the front end of the processing tank 1, and the other ends penetrate through the side surface of the main body of the decompression chamber 2 (not shown) to the outside. As a result, the liquid in the processing tank is discharged to the outside through the in-tank drain pipe 109. A three-way switching valve 6 as shown in FIG. 3 is provided in the in-tank drain pipe 109 led to the outside of the decompression chamber 2.
Is attached. The three-way switching valve 6 is configured so that it can be switched between three discharge positions, that is, a minute liquid discharge position, a normal liquid discharge position, and an exhaust position. At the minute liquid discharge position, the liquid in the processing tank is discharged little by little. At the normal drainage position, the liquid in the processing tank is discharged by a normal amount larger than that at the minute drainage position. At the exhaust position, the gas in the processing tank is exhausted.

【0023】処理槽1の内部には、左右1対の基板支持
部111が固定的に設けられる。これら基板支持部11
1両端部は、外板101の内壁の前端側面部分および後
端側面部分に固着されている。各基板支持部111に
は、所定間隔で複数の溝が形成されており、この溝に基
板3を差し込むことにより、処理槽内で基板3が位置決
めされて支持される。
Inside the processing tank 1, a pair of left and right substrate supporting portions 111 are fixedly provided. These substrate support parts 11
Both ends are fixed to the front end side surface portion and the rear end side surface portion of the inner wall of the outer plate 101. A plurality of grooves are formed in each substrate support portion 111 at predetermined intervals, and the substrate 3 is positioned and supported in the processing tank by inserting the substrate 3 into the grooves.

【0024】また、処理槽1の内部には、外板101の
左右側面と所定の間隔を開けて対向する、左右1対の仕
切り板112が設けられている。各仕切り板112に
は、複数の孔112aがマトリクス状に形成されてい
る。各仕切り板112の底部の高さは、注入外管108
の上部位置よりも高くなっており、各スリット108a
から出射される液体(特に、純水)の流れを阻害しない
ようになっている。
Inside the processing tank 1, there are provided a pair of left and right partition plates 112 that face the left and right side surfaces of the outer plate 101 with a predetermined gap. Each partition plate 112 has a plurality of holes 112a formed in a matrix. The height of the bottom of each partition plate 112 is equal to
Is higher than the upper position of each slit 108a.
It does not hinder the flow of liquid (especially pure water) emitted from the.

【0025】さらに、上記のような処理槽1に関連して
リフタ4が設けられる。このリフタ4は、基板ガイド4
1と、この基板ガイド41を昇降させる昇降装置42
と、これら昇降装置42および基板ガイド41を連結す
る連結板43とから構成される。基板ガイド41には、
前述の基板支持部111に形成された溝と同様のピッチ
で複数の溝が形成されており、この溝に基板3を差し込
むことにより、基板3が位置決めされて支持される。
Further, a lifter 4 is provided in association with the processing tank 1 as described above. This lifter 4 is a board guide 4
1 and a lifting device 42 for lifting the substrate guide 41
And a connecting plate 43 that connects the elevating device 42 and the board guide 41. The board guide 41 includes
A plurality of grooves are formed at the same pitch as the grooves formed in the substrate support portion 111 described above, and the substrate 3 is positioned and supported by inserting the substrate 3 into the grooves.

【0026】図4〜図10は、上記実施例に係る基板処
理装置の動作状態を、各工程別に示した図である。以
下、これら図4〜図10を参照して、上記実施例の動作
を説明する。
4 to 10 are diagrams showing the operating state of the substrate processing apparatus according to the above embodiment for each step. The operation of the above embodiment will be described below with reference to FIGS.

【0027】まず、図4を参照して、基板の搬送/ロー
ディング工程について説明する。搬送ロボット5は、他
工程の終了した基板3をチャック51によって複数枚把
持し、基板処理装置の上部位置まで搬送する。このと
き、減圧チャンバ2は蓋22が外され、基板ガイド41
は昇降装置42によって減圧チャンバ2の上部位置まで
持ち上げられている。次に、搬送ロボット5は、基板3
を基板ガイド41上に載置し、チャック51を矢印Aの
向きに回動させて、基板3を離す。これによって、基板
3が基板ガイド41によって支持される。次に、リフタ
4は、昇降装置42によって基板ガイド41を下降させ
る。基板ガイド41が処理槽内部の基板支持部111よ
りも下部位置に下降すると、基板3が基板ガイド41か
ら基板支持部111へと受け渡され、基板支持部111
によって基板3が支持される。その後、本体21に蓋2
2が被せられる。このとき、Oリング23の作用によっ
て、減圧チャンバ2が密閉される(図1参照)。
First, the substrate carrying / loading process will be described with reference to FIG. The transfer robot 5 holds a plurality of substrates 3 for which other steps have been completed by the chuck 51 and transfers them to an upper position of the substrate processing apparatus. At this time, the lid 22 of the decompression chamber 2 is removed, and the substrate guide 41
Is lifted to the upper position of the decompression chamber 2 by the lifting device 42. Next, the transfer robot 5 moves the substrate 3
Is placed on the substrate guide 41, the chuck 51 is rotated in the direction of arrow A, and the substrate 3 is released. As a result, the substrate 3 is supported by the substrate guide 41. Next, the lifter 4 lowers the substrate guide 41 by the elevating device 42. When the substrate guide 41 is lowered to a position lower than the substrate support portion 111 inside the processing tank, the substrate 3 is transferred from the substrate guide 41 to the substrate support portion 111, and the substrate support portion 111 is transferred.
The substrate 3 is supported by. Then, the lid 2 on the main body 21
2 is covered. At this time, the decompression chamber 2 is sealed by the action of the O-ring 23 (see FIG. 1).

【0028】次に、図5を参照して、薬液処理工程につ
いて説明する。薬液処理工程では、減圧チャンバ外部の
薬液供給源(図示せず)からアップフロー管106に薬
液が供給される。アップフロー管106は、供給された
薬液を、注入内管107へと導く。注入内管107内へ
と導かれた薬液は、注入内管107に形成された各孔1
07aから、注入外管108の内部へと流出し、さらに
注入外管108に形成された各スリット108aを介し
て処理槽1内へと流出する。アップフロー管106に
は、外部の薬液供給源から継続的に薬液が供給されるた
め、処理槽内の液面は、徐々に高くなり、やがて処理槽
の上部から溢れ出す。溢れ出した薬液は、オーバーフロ
ー溝104内に流れ込み、オーバーフロー排液管105
を介して減圧チャンバ2の外部へと排出される。したが
って、基板3は、常に新しい薬液に浸されることにな
る。このとき、図3の3方切換弁6は、微小排液位置に
切り換えられ、槽内排液管109からも薬液が少量ずつ
排出される。これによって、外板101と仕切り板11
2との間に薬液が滞留することが無く、処理槽内の薬液
との濃度との均一化が図られる。なお、エッチングのよ
うにある程度反応時間が必要である場合、薬液使用量を
少なくするため、液面が所定の高さになると、薬液の注
入が停止されるが、この場合は3方切換弁6を閉じて
(すなわち、いずれの排出位置にも切り換えない)、槽
内排液管109からの薬液の排出を停止すればよい。
Next, with reference to FIG. 5, the chemical treatment step will be described. In the chemical liquid processing step, the chemical liquid is supplied to the upflow pipe 106 from a chemical liquid supply source (not shown) outside the decompression chamber. The upflow pipe 106 guides the supplied drug solution to the injection inner pipe 107. The drug solution introduced into the injection inner pipe 107 is supplied to each hole 1 formed in the injection inner pipe 107.
From 07a, it flows into the inside of the injection outer pipe 108, and further into the processing tank 1 through each slit 108a formed in the injection outer pipe 108. Since the chemical liquid is continuously supplied to the upflow pipe 106 from the external chemical liquid supply source, the liquid level in the processing tank gradually rises and eventually overflows from the upper part of the processing tank. The overflowed chemical liquid flows into the overflow groove 104 and overflows the drain pipe 105.
It is discharged to the outside of the decompression chamber 2 via. Therefore, the substrate 3 is always immersed in a new chemical solution. At this time, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the minute liquid draining position, and the chemical liquid is also discharged little by little from the in-tank drain pipe 109. As a result, the outer plate 101 and the partition plate 11
The chemical solution does not stay between the two and the concentration with the chemical solution in the processing tank can be made uniform. When a certain reaction time is required, such as etching, in order to reduce the amount of the chemical solution used, the injection of the chemical solution is stopped when the liquid surface reaches a predetermined height. In this case, the three-way switching valve 6 is used. Is closed (that is, the discharge position is not switched to any discharge position), and the discharge of the chemical liquid from the in-tank drain pipe 109 may be stopped.

【0029】次に、同様に図5を参照して、洗浄工程に
ついて説明する。洗浄工程では、減圧チャンバ外部の純
水供給源(図示せず)からアップフロー管106に純水
が供給される。アップフロー管106は、供給された純
水を、注入内管107へと導く。注入内管107内へと
導かれた純水は、注入内管107に形成された各孔10
7aから、注入外管108の内部へと流出する。注入外
管108内に流入した純水は、注入外管108に形成さ
れた各スリット108aから処理槽1内へと噴出する。
ここで、各スリット108aは、処理槽内で配列された
各基板3の間に位置するように配置されているため、各
スリット108aから噴出した純水は、各基板間へと流
れ込む。また、基板ガイド41の中央部には、基板3の
配列方向に沿って延びる基板支持板41aが形成されて
いるため、各スリット108aから噴出する水平方向の
純水流は、この基板支持板41aに当たって上昇流へと
その向きが転換される。したがって、各基板間には、図
5に示す矢印の方向に純水流が生じ、各基板表面がまん
べんなく洗浄される。このとき、処理槽の上部から溢れ
出した薬液および純水は、オーバーフロー溝104内に
流れ込み、オーバーフロー排液管105を介して減圧チ
ャンバ2の外部へと排出される。したがって、洗浄によ
って基板表面から除去されて純水中に拡散したパーティ
クルは、液表面にに滞留せず、オーバーフロー水と共に
外部へと効率良く排出される。このとき、図3の3方切
換弁6は、微小排液位置に切り換えられる。これによっ
て、外板101と仕切り板112との間に滞留した薬液
が効率良く槽内排液管109を介して外部へ排出され
る。アップフロー管106には、外部の純水供給源から
継続的に純水が供給されるため、徐々に処理槽内の薬液
の濃度が薄まり、やがて処理槽内の液体は純水のみとな
る。そして、排出された純水中に含まれるパーティクル
の量が所定量以下になったところで、洗浄工程が終了す
る。
Next, the cleaning process will be described with reference to FIG. In the cleaning process, pure water is supplied to the upflow pipe 106 from a pure water supply source (not shown) outside the decompression chamber. The upflow pipe 106 guides the supplied pure water to the injection inner pipe 107. The pure water introduced into the injection inner pipe 107 is filled with the holes 10 formed in the injection inner pipe 107.
From 7a, it flows into the inside of the injection outer pipe 108. The pure water that has flowed into the injection outer pipe 108 is ejected into the processing tank 1 through each slit 108 a formed in the injection outer pipe 108.
Here, since each slit 108a is arranged so as to be located between each substrate 3 arranged in the processing tank, the pure water ejected from each slit 108a flows into each substrate. Further, since the substrate support plate 41a extending along the arrangement direction of the substrates 3 is formed in the center of the substrate guide 41, the horizontal pure water flow ejected from each slit 108a hits the substrate support plate 41a. The direction is changed to the upward flow. Therefore, a pure water flow is generated between the substrates in the direction of the arrow shown in FIG. 5, and the surfaces of the substrates are thoroughly cleaned. At this time, the chemical liquid and the pure water overflowing from the upper part of the processing tank flow into the overflow groove 104 and are discharged to the outside of the decompression chamber 2 via the overflow drain pipe 105. Therefore, the particles removed by cleaning from the substrate surface and diffused in the pure water do not stay on the liquid surface and are efficiently discharged to the outside together with the overflow water. At this time, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the minute liquid draining position. As a result, the chemical liquid accumulated between the outer plate 101 and the partition plate 112 is efficiently discharged to the outside through the in-tank drain pipe 109. Since pure water is continuously supplied to the upflow pipe 106 from an external pure water supply source, the concentration of the chemical liquid in the processing tank gradually decreases, and eventually the liquid in the processing tank becomes pure water only. Then, when the amount of particles contained in the discharged pure water becomes equal to or less than a predetermined amount, the cleaning process ends.

【0030】次に、図6および図7を参照して、本発明
の特徴となる排水工程について説明する。排水工程で
は、図3の3方切換弁6が、通常排液位置に切り換えら
れる。一方、外部の純水供給源から処理槽への純水の注
入は依然として継続される。このとき、単位時間当たり
の純水注入量を単位時間当たりの純水排出量よりも少な
くすることにより(純水注入量<純水排出量)、外板1
01と仕切り板112との間の空間(以下、仕切り空間
と称する)の液面レベルと、仕切り板112の内側の空
間(以下、内側空間と称する)の液面レベルとの間に差
ができる。すなわち、仕切り空間の液面レベルは、内側
空間の液面レベルよりも低くなる。したがって、内側空
間の純水は、その表面近傍部分が仕切り板112の孔1
12a(図2参照)を介して、仕切り空間内へと落下す
る。そのため、処理槽内の純水の液面は、常にオーバー
フロー状態を保ちながら下降していく。これによって、
純水の表面に浮遊するパーティクルがオーバーフロー水
と共に排出され、基板3の表面にパーティクルが再付着
するのを防止できる。すなわち、表面を常にオーバーフ
ローさせている純水中から基板を引き上げる従来の技術
(すなわち、特開平5−275412号公報に開示され
た技術)と全く同じ効果が得られる。図7に示すよう
に、処理槽内の液面レベルが基板3よりも完全に下がっ
たら、純水注入を停止し、処理槽内の純水を排出する。
Next, the drainage process, which is a feature of the present invention, will be described with reference to FIGS. 6 and 7. In the drainage process, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the normal drainage position. On the other hand, the injection of pure water from the external pure water supply source into the processing tank is still continued. At this time, by making the pure water injection amount per unit time smaller than the pure water discharge amount per unit time (pure water injection amount <pure water discharge amount), the outer plate 1
There is a difference between the liquid level of the space between 01 and the partition plate 112 (hereinafter referred to as partition space) and the liquid level of the space inside the partition plate 112 (hereinafter referred to as inner space). . That is, the liquid level of the partition space is lower than the liquid level of the inner space. Therefore, in the pure water in the inner space, the portion near the surface thereof is the hole 1 of the partition plate 112.
It drops into the partition space through 12a (see FIG. 2). Therefore, the liquid surface of pure water in the processing tank descends while always maintaining the overflow state. by this,
It is possible to prevent particles floating on the surface of the pure water from being discharged together with the overflow water and reattaching to the surface of the substrate 3. In other words, the same effect as the conventional technique of pulling up the substrate from pure water whose surface is constantly overflowing (that is, the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-275412) can be obtained. As shown in FIG. 7, when the liquid level in the processing tank is completely lower than the substrate 3, the pure water injection is stopped and the pure water in the processing tank is discharged.

【0031】次に、図8を参照して、乾燥工程について
説明する。乾燥工程では、図示しない外部のIPA供給
源からIPA導入管24にIPA蒸気が供給される。I
PA導入管24は、供給されたIPA蒸気をまんべんな
く各基板3に向けて噴出する。各基板3の表面では、水
滴がIPA蒸気と置換される。すなわち、IPAは、基
板表面に付いた水滴の表面張力を低下させるため、当該
水滴は、自重によって基板表面から流れ落ちる。このと
き、図3の3方切換弁6は、排気位置に切り換えられ
る。これによって、減圧チャンバ内の余分な気体が排気
され、IPAガスが各基板に効率良く分散される。な
お、水溶性でかつ基板上に残る水滴の表面張力を低下さ
せる性質を有しておれば、IPA蒸気に代えて他の有機
溶剤の蒸気を用いても良い。また、このような有機溶剤
の蒸気に代えて、加熱された水蒸気を吹き付けて基板表
面を乾燥させるようにしても良い。基板表面での水滴と
IPAとの置換が終了すると、IPA蒸気の供給が停止
される。一方、槽内排液管109を介する排気動作は継
続される。これによって、処理槽内が減圧される。その
結果、IPA蒸気の沸点が低下し、基板表面で純粋と置
換したIPAは、速やかに蒸発し、基板表面は短時間で
乾燥する。
Next, the drying process will be described with reference to FIG. In the drying step, IPA vapor is supplied to the IPA introducing pipe 24 from an external IPA supply source (not shown). I
The PA introduction pipe 24 blows out the supplied IPA vapor toward the respective substrates 3 evenly. On the surface of each substrate 3, water droplets are replaced with IPA vapor. That is, IPA lowers the surface tension of water droplets attached to the substrate surface, and therefore the water droplets flow down from the substrate surface due to its own weight. At this time, the three-way switching valve 6 in FIG. 3 is switched to the exhaust position. As a result, the excess gas in the decompression chamber is exhausted, and the IPA gas is efficiently dispersed on each substrate. Note that other organic solvent vapors may be used instead of the IPA vapor as long as it is water-soluble and has a property of lowering the surface tension of water droplets remaining on the substrate. Instead of such organic solvent vapor, heated water vapor may be sprayed to dry the substrate surface. When the replacement of water droplets with IPA on the substrate surface is completed, the supply of IPA vapor is stopped. On the other hand, the exhaust operation via the in-tank drain pipe 109 is continued. As a result, the pressure inside the processing tank is reduced. As a result, the boiling point of the IPA vapor is lowered, IPA replaced with pure on the substrate surface is quickly evaporated, and the substrate surface is dried in a short time.

【0032】また、このとき基板支持部111と基板3
の接触部分に残りやすい水滴をも除去するためにIPA
蒸気を供給して、一定時間経過した後、基板ガイド41
を若干上昇させて基板3を受け取ると基板支持部111
と基板3の接触していた部分が露出し、当該部分が良好
に乾燥できる。
At this time, the substrate supporting portion 111 and the substrate 3
IPA to remove water droplets that tend to remain on the contact area of
After the vapor is supplied and a certain time has passed, the substrate guide 41
Is slightly raised to receive the substrate 3, the substrate supporting portion 111
The exposed portion of the substrate 3 is exposed, and the portion can be dried well.

【0033】次に、図9および図10を参照して、基板
のアンローディング/搬送工程について説明する。ま
ず、図9に示すように減圧チャンバの本体21から蓋2
2が取り外され、リフタ4によって基板ガイド41が上
昇させられる。図10に示すように、基板ガイド41が
減圧チャンバの上部位置まで上昇すると、搬送ロボット
5はチャック51によって基板3を把持し、他の位置へ
と搬送する。
Next, the substrate unloading / conveying step will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 9, from the main body 21 of the decompression chamber to the lid 2
2 is removed, and the lifter 4 raises the substrate guide 41. As shown in FIG. 10, when the substrate guide 41 moves up to the upper position of the decompression chamber, the transfer robot 5 holds the substrate 3 by the chuck 51 and transfers it to another position.

【0034】前述したように、排水工程では、単位時間
当たりの純水注入量を単位時間当たりの純水排出量より
も少なくする必要がある。しかしながら、単位時間当た
りの純水排出量は、処理槽内の液面レベルの低下すなわ
ち水圧の低下に従って徐々に少なくなるため、単位時間
当たりの純水注入量を何らかの方法で制御する必要があ
る。このために用いられる制御機構の一例を図11を参
照して説明する。図11において、処理槽1の内部に
は、液面センサ71が設けられる。この液面センサ71
には、微圧計72を介して微小量の窒素等の不活性ガス
が供給される。したがって、液面センサ71の先端から
は、窒素ガスの泡が排出される。なお、窒素ガスの泡に
よって基板に悪影響を及ぼさないようにするため、液面
センサ71には、中空円柱状のカバー76が被せられて
いる。微圧計72は、液面センサ71からの窒素ガスの
排出圧を検出することにより、処理槽内の現在の液面レ
ベルを測定する。演算回路73は、微圧計72の測定結
果に基づき、処理槽内に注入すべき現在の単位時間当た
りの純水の量を演算する。演算回路73の演算結果は、
電空レギュレータ74に与えられ、パイロットエアー圧
に変換される。このパイロットエアー圧によって圧力調
整器75は、アップフロー管106に供給する純水の圧
力すなわち処理槽内に注入される純水の量を制御する。
これによって、処理槽内の液面レベルの低下に応じて、
処理槽に注入される純水の量が低減され、常に、(純水
注入量<純水排出量)の関係が成立する。
As described above, in the drainage step, the amount of pure water injected per unit time needs to be smaller than the amount of pure water discharged per unit time. However, the amount of pure water discharged per unit time gradually decreases as the liquid level in the processing tank decreases, that is, the water pressure decreases. Therefore, it is necessary to control the amount of pure water injected per unit time by some method. An example of the control mechanism used for this purpose will be described with reference to FIG. In FIG. 11, a liquid level sensor 71 is provided inside the processing tank 1. This liquid level sensor 71
A minute amount of an inert gas such as nitrogen is supplied to the via a fine pressure gauge 72. Therefore, nitrogen gas bubbles are discharged from the tip of the liquid level sensor 71. The liquid level sensor 71 is covered with a hollow cylindrical cover 76 so that the bubbles of nitrogen gas do not adversely affect the substrate. The micromanometer 72 measures the current liquid level in the processing tank by detecting the discharge pressure of the nitrogen gas from the liquid level sensor 71. The arithmetic circuit 73 calculates the current amount of pure water to be injected into the processing tank per unit time based on the measurement result of the micromanometer 72. The calculation result of the calculation circuit 73 is
It is given to the electropneumatic regulator 74 and converted into pilot air pressure. With this pilot air pressure, the pressure regulator 75 controls the pressure of pure water supplied to the upflow pipe 106, that is, the amount of pure water injected into the processing tank.
As a result, depending on the decrease in the liquid level in the processing tank,
The amount of pure water injected into the processing tank is reduced, and the relationship of (pure water injection amount <pure water discharge amount) is always established.

【0035】なお、上記のような制御機構は一例にすぎ
ず他の方法によって純水の注入量と排出量とのバランス
を調整するようにしても良い。例えば、仕切り板112
に形成される孔112aの径を、上部から下部に行くに
従って小さくするようにしても良い。この場合、処理槽
内の液面レベルが高いときは、前述の内側空間から仕切
り空間に流れ落ちる純水の量が多くなり、逆に、処理槽
内の液面レベルが低いときは、前述の内側空間から仕切
り空間に流れ落ちる純水の量が少なくなり、純水の注入
量と排出量とのバランスが調整される。
The above control mechanism is only an example, and the balance between the injection amount and the discharge amount of pure water may be adjusted by another method. For example, the partition plate 112
The diameter of the hole 112a formed in the upper part may be reduced from the upper part to the lower part. In this case, when the liquid level in the treatment tank is high, the amount of pure water flowing from the inner space to the partition space increases, and conversely, when the liquid level in the treatment tank is low, The amount of pure water flowing from the space into the partition space is reduced, and the balance between the pure water injection amount and the pure water injection amount is adjusted.

【0036】図12は、処理槽の他の実施例を示してい
る。本実施例の処理槽は、その底部中央に、ピエゾ素子
等から成る超音波振動子8が取り付けられている。洗浄
時において、この超音波振動子を駆動することにより、
処理槽内に超音波が伝搬し、それによって各基板3の洗
浄効果が高められる。本実施例のその他の構成は、図1
に示す処理槽1と同様であり、相当する部分には同一の
参照番号を付しておく。
FIG. 12 shows another embodiment of the processing tank. In the treatment tank of this embodiment, an ultrasonic transducer 8 made of a piezo element or the like is attached to the center of the bottom portion. By driving this ultrasonic transducer during cleaning,
Ultrasonic waves are propagated in the processing bath, thereby enhancing the cleaning effect of each substrate 3. The other structure of this embodiment is shown in FIG.
The processing tank 1 is the same as the processing tank 1 shown in FIG.

【0037】図13は、処理槽のさらに他の実施例を示
している。本実施例の処理槽は、図1に示す処理槽1の
ような仕切り板112は設けられていない。それに代え
て、処理槽100の外壁は分割外板120によって構成
されている。この分割外板120は、それぞれが単独で
回動可能な複数の回動板によって構成されている。いず
れかの回動板を初期位置(垂直に立った状態)から外方
へ回動させると、その部分で外壁に隙間が生じ、処理槽
内の純水が外部へ排出されるようになっている。そし
て、各回動板を上から順番に外方に回動させることによ
り、純水表面のオーバーフロー状態を保ちながら、液面
レベルを低下させることができる。
FIG. 13 shows still another embodiment of the processing tank. The processing tank of this embodiment is not provided with a partition plate 112 unlike the processing tank 1 shown in FIG. Instead of this, the outer wall of the processing tank 100 is constituted by the divided outer plate 120. The split outer plate 120 is composed of a plurality of rotating plates that are each independently rotatable. When one of the rotating plates is rotated outward from the initial position (while standing vertically), a gap is created in the outer wall at that portion, and pure water in the processing tank is discharged to the outside. There is. Then, by rotating each of the rotating plates outward in order from the top, the liquid level can be lowered while maintaining the overflow state of the pure water surface.

【0038】[0038]

【発明の効果】請求項1〜5の発明によれば、処理槽内
で基板を静止させたまま、純水の液面を常にオーバーフ
ローさせながら低下させることができる。その結果、純
水の表面に浮遊するパーティクルがオーバーフロー水と
共に排出され、基板の表面にパーティクルが再付着する
のを防止できる。また、チャンバ内に基板の引き上げス
ペース、すなわち乾燥スペースを別途設ける必要が無く
なり、チャンバの内容積を低減できる。したがって、装
置の小型化および低価格化が図れる。また、基板を昇降
させるリフタの昇降ストロークが短くなるため、そのコ
ストも低減でき、強度上も有利になる。
According to the inventions of claims 1 to 5, it is possible to lower the substrate while keeping the substrate stationary in the processing tank while constantly overflowing the liquid surface of pure water. As a result, it is possible to prevent particles floating on the surface of the pure water from being discharged together with the overflow water and reattaching the particles to the surface of the substrate. Further, it is not necessary to separately provide a space for raising the substrate, that is, a drying space in the chamber, and the inner volume of the chamber can be reduced. Therefore, the size and cost of the device can be reduced. Further, since the lifting stroke of the lifter for raising and lowering the substrate is shortened, the cost can be reduced, which is advantageous in terms of strength.

【0039】さらに、請求項2の発明によれば、排水工
程において、処理槽に注入される純水の単位時間当たり
の量が、処理槽から排出される純水の単位時間当たりの
量の低下に応じて低減するように、純水注入量を制御し
ているので、外板と仕切り板との間の空間における液面
レベルを、仕切り板の内側の空間における液面レベルよ
りも常に低く保ちながら排水を行うことができる。
Further, according to the second aspect of the present invention, in the drainage process, the amount of pure water injected into the treatment tank per unit time is lower than the amount of pure water discharged from the treatment tank per unit time. The pure water injection amount is controlled so that the liquid level in the space between the outer plate and the partition plate is always kept lower than the liquid level in the space inside the partition plate. Drainage can be done while.

【0040】さらに、請求項3の発明によれば、仕切り
板に形成される透孔の径を下に行くほど小さくし、処理
槽内の液面レベルが低くなるにつれて、仕切り板の内側
の空間から外板と仕切り板との間の空間に流れ落ちる純
水の量が少なくなるようにしているので、処理槽に注入
される純水の量と、処理槽から排出される純水の量との
バランスを常に適切な関係に調整できる。
Further, according to the invention of claim 3, the diameter of the through hole formed in the partition plate is made smaller as it goes downward, and as the liquid level in the processing tank becomes lower, the space inside the partition plate becomes smaller. Since the amount of pure water flowing into the space between the outer plate and the partition plate is reduced, the amount of pure water injected into the treatment tank and the amount of pure water discharged from the treatment tank are Balance can always be adjusted to the right relationship.

【0041】さらに、請求項4の発明によれば、乾燥処
理中に2つの基板支持手段が基板を持ち換えるので、基
板と支持手段が常に接触する部分がなくなり、基板全体
が均一に乾燥できる。
Further, according to the fourth aspect of the present invention, since the two substrate supporting means change over the substrates during the drying process, there is no part where the substrate and the supporting means constantly contact each other, and the entire substrate can be dried uniformly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置の構成を
示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例において、減圧チャンバ内に収納
される処理槽の構成を示す一部破断斜視図である。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing a configuration of a processing tank housed in a decompression chamber in the embodiment of FIG.

【図3】図1の実施例において、槽内排液管109に取
り付けられる3方切換弁を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a three-way switching valve attached to the in-tank drain pipe 109 in the embodiment of FIG.

【図4】図1の実施例において、基板の搬送/ローディ
ング時の動作状態を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an operation state at the time of carrying / loading a substrate in the embodiment of FIG.

【図5】図1の実施例において、基板の薬液処理工程お
よび洗浄工程における動作状態を示す図である。
5A and 5B are diagrams showing operation states in a substrate chemical treatment process and a cleaning process in the embodiment of FIG.

【図6】図1の実施例において、排水工程における動作
状態を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an operation state in a drainage process in the embodiment of FIG.

【図7】図1の実施例において、排水工程終了時の動作
状態を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an operation state at the end of the drainage process in the embodiment of FIG.

【図8】図1の実施例において、基板の乾燥工程におけ
る動作状態を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an operating state in a substrate drying step in the embodiment of FIG.

【図9】図1の実施例において、基板のアンローディン
グ時の動作状態を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an operating state at the time of unloading the substrate in the embodiment of FIG.

【図10】図1の実施例において、基板の搬送時の動作
状態を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an operation state during the transfer of the substrate in the embodiment of FIG.

【図11】液面レベルの低下に連動して、純水の注入量
を制御する機構の一例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing an example of a mechanism for controlling the injection amount of pure water in conjunction with the decrease in liquid level.

【図12】処理槽の他の実施例を示す図である。FIG. 12 is a view showing another embodiment of the processing tank.

【図13】処理槽のさらに他の実施例を示す図である。FIG. 13 is a view showing still another embodiment of the processing tank.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…処理槽 101…外板 106…アップフロー管 107…注入内管 108…注入外管 109…槽内排液管 111…基板支持部 112…仕切り板 112a…孔 2…減圧チャンバ 24…IPA導入管 3…基板 4…リフタ 71…液面センサ 8…超音波振動子 120…分割外板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing tank 101 ... Outer plate 106 ... Upflow pipe 107 ... Injection inner pipe 108 ... Injection outer pipe 109 ... In-tank drainage pipe 111 ... Substrate support 112 ... Partition plate 112a ... Hole 2 ... Decompression chamber 24 ... IPA introduction Tube 3 ... Substrate 4 ... Lifter 71 ... Liquid level sensor 8 ... Ultrasonic transducer 120 ... Divided outer plate

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 351 Z 21/306 Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI Technical display location H01L 21/304 351 Z 21/306

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 同一チャンバ内において、少なくとも基
板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であっ
て、 前記チャンバ内には、複数の前記基板が所定の間隔を開
けて配列される処理槽が収納されており、 前記処理槽は、 外壁を規定する外板と、 前記外板の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつそ
の表面に複数の透孔が形成された仕切り板と、 底部に接続された液体注入管と、 前記外板に接続された液体排出管とを含み、 前記基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、前
記液体注入管から前記処理槽内に純水を連続して供給
し、かつ前記液体排出管から前記処理槽に貯まった純水
を連続して排出することを特徴とする、基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing at least a substrate cleaning process and a drying process in the same chamber, wherein a plurality of the substrates are arranged in the chamber at predetermined intervals. Are stored, the processing tank is an outer plate that defines an outer wall, and a partition plate that is provided inside the outer plate with a predetermined interval, and that has a plurality of through holes formed on its surface, A liquid injection pipe connected to the bottom and a liquid discharge pipe connected to the outer plate, and in a drainage step performed after the cleaning of the substrate, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe into the treatment tank. The substrate processing apparatus is characterized in that pure water stored in the processing tank is continuously discharged from the liquid discharge pipe.
【請求項2】 前記排水工程において、前記処理槽に注
入される純水の単位時間当たりの量を、処理槽から排出
される純水の単位時間当たりの量の低下に応じて低減さ
せるための純水注入量制御手段をさらに備える、請求項
1に記載の基板処理装置。
2. In the draining step, the amount of pure water injected into the treatment tank per unit time is reduced in accordance with a decrease in the amount of pure water discharged from the treatment tank per unit time. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising pure water injection amount control means.
【請求項3】 前記仕切り板に形成される透孔は、当該
仕切り板の上部から下部に行くに従って、その径が小さ
くされていることを特徴とする、請求項1に記載の基板
処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the through hole formed in the partition plate has a diameter that decreases from an upper portion to a lower portion of the partition plate.
【請求項4】 同一チャンバ内において、少なくとも基
板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であっ
て、 前記チャンバ内に収納されるとともに、複数の前記基板
が所定の間隔を空けて配列される処理槽と、 前記処理槽内の固定基板支持手段と、 前記処理槽内と処理槽外間で昇降自在な可動基板支持手
段とを備える、基板処理装置。
4. A substrate processing apparatus for performing at least a cleaning process and a drying process on a substrate in the same chamber, wherein the substrate is housed in the chamber and a plurality of the substrates are arranged at a predetermined interval. A substrate processing apparatus comprising: a processing bath, a fixed substrate support means inside the processing bath, and a movable substrate support means that can move up and down between the inside and the outside of the processing bath.
【請求項5】 その内部に複数の基板が所定の間隔を開
けて配列され、同一チャンバ内において、各基板に対し
て少なくとも洗浄処理と乾燥処理とを施す処理槽であっ
て、 外壁を規定する外板と、 前記外板の内側に所定の間隔を開けて設けられ、かつそ
の表面に複数の透孔が形成された仕切り板と、 底部に接続された液体注入管と、 前記外板に接続された液体排出管とを備え、 前記基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、前
記液体注入管から純水が連続して供給され、かつ前記液
体排出管から前記処理槽に貯まった純水が連続して排出
されることを特徴とする、処理槽。
5. A processing tank in which a plurality of substrates are arranged at predetermined intervals and which performs at least a cleaning process and a drying process on each substrate in the same chamber, and defines an outer wall. An outer plate, a partition plate provided inside the outer plate with a predetermined gap and having a plurality of through holes formed on the surface thereof, a liquid injection pipe connected to the bottom portion, and a connection to the outer plate In a drainage step performed after the cleaning of the substrate is completed, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe, and pure water stored in the processing tank is supplied from the liquid discharge pipe. A treatment tank characterized by being continuously discharged.
【請求項6】 その内部に複数の基板が所定の間隔を開
けて配列され、同一チャンバ内において、各基板に対し
て少なくとも洗浄処理と乾燥処理とを施す処理槽であっ
て、 それぞれが回動可能な複数の回動板によって構成され、
かつ外壁を規定する分割外板と、 底部に接続された液体注入管とを備え、 前記基板の洗浄終了後に行われる排水工程において、前
記液体注入管から純水が連続して供給され、かつ回動板
が上から順番に回動されることにより前記処理槽に貯ま
った純水が連続して排出されることを特徴とする、処理
槽。
6. A processing tank in which a plurality of substrates are arranged at a predetermined interval and in which at least a cleaning process and a drying process are performed on each substrate in the same chamber, each of which rotates. It is composed of multiple possible rotating plates,
In addition, in the drainage step performed after the cleaning of the substrate is completed, pure water is continuously supplied from the liquid injection pipe, and the divided outer plate that defines the outer wall and the liquid injection pipe connected to the bottom are provided. A treatment tank, wherein pure water stored in the treatment tank is continuously discharged by rotating the moving plate in order from above.
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