KR100935718B1 - Device of cleaning for wafer and the method for cleaning of wafer using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법은, 외부 프로세스 용기; 외부 프로세스 용기로부터 내측으로 소정 간격만큼 이격되어 배치되면서 웨이퍼를 탑재할 수 있는 내부 프로세스 용기; 외부 프로세스 용기와 대응되도록 배치되어 웨이퍼와 외부 공기를 차단시키는 상부 커버; 내부 프로세스 용기에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급부; 상부 커버와 연결되어 프로세스 용기 내 세정용액의 공급 및 배출을 조절하는 제1 포트; 상부 커버와 연결되어 프로세스 용기에 불활성 기체의 공급 및 배출을 조절하는 제2 포트; 및 상부 커버와 제1 포트 및 제2 포트를 연결하는 드레인 포트를 포함한다.The wafer cleaning apparatus of the present invention and a wafer cleaning method using the same include: an external process container; An inner process vessel configured to mount a wafer while being spaced inwardly from the outer process vessel by a predetermined distance; An upper cover disposed to correspond to the external process container to block the wafer and external air; Deionized water supply unit for supplying deionized water to the internal process vessel; A first port connected to the top cover to regulate supply and discharge of the cleaning solution in the process vessel; A second port connected to the top cover to regulate supply and discharge of inert gas to the process vessel; And a drain port connecting the top cover to the first port and the second port.

프로세스 용기, 상부 커버, 밀폐 Process Vessel, Top Cover, Sealed

Description

웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법{Device of cleaning for wafer and the method for cleaning of wafer using the same}Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same {Device of cleaning for wafer and the method for cleaning of wafer using the same}

도 1은 종래 기술의 건조 과정에서 워터마크가 발생하는 과정을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.1 is a view illustrating a process of generating a watermark in the drying process of the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 2 is a view illustrating a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 세정방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.3A to 3I are views illustrating a method of cleaning a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 4 is a view illustrating a wafer cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 세정방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.5A to 5D are views illustrating a method of cleaning a wafer according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus and a method for cleaning a wafer using the same.

반도체 소자는 웨이퍼 표면 위에 산화막 및 질화막 등의 박막을 형성하고 사진식각을 진행하는 등의 여러 공정을 순차적으로 반복하여 제조한다. 이러한 과정을 진행하는 중에 불순물 및 오염물이 발생하게 되고, 이로 인해 웨이퍼에 결함(defect)이 발생하게 된다. 이렇게 웨이퍼 상에 발생한 결함을 제거하지 않을 경우, 제품의 수율과 신뢰성에 큰 영향을 미치게 됨에 따라 불순물 및 오염물을 제거하는 세정 공정의 중요성이 더욱 증대되고 있다. The semiconductor device is manufactured by sequentially repeating various processes such as forming a thin film such as an oxide film and a nitride film on a wafer surface and performing photolithography. During this process, impurities and contaminants are generated, which causes defects in the wafer. If the defects generated on the wafer are not removed, the cleaning process for removing impurities and contaminants is further increased as it greatly affects the yield and reliability of the product.

웨이퍼의 세정 공정은 화학 용액 처리 공정, 수세 공정, 그리고 건조 공정으로 나눌 수 있다. 여기서 건조 공정은 웨이퍼를 화학 용액을 이용하여 세정하고, 초순수(DIW; De-ionized water)로 화학 용액을 제거하는 린스 공정을 진행한 다음 초순수를 제거하는 공정 단계를 일컫는다. 건조 공정은 건조 대상물, 예를 들어 웨이퍼, 엘씨디 또는 포토마스크를 고속 회전하여 건조시키는 회전식, 이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol)을 이용하여 건조하는 IPA 방식 등이 있다. The wafer cleaning process can be divided into a chemical solution treatment process, a water washing process, and a drying process. The drying process refers to a process step of cleaning the wafer using a chemical solution, performing a rinsing process of removing the chemical solution with de-ionized water (DIW), and then removing the ultrapure water. The drying process may include a rotary object for drying the object to be dried, for example, a wafer, an LCD, or a photomask by high speed rotation, and an IPA method for drying using isopropyl alcohol.

종래 기술에 따른 세정 공정은 다음과 같은 방식으로 진행된다. 먼저, 세정조(bath)에 웨이퍼를 투입하고, 습식 세정 용액을 이용하여 웨이퍼 표면의 자연 산화막(native oxide)을 제거한다. 다음에 습식 세정 용액을 세정조 내에서 제거하기 위하여 초순수(DIW)를 장시간 오버플로우(overflow) 하여 습식 세정 용액을 제거한다. 초순수에 의해 습식 세정 용액을 제거한 다음 초순수를 외부로 배출시키고, 건조 공정을 진행하여 웨이퍼를 건조시킨다. 그런데 이러한 세정 공정을 진행하는데 있어서, 습식 세정 용액을 세정조 외부로 배출하지 않은 상태에서 초순수를 세정조 내에 공급하여 오버플로우 시키므로 린스 공정 시간이 길어지게 된다. 이에 따라 린스 공정 시간을 단축시키기 위해 습식 세정 용액을 배출시킬 경우 웨이퍼가 공기 중의 산소(O2)에 노출되는 문제가 발생할 수 있다.The cleaning process according to the prior art proceeds in the following manner. First, the wafer is placed in a cleaning bath, and the native oxide on the surface of the wafer is removed using a wet cleaning solution. The ultrapure water (DIW) is then overflowed for a long time to remove the wet cleaning solution in order to remove the wet cleaning solution in the cleaning tank. After removing the wet cleaning solution by ultrapure water, the ultrapure water is discharged to the outside, and the wafer is dried by a drying process. However, in this cleaning process, since the ultrapure water is supplied to the cleaning tank and overflowed while the wet cleaning solution is not discharged to the outside of the cleaning tank, the rinse process time becomes long. Accordingly, when the wet cleaning solution is discharged to shorten the rinse process time, the wafer may be exposed to oxygen (O 2 ) in the air.

또한, 습식 세정 용액을 제거한 다음 초순수를 배출시키는 과정에서 웨이퍼는 공기에 노출되어 산소로 인한 워터마크가 발생할 수 있다. 이를 도 1을 참조하여 설명하기로 한다.In addition, in the process of removing the wet cleaning solution and then draining the ultrapure water, the wafer may be exposed to air to generate a watermark due to oxygen. This will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 종래 기술의 건조 과정에서 워터마크가 발생하는 과정을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.1 is a view illustrating a process of generating a watermark in the drying process of the prior art.

도 1을 참조하면, 공기 중의 산소가 물방울에 용해되고, 웨이퍼와 물방울 경계면으로 확산(diffusion)된다(a). 웨이퍼와 물방울 경계면으로 확산된 산소는 웨이퍼의 실리콘 표면에 산화막(SiO2)을 형성한다(b). 웨이퍼 표면에 형성된 산화막은 규산(Silicic acid, H2SiO3)이 되어 용해(elution)된다(c). 용해된 규산은 용액 내에서 확산을 하거나, 해리되어 확산(separation&diffusion)된다. 이와 같이 웨이퍼 상에 형성된 워터마크는 소자의 불량을 일으키거나 마스크 공정에서는 마스크 코팅 불량이 생겨 디포커스(defocus)를 일으키면서 패턴 형성에 문제가 발생할 수 있다. Referring to FIG. 1, oxygen in air is dissolved in water droplets and diffused to the wafer and the water droplet interface (a). Oxygen diffused to the wafer and droplet interface forms an oxide film (SiO 2 ) on the silicon surface of the wafer (b). The oxide film formed on the surface of the wafer becomes silicic acid (H 2 SiO 3 ) and is dissolved (c). Dissolved silicic acid diffuses in solution or dissociates and diffuses (separation & diffusion). As described above, the watermark formed on the wafer may cause a defect in the device or a mask coating defect in the mask process, thereby causing defocus, which may cause a problem in pattern formation.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼를 세정한 다음 린스 및 건조시키는 과정에서 산소 및 각종 불순물이 함유된 일반 대기를 건조중인 웨이퍼와 격리하여 웨이퍼 상에 워터마크 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법을 제공하는 데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to prevent the occurrence of watermark contamination on the wafer by isolating the general atmosphere containing oxygen and various impurities from the drying wafer in the process of cleaning and then rinsing and drying the wafer. A wafer cleaning apparatus and a method for cleaning a wafer using the same are provided.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는, 외부 프로세스 용기; 상기 외부 프로세스 용기로부터 내측으로 소정 간격만큼 이격되어 배치되면서 웨이퍼를 탑재할 수 있는 내부 프로세스 용기; 상기 외부 프로세스 용기와 대응되도록 배치되어 웨이퍼와 외부 공기를 차단시키는 상부 커버; 상기 내부 프로세스 용기에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급부; 상기 상부 커버와 연결되어 상기 프로세스 용기 내 세정용액의 공급 및 배출을 조절하는 제1 포트; 상기 상부 커버와 연결되어 상기 프로세스 용기에 불활성 기체의 공급 및 배출을 조절하는 제2 포트; 및 상기 상부 커버와 제1 포트 및 제2 포트를 연결하는 드레인 포트를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, the external process container; An inner process vessel configured to mount a wafer while being spaced inwardly from the outer process vessel by a predetermined interval; An upper cover disposed to correspond to the external process container to block a wafer and external air; Deionized water supply unit for supplying deionized water to the internal process vessel; A first port connected to the upper cover to regulate supply and discharge of the cleaning solution in the process vessel; A second port connected to the top cover to regulate supply and discharge of inert gas to the process vessel; And a drain port connecting the upper cover, the first port, and the second port.

상기 프로세스 용기는 용기 외부와 연결되면서 개폐가 가능한 배기부를 더 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the process vessel further includes an exhaust portion that is open and closed while being connected to the outside of the vessel.

상기 프로세스 용기는, 세정 용액을 순환시킬 수 있는 펌프; 및 상기 펌프와 연결되어 상기 세정 용액 또는 탈이온수의 배출을 조절할 수 있는 제3 포트를 더 포함할 수 있고, 상기 상부 커버는 상부가 볼록한 구조로 형성하는 것이 바람직하다.The process vessel includes a pump capable of circulating a cleaning solution; And a third port connected to the pump to control discharge of the cleaning solution or deionized water, and the upper cover is preferably formed in a convex structure.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 이용한 웨이퍼의 세정방법은, 외부 프로세스 용기, 상기 외부 프로세스 용기와 대응되도록 배치된 상부 커버 및 내부 프로세스 용기를 포함하는 세정장치 내에 웨이퍼를 배치하는 단계; 상기 세정장치 내에 세정 용액을 공급하여 웨이퍼 상의 이물질을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼를 외부와 밀폐시키기 위해 상기 외부 프로세스 용기를 상기 상부 커버로 덮는 단계; 상기 세정장치 내에 공기가 남지 않도록 탈이온수를 공급하는 단계; 상기 세정장치 내에 불활성 기체를 공급하면서 상기 세정장치 내의 세정 용액을 배출하는 단계; 상기 내부 프로세스 용기에 탈이온수를 공급하여 오버 플로우시켜 상기 세정장치 내에 남아 있는 세정 용액을 배출하는 단계; 및 상기 프로세스 용기 내에 불활성 기체 및 이소프로필알콜을 공급하여 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a method of cleaning a wafer using a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, an external process container, a cleaning comprising a top cover and an internal process container disposed to correspond to the external process container Placing the wafer in the device; Supplying a cleaning solution into the cleaning device to remove foreign substances on the wafer; Covering the outer process vessel with the top cover to seal the wafer to the outside; Supplying deionized water such that no air remains in the washing apparatus; Discharging the cleaning solution in the cleaning device while supplying an inert gas into the cleaning device; Supplying deionized water to the internal process vessel and overflowing to discharge the cleaning solution remaining in the cleaning apparatus; And supplying an inert gas and isopropyl alcohol into the process vessel to dry the wafer.

본 발명에 있어서, 상기 세정장치 내에 남아 있는 세정 용액을 배출하는 단계 이후에, 상기 세정장치 내에 공기가 남지 않도록 탈이온수를 공급하는 단계; 및 상기 세정장치 내에 불활성 기체를 공급하면서 상기 세정장치 내의 세정 용액을 배출하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the present invention, after the step of discharging the cleaning solution remaining in the cleaning device, supplying deionized water so that no air remains in the cleaning device; And discharging the cleaning solution in the cleaning device while supplying an inert gas into the cleaning device.

상기 세정 용액은 불산(HF) 용액, 황산을 포함하는 용액, 오존(O3)을 포함하는 용액 및 암모늄을 포함하는 용액을 포함하는 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 세정 용액을 이용하는 것이 바람직하다.The cleaning solution is preferably used at least one cleaning solution selected from the group comprising a hydrofluoric acid (HF) solution, a solution containing sulfuric acid, a solution containing ozone (O 3 ) and a solution containing ammonium.

상기 불활성 기체는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 수소(H) 및 질소(N2) 가스를 포함하는 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 가스를 이용하는 것이 바람직하다. As the inert gas, it is preferable to use any one or more gases selected from the group comprising helium (He), argon (Ar), hydrogen (H) and nitrogen (N 2 ) gas.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는, 외부 프로세스 용기; 상기 외부 프로세스 용기로부터 내측으로 소정 간격만큼 이격되어 배치되면서 웨이퍼를 탑재할 수 있는 내부 프로세스 용기; 상기 내부 프로세스 용기를 덮을 수 있게 상기 내부 프로세스 용기보다 큰 사이즈를 갖도록 배치되면서 상하로 이동이 가능한 상부 커버; 상기 내부 프로세스 용기에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급부; 상기 상부 커버와 연결되어 상기 프로세스 용기 내 세정용액의 공급 및 배출을 조절하는 제1 포트; 및 상기 상부 커버와 연결되어 상기 프로세스 용기에 불활성 기체의 공급 및 배출을 조절하는 제2 포트를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a wafer cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention, an external process container; An inner process vessel configured to mount a wafer while being spaced inwardly from the outer process vessel by a predetermined interval; An upper cover disposed to have a size larger than that of the inner process container to cover the inner process container and movable up and down; Deionized water supply unit for supplying deionized water to the internal process vessel; A first port connected to the upper cover to regulate supply and discharge of the cleaning solution in the process vessel; And a second port connected to the upper cover to regulate supply and discharge of an inert gas to the process vessel.

본 발명에 있어서, 상기 프로세스 용기는 용기 외부와 연결되면서 개폐가 가능한 배기부를 더 포함할 수 있다. In the present invention, the process vessel may further include an exhaust portion that is open and closed while being connected to the outside of the vessel.

상기 프로세스 용기는, 세정 용액을 순환시킬 수 있는 펌프; 및 상기 펌프와 연결되어 상기 세정 용액 또는 탈이온수의 배출을 조절할 수 있는 제3 포트를 더 포함할 수 있다. The process vessel includes a pump capable of circulating a cleaning solution; And a third port connected to the pump to control the discharge of the cleaning solution or deionized water.

상기 프로세스 용기는 프로세스 용기 하부로부터 용기 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 더 포함할 수도 있다. The process vessel may further comprise a gas supply for supplying inert gas from the bottom of the process vessel into the vessel.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 이용한 웨이퍼의 세정방법은, 외부 프로세스 용기, 내부 프로세스 용기 및 상기 내부프로세스 용기를 덮을 수 있게 상기 내부 프로세스 용기보다 큰 사이즈를 가지면서 상하로 이동이 가능한 상부 커버를 포함하는 세정장치 내에 웨이퍼를 배치하는 단계; 상기 내부 프로세스 용기보다 큰 사이즈를 갖는 상부 커버를 이동시켜 상기 내부 프로세스 용기를 덮는 단계; 상기 세정장치 내에 공기가 남지 않 도록 탈이온수를 공급하면서 오버플로우시키는 단계; 상기 세정장치 내에 불활성 기체를 공급하면서 상기 상부 커버를 위로 이동시켜 상기 세정장치와 상부 커버 사이에 불활성 기체를 채우는 단계; 상기 세정장치 내의 탈이온수를 배출하는 단계; 및 상기 프로세스 용기 내에 불활성 기체 및 이소프로필알콜을 공급하여 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.In order to achieve the above technical problem, the wafer cleaning method using a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, the size larger than the inner process container to cover the outer process container, the inner process container and the inner process container. Arranging the wafer in the cleaning apparatus including a top cover movable up and down with a; Moving the top cover having a size larger than the inner process vessel to cover the inner process vessel; Overflowing while supplying deionized water such that no air remains in the scrubber; Moving the top cover upward while supplying an inert gas into the scrubber to fill an inert gas between the scrubber and the top cover; Discharging the deionized water in the washing apparatus; And supplying an inert gas and isopropyl alcohol into the process vessel to dry the wafer.

웨이퍼의 세정 공정은 화학 용액 처리 공정, 수세 공정, 그리고 건조 공정으로 나눌 수 있다. 그런데, 건조 공정을 진행하는 과정에서 산소 및 각종 불순물이 포함된 대기가 웨이퍼와 접촉하면서 웨이퍼의 표면에 워터마크(watermark)와 같은 결함을 발생시킬 수 있다. The wafer cleaning process can be divided into a chemical solution treatment process, a water washing process, and a drying process. However, in the course of the drying process, an atmosphere containing oxygen and various impurities may come into contact with the wafer to generate defects such as watermarks on the surface of the wafer.

이에 따라 본 발명에서는 웨이퍼가 탈이온수(DIW; Deionized water)에 잠겨 있는 상태에서 장치를 외부 대기로부터 완전히 차단시킨다. 즉, 산소가 없는 상태에서 웨이퍼 상에 린스 및 건조(Rinse and dry) 공정을 진행하여 웨이퍼가 산소를 포함한 일반 대기와 접촉하는 것을 원천적으로 차단함으로써 워터마크와 같은 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, the device is completely isolated from the external atmosphere while the wafer is immersed in deionized water (DIW). In other words, by performing a rinse and dry process on the wafer in the absence of oxygen, the wafer is inherently blocked from contacting the general atmosphere including oxygen, thereby preventing the occurrence of defects such as watermarks. .

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 세정방법을 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, a wafer cleaning apparatus and a cleaning method using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 2 is a view illustrating a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치는, 외부 프로세스 용기(200)와, 외부 프로세스 용기(200)로부터 내측으로 소정 간격만큼 이격되어 배치되면서 웨이퍼(w)를 탑재할 수 있는 내부 프로세스 용기(202)와, 외부 프로세스 용기(200)와 대응되도록 배치되어 웨이퍼(w)와 외부 공기를 차단시키는 상부 커버(204)와, 내부 프로세스 용기(202)에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급부(208)와, 상부 커버(204)와 연결되어 프로세스 용기 내 세정용액의 공급 및 배출을 조절하는 제1 포트(210) 및 상부 커버(204)와 연결되어 프로세스 용기에 불활성 기체의 공급 및 배출을 조절하는 제2 포트(212)를 포함하여 구성된다. 여기서 상부 커버(204)는 그 상부가 볼록한 구조로 형성되며, 상하로 이동이 가능하도록 형성된다. 또한, 프로세스 용기는 세정 용액을 순환시킬 수 있는 펌프(214), 펌프(214)와 연결되어 세정 용액 또는 탈이온수의 배출을 조절할 수 있는 제3 포트(216)를 더 포함할 수 있다. 또한 프로세스 용기는 외부로 연결되면서 개폐가 가능한 배기부(218)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the wafer cleaning apparatus according to the present invention includes an external process vessel 200 and an internal process in which the wafer w may be mounted while being spaced apart from the external process vessel 200 by a predetermined interval inwardly. A vessel 202, an upper cover 204 disposed to correspond to the external process vessel 200 to block the wafer w and external air, and a deionized water supply unit for supplying deionized water to the internal process vessel 202 ( 208, a first port 210 connected to the top cover 204 to regulate the supply and discharge of the cleaning solution in the process vessel, and a top cover 204 to regulate the supply and discharge of inert gas to the process vessel. It is configured to include a second port 212. Here, the upper cover 204 is formed in a convex structure, the upper portion is formed to be movable up and down. In addition, the process vessel may further include a pump 214 capable of circulating the cleaning solution, and a third port 216 connected to the pump 214 to control the discharge of the cleaning solution or deionized water. In addition, the process vessel may further include an exhaust portion 218 that is connected to the outside can be opened and closed.

이하, 이와 같은 세정장치를 이용한 웨이퍼의 세정방법은 다음과 같다.Hereinafter, the cleaning method of the wafer using such a cleaning apparatus is as follows.

도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 세정방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.3A to 3I are views illustrating a method of cleaning a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 외부 프로세스 용기(200) 내측에 소정 간격만큼 이격되어 배치된 내부 프로세스 용기(202) 내에 웨이퍼(w)를 로딩시킨다. 다음에 내부 프로세스 용기(202)에 로딩된 웨이퍼(w) 상에 FRD(fluorine rinse dry) 공정을 진행한다. 여기서 FRD 공정은 불산(HF)과 탈이온수(DIW; De-ionized water)를 혼합한 용액을 공급하여 진행할 수 있으며, FRD 공정을 진행하는 과정에서 웨이퍼(w) 표면의 이물질, 예를 들어 자연 산화막(natural oxide)이 제거된다.Referring to FIG. 3A, the wafer w is loaded into the inner process vessel 202 disposed spaced by a predetermined interval inside the outer process vessel 200. Next, a fluorine rinse dry (FRD) process is performed on the wafer w loaded in the internal process vessel 202. The FRD process may be performed by supplying a solution in which hydrofluoric acid (HF) and deionized water (DIW) are mixed, and foreign matter on the surface of the wafer (w), for example, a natural oxide layer, during the FRD process. (natural oxide) is removed.

도 3b를 참조하면, FRD 공정이 진행된 프로세스 용기 상에 외부 프로세스 용기(200)와 대응되도록 배치되어 있는 상부 커버(204)를 이동시켜 외부 프로세스 용기(200)와 접착, 밀폐하여 웨이퍼(w)와 외부 공기를 차단시킨다. Referring to FIG. 3B, the upper cover 204 disposed to correspond to the external process vessel 200 is moved on the process vessel where the FRD process is performed, and then adhered to and sealed to the external process vessel 200 to seal the wafer w. Shut off outside air.

도 3c를 참조하면, 프로세스 용기 하부에 배치된 탈이온수 공급부(208)로부터 외부 프로세스 용기(200) 및 내부 프로세스 용기(202) 내에 탈이온수를 공급하여 프로세스 용기 및 상부 커버(204) 내부를 채운다. 여기서 상부 커버(204)와 연결된 제1 포트(210)에서 일부 배출될 때까지 탈이온수를 공급하여 내부에 산소(O2)를 포함한 공기가 남지 않도록 한다. 이 과정에서 프로세스 용기 내의 희석된 불산 용액은 UDHF(Ultra diluted HF) 용액으로 보다 더 희석된다. 이때 배기부(exhaust, 218)는 차단시키는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 3C, deionized water is supplied into the external process vessel 200 and the internal process vessel 202 from the deionized water supply unit 208 disposed under the process vessel to fill the inside of the process vessel and the top cover 204. Here, deionized water is supplied until partly discharged from the first port 210 connected to the upper cover 204 so that air containing oxygen (O 2 ) is not left inside. In this process, the diluted hydrofluoric acid solution in the process vessel is further diluted with Ultra diluted HF (UDHF) solution. At this time, it is preferable to block the exhaust section 218.

도 3d를 참조하면, 상부 커버와 연결된 제2 포트(212)를 통해 프로세스 용기 내부로 불활성 기체를 공급한다. 여기서 프로세스 용기 내부로 불활성 기체를 공급하면서 프로세스 용기와 연결된 제3 포트(216)로 UDHF 용액을 외부로 배출한다. 이때, 웨이퍼(w)의 주위는 모두 불활성 기체로 둘러싸여 있으며 산소(O2) 가스를 포함 하는 외부 공기에 노출되지 않는다. 여기서 불활성 기체는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 수소(H) 및 질소(N2) 가스를 포함하는 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 바람직한 공정 과정을 설명하기 위해 질소 가스를 이용하였다.Referring to FIG. 3D, an inert gas is supplied into the process vessel through the second port 212 connected with the top cover. Here, the UDHF solution is discharged to the outside through the third port 216 connected to the process vessel while supplying an inert gas into the process vessel. At this time, the periphery of the wafer w is all surrounded by an inert gas and is not exposed to external air including oxygen (O 2 ) gas. Herein, it is preferable to use at least one gas selected from the group containing helium (He), argon (Ar), hydrogen (H) and nitrogen (N 2 ) gas. In the embodiment of the present invention, nitrogen gas was used to describe the preferred process.

도 3e를 참조하면, 프로세스 용기 외부로 UDHF 용액이 모두 배출된 후, 탈이온수 공급부(208)를 통해 내부 프로세스 용기(202) 상에 탈이온수를 공급하는 린스 공정을 진행한다. 이러한 린스 공정에 의해 프로세스 용기 내에 잔류하고 있는 불산(HF) 용액을 모두 제거할 수 있다. 여기서 탈이온수는 내부 프로세스 용기(202) 상에 오버플로우(overflow) 되도록 공급하는 것이 바람직하다. 이와 같이 프로세스 용기 상에 탈이온수(DIW)를 공급할 때는 불활성 기체, 예를 들어 질소(N2) 가스는 공급하지 않는다. 이때, 탈이온수(DIW)가 오버플로우되어 웨이퍼(w)가 탈이온수에 잠기게 되면 배출부(218)를 개방시킬 수 있다.Referring to FIG. 3E, after all of the UDHF solution is discharged out of the process vessel, a rinsing process is performed to supply deionized water onto the internal process vessel 202 through the deionized water supply unit 208. This rinsing process can remove all the hydrofluoric acid (HF) solution remaining in the process vessel. The deionized water is preferably supplied so as to overflow on the internal process vessel 202. As described above, when deionized water (DIW) is supplied onto the process vessel, an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas is not supplied. In this case, when the deionized water DIW overflows and the wafer w is immersed in the deionized water, the discharge part 218 may be opened.

도 3f를 참조하면, 탈이온수를 오버플로우시키는 린스 공정을 진행한 다음 프로세스 용기 내에 탈이온수를 공급하여 외부 프로세스 용기(200), 내부 프로세스 용기(202) 및 상부 커버(204) 내부를 가득 채운다. 여기서 상부 커버(204)와 연결된 제1 포트(210)에서 일부 배출될 때까지 탈이온수를 공급하여 내부에 산소(O2)를 포함한 공기가 남지 않도록 한다. 이 과정에서 프로세스 용기 내의 희석된 불산 용액은 UDHF(Ultra diluted HF) 용액으로 보다 더 희석된다. 이때 배기부(exhaust, 218)는 차단시키는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 3F, a rinse process that overflows deionized water is performed and then deionized water is supplied into the process vessel to fill the inside of the outer process vessel 200, the inner process vessel 202, and the upper cover 204. Here, deionized water is supplied until partly discharged from the first port 210 connected to the upper cover 204 so that air containing oxygen (O 2 ) is not left inside. In this process, the diluted hydrofluoric acid solution in the process vessel is further diluted with Ultra diluted HF (UDHF) solution. At this time, it is preferable to block the exhaust section 218.

도 3g를 참조하면, 상부 커버와 연결된 제2 포트(212)를 통해 프로세스 용기 내부로 불활성 기체, 예를 들어 질소(N2) 가스를 공급한다. 여기서 프로세스 용기 내부로 불활성 기체를 공급하면서 프로세스 용기와 연결된 제3 포트(216)로 UDHF 용액을 외부로 배출한다. 이때, 웨이퍼(w)의 주위는 모두 불활성 기체로 둘러싸여 있으며 산소(O2) 가스를 포함하는 외부 공기에 노출되지 않는다. 여기서 불활성 기체는 헬륨(He), 아르곤(Ar) 및 수소(H) 가스를 포함하는 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 가스를 이용할 수도 있다. Referring to FIG. 3G, an inert gas, such as nitrogen (N 2 ) gas, is supplied into the process vessel through the second port 212 connected with the top cover. Here, the UDHF solution is discharged to the outside through the third port 216 connected to the process vessel while supplying an inert gas into the process vessel. At this time, the periphery of the wafer w is all surrounded by an inert gas and is not exposed to external air containing oxygen (O 2 ) gas. The inert gas may be any one or more gases selected from the group consisting of helium (He), argon (Ar) and hydrogen (H) gas.

도 3h를 참조하면, 상부 커버(204)와 연결된 제2 포트(212)를 통해 불활성 기체 및 이소프로필 알콜(IPA; Isopropyl alcohol)을 공급하여 웨이퍼(w)를 건조시킨다. 이때, 프로세스 용기 내부의 탈이온수는 외부로 배출된 상태이다. Referring to FIG. 3H, an inert gas and isopropyl alcohol (IPA) are supplied through a second port 212 connected to the top cover 204 to dry the wafer w. At this time, the deionized water inside the process vessel is discharged to the outside.

여기서 웨이퍼(w)를 건조시키는 과정은 도 3i에 도시한 바와 같이, 내부 프로세스 용기(202)에만 탈이온수(DIW)를 채운 상태에서 탈이온수를 배출시키면서 웨이퍼(w)를 서서히 들어올려 건조시킬 수도 있다. 다음에 웨이퍼(w)가 탈이온수(DIW)에서 완전히 빠져나오면, 상부 커버(204)와 연결된 제2 포트(212)를 이용하여 이소프로필알콜(IPA)과 높은 온도의 질소(N2) 가스(hot N2)를 공급하여 건조시킨다. 이때, 웨이퍼(w)는 고정시키고 내부 프로세스 용기(202)의 탈이온수(DIW)를 서서히 배출하여 건조시킬 수도 있다.Here, the process of drying the wafer w may be slowly lifted and dried while discharging the deionized water while the deionized water DIW is filled only in the internal process vessel 202 as shown in FIG. 3I. have. Next, when the wafer w is completely removed from the DI water, the isopropyl alcohol (IPA) and the high temperature nitrogen (N 2 ) gas ( 2 ) are connected using the second port 212 connected to the upper cover 204. Hot N 2 ) is supplied and dried. In this case, the wafer w may be fixed and the deionized water DIW of the internal process vessel 202 may be gradually discharged and dried.

본 발명의 일 실시예에 따른 세정장치 및 이를 이용한 세정방법은 프로세스 용기 내부에 웨이퍼(w)가 탈이온수(DIW)에 잠겨있는 상태에서 세정장치를 외부 프 로세스 용기와 대응되도록 배치된 상부 커버를 이용하여 웨이퍼(w)와 외부 공기를 밀폐, 차단시킨 후 린스 및 건조 공정을 진행한다. 즉, 웨이퍼를 산소가 없는 상태에서 린스 및 건조시킴으로써 외부 공기의 접촉에 의해 웨이퍼 상에 워터마크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a cleaning apparatus and a cleaning method using the same include a top cover disposed to correspond to an external process container in a state in which a wafer w is immersed in deionized water (DIW). After sealing and blocking the wafer (w) and the outside air by using the rinse and drying process. That is, by rinsing and drying the wafer in the absence of oxygen, it is possible to prevent watermarks from being generated on the wafer due to contact with external air.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정장치를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.4 is a view showing for explaining a washing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정장치는, 외부 프로세스 용기(300)와, 외부 프로세스 용기(300)로부터 내측으로 소정 간격만큼 이격되어 배치되면서 웨이퍼(w)를 탑재할 수 있는 내부 프로세스 용기(302)와, 내부 프로세스 용기(302)를 덮을 수 있게 내부 프로세스 용기(302)보다 큰 사이즈를 갖도록 배치되면서 상하로 이동이 가능한 상부 커버(304)와, 내부 프로세스 용기(302)에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급부(308)와, 상부 커버(304)와 연결되어 상기 프로세스 용기 내 세정용액의 공급 및 배출을 조절하는 제1 포트(310) 및 상부 커버(304)와 연결되어 상기 프로세스 용기에 불활성 기체의 공급 및 배출을 조절하는 제2 포트(312)를 포함하여 이루어진다. 여기서 프로세스 용기는 세정 용액을 순환시킬 수 있는 펌프(314), 펌프(314)와 연결되어 세정 용액 또는 탈이온수의 배출을 조절할 수 있는 제3 포트(316)를 더 포함할 수 있다. 또한 프로세스 용기는 외부로 연결되면서 개폐가 가능한 배기부(318)를 더 포함할 수 있다. 또한 프로세스 용기는 프로세스 용기 하부로부터 용기 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부(313)를 더 포함할 수도 있다. Referring to FIG. 4, the cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention may mount the wafer w while being disposed to be spaced apart from the external process container 300 by an interval from the external process container 300 to the inside. An inner process container 302, an upper cover 304 movable up and down while being disposed to have a larger size than the inner process container 302 to cover the inner process container 302, and the inner process container 302. Is connected to the deionized water supply unit 308 for supplying deionized water to the upper cover 304, the first port 310 and the upper cover 304 to control the supply and discharge of the cleaning solution in the process vessel And a second port 312 for regulating the supply and discharge of inert gas to the process vessel. The process vessel may further include a pump 314 capable of circulating the cleaning solution, and a third port 316 connected to the pump 314 to control the discharge of the cleaning solution or deionized water. In addition, the process container may further include an exhaust part 318 which is connected to the outside and is openable. The process vessel may also include a gas supply 313 for supplying an inert gas from the process vessel bottom into the vessel.

이하, 이러한 세정장치를 이용한 웨이퍼의 세정방법은 다음과 같다.Hereinafter, the wafer cleaning method using such a cleaning apparatus is as follows.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 세정방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.5A to 5D are views illustrating a method of cleaning a wafer according to another embodiment of the present invention.

도 5a를 참조하면, 외부 프로세스 용기(300) 내측에 소정 간격만큼 이격되어 배치된 내부 프로세스 용기(302) 내에 웨이퍼(w)를 로딩시킨다. 다음에 내부 프로세스 용기(302)에 로딩된 웨이퍼(w) 상에 FRD(fluorine rinse dry) 공정을 진행한다. 여기서 FRD 공정은 불산(HF)과 탈이온수(DIW; De-ionized water)를 혼합한 용액을 공급하여 진행할 수 있으며, FRD 공정을 진행하는 과정에서 웨이퍼(w) 표면의 이물질, 예를 들어 자연 산화막(natural oxide)이 제거된다.Referring to FIG. 5A, a wafer w is loaded into an inner process vessel 302 disposed spaced by a predetermined interval inside the outer process vessel 300. Next, a fluorine rinse dry (FRD) process is performed on the wafer w loaded in the internal process vessel 302. The FRD process may be performed by supplying a solution in which hydrofluoric acid (HF) and deionized water (DIW) are mixed, and foreign matter on the surface of the wafer (w), for example, a natural oxide layer, during the FRD process. (natural oxide) is removed.

도 5b를 참조하면, 내부 프로세스 용기(302)보다 큰 사이즈를 가지면서 상하로 이동이 가능한 상부 커버(304)를 이동시켜 내부 프로세스 용기(302)를 덮는다. 여기서 상부 커버(304)는 내부 프로세스 용기(302)와 거의 밀착하도록 덮는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 5B, the upper cover 304 which is larger in size than the inner process container 302 and which is movable up and down is moved to cover the inner process container 302. The top cover 304 is preferably covered to be in close contact with the internal process vessel 302.

도 5c를 참조하면, 프로세스 용기 내에 탈이온수를 공급하여 내부 프로세스 용기(302) 및 내부 프로세스 용기(302)와 밀착되도록 덮는 상부 커버(304) 사이의 공간에 산소(O2)를 포함한 공기가 남지 않도록 오버플로우시킨다. 여기서 탈이온수는 상부 커버(304)와 연결된 제1 포트(310)에서 일부 배출될 때까지 공급하면서 오 버플로우시킬 수 있다.Referring to FIG. 5C, air containing oxygen (O 2 ) remains in the space between the inner cover (302) and the upper cover (304) which is in close contact with the inner process container (302) by supplying deionized water into the process container. Do not overflow. The deionized water may be overflowed while being supplied until partially discharged from the first port 310 connected to the upper cover 304.

도 5d를 참조하면, 내부 프로세스 용기(302) 내에 불활성 기체를 공급하면서 상부 커버(304)를 위로 이동시켜 프로세스 용기와 상부 커버(304) 사이에 불활성 기체를 채운다.Referring to FIG. 5D, the top cover 304 is moved up while supplying the inert gas into the internal process vessel 302 to fill the inert gas between the process vessel and the top cover 304.

여기서 불활성 기체는 내부 프로세스 용기(302) 하부로부터 공급하거나 또는 상부 커버(304)와 연결된 제2 포트(312)를 통해 프로세스 용기 내부로 불활성 기체를 공급할 수 있다. 웨이퍼(w)의 주위는 모두 불활성 기체로 둘러싸여 있으며 산소(O2) 가스를 포함하는 외부 공기에 노출되지 않는다. 여기서 불활성 기체는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 수소(H) 및 질소(N2) 가스를 포함하는 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 가스를 이용할 수도 있다. 이때, 밀착된 내부 프로세스 용기(302)로부터 위로 이동시키는 상부 커버(304)의 속도는 너무 빠르지 않게 이동시킨다. 불활성 기체는 프로세스 용기 하부로부터 용기 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부(313)를 통해 공급될 수도 있다. The inert gas may be supplied from below the internal process vessel 302 or may be supplied into the process vessel through the second port 312 connected with the upper cover 304. The surroundings of the wafer w are all surrounded by an inert gas and are not exposed to external air containing oxygen (O 2 ) gas. The inert gas may be any one or more gases selected from the group consisting of helium (He), argon (Ar), hydrogen (H) and nitrogen (N 2 ) gas. At this time, the speed of the top cover 304, which moves up from the tightly closed inner process vessel 302, is not too fast. Inert gas may be supplied through a gas supply 313 that supplies an inert gas from the bottom of the process vessel into the vessel.

도 5e를 참조하면, 세정장치 내에 잔여하고 있는 탈이온수를 배출한다. 다음에 상부 커버(304)와 연결된 제2 포트(312)를 통해 불활성 기체 및 이소프로필 알콜(IPA; Isopropyl alcohol)을 공급하여 웨이퍼(w)를 건조시킨다. Referring to FIG. 5E, the deionized water remaining in the washing apparatus is discharged. Next, an inert gas and isopropyl alcohol (IPA) are supplied through the second port 312 connected to the upper cover 304 to dry the wafer w.

본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법은, 내부 프로세스 용기보다 큰 사이즈를 가지면서 상하로 이동이 가능한 상부 커버를 이동시켜 내부 프로세스 용기와 거의 밀착하도록 덮은 다음 린스 및 건 조 공정을 진행함으로써 웨이퍼 상에 워터마크가 발생하는 것을 방지할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning method using the same, wherein the upper cover having a size larger than that of the internal process container is movable up and down to cover the inner process container so as to be in close contact with the internal process container, By performing the drying process, it is possible to prevent the generation of watermarks on the wafer.

지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법에 의하면, 웨이퍼를 린스 또는 건조시키는 프로세스 용기를 전부 또는 일부분 밀폐시켜 웨이퍼와 외부 대기가 접촉하는 것을 방지함으로써 웨이퍼 상에 워터마크가 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described so far, according to the wafer cleaning apparatus and the method for cleaning a wafer using the same, a wafer or a process container for rinsing or drying the wafer is completely or partially sealed to prevent contact between the wafer and the external atmosphere. The watermark can be prevented from occurring.

Claims (13)

외부 프로세스 용기;External process vessels; 상기 외부 프로세스 용기로부터 내측으로 소정 간격만큼 이격되어 배치되면서 웨이퍼를 탑재할 수 있는 내부 프로세스 용기;An inner process vessel configured to mount a wafer while being spaced inwardly from the outer process vessel by a predetermined interval; 상기 외부 프로세스 용기와 대응되도록 배치되어 웨이퍼와 외부 공기를 차단시키는 상부 커버;An upper cover disposed to correspond to the external process container to block a wafer and external air; 상기 내부 프로세스 용기에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급부;Deionized water supply unit for supplying deionized water to the internal process vessel; 상기 상부 커버와 연결되어 상기 외부 또는 내부 프로세스 용기 내 세정용액의 공급 및 배출을 조절하는 제1 포트; A first port connected to the upper cover to regulate supply and discharge of the cleaning solution in the external or internal process vessel; 상기 상부 커버와 연결되어 상기 외부 또는 내부 프로세스 용기에 불활성 기체의 공급 및 배출을 조절하는 제2 포트; 및A second port connected to the top cover to regulate supply and discharge of inert gas to the external or internal process vessel; And 상기 상부 커버와 제1 포트 및 제2 포트를 연결하는 드레인 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.And a drain port connecting the upper cover to the first port and the second port. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 외부 프로세스 용기는 용기 외부와 연결되면서 개폐가 가능한 배기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.The external process vessel further comprises an exhaust portion that can be opened and closed while being connected to the outside of the vessel. 제1항에 있어서, 상기 외부 프로세스 용기는, The method of claim 1, wherein the external process vessel, 세정 용액을 순환시킬 수 있는 펌프; 및A pump capable of circulating the cleaning solution; And 상기 펌프와 연결되어 상기 세정 용액 또는 탈이온수의 배출을 조절할 수 있는 제3 포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.And a third port connected to the pump to control discharge of the cleaning solution or deionized water. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 커버는 상부가 볼록한 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.The upper cover is a wafer cleaning apparatus, characterized in that formed in a convex structure. 외부 프로세스 용기, 상기 외부 프로세스 용기와 대응되도록 배치된 상부 커버 및 내부 프로세스 용기를 포함하는 세정장치 내에 웨이퍼를 배치하는 단계;Placing a wafer in a cleaning apparatus including an outer process vessel, a top cover disposed to correspond to the outer process vessel and an inner process vessel; 상기 세정장치 내에 세정 용액을 공급하여 웨이퍼 상의 이물질을 제거하는 단계;Supplying a cleaning solution into the cleaning device to remove foreign substances on the wafer; 상기 웨이퍼를 외부와 밀폐시키기 위해 상기 외부 프로세스 용기를 상기 상부 커버로 덮는 단계;Covering the outer process vessel with the top cover to seal the wafer to the outside; 상기 세정장치 내에 공기가 남지 않도록 탈이온수를 공급하는 단계;Supplying deionized water such that no air remains in the washing apparatus; 상기 세정장치 내에 불활성 기체를 공급하면서 상기 세정장치 내의 세정 용액을 배출하는 단계;Discharging the cleaning solution in the cleaning device while supplying an inert gas into the cleaning device; 상기 내부 프로세스 용기에 탈이온수를 공급하여 오버 플로우시켜 상기 세정장치 내에 남아 있는 세정 용액을 배출하는 단계; 및Supplying deionized water to the internal process vessel and overflowing to discharge the cleaning solution remaining in the cleaning apparatus; And 상기 외부 또는 내부 프로세스 용기 내에 불활성 기체 및 이소프로필알콜을 공급하여 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.Supplying an inert gas and isopropyl alcohol into the outer or inner process vessel to dry the wafer. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 세정장치 내에 남아 있는 세정 용액을 배출하는 단계 이후에, 상기 세정장치 내에 공기가 남지 않도록 탈이온수를 공급하는 단계; 및After the step of discharging the cleaning solution remaining in the cleaning device, supplying deionized water so that no air remains in the cleaning device; And 상기 세정장치 내에 불활성 기체를 공급하면서 상기 세정장치 내의 세정 용액을 배출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.And discharging the cleaning solution in the cleaning device while supplying an inert gas into the cleaning device. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 세정 용액은 불산(HF) 용액, 황산을 포함하는 용액, 오존(O3)을 포함하는 용액 및 암모늄을 포함하는 용액을 포함하는 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 세정 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.The cleaning solution is a wafer, characterized in that using any one or more cleaning solution selected from the group comprising a hydrofluoric acid (HF) solution, a solution containing sulfuric acid, a solution containing ozone (O 3 ) and a solution containing ammonium Washing method. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 불활성 기체는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 수소(H) 및 질소(N2) 가스를 포함하는 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.The inert gas may be any one or more gases selected from the group consisting of helium (He), argon (Ar), hydrogen (H) and nitrogen (N 2 ) gas. 외부 프로세스 용기;External process vessels; 상기 외부 프로세스 용기로부터 내측으로 소정 간격만큼 이격되어 배치되면서 웨이퍼를 탑재할 수 있는 내부 프로세스 용기;An inner process vessel configured to mount a wafer while being spaced inwardly from the outer process vessel by a predetermined interval; 상기 내부 프로세스 용기를 덮을 수 있게 상기 내부 프로세스 용기보다 큰 사이즈를 갖도록 배치되면서 상하로 이동이 가능한 상부 커버;An upper cover disposed to have a size larger than that of the inner process container to cover the inner process container and movable up and down; 상기 내부 프로세스 용기에 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급부;Deionized water supply unit for supplying deionized water to the internal process vessel; 상기 상부 커버와 연결되어 상기 외부 또는 내부 프로세스 용기 내 세정용액의 공급 및 배출을 조절하는 제1 포트; 및A first port connected to the upper cover to regulate supply and discharge of the cleaning solution in the external or internal process vessel; And 상기 상부 커버와 연결되어 상기 외부 또는 내부 프로세스 용기에 불활성 기체의 공급 및 배출을 조절하는 제2 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.And a second port connected to the upper cover to regulate supply and discharge of inert gas to the external or internal process vessel. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 외부 프로세스 용기는 용기 외부와 연결되면서 개폐가 가능한 배기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.The external process vessel further comprises an exhaust portion that can be opened and closed while being connected to the outside of the vessel. 제9항에 있어서, 상기 외부 프로세스 용기는, The method of claim 9, wherein the external process vessel, 세정 용액을 순환시킬 수 있는 펌프; 및A pump capable of circulating the cleaning solution; And 상기 펌프와 연결되어 상기 세정 용액 또는 탈이온수의 배출을 조절할 수 있는 제3 포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.And a third port connected to the pump to control discharge of the cleaning solution or deionized water. 제9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 내부 프로세스 용기는 내부 프로세스 용기 하부로부터 용기 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.The inner process vessel further comprises a gas supply for supplying an inert gas from the lower portion of the inner process vessel into the vessel. 외부 프로세스 용기, 내부 프로세스 용기 및 상기 내부프로세스 용기를 덮을 수 있게 상기 내부 프로세스 용기보다 큰 사이즈를 가지면서 상하로 이동이 가능한 상부 커버를 포함하는 세정장치 내에 웨이퍼를 배치하는 단계;Disposing a wafer in a cleaning apparatus including an outer process vessel, an inner process vessel, and a top cover movable up and down while having a size larger than the inner process vessel to cover the inner process vessel; 상기 내부 프로세스 용기보다 큰 사이즈를 갖는 상부 커버를 이동시켜 상기 내부 프로세스 용기를 덮는 단계;Moving the top cover having a size larger than the inner process vessel to cover the inner process vessel; 상기 세정장치 내에 공기가 남지 않도록 탈이온수를 공급하면서 오버플로우시키는 단계;Overflowing while supplying deionized water such that no air remains in the washing apparatus; 상기 세정장치 내에 불활성 기체를 공급하면서 상기 상부 커버를 위로 이동시켜 상기 세정장치와 상부 커버 사이에 불활성 기체를 채우는 단계;Moving the top cover upward while supplying an inert gas into the scrubber to fill an inert gas between the scrubber and the top cover; 상기 세정장치 내의 탈이온수를 배출하는 단계; 및Discharging the deionized water in the washing apparatus; And 상기 외부 또는 내부 프로세스 용기 내에 불활성 기체 및 이소프로필알콜을 공급하여 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.Supplying an inert gas and isopropyl alcohol into the outer or inner process vessel to dry the wafer.
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