JP2001358134A - Apparatus and method for substrate treatment - Google Patents
Apparatus and method for substrate treatmentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク用ガラス基板等の基板に、エッチング処理等
の所定の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関
する。The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask,
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a predetermined process such as an etching process on a substrate such as a glass substrate for an optical disk.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、基板の一種であるウエハに処
理を行う際には、薬液等の処理液によるエッチング処
理、純水による洗浄処理、及び乾燥処理が順次ウエハに
対して行われて、ウエハに対する一連の処理が達成され
ている。これらの各処理のうちエッチング処理は、ウエ
ハの表面に形成された薄膜をエッチングする際に実行さ
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, when processing a wafer as a kind of substrate, an etching process using a processing solution such as a chemical solution, a cleaning process using pure water, and a drying process are sequentially performed on the wafer. A series of processes on the wafer has been achieved. Among these processes, the etching process is performed when a thin film formed on the surface of the wafer is etched.
【０００３】従来の基板処理装置においてのエッチング
処理の方式では、ウエハの表面にフッ酸（ＨＦ）水溶液
を供給して、エッチング処理が行われている。このエッ
チング処理の方式としては、まず、処理槽にフッ酸水溶
液を貯溜し、このフッ酸水溶液にウエハを浸漬してエッ
チング処理を行うものがある。また、ウエハＷを回転保
持部材で保持しながら回転させて、ウエハの表面に供給
ノズル等からフッ酸を供給してエッチング処理を行うも
のがある。[0003] In an etching method in a conventional substrate processing apparatus, an etching process is performed by supplying a hydrofluoric acid (HF) aqueous solution to the surface of a wafer. As a method of the etching treatment, there is a method in which a hydrofluoric acid aqueous solution is first stored in a treatment tank, and a wafer is immersed in the hydrofluoric acid aqueous solution to perform an etching treatment. Further, there is a method in which the wafer W is rotated while being held by a rotation holding member, and hydrofluoric acid is supplied from a supply nozzle or the like to the surface of the wafer to perform an etching process.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】近年、次世代デバイス
の構造としては、親水性と疎水性とが混在したものや、
アスペクト比（径に対する長さの比）の大きなトレンチ
構造を有するもの等が出てきている。しかしながら、フ
ッ酸をウエハの表面に供給する従来からの基板処理装置
及び基板処理方法では、かかる新素材のデバイス構造の
変化には対応できず、ウエハに対するエッチング性能が
低下してしまうという問題がある。In recent years, the structure of next-generation devices includes a mixture of hydrophilicity and hydrophobicity,
Some have a trench structure with a large aspect ratio (ratio of length to diameter). However, the conventional substrate processing apparatus and the conventional substrate processing method for supplying hydrofluoric acid to the surface of the wafer cannot cope with such a change in the device structure of the new material, and there is a problem that the etching performance for the wafer is reduced. .
【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、デバイス構造の変化があってもエッチング
性能を維持できる基板処理装置及び基板処理方法を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of maintaining etching performance even when a device structure changes.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に記載の基板処理装置は、基板に所定
の処理を行う基板処理装置において、基板に処理を行う
ための処理部と、前記処理部にある基板にフッ素系不活
性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む処理液を供給する処
理液供給手段と、を備えたことを特徴とするものであ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate. And a processing liquid supply means for supplying a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid, an organic solvent, and hydrofluoric acid to the substrate in the processing section.
【０００７】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理部
が、前記処理液供給手段から供給されたフッ素系不活性
液体、有機溶媒及びフッ酸を含む処理液を貯溜し、処理
液に基板を浸漬することによって基板の処理を行うため
の処理槽と、前記処理槽へ基板を搬入するための搬送手
段とを備えたことを特徴とするものである。[0007] The substrate processing apparatus according to claim 2 is
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit stores the processing liquid containing the fluorine-based inert liquid, the organic solvent, and the hydrofluoric acid supplied from the processing liquid supply unit, and immerses the substrate in the processing liquid. The processing tank is provided with a processing tank for performing the processing of the substrate, and transport means for carrying the substrate into the processing tank.
【０００８】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液
体、有機溶媒及びフッ酸を混合させて処理液を生成する
処理液生成手段をさらに備えたことを特徴とするもので
ある。Further, the substrate processing apparatus according to claim 3 is
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a processing liquid generating unit connected to the processing liquid supply unit and configured to generate a processing liquid by mixing a fluorine-based inert liquid, an organic solvent, and hydrofluoric acid. It is characterized by having.
【０００９】また、請求項４に記載の基板処理装置は、
請求項１乃至請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体、有機溶媒
及びフッ酸を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段
が、回収された処理液を循環路を介して再度前記処理部
にある基板に供給することを特徴とするものである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 4 is
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
The processing liquid containing the fluorinated inert liquid, the organic solvent, and the hydrofluoric acid used in the processing unit is recovered, and the processing liquid supply unit is provided in the processing unit again through the circulation path for the recovered processing liquid. It is characterized in that it is supplied to a substrate.
【００１０】また、請求項５に記載の基板処理装置は、
請求項１乃至請求項４に記載の基板処理装置において、
前記有機溶媒が、イソプロピルアルコールであることを
特徴とするものである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 5 is
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The organic solvent is isopropyl alcohol.
【００１１】また、請求項６に記載基板に所定の処理を
行う基板処理装置において、基板に処理を行うための処
理部と、前記処理部にある基板にフッ素系不活性液体及
びフッ酸を含む処理液を供給する処理液供給手段と、を
備えたことを特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, a processing unit for performing a process on the substrate, and the substrate in the processing unit includes a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid. And a processing liquid supply means for supplying a processing liquid.
【００１２】また、請求項７に記載の基板処理装置は、
請求項６に記載の基板処理装置において、前記処理部
が、前記処理液供給手段から供給されたフッ素系不活性
液体及びフッ酸を含む処理液を貯溜し、処理液に基板を
浸漬することによって基板の処理を行うための処理槽
と、前記処理槽へ基板を搬入するための搬送手段とを備
えたことを特徴とするものである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 7 is
7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the processing unit stores a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid supplied from the processing liquid supply unit, and immerses the substrate in the processing liquid. The apparatus is provided with a processing tank for processing the substrate, and a transport unit for carrying the substrate into the processing tank.
【００１３】また、請求項８に記載の基板処理装置は、
請求項６または請求項７に記載の基板処理装置におい
て、前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液
体及びフッ酸を混合させて処理液を生成する処理液生成
手段をさらに備えたことを特徴とするものである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 8 is
8. The substrate processing apparatus according to claim 6, further comprising a processing liquid generating unit connected to the processing liquid supply unit and configured to generate a processing liquid by mixing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid. It is characterized by the following.
【００１４】また、請求項９に記載の基板処理装置は、
請求項６乃至請求項８に記載の基板処理装置において、
前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体及びフッ酸
を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段が、回収さ
れた処理液を循環路を介して再度前記処理部にある基板
に供給することを特徴とするものである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 9 is
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein:
The processing liquid containing the fluorinated inert liquid and hydrofluoric acid used in the processing section is collected, and the processing liquid supply unit supplies the collected processing liquid to the substrate in the processing section again via the circulation path. It is characterized by doing.
【００１５】また、請求項１０に記載の基板処理装置
は、請求項１乃至請求項９に記載の基板処理装置におい
て、前記フッ素系不活性液体が、一般式（Ｃ（ｎ）Ｆ
（２ｎ＋ １）−Ｏ−Ｒ１）（但し、Ｒ１はアルキル基、
ｎは自然数）で示されていることを特徴とするものであ
る。According to a tenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first to ninth aspects, the fluorine-based inert liquid is represented by the general formula (C (n) F
(2n + 1) -OR 1 ) (where R 1 is an alkyl group,
(n is a natural number).
【００１６】また、請求項１１に記載の基板処理装置
は、請求項１乃至請求項９に記載の基板処理装置におい
て、前記フッ素系不活性液体が、エチルパーフルオロブ
チルエーテル（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）であることを
特徴とするものである。Further, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the fluorine-based inert liquid may be ethyl perfluorobutyl ether (C 4 F 9 -O). it is characterized in that a -C 2 H 5).
【００１７】また、請求項１２に記載の基板処理方法
は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、フ
ッ素系不活性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む流体によ
り基板の処理を行うことを特徴とするものである。な
お、ここでいう「流体」としては、処理液としたもの、
あるいはベーパー状にしたものが考えられる。According to a twelfth aspect of the present invention, in the substrate processing method for performing a predetermined processing on a substrate, the substrate is processed with a fluid containing a fluorine-based inert liquid, an organic solvent, and hydrofluoric acid. It is a feature. The “fluid” here is a treatment liquid,
Alternatively, it is conceivable to make it into a vapor.
【００１８】また、請求項１３に記載の基板処理方法
は、請求項１２に記載の基板処理方法において、流体に
より基板の処理を行った後、純水による基板の洗浄を行
うことを特徴とするものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, in the substrate processing method of the twelfth aspect, after the substrate is processed with a fluid, the substrate is cleaned with pure water. Things.
【００１９】また、請求項１４に記載の基板処理方法
は、請求項１３に記載の基板処理方法において、純水に
よる基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させることを特
徴とするものである。A substrate processing method according to a fourteenth aspect is characterized in that, in the substrate processing method according to the thirteenth aspect, the substrate is dried after cleaning the substrate with pure water. .
【００２０】また、請求項１５に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項１４に記載の基板処理方法に
おいて、前記有機溶媒が、イソプロピルアルコールであ
ることを特徴とするものである。A substrate processing method according to a fifteenth aspect of the present invention is the substrate processing method according to the twelfth to fourteenth aspects, wherein the organic solvent is isopropyl alcohol.
【００２１】また、請求項１６に記載の基板処理方法
は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、フ
ッ素系不活性液体及びフッ酸を含む処理液により基板の
処理を行うことを特徴とするものである。According to a sixteenth aspect of the present invention, in the substrate processing method for performing a predetermined processing on a substrate, the substrate is processed with a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid. Is what you do.
【００２２】また、請求項１７に記載の基板処理方法
は、請求項１６に記載の基板処理方法において、処理液
により基板の処理を行った後、純水による基板の洗浄を
行うことを特徴とするものである。A substrate processing method according to a seventeenth aspect is characterized in that, in the substrate processing method according to the sixteenth aspect, after the substrate is processed with the processing liquid, the substrate is cleaned with pure water. Is what you do.
【００２３】また、請求項１８に記載の基板処理方法
は、請求項１７に記載の基板処理方法において、純水に
よる基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させることを特
徴とするものである。The substrate processing method according to claim 18 is characterized in that, in the substrate processing method according to claim 17, the substrate is dried after cleaning the substrate with pure water. .
【００２４】また、請求項１９に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項１８に記載の基板処理方法に
おいて、前記フッ素系不活性液体は、一般式（Ｃ（ｎ）
Ｆ（２ ｎ＋１）−Ｏ−Ｒ１）（但し、Ｒ１はアルキル
基、ｎは自然数）で示されていることを特徴とするもの
である。According to a nineteenth aspect of the present invention, in the substrate processing method of the twelfth to eighteenth aspects, the fluorinated inert liquid is represented by the general formula (C (n)
F (2 n + 1) -O -R 1) ( where, R 1 represents alkyl group, n is characterized in what is shown in the natural number).
【００２５】また、請求項２０に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項１８に記載の基板処理方法に
おいて、前記フッ素系不活性液体が、エチルパーフルオ
ロブチルエーテル（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）であるこ
とを特徴とするものである。According to a twentieth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the twelfth to eighteenth aspects, the fluorine-based inert liquid is ethyl perfluorobutyl ether (C 4 F 9 -O it is characterized in that a -C 2 H 5).
【００２６】さらに、請求項２１に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項２０に記載の基板処理方法に
おいて、流体による基板の処理が、エッチング処理であ
ることを特徴とするものである。Further, a substrate processing method according to a twenty-first aspect is characterized in that, in the substrate processing method according to the twelfth to twentieth aspects, the processing of the substrate with the fluid is an etching processing. .
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る基板処理装置の実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２８】図１は、本発明に係る基板処理装置の全体
構成を示す図である。この基板処理装置は、基板の一種
であるウエハＷに対してエッチング処理を行う基板処理
装置である。FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus is an apparatus for performing an etching process on a wafer W, which is a kind of substrate.
【００２９】この基板処理装置は、本発明の処理部に相
当する処理部１０を備えており、この処理部１０は蓋
（図示省略）を閉じることによって内部を密閉空間にす
ることができる筐体である。この処理部１０へのウエハ
Ｗの搬出入はその蓋を開放した状態にて、搬送ロボット
によって行われる。This substrate processing apparatus is provided with a processing unit 10 corresponding to the processing unit of the present invention. The processing unit 10 can be closed by closing a lid (not shown). It is. The transfer of the wafer W into and out of the processing unit 10 is performed by the transfer robot with its lid open.
【００３０】処理部１０の内部には、処理槽２０が固定
配置されている。処理槽２０は、フッ素系不活性液体、
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ：以下ＩＰＡとする）
及びフッ酸（ＨＦ）を含む処理液（処理液Ａ）、あるい
はフッ素系不活性液体、及びフッ酸（ＨＦ）を含む処理
液（処理液Ｂ）を貯溜し、その処理液にウエハＷを浸漬
することによってウエハＷに対してエッチング処理を行
うための槽である。この処理槽２０の上側周囲には、オ
ーバーフロー槽２１が形成されている。このオーバーフ
ロー槽２１は、処理槽２０から溢れ出た処理液を滞留す
るためのものである。Inside the processing section 10, a processing tank 20 is fixedly arranged. The treatment tank 20 contains a fluorine-based inert liquid,
Isopropyl alcohol (IPA)
And a processing liquid (processing liquid A) containing hydrofluoric acid (HF) or a processing liquid (processing liquid B) containing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid (HF), and the wafer W is immersed in the processing liquid. This is a tank for performing an etching process on the wafer W by performing the etching. An overflow tank 21 is formed around the upper side of the processing tank 20. The overflow tank 21 is for retaining the processing liquid overflowing from the processing tank 20.
【００３１】また、処理槽２１の内部には、リフターＬ
Ｈが設けられている。リフターＬＨは、リフターアーム
２５を矢印Ａに示すように鉛直方向に昇降させる機能を
有している。リフターアーム２５には、３本の保持部２
６ａ、２６ｂ、２６ｃがその長手方向が略水平になるよ
うに固設されており、３本の保持部２６ａ、２６ｂ、２
６ｃのそれぞれには、ウエハＷの外縁部が嵌まり込んで
ウエハＷを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定の
間隔に配列して設けられている。The lifter L is provided inside the processing tank 21.
H is provided. The lifter LH has a function of vertically moving the lifter arm 25 as shown by the arrow A. The lifter arm 25 has three holding portions 2
6a, 26b, 26c are fixed so that their longitudinal directions are substantially horizontal, and three holding portions 26a, 26b,
In each of 6c, a plurality of holding grooves into which the outer edge of the wafer W fits and holds the wafer W in an upright posture are provided at predetermined intervals.
【００３２】このようなリフターＬＨの構成により、リ
フターＬＨは３本の保持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃによ
って相互に平行に積層配列されて保持された複数のウエ
ハＷを処理槽２０に貯溜された処理液に浸漬する位置と
引き上げた位置との間で、矢印Ａに示したように上下方
向に昇降させることができる。なお、リフターＬＨは、
リフタアーム２５を昇降させる機構としてボールネジを
用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト機
構等種々の機構を採用することができる。With such a configuration of the lifter LH, the lifter LH is configured to process a plurality of wafers W, which are stacked and held in parallel with each other by three holding portions 26a, 26b, and 26c, and are stored in the processing tank 20. It can be moved up and down between the position where it is immersed in the liquid and the position where it is pulled up, as shown by arrow A. The lifter LH is
Various mechanisms such as a feed screw mechanism using a ball screw and a belt mechanism using a pulley and a belt can be employed as a mechanism for moving the lifter arm 25 up and down.
【００３３】また、処理部１０の内部には、２本の窒素
ガス供給ノズル６０が設けられている。２本の窒素ガス
供給ノズル６０は、いずれも長手方向を略水平方向にし
て、３本の保持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃと平行に配置
された中空の円筒形状の部材である。この窒素ガス供給
ノズル６０には複数の吐出孔６１が形成されている。Further, two nitrogen gas supply nozzles 60 are provided inside the processing section 10. Each of the two nitrogen gas supply nozzles 60 is a hollow cylindrical member arranged in parallel with the three holding portions 26a, 26b, 26c with the longitudinal direction being substantially horizontal. A plurality of discharge holes 61 are formed in the nitrogen gas supply nozzle 60.
【００３４】ここで、窒素ガス供給ノズル６０に設けら
れた吐出孔６１は、処理槽２０上の位置において略水平
方向になるように形成されている。そして、その吐出孔
６１は、リフターＬＨの３本の保持部２６ａ、２６ｂ、
２６ｃによって相互に平行に配列保持された複数のウエ
ハＷのそれぞれの間に位置するように形成されている
（図示省略）。Here, the discharge hole 61 provided in the nitrogen gas supply nozzle 60 is formed so as to be substantially horizontal at a position on the processing tank 20. The ejection holes 61 are provided with three holding portions 26a, 26b of the lifter LH,
26c is formed so as to be located between each of the plurality of wafers W arranged and held in parallel with each other (not shown).
【００３５】窒素ガス供給ノズル６０には、処理部１０
の外部に設けられた窒素ガス供給機構から窒素ガスが送
給される。この窒素ガス供給機構は、窒素ガス供給源６
２と、配管６３と、配管６３の途中に設けられたヒータ
６４とを備えている。The processing unit 10 is connected to the nitrogen gas supply nozzle 60.
The nitrogen gas is supplied from a nitrogen gas supply mechanism provided outside the device. This nitrogen gas supply mechanism includes a nitrogen gas supply source 6
2, a pipe 63, and a heater 64 provided in the middle of the pipe 63.
【００３６】また、処理槽２０の内底部には、処理液を
処理槽２０内へ供給するための処理液供給手段に相当す
る供給部２７が２つ設けられている。この供給部２７
は、円筒形状をしており、長手方向が略水平となるよう
に設けられており、処理液供給路３０の一端側が接続さ
れている。Further, two supply units 27 corresponding to processing liquid supply means for supplying the processing liquid into the processing tank 20 are provided at the inner bottom of the processing tank 20. This supply unit 27
Has a cylindrical shape, is provided so that the longitudinal direction thereof is substantially horizontal, and one end side of the processing liquid supply path 30 is connected.
【００３７】処理液供給路３０の他端側には、処理液を
生成するための処理液生成部４０が接続されている。こ
の処理液生成部４０には、循環路５０を介して、オーバ
ーフロー槽２１と連通接続されている。この循環路５０
により、オーバーフロー槽２１に滞留されている処理液
をさらに処理液生成部４０、処理液供給管３０及び供給
部２７を介して処理槽２０へ循環させることができる。A processing liquid generator 40 for generating a processing liquid is connected to the other end of the processing liquid supply path 30. The treatment liquid generating section 40 is connected to the overflow tank 21 through a circulation path 50. This circulation path 50
Accordingly, the processing liquid retained in the overflow tank 21 can be further circulated to the processing tank 20 via the processing liquid generation unit 40, the processing liquid supply pipe 30, and the supply unit 27.
【００３８】この循環路５０には、循環路５０を流れる
処理液のパーティクルを除去するフィルタ５１と、循環
路５０に処理液を流すための循環ポンプ５２と、循環路
５０内の処理液の循環を制御する開閉弁５３と、が設け
られている。The circulation path 50 includes a filter 51 for removing particles of the processing liquid flowing through the circulation path 50, a circulation pump 52 for flowing the processing liquid through the circulation path 50, and a circulation of the processing liquid in the circulation path 50. And an on-off valve 53 for controlling the pressure.
【００３９】また、処理液生成部４０は、配管４１を介
してフッ素供給源４２と接続されている。この配管４１
の途中には、開閉弁４３が設けられており、この開閉弁
４３の開閉制御により、フッ素の供給・停止が制御され
る。The processing liquid generating section 40 is connected to a fluorine supply source 42 via a pipe 41. This pipe 41
An opening / closing valve 43 is provided in the middle of the process. The supply / stop of fluorine is controlled by opening / closing control of the opening / closing valve 43.
【００４０】また、処理液生成部４０は、配管４４を介
してＩＰＡ供給源４５と接続されている。この配管４４
途中には、開閉弁４６が設けられており、この開閉弁４
６の開閉制御により、有機溶媒であるＩＰＡの供給・停
止が制御される。Further, the processing liquid generating section 40 is connected to an IPA supply source 45 via a pipe 44. This pipe 44
An on-off valve 46 is provided on the way, and this on-off valve 4
The opening / closing control of 6 controls the supply / stop of IPA, which is an organic solvent.
【００４１】さらに、処理液生成部４０は、配管４７を
介してフッ素系不活性液体供給源４８と接続されてい
る。この配管４７途中には、開閉弁４９が設けられてお
り、この開閉弁４９の開閉制御により、フッ素系不活性
液体の供給・停止が制御される。Further, the processing liquid generator 40 is connected to a fluorine-based inert liquid supply source 48 via a pipe 47. An opening / closing valve 49 is provided in the middle of the pipe 47, and the supply / stop of the fluorine-based inert liquid is controlled by opening / closing control of the opening / closing valve 49.
【００４２】なお、循環路５０の途中に設けられている
循環ポンプ５２の「ＯＮ」「ＯＦＦ」の制御、開閉弁５
３の開閉制御、配管４１に設けられている開閉弁４３の
開閉制御、配管４４に設けられている開閉弁４６の開閉
制御、及び配管４７に設けられている開閉弁４９の開閉
制御は、制御部７０によって行われる。The ON / OFF control of the circulation pump 52 provided in the middle of the circulation path 50
3, the opening / closing control of the on / off valve 43 provided in the pipe 41, the opening / closing control of the on / off valve 46 provided in the pipe 44, and the opening / closing control of the on / off valve 49 provided in the pipe 47 are controlled. This is performed by the unit 70.
【００４３】フッ素不活性液体供給源４８にあるフッ素
系不活性液体は、不活性な素材であって金属、プラスチ
ック、ゴム等の構成材料を侵さず、不燃性で環境に負荷
を与えない。本発明におけるフッ素系不活性液体の一般
構造式を以下に示す。The fluorine-based inert liquid in the fluorine-inert liquid supply source 48 is an inert material, does not attack constituent materials such as metal, plastic, and rubber, is nonflammable, and does not impose a load on the environment. The general structural formula of the fluorinated inert liquid in the present invention is shown below.
【００４４】[0044]
【化１】 Embedded image
【００４５】但し、Ｒ１はアルキル基であり、ｎは自然
数である。本発明の実施の形態では、フッ素系不活性液
体としてエチルパーフルオロブチルエーテルを用いてい
る。エチルパーフルオロブチルエーテルの構造式を以下
に示す。Here, R 1 is an alkyl group, and n is a natural number. In the embodiment of the present invention, ethyl perfluorobutyl ether is used as the fluorine-based inert liquid. The structural formula of ethyl perfluorobutyl ether is shown below.
【００４６】[0046]
【化２】 Embedded image
【００４７】次に、本発明に係る基板処理装置を使用し
た基板処理方法の実施の形態について、図２乃至図４に
基づいて説明する。Next, an embodiment of a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
【００４８】図２は、本発明に係る基板処理方法を示す
フローチャートである。まず、この基板処理装置におい
ては、図２のフローチャートに示すように、ウエハＷに
対するエッチング処理を行う（ステップＳ１）。エッチ
ング処理においては、図３に示すように、まず、処理部
２７から処理槽２０への処理液の供給を開始する（ステ
ップＳ１１）。このとき、フッ酸、ＩＰＡ、及びフッ素
系不活性液体を含む処理液を用いる場合、すなわち処理
液Ａを用いる場合は、制御部７０からの制御により開閉
弁４３、開閉弁４６、及び開閉弁４９を「開」にする。
これにより、処理液生成部４０においてフッ酸、ＩＰ
Ａ、及びフッ素系不活性液体が混合されて処理液が生成
され、生成された処理液は、処理液供給管３０及び供給
部２７を介して洗浄槽２1内へ供給される（図４（ａ）
の状態）。なお、このときのＩＰＡは６％以内とするこ
とで、非可燃性有機溶媒として扱うことができる。FIG. 2 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention. First, in this substrate processing apparatus, an etching process is performed on a wafer W as shown in a flowchart of FIG. 2 (step S1). In the etching process, as shown in FIG. 3, first, the supply of the processing liquid from the processing unit 27 to the processing tank 20 is started (step S11). At this time, when a processing liquid containing hydrofluoric acid, IPA, and a fluorine-based inert liquid is used, that is, when the processing liquid A is used, the opening and closing valves 43, 46, and 49 are controlled by the control unit 70. To open.
As a result, hydrofluoric acid, IP
A and the fluorine-based inert liquid are mixed to generate a processing liquid, and the generated processing liquid is supplied into the cleaning tank 21 via the processing liquid supply pipe 30 and the supply unit 27 (FIG. 4A )
State). If the IPA at this time is within 6%, it can be treated as a nonflammable organic solvent.
【００４９】また、フッ酸及びフッ素系不活性液体を含
む処理液を用いる場合、すなわち処理液Ｂを用いる場合
は、制御部７０からの制御により開閉弁４３及び開閉弁
４９を「開」にする。これにより、処理液生成部４０に
おいてフッ酸、及びフッ素系不活性液体が混合されて処
理液が生成され、生成された処理液は、処理液供給管３
０及び供給部２７を介して処理槽２１内へ供給される
（図４（ａ）の状態）。When a processing liquid containing hydrofluoric acid and a fluorine-based inert liquid is used, that is, when the processing liquid B is used, the open / close valve 43 and the open / close valve 49 are opened by the control of the control unit 70. . Thereby, the hydrofluoric acid and the fluorinated inert liquid are mixed in the processing liquid generating section 40 to generate a processing liquid, and the generated processing liquid is supplied to the processing liquid supply pipe 3.
0 and is supplied into the processing tank 21 via the supply unit 27 (the state of FIG. 4A).
【００５０】処理槽２０の中が処理液でみたされると、
処理槽２０への処理液の供給を停止する（ステップＳ１
２）。そして、相互に間隔を隔てて積層配列させたウエ
ハＷを保持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃに保持しつつ、リ
フターＬＨのリフターアーム２５を矢印Ａに示すように
下降させ、ウエハＷを処理槽２０内の処理液に浸漬させ
る（ステップＳ１３）（図４（ｂ）の状態）。これによ
り、ウエハＷのエッチング処理の進行が開始される。When the inside of the processing tank 20 is filled with the processing liquid,
The supply of the processing liquid to the processing tank 20 is stopped (step S1).
2). Then, while holding the wafers W stacked and arranged at an interval from each other on the holding portions 26a, 26b, 26c, the lifter arm 25 of the lifter LH is lowered as shown by the arrow A, and the wafer W is moved into the processing tank 20. (Step S13) (state of FIG. 4B). Thus, the progress of the etching process on the wafer W is started.
【００５１】そして、制御部７０の制御により、循環ポ
ンプ５２を「ＯＮ」に作動させ、処理槽２０からオーバ
ーフロー槽２１へ溢れ出た処理液を循環路５０、処理液
生成部４０、及び供給部２７を通して、再度処理槽２０
へ供給させる（ステップＳ１４）（図４（ｃ）の状
態）。なお、ウエハＷから剥離した物質は、循環路５０
の途中に設けられたフィルタ５１で回収されるので、回
収されて再度使用される処理液を処理槽２０へ供給した
際に、再度処理槽２０へ供給されるようなことはない。Then, under the control of the control unit 70, the circulating pump 52 is turned on to turn the processing liquid overflowing from the processing tank 20 into the overflow tank 21 into the circulation path 50, the processing liquid generating unit 40, and the supply unit. 27 again through the processing tank 20
(Step S14) (state of FIG. 4C). The substance peeled from the wafer W is transferred to the circulation path 50.
The processing liquid collected and used again is not supplied to the processing tank 20 again when the processing liquid collected and reused is supplied to the processing tank 20.
【００５２】次に、エッチング処理が開始して所定の時
間が経過したか否かを判断する（ステップＳ１５）。所
定の時間が経過したと判断すると、循環ポンプ５２を停
止させる（ステップＳ１６）とともに、窒素ガス供給ノ
ズル６０からの窒素ガスの供給が開始され（ステップＳ
１７）（図４（ｄ）の状態）、次のステップＳ１８へ移
行される。Next, it is determined whether a predetermined time has elapsed since the start of the etching process (step S15). When it is determined that the predetermined time has elapsed, the circulation pump 52 is stopped (step S16), and the supply of the nitrogen gas from the nitrogen gas supply nozzle 60 is started (step S16).
17) (State of FIG. 4D), and then proceeds to the next step S18.
【００５３】ステップＳ１８においては、ウエハＷを保
持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃに保持しつつ、リフターＬ
Ｈのリフターアーム２５を矢印Ａに示すように上昇さ
せ、ウエハＷを処理槽２０の処理液から引き上げる（図
４（ｅ）の状態）。このとき、窒素ガス供給ノズル６０
から窒素ガスまたはヒータ６４により加熱された窒素ガ
スが、ウエハＷの側方からウエハＷの表面へ供給され
る。窒素ガス供給ノズル６０から窒素ガスを供給するこ
とによって処理部１０内部の雰囲気が不活性な窒素ガス
に置換されるとともに、ウエハＷに付着した処理液内の
フッ素系不活性液体の気化が促進される。In step S18, the lifter L is held while holding the wafer W on the holding portions 26a, 26b, 26c.
The lifter arm 25 of H is raised as shown by the arrow A, and the wafer W is pulled up from the processing liquid in the processing tank 20 (the state of FIG. 4E). At this time, the nitrogen gas supply nozzle 60
From above or the nitrogen gas heated by the heater 64 is supplied to the surface of the wafer W from the side of the wafer W. By supplying the nitrogen gas from the nitrogen gas supply nozzle 60, the atmosphere inside the processing unit 10 is replaced with an inert nitrogen gas, and the vaporization of the fluorine-based inert liquid in the processing liquid attached to the wafer W is promoted. You.
【００５４】その後、窒素ガス供給ノズル６０からの窒
素ガスの供給が停止され（ステップＳ１９）（図４
（ｆ）の状態）、処理部１０の蓋（図示省略）を開い
て、処理部１０からのウエハＷの搬出が完了し、ステッ
プＳ１１からステップＳ１９までの一連のエッチング処
理が終了する。Thereafter, the supply of nitrogen gas from the nitrogen gas supply nozzle 60 is stopped (step S19) (FIG. 4).
(State (f)), the lid (not shown) of the processing unit 10 is opened, the unloading of the wafer W from the processing unit 10 is completed, and a series of etching processes from step S11 to step S19 is completed.
【００５５】次に、ステップＳ１においてエッチング処
理を行ったウエハＷの洗浄処理を行う（ステップＳ
２）。この洗浄処理は、処理部１０とは異なる処理部に
おいて洗浄槽へウエハＷを浸漬して洗浄処理（水洗処
理）を行う（図示省略）。さらに、ステップＳ２におい
て洗浄処理を行ったウエハＷの乾燥処理（ステップＳ
３）を行う。なお、ステップＳ１のエッチング処理の後
にステップＳ２の洗浄処理を行うことにより、エッチン
グ処理後のウエハＷを清浄に保つことができ、さらに、
ステップＳ２の洗浄処理の後にステップＳ３の乾燥処理
を行うことにより、ウエハＷをドライな状態で次工程で
搬送等を行うことができる。以上により、一連のウエハ
Ｗに対する処理が終了する。Next, a cleaning process is performed on the wafer W that has been etched in step S1 (step S1).
2). In this cleaning process, the wafer W is immersed in a cleaning tank in a processing unit different from the processing unit 10 to perform a cleaning process (water washing process) (not shown). Further, the drying process of the wafer W that has been subjected to the cleaning process in step S2 (step S2).
Perform 3). By performing the cleaning process in step S2 after the etching process in step S1, the wafer W after the etching process can be kept clean.
By performing the drying process in step S3 after the cleaning process in step S2, the wafer W can be transported in the next step in a dry state. Thus, a series of processes on the wafer W is completed.
【００５６】以上のように、本発明に係る基板処理装置
においては、フッ酸、有機溶媒であるＩＰＡ、及びフッ
素系不活性液体を含む処理液、あるいはフッ酸、及びフ
ッ素系不活性液体を含む処理液により、ウエハＷのエッ
チング処理を行っている。このフッ素系不活性液体は表
面張力が小さく、水のそれが７１．８ｄｙｎ／ｃｍ、イ
ソプロピルアルコールが２０．８ｄｙｎ／ｃｍであるの
に、フッ素系不活性液体は１８ｄｙｎ／ｃｍ以下であ
る。このように、フッ素系不活性液体の表面張力が小さ
いことは、その浸透性がＩＰＡよりも高いことを意味し
ている。フッ素系不活性液体は、その浸透性が高いた
め、近年の微細化・複雑化されたデバイス構造であって
も容易に水分に置換することができ、特に、アスペクト
比の大きなトレンチ構造を有するものでも、アスペクト
比の大きな箇所においてもフッ素系不活性液体は水分と
置換することができる。したがって、フッ素系不活性液
体を用いたエッチング処理方式では、近年の微細化・複
雑化されたデバイス構造でも、エッチング性能を維持す
ることができる。As described above, in the substrate processing apparatus according to the present invention, a processing liquid containing hydrofluoric acid, IPA which is an organic solvent, and a fluorine-based inert liquid, or a processing liquid containing hydrofluoric acid and a fluorine-based inert liquid are used. The etching process of the wafer W is performed by the processing liquid. This fluorinated inert liquid has a low surface tension, that of water is 71.8 dyn / cm and that of isopropyl alcohol is 20.8 dyn / cm, whereas that of the fluorinated inert liquid is 18 dyn / cm or less. Thus, the low surface tension of the fluorine-based inert liquid means that its permeability is higher than that of IPA. Since fluorine-based inert liquid has high permeability, it can be easily replaced with moisture even in recent miniaturized and complicated device structures, particularly those having a trench structure with a large aspect ratio. However, even in a portion having a large aspect ratio, the fluorine-based inert liquid can be replaced with moisture. Therefore, in the etching processing method using the fluorine-based inert liquid, the etching performance can be maintained even in recent miniaturized and complicated device structures.
【００５７】さらに、上述した実施の形態においては、
窒素ガス供給ノズル６０が、リフターＬＨによって処理
槽２０から引き上げられつつあるウエハＷに対して、側
方から窒素ガス供給ノズル６０によって窒素ガスを供給
している（ステップＳ１７からステップＳ１９）ので、
ウエハＷの表面が純水から離脱するのと同時にその離脱
したウエハＷの領域に窒素ガスが吹き付けられる。この
ため、ウエハＷの主面の水分は外気にほとんど曝される
ことはないので、ウエハＷのウォーターマークの発生を
より効果的に抑制することができる。Further, in the above-described embodiment,
Since the nitrogen gas supply nozzle 60 supplies the nitrogen gas from the side to the wafer W being lifted from the processing tank 20 by the lifter LH from the side (steps S17 to S19),
At the same time that the surface of the wafer W is separated from the pure water, a nitrogen gas is blown to the region of the separated wafer W. For this reason, since the water on the main surface of the wafer W is hardly exposed to the outside air, the generation of the watermark on the wafer W can be more effectively suppressed.
【００５８】以上本発明に係る基板処理装置及び基板処
理方法の実施の形態について説明したが、本発明はこれ
に限定されものではない。上述した実施の形態において
は、処理液の生成については、開閉弁の開閉制御によ
り、処理液生成部７で各液体を混合させて処理液の生成
を行っているが、フッ素系不活性液体にフッ酸のベーパ
ーをバブリングさせて処理液を生成してもよい。Although the embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments. In the above-described embodiment, the processing liquid is generated by mixing the respective liquids in the processing liquid generation unit 7 by controlling the opening and closing of the on-off valve to generate the processing liquid. The treatment liquid may be generated by bubbling a hydrofluoric acid vapor.
【００５９】また、上述した実施の形態では、フッ素系
不活性液体として、エチルパーフルオロブチルエーテル
（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）を用いてきたが、フッ素系
不活性液体はこれに限定されるものではない。化１のよ
うな構造を有するものであれば、メチルパーフルオロイ
ソブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテ
ル、プロピルパーフルオロブチルエーテル、プロピルパ
ーフルオソイソブチルエーテル、メチルパーフルオロプ
ロピルエーテル、メチルパーフルオロイソプロピルエー
テル、エチルパーフルオロプロピルエーテル、エチルパ
ーフルオロイソプロピルエーテル、メチルパーフルオロ
ペンチルエーテル、または、エチルパーフルオロペンチ
ルエーテルであってもよい。In the above embodiment, ethyl perfluorobutyl ether (C 4 F 9 —O—C 2 H 5 ) has been used as the fluorine-based inert liquid. It is not limited. If it has a structure as shown in Chemical formula 1, methyl perfluoroisobutyl ether, ethyl perfluorobutyl ether, propyl perfluorobutyl ether, propyl perfluoroisobutyl ether, methyl perfluoropropyl ether, methyl perfluoroisopropyl ether, ethyl perfluoro It may be propyl ether, ethyl perfluoroisopropyl ether, methyl perfluoropentyl ether, or ethyl perfluoropentyl ether.
【００６０】さらに、上述した実施の形態では、複数の
ウエハＷを一括して処理するバッチ式の装置であった
が、これをウエハＷ１枚ずつ処理するいわゆる枚葉の装
置に対しても、本発明に係る基板処理装置及び基板処理
方法を適用することができる。Further, in the above-described embodiment, a batch type apparatus for processing a plurality of wafers W collectively is used. However, a so-called single-wafer apparatus for processing a plurality of wafers W one by one may also be used. The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the invention can be applied.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、処理液供
給手段によってフッ素系不活性液体、有機溶媒及びフッ
酸を含む処理液を供給しているので、アスペクト比の大
きなトレンチ構造のようなデバイス構造であってもエッ
チング性能を維持できるという効果がある。As described above in detail, according to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, the processing liquid containing the fluorine-based inert liquid, the organic solvent and the hydrofluoric acid is supplied by the processing liquid supply means. Since it is supplied, there is an effect that the etching performance can be maintained even in a device structure such as a trench structure having a large aspect ratio.
【００６２】また、発明に係る基板処理装置及び基板処
理方法によれば、処理液供給手段によってフッ素系不活
性液体、及びフッ酸を含む処理液を供給しているので、
アスペクト比の大きなトレンチ構造のようなデバイス構
造であってもエッチング性能を維持できるという効果が
ある。According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, the processing liquid supply means supplies the processing liquid containing the fluorine-based inert liquid and the hydrofluoric acid.
There is an effect that etching performance can be maintained even in a device structure such as a trench structure having a large aspect ratio.
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る基板処理方法を示すフローチャー
トである。FIG. 2 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention.
【図３】本発明に係る基板処理方法のエッチング処理を
示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing an etching process of the substrate processing method according to the present invention.
【図４】エッチング処理をしている際の基板処理装置の
状態を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a state of the substrate processing apparatus during an etching process.
１０ 処理部 ２０ 処理槽 ２１ オーバーフロー槽 ２５ リフターアーム ２６ａ 保持部 ２６ｂ 保持部 ２６ｃ 保持部 ２７ 供給部 ３０ 処理液供給管 ４０ 処理液生成部 ４１ 配管 ４２ フッ素供給源 ４３ 開閉弁 ４４ 配管 ４５ イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）供給源 ４６ 開閉弁 ４７ 配管 ４８ フッ素系不活性液体供給源 ４９ 開閉弁 ５０ 循環路 ５２ 循環ポンプ ７０ 制御部 ＬＨ リフター Ｗ ウエハ Reference Signs List 10 processing unit 20 processing tank 21 overflow tank 25 lifter arm 26a holding unit 26b holding unit 26c holding unit 27 supply unit 30 processing liquid supply pipe 40 processing liquid generation unit 41 pipe 42 fluorine supply source 43 open / close valve 44 pipe 45 isopropyl alcohol (IPA) ) Supply source 46 On / off valve 47 Piping 48 Fluorine-based inert liquid supply source 49 On / off valve 50 Circulation line 52 Circulation pump 70 Control unit LH Lifter W Wafer
Claims (21)
いて、 基板に処理を行うための処理部と、 前記処理部にある基板にフッ素系不活性液体、有機溶媒
及びフッ酸を含む処理液を供給する処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate, comprising: a processing unit for performing processing on the substrate; and a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid, an organic solvent, and hydrofluoric acid on the substrate in the processing unit. Processing liquid supply means for supplying
A substrate processing apparatus comprising:
素系不活性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む処理液を貯
溜し、処理液に基板を浸漬することによって基板の処理
を行うための処理槽と、前記処理槽へ基板を搬入するた
めの搬送手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing section stores a processing liquid containing an inert fluorine-containing liquid, an organic solvent, and hydrofluoric acid supplied from the processing liquid supply means, and performs processing. A substrate processing apparatus, comprising: a processing tank for performing processing of a substrate by immersing the substrate in a liquid; and a transport unit for carrying the substrate into the processing tank.
装置において、 前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液体、
有機溶媒及びフッ酸を混合させて処理液を生成する処理
液生成手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装
置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said substrate processing apparatus is connected to said processing liquid supply means, and wherein:
A substrate processing apparatus further comprising a processing liquid generating means for generating a processing liquid by mixing an organic solvent and hydrofluoric acid.
置において、 前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体、有機溶媒
及びフッ酸を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段
は、回収された処理液を循環路を介して再度前記処理部
にある基板に供給することを特徴とする基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid, an organic solvent, and hydrofluoric acid used in the processing section is collected and supplied to the processing liquid. The substrate processing apparatus supplies the collected processing liquid to the substrate in the processing unit again via a circulation path.
置において、 前記有機溶媒は、イソプロピルアルコールであることを
特徴とする基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said organic solvent is isopropyl alcohol.
いて、 基板に処理を行うための処理部と、 前記処理部にある基板にフッ素系不活性液体及びフッ酸
を含む処理液を供給する処理液供給手段と、を備えたこ
とを特徴とする基板処理装置。6. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate, comprising: a processing section for performing processing on the substrate; and a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid to the substrate in the processing section. A substrate processing apparatus, comprising: a processing liquid supply unit.
素系不活性液体及びフッ酸を含む処理液を貯溜し、処理
液に基板を浸漬することによって基板の処理を行うため
の処理槽と、前記処理槽へ基板を搬入するための搬送手
段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the processing section stores a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid supplied from the processing liquid supply means, and stores the processing liquid in the processing liquid. A substrate processing apparatus, comprising: a processing tank for performing processing of a substrate by immersing the substrate; and a transporting unit for transferring the substrate into the processing tank.
装置において、 前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液体及
びフッ酸を混合させて処理液を生成する処理液生成手段
をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。8. The processing liquid generating means according to claim 6, wherein said processing liquid generating means is connected to said processing liquid supply means and generates a processing liquid by mixing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid. A substrate processing apparatus further comprising:
置において、 前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体及びフッ酸
を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段は、回収さ
れた処理液を循環路を介して再度前記処理部にある基板
に供給することを特徴とする基板処理装置。9. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein a processing liquid containing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid used in the processing section is collected, and the processing liquid supply means includes: A substrate processing apparatus, wherein the recovered processing liquid is supplied again to a substrate in the processing unit via a circulation path.
装置において、 前記フッ素系不活性液体は、一般式 （Ｃ（ｎ）Ｆ（２ｎ＋１）−Ｏ−Ｒ１） （但し、Ｒ１はアルキル基、ｎは自然数）で示されてい
ることを特徴とする基板処理装置。10. A substrate processing apparatus according to claim 1 to claim 9, wherein the fluorine-based inert liquid has the general formula (C (n) F (2n + 1) -O-R 1) ( where, R 1 Is an alkyl group, and n is a natural number).
装置において、 前記フッ素系不活性液体は、エチルパーフルオロブチル
エーテル（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）であることを特徴
とする基板処理装置。11. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the fluorine-based inert liquid is ethyl perfluorobutyl ether (C 4 F 9 —O—C 2 H 5 ). Substrate processing apparatus.
おいて、 フッ素系不活性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む流体に
より基板の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。12. A substrate processing method for performing a predetermined processing on a substrate, wherein the substrate is processed with a fluid containing a fluorine-based inert liquid, an organic solvent, and hydrofluoric acid.
て、 流体により基板の処理を行った後、純水による基板の洗
浄を行うことを特徴とする基板処理方法。13. The substrate processing method according to claim 12, wherein after processing the substrate with a fluid, the substrate is cleaned with pure water.
て、 純水による基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させるこ
とを特徴とする基板処理方法。14. The substrate processing method according to claim 13, wherein the substrate is dried after cleaning the substrate with pure water.
処理方法において、 前記有機溶媒は、イソプロピルアルコールであることを
特徴とする基板処理方法。15. The substrate processing method according to claim 12, wherein said organic solvent is isopropyl alcohol.
おいて、 フッ素系不活性液体及びフッ酸を含む流体により基板の
処理を行うことを特徴とする基板処理方法。16. A substrate processing method for performing a predetermined processing on a substrate, wherein the substrate is processed with a fluid containing a fluorine-based inert liquid and hydrofluoric acid.
て、 流体により基板の処理を行った後、純水による基板の洗
浄を行うことを特徴とする基板処理方法。17. The substrate processing method according to claim 16, wherein the substrate is processed with a fluid, and then the substrate is cleaned with pure water.
て、 純水による基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させるこ
とを特徴とする基板処理方法。18. The substrate processing method according to claim 17, wherein the substrate is dried after cleaning the substrate with pure water.
処理方法において、前記フッ素系不活性液体は、一般式 （Ｃ（ｎ）Ｆ（２ｎ＋１）−Ｏ−Ｒ１） （但し、Ｒ１はアルキル基、ｎは自然数）で示されてい
ることを特徴とする基板処理方法。19. A substrate processing method according to claim 12 or claim 18, wherein the fluorine-based inert liquid has the general formula (C (n) F (2n + 1) -O-R 1) ( where, R 1 Is an alkyl group and n is a natural number).
処理方法において、 前記フッ素系不活性液体は、エチルパーフルオロブチル
エーテル（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）であることを特徴
とする基板処理方法。20. The substrate processing method according to claim 12, wherein the fluorine-based inert liquid is ethyl perfluorobutyl ether (C 4 F 9 —O—C 2 H 5 ). Substrate processing method.
処理方法において、 流体による基板の処理は、エッチング処理であることを
特徴とする基板処理方法。21. The substrate processing method according to claim 12, wherein the processing of the substrate with the fluid is an etching process.
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