JP2022027089A - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents

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Shigeru Yamamoto
大樹 藤井
Daiki Fujii
建治 枝光
Kenji Edamitsu
敬次 岩田
Keiji Iwata
侑哉 川井
Yuya Kawai
健一 伊藤
Kenichi Ito
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Abstract

To provide a substrate processing method and a substrate processing device that can improve the cleanliness of a substrate.SOLUTION: The substrate processing method includes the steps of storing diluted isopropyl alcohol (dIPA), which is isopropyl alcohol which is diluted, in a processing tank (3) (S14), and immersing a substrate (W) treated for water repellency into the diluted isopropyl alcohol (dIPA) in the processing tank (3) (S15).SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

半導体ウエハのような基板を処理して、半導体装置のような製品を製造する工程には、薬液によって基板を処理する薬液処理工程と、リンス液によって基板の表面から薬液を除去するリンス工程と、基板を乾燥させる乾燥工程とが含まれる。 The process of processing a substrate such as a semiconductor wafer to manufacture a product such as a semiconductor device includes a chemical solution treatment step of treating the substrate with a chemical solution and a rinsing process of removing the chemical solution from the surface of the substrate with a rinse solution. It includes a drying step of drying the substrate.

しかし、乾燥工程において、基板の表面に形成されているパターンが倒壊することがある。パターンの倒壊は、パターン内に侵入したリンス液の表面張力に起因する。 However, in the drying process, the pattern formed on the surface of the substrate may collapse. The collapse of the pattern is due to the surface tension of the rinse liquid that has entered the pattern.

そこで、パターンの倒壊を回避するために、基板に撥水化剤を供給してパターンを撥水性保護膜で覆うことがある。例えば、特許文献1には、薬液処理、純水リンス処理、アルコールリンス処理、撥水性処理、アルコールリンス処理、純水リンス処理、及び乾燥処理を基板に対して順次実行する基板処理方法が開示されている。撥水性処理後のアルコールリンス処理は、基板の表面に残留している撥水化剤をIPA(イソプロピルアルコール)に置換して除去する処理である。 Therefore, in order to prevent the pattern from collapsing, a water repellent agent may be supplied to the substrate to cover the pattern with a water repellent protective film. For example, Patent Document 1 discloses a substrate treatment method in which a chemical solution treatment, a pure water rinsing treatment, an alcohol rinsing treatment, a water repellent treatment, an alcohol rinsing treatment, a pure water rinsing treatment, and a drying treatment are sequentially executed on a substrate. ing. The alcohol rinsing treatment after the water-repellent treatment is a treatment of replacing the water-repellent agent remaining on the surface of the substrate with IPA (isopropyl alcohol) and removing it.

特開2010-114414号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-114414

しかしながら、撥水性処理後にアルコールリンス処理を行うと、基板の表面に残留している撥水化剤がIPAと反応してパーティクルが発生することがある。この結果、基板の清浄度が低下する可能性がある。 However, when the alcohol rinsing treatment is performed after the water repellent treatment, the water repellent agent remaining on the surface of the substrate may react with the IPA to generate particles. As a result, the cleanliness of the substrate may decrease.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の清浄度を向上させることができる基板処理方法、及び基板処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of improving the cleanliness of a substrate.

本発明の一局面によれば、基板処理方法は、基板を処理する方法である。当該基板処理方法は、希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコールを処理槽に貯める工程と、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する浸漬工程とを包含する。 According to one aspect of the present invention, the substrate processing method is a method of processing a substrate. The substrate treatment method includes a step of storing diluted isopropyl alcohol, which is diluted isopropyl alcohol, in a treatment tank, and a dipping step of immersing the water-repellent treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank. Including.

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する前に、前記基板を乾燥させる工程を更に包含する。 In certain embodiments, the substrate treatment method further comprises the step of drying the substrate before immersing the water repellent treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank.

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された撥水化剤を供給して、前記基板を撥水化処理する工程を更に包含する。 In one embodiment, the substrate treatment method further includes a step of supplying a vaporized water repellent agent into a closed space accommodating the treatment tank to make the substrate water repellent.

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記処理槽内に貯められたリンス液に前記基板を浸漬する工程と、前記リンス液から前記基板を引き上げる工程と、前記処理槽から前記リンス液を排液する工程とを更に包含する。前記リンス液の排液後に前記撥水化処理を行う。 In a certain embodiment, the substrate processing method includes a step of immersing the substrate in a rinse liquid stored in the treatment tank, a step of pulling the substrate out of the rinse liquid, and a step of draining the rinse liquid from the treatment tank. Further includes the step of liquefying. After draining the rinse liquid, the water repellent treatment is performed.

ある実施形態では、前記撥水化処理後に、前記密閉空間内に蒸気化された有機溶媒を供給する。 In one embodiment, after the water repellent treatment, a vaporized organic solvent is supplied into the enclosed space.

ある実施形態では、前記密閉空間内を減圧して、前記撥水化処理を行う。 In one embodiment, the pressure inside the enclosed space is reduced to perform the water repellent treatment.

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記希釈イソプロピルアルコールを前記処理槽に貯める前に、前記密閉空間内の圧力を大気圧に戻す工程を更に包含する。 In certain embodiments, the substrate treatment method further comprises the step of returning the pressure in the enclosed space to atmospheric pressure before storing the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank.

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記希釈イソプロピルアルコールから前記基板を引き上げる引き上げ工程と、前記希釈イソプロピルアルコールから引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥工程とを更に包含する。 In certain embodiments, the substrate treatment method further comprises a pulling step of pulling the substrate from the diluted isopropyl alcohol and a drying step of drying the substrate pulled from the diluted isopropyl alcohol.

ある実施形態において、上記基板処理方法は、前記引き上げ工程の前に、前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された有機溶媒を供給する工程を更に包含する。前記乾燥工程は、前記密閉空間内に不活性ガスを供給する工程を含む。 In certain embodiments, the substrate processing method further comprises the step of supplying the vaporized organic solvent into the enclosed space accommodating the processing tank prior to the pulling step. The drying step includes the step of supplying the inert gas into the closed space.

ある実施形態では、前記処理槽を収容する密閉空間内を減圧して、前記乾燥工程を行う。 In one embodiment, the drying step is performed by reducing the pressure in the closed space accommodating the treatment tank.

ある実施形態では、前記浸漬工程において、前記処理槽に前記希釈イソプロピルアルコールを供給する。 In one embodiment, the diluted isopropyl alcohol is supplied to the treatment tank in the dipping step.

ある実施形態では、前記浸漬工程において、前記基板を振動させる。 In one embodiment, the substrate is vibrated in the dipping step.

ある実施形態では、前記希釈イソプロピルアルコールにおいて、イソプロピルアルコールの濃度は0.3%以上5%未満である。 In certain embodiments, in the diluted isopropyl alcohol, the concentration of isopropyl alcohol is 0.3% or more and less than 5%.

本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、基板を処理する。当該基板処理装置は、処理槽と、チャンバーと、移動部と、制御部とを備える。前記処理槽は、希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコールを貯留する。前記チャンバーは、前記処理槽を収容する。前記移動部は、前記チャンバー内において、前記処理槽内の第1処理位置と、前記処理槽外の第2処理位置との間で前記基板を移動させる。前記制御部は、前記移動部を制御して、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬させる。 According to another aspect of the invention, the substrate processing apparatus processes the substrate. The substrate processing apparatus includes a processing tank, a chamber, a moving unit, and a control unit. The treatment tank stores diluted isopropyl alcohol, which is diluted isopropyl alcohol. The chamber houses the processing tank. The moving portion moves the substrate between the first processing position in the processing tank and the second processing position outside the processing tank in the chamber. The control unit controls the moving unit to immerse the water-repellent-treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank.

本発明に係る基板処理方法、及び基板処理装置によれば、基板の清浄度を向上させることができる。 According to the substrate processing method and the substrate processing apparatus according to the present invention, the cleanliness of the substrate can be improved.

本発明の実施形態1に係る基板処理装置の内部の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the internal structure of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理装置の内部の構成を示す他の模式図である。It is another schematic diagram which shows the internal structure of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態3に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態3に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態3に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態3に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the substrate processing method which concerns on other embodiment of this invention.

以下、図面(図1~図16)を参照して本発明の基板処理方法、及び基板処理装置に係る実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 Hereinafter, embodiments relating to the substrate processing method of the present invention and the substrate processing apparatus will be described with reference to the drawings (FIGS. 1 to 16). However, the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, the description may be omitted as appropriate for the parts where the explanations are duplicated. Further, in the figure, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description is not repeated.

本明細書では、理解を容易にするため、互いに直交するX方向、Y方向及びZ方向を記載することがある。典型的には、X方向及びY方向は水平方向に平行であり、Z方向は鉛直方向に平行である。但し、これらの方向の定義により、本発明に係る基板処理方法の実行時の向き、及び本発明に係る基板処理装置の使用時の向きを限定する意図はない。 In the present specification, X-direction, Y-direction, and Z-direction orthogonal to each other may be described for ease of understanding. Typically, the X and Y directions are parallel to the horizontal direction and the Z direction is parallel to the vertical direction. However, the definition of these directions does not intend to limit the orientation when the substrate processing method according to the present invention is executed and the orientation when the substrate processing apparatus according to the present invention is used.

本実施形態における「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハの処理に用いられる基板処理方法及び基板処理装置を例に採って本実施形態を説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。また、基板の形状についても各種のものを適用可能である。 "Substrate" in the present embodiment includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a substrate for a FED (Field Emission Display), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a substrate. Various substrates such as photomagnetic disk substrates can be applied. Hereinafter, the present embodiment will be described mainly by taking as an example a substrate processing method and a substrate processing apparatus used for processing a disk-shaped semiconductor wafer, but the present embodiment can be similarly applied to the processing of various substrates exemplified above. be. Further, various shapes of the substrate can be applied.

[実施形態1]
以下、図1~図9を参照して本発明の実施形態1を説明する。まず、図1及び図2を参照して本実施形態の基板処理装置100を説明する。図1は、本実施形態の基板処理装置100の内部の構成を示す模式図である。図2は、本実施形態の基板処理装置100の内部の構成を示す他の模式図である。本実施形態の基板処理装置100はバッチ式である。したがって、基板処理装置100は、複数の基板Wを一括して処理する。具体的には、基板処理装置100は、ロット単位で複数の基板Wを処理する。1ロットは、例えば25枚の基板Wからなる。
[Embodiment 1]
Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9. First, the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic view showing the internal configuration of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. FIG. 2 is another schematic view showing the internal configuration of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. The substrate processing apparatus 100 of this embodiment is a batch type. Therefore, the substrate processing apparatus 100 collectively processes a plurality of substrates W. Specifically, the substrate processing apparatus 100 processes a plurality of substrates W in lot units. One lot consists of, for example, 25 substrates W.

図1に示すように、基板処理装置100は、処理ユニット101を備える。処理ユニット101は、基板Wを乾燥させる。具体的には、処理ユニット101は、チャンバー2と、処理槽3と、気体供給部4と、液供給部5と、保持部50と、開閉部102と、昇降部103とを備える。以下、処理ユニット101を、「乾燥処理ユニット101」と記載する。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a processing unit 101. The processing unit 101 dries the substrate W. Specifically, the processing unit 101 includes a chamber 2, a processing tank 3, a gas supply unit 4, a liquid supply unit 5, a holding unit 50, an opening / closing unit 102, and an elevating unit 103. Hereinafter, the processing unit 101 will be referred to as a “drying processing unit 101”.

基板Wは、パターンが形成されたパターン形成面を有する。パターンは、ウェットエッチング処理よって基板Wの表面に形成される。具体的には、基板処理装置100は、乾燥処理ユニット101以外に、基板Wをエッチングする処理ユニットを備える。この処理ユニットによってエッチングされた基板Wが、乾燥処理ユニット101に搬送(搬入)される。 The substrate W has a pattern forming surface on which a pattern is formed. The pattern is formed on the surface of the substrate W by the wet etching process. Specifically, the substrate processing apparatus 100 includes a processing unit for etching the substrate W in addition to the drying processing unit 101. The substrate W etched by this processing unit is conveyed (carried in) to the drying processing unit 101.

チャンバー2には、処理槽3と、気体供給部4と、液供給部5とが収容される。また、チャンバー2には、基板Wの処理時に保持部50が収容される。チャンバー2は、カバー2aを有する。カバー2aは、チャンバー2の上部の開口に装着されている。カバー2aは開閉可能である。 The treatment tank 3, the gas supply unit 4, and the liquid supply unit 5 are housed in the chamber 2. Further, the holding portion 50 is housed in the chamber 2 when the substrate W is processed. The chamber 2 has a cover 2a. The cover 2a is attached to the opening at the top of the chamber 2. The cover 2a can be opened and closed.

処理槽3は、処理液を貯留する。処理液は、リンス液と、希釈IPA(イソプロピルアルコール)とを含む。したがって、処理槽3は、リンス液と、希釈IPAとを貯留する。希釈IPAは、希釈化されたIPAを示す。本実施形態において、リンス液は、DIW(Deionized Water:脱イオン水)である。また、希釈IPAは、DIWによって希釈化されたIPAである。換言すると、希釈IPAは、IPAとDIWとの混合液である。以下、希釈IPAを「dIPA」と記載する場合がある。 The treatment tank 3 stores the treatment liquid. The treatment liquid contains a rinse liquid and diluted IPA (isopropyl alcohol). Therefore, the treatment tank 3 stores the rinse liquid and the diluted IPA. Diluted IPA indicates diluted IPA. In the present embodiment, the rinsing solution is DIW (Deionized Water). The diluted IPA is an IPA diluted by DIW. In other words, the diluted IPA is a mixture of IPA and DIW. Hereinafter, the diluted IPA may be referred to as "dIPA".

気体供給部4は、チャンバー2内に気体を供給する。具体的には、気体供給部4は、チャンバー2内に、不活性ガスと、有機溶剤の蒸気と、撥水化剤SMTの蒸気とを供給する。本実施形態において、有機溶剤の蒸気は、IPAの蒸気である。 The gas supply unit 4 supplies gas into the chamber 2. Specifically, the gas supply unit 4 supplies the inert gas, the vapor of the organic solvent, and the vapor of the water repellent agent SMT into the chamber 2. In this embodiment, the vapor of the organic solvent is the vapor of IPA.

詳しくは、気体供給部4は、第1ノズル11~第8ノズル18を有する。第1ノズル11~第8ノズル18は、チャンバー2の内部であって、処理槽3の外部に配置される。具体的には、第1ノズル11~第8ノズル18は、処理槽3の上方に配置される。図2を参照して説明するように、第1ノズル11~第6ノズル16は、不活性ガスを吐出する。また、第3ノズル13及び第4ノズル14は、IPAの蒸気を吐出する。第7ノズル17及び第8ノズル18は、撥水化剤SMTの蒸気を吐出する。 Specifically, the gas supply unit 4 has a first nozzle 11 to an eighth nozzle 18. The first nozzle 11 to the eighth nozzle 18 are arranged inside the chamber 2 and outside the processing tank 3. Specifically, the first nozzle 11 to the eighth nozzle 18 are arranged above the processing tank 3. As will be described with reference to FIG. 2, the first nozzle 11 to the sixth nozzle 16 discharge the inert gas. Further, the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 discharge the steam of IPA. The seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 discharge the steam of the water repellent agent SMT.

撥水化剤SMTは、例えば、シリコン系撥水化剤、又はメタル系撥水化剤である。シリコン系撥水化剤は、シリコン又はシリコンを含む化合物を撥水化(疎水化)させる。メタル系撥水化剤は、金属又は金属を含む化合物を撥水化(疎水化)させる。 The water repellent agent SMT is, for example, a silicon-based water repellent agent or a metal-based water repellent agent. The silicon-based water repellent agent makes silicon or a compound containing silicon water-repellent (hydrophobic). The metal-based water repellent agent makes a metal or a compound containing a metal water-repellent (hydrophobic).

シリコン系撥水化剤は、例えば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、例えば、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)、TMS(テトラメチルシラン)、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、及び非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、例えば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、N,N-ジメチルアミノトリメチルシラン、N-(トリメチルシリル)ジメチルアミン、及びオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。 The silicon-based water repellent agent is, for example, a silane coupling agent. The silane coupling agent contains, for example, at least one of HMDS (hexamethyldisilazane), TMS (tetramethylsilane), fluorinated alkylchlorosilane, alkyldisilazane, and a non-chlorohydrophobic agent. Examples of the non-chlorohydrophobic agent include dimethylsilyldimethylamine, dimethylsilyldiethylamine, hexamethyldisilazane, tetramethyldisilazane, bis (dimethylamino) dimethylsilane, N, N-dimethylaminotrimethylsilane, and N- (trimethylsilyl). ) Includes at least one of dimethylamine and an organosilane compound.

メタル系撥水化剤は、例えば、疎水基を有するアミン、及び有機シリコン化合物のうちの少なくとも一方を含む。 The metal-based water repellent agent contains, for example, an amine having a hydrophobic group and at least one of an organic silicon compound.

撥水化剤SMTは、親水性有機溶媒に対して相溶解性がある溶媒で希釈されていてもよい。溶媒は、例えば、IPA、又はPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)である。 The water repellent agent SMT may be diluted with a solvent that is compatible with the hydrophilic organic solvent. The solvent is, for example, IPA or PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate).

液供給部5は、処理槽3に処理液を供給する。具体的には、液供給部5は、リンス液(DIW)と、dIPAとを処理槽3に供給する。詳しくは、液供給部5は、第9ノズル19と、第10ノズル20とを有する。第9ノズル19及び第10ノズル20は、処理槽3内に配置される。図2を参照して説明するように、第9ノズル19及び第10ノズル20は、リンス液(DIW)と、dIPAとを吐出する。 The liquid supply unit 5 supplies the treatment liquid to the treatment tank 3. Specifically, the liquid supply unit 5 supplies the rinse liquid (DIW) and the dIPA to the treatment tank 3. Specifically, the liquid supply unit 5 has a ninth nozzle 19 and a tenth nozzle 20. The ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 are arranged in the processing tank 3. As will be described with reference to FIG. 2, the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 discharge the rinsing liquid (DIW) and the dIPA.

保持部50は、複数の基板Wを保持する。具体的には、保持部50は、複数の保持棒51と、本体板52とを有する。本実施形態では、保持部50は、3つの保持棒51を有する。本体板52は、鉛直方向(Z方向)に延びる板状の部材である。保持棒51はそれぞれ、本体板52の一方の主面から水平方向(Y方向)に延びる。複数の基板Wのそれぞれの下縁は、複数(ここでは、3つ)の保持棒51に当接する。複数の基板Wは、X方向に間隔をあけて整列した状態で、起立姿勢(鉛直姿勢)で保持される。 The holding unit 50 holds a plurality of substrates W. Specifically, the holding portion 50 has a plurality of holding rods 51 and a main body plate 52. In this embodiment, the holding portion 50 has three holding rods 51. The main body plate 52 is a plate-shaped member extending in the vertical direction (Z direction). Each of the holding rods 51 extends in the horizontal direction (Y direction) from one main surface of the main body plate 52. The lower edge of each of the plurality of substrates W abuts on the plurality of (here, three) holding rods 51. The plurality of substrates W are held in an upright posture (vertical posture) in a state of being aligned at intervals in the X direction.

開閉部102は、カバー2aを開閉させる。すなわち、開閉部102は、カバー2aを開状態と閉状態との間で遷移させる。カバー2aが開閉することにより、チャンバー2の上部の開口が閉塞状態と開放状態との間で遷移する。開閉部102は、駆動源と、開閉機構とを有しており、駆動源によって開閉機構を駆動して、カバー2aを開閉させる。駆動源は、例えば、モータを含む。開閉機構は、例えば、ラック・ピニオン機構を含む。 The opening / closing portion 102 opens / closes the cover 2a. That is, the opening / closing portion 102 makes the cover 2a transition between the open state and the closed state. When the cover 2a opens and closes, the opening at the upper part of the chamber 2 transitions between the closed state and the open state. The opening / closing unit 102 has a drive source and an opening / closing mechanism, and the opening / closing mechanism is driven by the drive source to open / close the cover 2a. The drive source includes, for example, a motor. The opening / closing mechanism includes, for example, a rack and pinion mechanism.

昇降部103は、保持部50を昇降させる。昇降部103が保持部50を昇降させることにより、保持部50に保持されている基板Wが昇降する。昇降部103は、駆動源及び昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、保持部50を上昇及び下降させる。駆動源は、例えば、モータを含む。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構又はボールねじを含む。 The elevating part 103 raises and lowers the holding part 50. When the elevating portion 103 raises and lowers the holding portion 50, the substrate W held by the holding portion 50 moves up and down. The elevating unit 103 has a drive source and an elevating mechanism, and the elevating mechanism is driven by the drive source to raise and lower the holding unit 50. The drive source includes, for example, a motor. The elevating mechanism includes, for example, a rack and pinion mechanism or a ball screw.

詳しくは、昇降部103は、チャンバー2の上部の開口を介して、チャンバー2の外部と内部との間で保持部50(基板W)を移動(昇降)させる。すなわち、昇降部103は、チャンバー2内への基板Wの搬入と、チャンバー2外への基板Wの搬出とを行う。 Specifically, the elevating portion 103 moves (elevates) the holding portion 50 (board W) between the outside and the inside of the chamber 2 through the opening at the top of the chamber 2. That is, the elevating unit 103 carries in the substrate W into the chamber 2 and carries out the substrate W out of the chamber 2.

また、昇降部103は、チャンバー2内において、処理槽3内の第1処理位置と処理槽3外の第2処理位置との間で保持部50(基板W)を移動(昇降)させる。保持部50が第1処理位置へ移動することにより、基板Wが処理槽3内に移動する。保持部50が第2処理位置へ移動することにより、基板Wが処理槽3外へ移動する。具体的には、第2処理位置は、第1処理位置の上方の位置である。保持部50が第2処理位置へ移動することにより、基板Wが処理槽3の上方の空間へ移動する。昇降部103は、移動部の一例である。なお、図1は、第1処理位置へ移動した保持部50及び基板Wを実線で示し、第2処理位置へ移動した保持部50及び基板Wを破線で示している。 Further, the elevating unit 103 moves (elevates) the holding unit 50 (board W) between the first processing position in the processing tank 3 and the second processing position outside the processing tank 3 in the chamber 2. When the holding portion 50 moves to the first processing position, the substrate W moves into the processing tank 3. When the holding portion 50 moves to the second processing position, the substrate W moves out of the processing tank 3. Specifically, the second processing position is a position above the first processing position. When the holding portion 50 moves to the second processing position, the substrate W moves to the space above the processing tank 3. The elevating part 103 is an example of a moving part. In FIG. 1, the holding portion 50 and the substrate W moved to the first processing position are shown by a solid line, and the holding portion 50 and the substrate W moved to the second processing position are shown by a broken line.

続いて、図1を参照して基板処理装置100を更に説明する。図1に示すように、基板処理装置100は、制御装置110を更に備える。制御装置110は、基板処理装置100の各部の動作を制御する。具体的には、制御装置110は、制御部111と、記憶部112とを含む。 Subsequently, the substrate processing apparatus 100 will be further described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the substrate processing device 100 further includes a control device 110. The control device 110 controls the operation of each part of the board processing device 100. Specifically, the control device 110 includes a control unit 111 and a storage unit 112.

制御部111は、プロセッサーを有する。制御部111は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、又は、MPU(Micro Processing Unit)を有する。あるいは、制御部111は、汎用演算機を有してもよい。 The control unit 111 has a processor. The control unit 111 has, for example, a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit). Alternatively, the control unit 111 may have a general-purpose arithmetic unit.

記憶部112は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Wの処理内容及び処理手順を規定する。 The storage unit 112 stores data and computer programs. The data includes recipe data. The recipe data includes information indicating a plurality of recipes. Each of the plurality of recipes defines the processing content and processing procedure of the substrate W.

記憶部112は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部112は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部112はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部111は、記憶部112に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置100の各部の動作を制御する。 The storage unit 112 has a main storage device. The main storage device is, for example, a semiconductor memory. The storage unit 112 may further have an auxiliary storage device. Auxiliary storage includes, for example, at least one of a semiconductor memory and a hard disk drive. The storage unit 112 may include removable media. The control unit 111 controls the operation of each unit of the board processing device 100 based on the computer program and data stored in the storage unit 112.

制御装置110(制御部111)は、開閉部102を制御して、カバー2aを開状態と閉状態との間で遷移させる。詳しくは、制御装置110(制御部111)は、チャンバー2内への基板Wの搬入時、及びチャンバー2外への基板Wの搬出時に、カバー2aを開状態にする。カバー2aが開状態となることにより、チャンバー2の上部の開口が開放状態となり、チャンバー2内への基板Wの搬入、及びチャンバー2外への基板Wの搬出が可能となる。制御装置110(制御部111)は、基板Wの処理時に、カバー2aを閉状態にする。カバー2aが閉状態となることにより、チャンバー2の上部の開口が閉塞状態となる。この結果、チャンバー2の内部が密閉空間となる。基板Wは、密閉空間内で処理される。 The control device 110 (control unit 111) controls the opening / closing unit 102 to make the cover 2a transition between the open state and the closed state. Specifically, the control device 110 (control unit 111) opens the cover 2a when the substrate W is carried into the chamber 2 and when the substrate W is carried out of the chamber 2. When the cover 2a is opened, the opening at the upper part of the chamber 2 is opened, and the substrate W can be carried into the chamber 2 and the substrate W can be carried out to the outside of the chamber 2. The control device 110 (control unit 111) closes the cover 2a when processing the substrate W. When the cover 2a is closed, the opening at the upper part of the chamber 2 is closed. As a result, the inside of the chamber 2 becomes a closed space. The substrate W is processed in a closed space.

制御装置110(制御部111)は、昇降部103を制御して、保持部50(基板W)を昇降させる。詳しくは、制御装置110(制御部111)は、チャンバー2内への基板Wの搬入時に、チャンバー2の上部の開口を介して、チャンバー2の外部から内部へ保持部50を移動させて、基板Wをチャンバー2内に搬入する。制御装置110(制御部111)は、チャンバー2外への基板Wの搬出時に、チャンバー2の上部の開口を介して、チャンバー2の内部から外部へ保持部50を移動させて、基板Wをチャンバー2から搬出する。制御装置110(制御部111)は、基板Wの処理時に、チャンバー2内で、保持部50を第1処理位置と第2処理位置との間で移動(昇降)させる。 The control device 110 (control unit 111) controls the elevating unit 103 to move the holding unit 50 (board W) up and down. Specifically, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 from the outside to the inside of the chamber 2 through the opening at the upper part of the chamber 2 when the substrate W is carried into the chamber 2, and the substrate W is moved. W is carried into the chamber 2. When the substrate W is carried out of the chamber 2, the control device 110 (control unit 111) moves the holding portion 50 from the inside of the chamber 2 to the outside through the opening at the upper part of the chamber 2 to move the substrate W into the chamber. Carry out from 2. The control device 110 (control unit 111) moves (elevates) the holding unit 50 between the first processing position and the second processing position in the chamber 2 when the substrate W is processed.

続いて、図2を参照して基板処理装置100を更に説明する。図2に示すように、基板処理装置100は、不活性ガス供給源21と、IPA供給源22と、撥水化剤供給源23と、DIW供給源24と、減圧部25と、第1配管31~第7配管37と、排液ライン41と、排気ライン42と、第1バルブV1~第8バルブV8と、第1ヒータH1と、第2ヒータH2とを更に備える。 Subsequently, the substrate processing apparatus 100 will be further described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes an inert gas supply source 21, an IPA supply source 22, a water repellent agent supply source 23, a DIW supply source 24, a decompression unit 25, and a first pipe. The 31st to 7th pipes 37, the drainage line 41, the exhaust line 42, the first valve V1 to the eighth valve V8, the first heater H1, and the second heater H2 are further provided.

不活性ガス供給源21は、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。IPA供給源22は、IPAを供給する。撥水化剤供給源23は、撥水化剤SMTを供給する。DIW供給源24は、DIWを供給する。 The inert gas supply source 21 supplies the inert gas. The inert gas is, for example, nitrogen gas. The IPA source 22 supplies the IPA. The water repellent agent supply source 23 supplies the water repellent agent SMT. The DIW supply source 24 supplies DIW.

第1配管31には、不活性ガス供給源21から不活性ガスが供給される。第1配管31は、不活性ガス供給源21から供給される不活性ガスを、第1ノズル11及び第2ノズル12まで流通させる。 The inert gas is supplied to the first pipe 31 from the inert gas supply source 21. The first pipe 31 circulates the inert gas supplied from the inert gas supply source 21 to the first nozzle 11 and the second nozzle 12.

第1ノズル11及び第2ノズル12は、中空の管状部材である。第1ノズル11及び第2ノズル12にはそれぞれ、複数の吐出孔が形成されている。本実施形態において、第1ノズル11及び第2ノズル12はX方向に延びる。第1ノズル11の複数の吐出孔は、X方向に等間隔に形成されている。同様に、第2ノズル12の複数の吐出孔は、X方向に等間隔に形成されている。 The first nozzle 11 and the second nozzle 12 are hollow tubular members. A plurality of discharge holes are formed in each of the first nozzle 11 and the second nozzle 12. In this embodiment, the first nozzle 11 and the second nozzle 12 extend in the X direction. The plurality of discharge holes of the first nozzle 11 are formed at equal intervals in the X direction. Similarly, the plurality of discharge holes of the second nozzle 12 are formed at equal intervals in the X direction.

第1配管31を介して第1ノズル11に不活性ガスが供給されると、第1ノズル11の複数の吐出孔からチャンバー2の内部へ不活性ガスが吐出される。同様に、第1配管31を介して第2ノズル12に不活性ガスが供給されると、第2ノズル12の複数の吐出孔からチャンバー2の内部へ不活性ガスが吐出される。 When the inert gas is supplied to the first nozzle 11 via the first pipe 31, the inert gas is discharged into the chamber 2 from the plurality of discharge holes of the first nozzle 11. Similarly, when the inert gas is supplied to the second nozzle 12 via the first pipe 31, the inert gas is discharged into the chamber 2 from the plurality of discharge holes of the second nozzle 12.

第1配管31には、第1バルブV1が介装されている。第1バルブV1は、第1配管31の流路を開閉する開閉弁である。第1バルブV1は、第1配管31を流れる不活性ガスの流通を制御する。詳しくは、第1バルブV1が開くと、不活性ガスが第1配管31を介して第1ノズル11及び第2ノズル12まで流れる。この結果、第1ノズル11及び第2ノズル12から不活性ガスが吐出される。第1バルブV1が閉じると、不活性ガスの流通が遮断されて、第1ノズル11及び第2ノズル12による不活性ガスの吐出が停止する。 A first valve V1 is interposed in the first pipe 31. The first valve V1 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the first pipe 31. The first valve V1 controls the flow of the inert gas flowing through the first pipe 31. Specifically, when the first valve V1 is opened, the inert gas flows to the first nozzle 11 and the second nozzle 12 via the first pipe 31. As a result, the inert gas is discharged from the first nozzle 11 and the second nozzle 12. When the first valve V1 is closed, the flow of the inert gas is cut off, and the discharge of the inert gas by the first nozzle 11 and the second nozzle 12 is stopped.

第1バルブV1は、第1配管31を流れる不活性ガスの流量を調整する調整弁としても機能する。第1バルブV1は、例えば電磁弁である。第1バルブV1は、制御装置110(制御部111)によって制御される。 The first valve V1 also functions as a regulating valve for adjusting the flow rate of the inert gas flowing through the first pipe 31. The first valve V1 is, for example, a solenoid valve. The first valve V1 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

第2配管32には、IPA供給源22からIPAが供給される。第2配管32には、第1ヒータH1が介装されている。第1ヒータH1は、IPAを加熱して、IPAを気化させる。つまり、第1ヒータH1は、IPAの蒸気を生成する。第2配管32は、IPAの蒸気を第3ノズル13及び第4ノズル14まで流通させる。 IPA is supplied to the second pipe 32 from the IPA supply source 22. The first heater H1 is interposed in the second pipe 32. The first heater H1 heats the IPA and vaporizes the IPA. That is, the first heater H1 generates steam of IPA. The second pipe 32 distributes the steam of IPA to the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14.

第3ノズル13及び第4ノズル14は、第1ノズル11及び第2ノズル12の下方に配置される。第3ノズル13及び第4ノズル14の構成は、第1ノズル11及び第2ノズル12と同様である。第3ノズル13及び第4ノズル14は、第1ノズル11及び第2ノズル12と同様に、チャンバー2の内部へIPAの蒸気を吐出する。 The third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 are arranged below the first nozzle 11 and the second nozzle 12. The configuration of the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 is the same as that of the first nozzle 11 and the second nozzle 12. The third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 discharge the vapor of IPA into the chamber 2 in the same manner as the first nozzle 11 and the second nozzle 12.

第2配管32には、第2バルブV2が介装されている。第2バルブV2は、第2配管32の流路を開閉する開閉弁である。第2バルブV2は、第2配管32に対して、第1ヒータH1よりも下流に設けられている。第2バルブV2は、第1バルブV1と同様に、第2配管32を流れるIPAの蒸気の流通を制御する。第2バルブV2は、第2配管32を流れるIPAの蒸気の流量を調整する調整弁としても機能する。第2バルブV2は、例えば電磁弁である。第2バルブV2は、制御装置110(制御部111)によって制御される。 A second valve V2 is interposed in the second pipe 32. The second valve V2 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the second pipe 32. The second valve V2 is provided downstream of the first heater H1 with respect to the second pipe 32. The second valve V2 controls the flow of the steam of the IPA flowing through the second pipe 32, similarly to the first valve V1. The second valve V2 also functions as a regulating valve for adjusting the flow rate of the steam of IPA flowing through the second pipe 32. The second valve V2 is, for example, a solenoid valve. The second valve V2 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

第3配管33には、不活性ガス供給源21から不活性ガスが供給される。第3配管33は、第2配管32に接続している。つまり、第3配管33は、不活性ガスを第2配管32まで流通させる。 The inert gas is supplied to the third pipe 33 from the inert gas supply source 21. The third pipe 33 is connected to the second pipe 32. That is, the third pipe 33 circulates the inert gas to the second pipe 32.

第3配管33には、第3バルブV3が介装されている。第3バルブV3は、第3配管33の流路を開閉する開閉弁である。第3バルブV3は、第1バルブV1と同様に、第3配管33を流れる不活性ガスの流通を制御する。第3バルブV3は、第3配管33を流れる不活性ガスの流量を調整する調整弁としても機能する。第3バルブV3は、例えば電磁弁である。第3バルブV3は、制御装置110(制御部111)によって制御される。 A third valve V3 is interposed in the third pipe 33. The third valve V3 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the third pipe 33. The third valve V3 controls the flow of the inert gas flowing through the third pipe 33, similarly to the first valve V1. The third valve V3 also functions as a regulating valve for adjusting the flow rate of the inert gas flowing through the third pipe 33. The third valve V3 is, for example, a solenoid valve. The third valve V3 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からIPAの蒸気を吐出させる際に、第2バルブV2を開き、第3バルブV3を閉じる。一方、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14から不活性ガスを吐出させる際に、第2バルブV2を閉じ、第3バルブV3を開く。第3バルブV3が開くことにより、不活性ガスが第3配管33から第2配管32に流入し、第2配管32を介して第3ノズル13及び第4ノズル14に不活性ガスが供給される。その結果、第3ノズル13及び第4ノズル14からチャンバー2の内部へ不活性ガスが吐出される。 The control device 110 (control unit 111) opens the second valve V2 and closes the third valve V3 when the steam of IPA is discharged from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. On the other hand, the control device 110 (control unit 111) closes the second valve V2 and opens the third valve V3 when the inert gas is discharged from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. When the third valve V3 is opened, the inert gas flows from the third pipe 33 into the second pipe 32, and the inert gas is supplied to the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 via the second pipe 32. .. As a result, the inert gas is discharged from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 into the chamber 2.

第4配管34には、不活性ガス供給源21から不活性ガスが供給される。第4配管34は、不活性ガス供給源21から供給される不活性ガスを、第5ノズル15及び第6ノズル16まで流通させる。 The inert gas is supplied to the fourth pipe 34 from the inert gas supply source 21. The fourth pipe 34 distributes the inert gas supplied from the inert gas supply source 21 to the fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16.

第5ノズル15及び第6ノズル16は、第3ノズル13及び第4ノズル14の下方に配置される。第5ノズル15及び第6ノズル16の構成は、第1ノズル11及び第2ノズル12と同様である。第5ノズル15及び第6ノズル16は、第1ノズル11及び第2ノズル12と同様に、チャンバー2の内部へ不活性ガスを吐出する。 The fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16 are arranged below the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. The configuration of the fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16 is the same as that of the first nozzle 11 and the second nozzle 12. The fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16 discharge the inert gas into the chamber 2 in the same manner as the first nozzle 11 and the second nozzle 12.

第4配管34には、第4バルブV4が介装されている。第4バルブV4は、第4配管34の流路を開閉する開閉弁である。第4バルブV4は、第1バルブV1と同様に、第4配管34を流れる不活性ガスの流通を制御する。第4バルブV4は、第4配管34を流れる不活性ガスの流量を調整する調整弁としても機能する。第4バルブV4は、例えば電磁弁である。第4バルブV4は、制御装置110(制御部111)によって制御される。 A fourth valve V4 is interposed in the fourth pipe 34. The fourth valve V4 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the fourth pipe 34. The fourth valve V4 controls the flow of the inert gas flowing through the fourth pipe 34, similarly to the first valve V1. The fourth valve V4 also functions as a regulating valve for adjusting the flow rate of the inert gas flowing through the fourth pipe 34. The fourth valve V4 is, for example, a solenoid valve. The fourth valve V4 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

第5配管35には、撥水化剤供給源23から撥水化剤SMTが供給される。第5配管35には、第2ヒータH2が介装されている。第2ヒータH2は、撥水化剤SMTを加熱して、撥水化剤SMTを気化させる。つまり、第2ヒータH2は、撥水化剤SMTの蒸気を生成する。第5配管35は、撥水化剤SMTの蒸気を第7ノズル17及び第8ノズル18まで流通させる。 The water repellent agent SMT is supplied to the fifth pipe 35 from the water repellent agent supply source 23. A second heater H2 is interposed in the fifth pipe 35. The second heater H2 heats the water repellent agent SMT to vaporize the water repellent agent SMT. That is, the second heater H2 generates steam of the water repellent agent SMT. The fifth pipe 35 circulates the steam of the water repellent agent SMT to the seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18.

第7ノズル17及び第8ノズル18は、第5ノズル15及び第6ノズル16の下方に配置される。第7ノズル17及び第8ノズル18の構成は、第1ノズル11及び第2ノズル12と同様である。第7ノズル17及び第8ノズル18は、第1ノズル11及び第2ノズル12と同様に、チャンバー2の内部へ撥水化剤SMTの蒸気を吐出する。 The seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 are arranged below the fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16. The configuration of the 7th nozzle 17 and the 8th nozzle 18 is the same as that of the 1st nozzle 11 and the 2nd nozzle 12. The seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 discharge the steam of the water repellent agent SMT into the chamber 2 in the same manner as the first nozzle 11 and the second nozzle 12.

第5配管35には、第5バルブV5が介装されている。第5バルブV5は、第5配管35の流路を開閉する開閉弁である。第5バルブV5は、第5配管35に対して、第2ヒータH2よりも下流に設けられている。第5バルブV5は、第1バルブV1と同様に、第5配管35を流れる撥水化剤SMTの蒸気の流通を制御する。第5バルブV5は、第5配管35を流れる撥水化剤SMTの蒸気の流量を調整する調整弁としても機能する。第5バルブV5は、例えば電磁弁である。第5バルブV5は、制御装置110(制御部111)によって制御される。 A fifth valve V5 is interposed in the fifth pipe 35. The fifth valve V5 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the fifth pipe 35. The fifth valve V5 is provided downstream of the second heater H2 with respect to the fifth pipe 35. The fifth valve V5 controls the flow of steam of the water repellent agent SMT flowing through the fifth pipe 35, similarly to the first valve V1. The fifth valve V5 also functions as a regulating valve for adjusting the flow rate of the steam of the water repellent agent SMT flowing through the fifth pipe 35. The fifth valve V5 is, for example, a solenoid valve. The fifth valve V5 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

第6配管36には、DIW供給源24からDIWが供給される。第6配管36は、DIW供給源24から供給されるDIWを第9ノズル19及び第10ノズル20まで流通させる。 DIW is supplied to the sixth pipe 36 from the DIW supply source 24. The sixth pipe 36 distributes the DIW supplied from the DIW supply source 24 to the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20.

第9ノズル19及び第10ノズル20の構成は、第1ノズル11及び第2ノズル12と同様である。第6配管36を介して第9ノズル19及び第10ノズル20にDIWが供給されることにより、第9ノズル19及び第10ノズル20から処理槽3内へDIWが吐出される。 The configuration of the 9th nozzle 19 and the 10th nozzle 20 is the same as that of the 1st nozzle 11 and the 2nd nozzle 12. By supplying DIW to the 9th nozzle 19 and the 10th nozzle 20 via the 6th pipe 36, the DIW is discharged from the 9th nozzle 19 and the 10th nozzle 20 into the processing tank 3.

第6配管36には、第6バルブV6が介装されている。第6バルブV6は、第6配管36の流路を開閉する開閉弁である。第6バルブV6は、第1バルブV1と同様に、第6配管36を流れるDIWの流通を制御する。第6バルブV6は、第6配管36を流れるDIWの流量を調整する調整弁としても機能する。第6バルブV6は、例えば電磁弁である。第6バルブV6は、制御装置110(制御部111)によって制御される。 A sixth valve V6 is interposed in the sixth pipe 36. The sixth valve V6 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the sixth pipe 36. The sixth valve V6 controls the flow of DIW flowing through the sixth pipe 36 in the same manner as the first valve V1. The sixth valve V6 also functions as a regulating valve for adjusting the flow rate of the DIW flowing through the sixth pipe 36. The sixth valve V6 is, for example, a solenoid valve. The sixth valve V6 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

第7配管37には、IPA供給源22からIPAが供給される。第7配管37は、第6配管36に接続している。つまり、第7配管37は、IPAを第6配管36まで流通させる。 IPA is supplied to the seventh pipe 37 from the IPA supply source 22. The seventh pipe 37 is connected to the sixth pipe 36. That is, the 7th pipe 37 distributes the IPA to the 6th pipe 36.

第7配管37には、第7バルブV7が介装されている。第7バルブV7は、第7配管37の流路を開閉する開閉弁である。第7バルブV7は、第1バルブV1と同様に、第7配管37を流れるIPAの流通を制御する。第7バルブV7は、第7配管37を流れるIPAの流量を調整する調整弁としても機能する。第7バルブV7は、例えば電磁弁である。第7バルブV7は、制御装置110(制御部111)によって制御される。 A seventh valve V7 is interposed in the seventh pipe 37. The seventh valve V7 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the seventh pipe 37. The seventh valve V7, like the first valve V1, controls the flow of IPA flowing through the seventh pipe 37. The seventh valve V7 also functions as a regulating valve for adjusting the flow rate of the IPA flowing through the seventh pipe 37. The seventh valve V7 is, for example, a solenoid valve. The seventh valve V7 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

制御装置110(制御部111)は、処理槽3にDIWを貯める際に、第6バルブV6を開き、第7バルブV7を閉じる。これにより、第9ノズル19及び第10ノズル20から処理槽3内へDIWが吐出される。 The control device 110 (control unit 111) opens the sixth valve V6 and closes the seventh valve V7 when storing DIW in the processing tank 3. As a result, DIW is discharged from the 9th nozzle 19 and the 10th nozzle 20 into the processing tank 3.

一方、制御装置110(制御部111)は、処理槽3にdIPAを貯める際に、第6バルブV6及び第7バルブV7を開く。第6バルブV6及び第7バルブV7が開くことにより、IPAが第7配管37から第6配管36に流入し、第6配管36を流通しているDIWにIPAが合流して、第6配管36内でdIPAが生成される。dIPAは、第6配管36を介して第9ノズル19及び第10ノズル20に供給される。その結果、第9ノズル19及び第10ノズル20から処理槽3内へdIPAが吐出される。 On the other hand, the control device 110 (control unit 111) opens the sixth valve V6 and the seventh valve V7 when the dIPA is stored in the processing tank 3. When the 6th valve V6 and the 7th valve V7 are opened, the IPA flows from the 7th pipe 37 to the 6th pipe 36, and the IPA joins the DIW flowing through the 6th pipe 36 to join the 6th pipe 36. DIPA is generated in. The dIPA is supplied to the 9th nozzle 19 and the 10th nozzle 20 via the 6th pipe 36. As a result, dIPA is discharged from the 9th nozzle 19 and the 10th nozzle 20 into the processing tank 3.

また、制御装置110(制御部111)は、dIPAにおいて、IPAの濃度が所定の濃度となるように、第6バルブV6及び第7バルブV7の開度を調整する。所定の濃度は、0.3%以上5%未満である。 Further, the control device 110 (control unit 111) adjusts the opening degrees of the sixth valve V6 and the seventh valve V7 so that the concentration of the IPA becomes a predetermined concentration in the dIPA. The predetermined concentration is 0.3% or more and less than 5%.

排液ライン41は、処理槽3の底部に接続している。排液ライン41には、第8バルブV8が介装されている。第8バルブV8は、排液ライン41の流路を開閉する開閉弁である。第8バルブV8は、例えば電磁弁である。第8バルブV8は、制御装置110(制御部111)によって制御される。制御装置110(制御部111)は、処理槽3内に処理液を貯める際に、第8バルブV8を閉じる。一方、制御装置110(制御部111)は、処理槽3から処理液を排出させる際に、第8バルブV8を開く。第8バルブV8が開くと、処理槽3に貯められていた処理液が、排液ライン41を介して、処理槽3からチャンバー2の外部へ排出される。 The drainage line 41 is connected to the bottom of the treatment tank 3. An eighth valve V8 is interposed in the drainage line 41. The eighth valve V8 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the drainage line 41. The eighth valve V8 is, for example, a solenoid valve. The eighth valve V8 is controlled by the control device 110 (control unit 111). The control device 110 (control unit 111) closes the eighth valve V8 when the processing liquid is stored in the processing tank 3. On the other hand, the control device 110 (control unit 111) opens the eighth valve V8 when the processing liquid is discharged from the processing tank 3. When the eighth valve V8 is opened, the treatment liquid stored in the treatment tank 3 is discharged from the treatment tank 3 to the outside of the chamber 2 via the drainage line 41.

減圧部25は、チャンバー2内の圧力を減少させる。つまり、減圧部25は、チャンバー2内を減圧する。減圧部25は、例えば、排気ポンプを含む。排気ポンプは、例えば、真空ポンプである。減圧部25は、制御装置110(制御部111)によって制御される。詳しくは、減圧部25は、排気ライン42を介してチャンバー2に接続している。減圧部25は、カバー2aが閉状態の際にチャンバー2内の気体を排気して、チャンバー2内を大気圧未満に減圧する。 The decompression unit 25 reduces the pressure in the chamber 2. That is, the decompression unit 25 decompresses the inside of the chamber 2. The decompression unit 25 includes, for example, an exhaust pump. The exhaust pump is, for example, a vacuum pump. The decompression unit 25 is controlled by the control device 110 (control unit 111). Specifically, the decompression unit 25 is connected to the chamber 2 via the exhaust line 42. The decompression unit 25 exhausts the gas in the chamber 2 when the cover 2a is closed, and decompresses the inside of the chamber 2 to less than the atmospheric pressure.

続いて、図1~図9を参照して本実施形態の基板処理装置100及び基板処理方法を説明する。本実施形態の基板処理方法は、図1及び図2を参照して説明した基板処理装置100により実行される。図3~図9は、本実施形態の基板処理方法を示すフロー図である。詳しくは、図3~図9は、基板処理装置100が実行する処理シーケンスを示す。図3~図9に示すように、本実施形態の基板処理方法(処理シーケンス)は、ステップS1~ステップS21を含む。 Subsequently, the substrate processing apparatus 100 and the substrate processing method of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 9. The substrate processing method of the present embodiment is executed by the substrate processing apparatus 100 described with reference to FIGS. 1 and 2. 3 to 9 are flow charts showing the substrate processing method of the present embodiment. Specifically, FIGS. 3 to 9 show a processing sequence executed by the substrate processing apparatus 100. As shown in FIGS. 3 to 9, the substrate processing method (processing sequence) of the present embodiment includes steps S1 to S21.

まず、図3に示すように、ステップS1において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第1処理位置へ移動させて、チャンバー2内に搬入された基板Wを、処理槽3に貯留されているDIWに浸漬させる。 First, as shown in FIG. 3, in step S1, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the first processing position, and the substrate W carried into the chamber 2 is transferred to the processing tank 3. Immerse in DIW stored in.

チャンバー2内には、エッチング処理後(ウェットエッチング処理後)の基板Wが搬入される。エッチング処理後の基板WをDIWに浸漬させることにより、基板Wの表面に付着しているエッチング液が、DIWによって水洗される。 The substrate W after the etching treatment (after the wet etching treatment) is carried into the chamber 2. By immersing the substrate W after the etching treatment in the DIW, the etching solution adhering to the surface of the substrate W is washed with water by the DIW.

本実施形態では、ステップS1において、制御装置110(制御部111)は、第9ノズル19及び第10ノズル20(液供給部5)からDIWを吐出させる。これにより、エッチング液が、より水洗される。 In the present embodiment, in step S1, the control device 110 (control unit 111) discharges DIW from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 (liquid supply unit 5). As a result, the etching solution is more washed with water.

また、ステップS1において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14から不活性ガスを吐出させる。例えば、制御装置110(制御部111)は、基板WをDIWに浸漬させた後に不活性ガスの吐出を開始する。なお、このとき、減圧部25は駆動していない。したがって、チャンバー2の内圧は大気圧となっている。 Further, in step S1, the control device 110 (control unit 111) discharges the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. For example, the control device 110 (control unit 111) starts discharging the inert gas after immersing the substrate W in the DIW. At this time, the pressure reducing unit 25 is not driven. Therefore, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure.

次に、ステップS2において、制御装置110(制御部111)は、不活性ガスの吐出を継続させる。また、ステップS2において、制御装置110(制御部111)は、第9ノズル19及び第10ノズル20(液供給部5)からのDIWの吐出を停止させる。なお、このとき、減圧部25は駆動していない。したがって、チャンバー2の内圧は大気圧となっている。 Next, in step S2, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas. Further, in step S2, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of DIW from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 (liquid supply unit 5). At this time, the pressure reducing unit 25 is not driven. Therefore, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure.

次に、ステップS3において、制御装置110(制御部111)は、不活性ガスの吐出を継続させる。また、ステップS3において、制御装置110(制御部111)は、減圧部25を駆動させることにより、排気ライン42を介してチャンバー2内の気体を排気させる。この結果、チャンバー2内が大気圧未満に減圧される。なお、このとき、基板WはDIWに浸漬されている。したがって、基板Wが乾燥してパターンが倒壊することを回避できる。 Next, in step S3, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas. Further, in step S3, the control device 110 (control unit 111) drives the decompression unit 25 to exhaust the gas in the chamber 2 through the exhaust line 42. As a result, the pressure inside the chamber 2 is reduced to less than the atmospheric pressure. At this time, the substrate W is immersed in the DIW. Therefore, it is possible to prevent the substrate W from drying and the pattern from collapsing.

次に、図4に示すように、ステップS4において、制御装置110(制御部111)は、チャンバー2内の減圧を継続させる。チャンバー2内の減圧は、ステップS12(図6)まで継続される。また、ステップS4において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からIPAの蒸気を吐出させる。この結果、チャンバー2内にIPAの蒸気を含む雰囲気が形成される。なお、IPAの蒸気の吐出は、ステップS7(図7)まで継続される。 Next, as shown in FIG. 4, in step S4, the control device 110 (control unit 111) continues the depressurization in the chamber 2. The depressurization in the chamber 2 is continued until step S12 (FIG. 6). Further, in step S4, the control device 110 (control unit 111) discharges the steam of IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. As a result, an atmosphere containing IPA vapor is formed in the chamber 2. The discharge of steam from the IPA is continued until step S7 (FIG. 7).

次に、ステップS5において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第2処理位置へ移動させて、基板WをDIWから引き上げる。この結果、基板Wに付着している水滴(DIWの液滴)がIPAの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Wに付着している水滴がIPAの液滴に置換される。 Next, in step S5, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the second processing position and pulls up the substrate W from the DIW. As a result, the water droplets (DIW droplets) adhering to the substrate W are removed by the steam of IPA. More specifically, the water droplets adhering to the substrate W are replaced with the IPA droplets.

また、ステップS5において、制御装置110(制御部111)は、第8バルブV8を開いて、排液ライン41を介して処理槽3からDIWを排出させる。なお、第8バルブV8の開状態は、ステップS13(図7)まで維持される。 Further, in step S5, the control device 110 (control unit 111) opens the eighth valve V8 to discharge DIW from the processing tank 3 via the drainage line 41. The open state of the eighth valve V8 is maintained until step S13 (FIG. 7).

本実施形態によれば、ステップS5において、減圧下で、水滴からIPAの液滴への置換を行うことができる。したがって、大気圧下で行う場合と比べて、水滴からIPAの液滴への置換を短時間で行うことができる。 According to the present embodiment, in step S5, the water droplets can be replaced with the IPA droplets under reduced pressure. Therefore, the replacement of water droplets with IPA droplets can be performed in a shorter time than in the case of performing under atmospheric pressure.

次に、ステップS6において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第1処理位置へ移動させて、基板Wを処理槽3内へ移動させる。このとき、処理槽3内にDIWは残っていない。 Next, in step S6, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the first processing position and moves the substrate W into the processing tank 3. At this time, no DIW remains in the processing tank 3.

次に、図5に示すように、ステップS7において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第2処理位置へ移動させて、処理槽3から基板Wを引き上げる。また、ステップS7において、制御装置110(制御部111)は、第7ノズル17及び第8ノズル18から撥水化剤SMTの蒸気を吐出させる。なお、ステップS7においてIPAの蒸気及び撥水化剤SMTの蒸気を吐出させているのは、チャンバー2内の圧力の変動を抑制するためである。 Next, as shown in FIG. 5, in step S7, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the second processing position and pulls up the substrate W from the processing tank 3. Further, in step S7, the control device 110 (control unit 111) discharges the steam of the water repellent agent SMT from the seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18. The reason why the steam of IPA and the steam of the water repellent agent SMT are discharged in step S7 is to suppress the fluctuation of the pressure in the chamber 2.

次に、ステップS8において、制御装置110(制御部111)は、撥水化剤SMTの蒸気の吐出を継続させる。また、ステップS8において、制御装置110(制御部111)は、IPAの蒸気の吐出を停止させる。この結果、基板Wに付着しているIPAの液滴が撥水化剤SMTの液滴に置換されて、撥水性保護膜が基板Wの表面に形成される。したがって、基板Wに形成されているパターンが撥水性保護膜によって覆われる(撥水化処理)。パターンを撥水性保護膜で覆うことにより、パターンの倒壊を回避することができる。 Next, in step S8, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of the water repellent agent SMT. Further, in step S8, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of the steam of the IPA. As a result, the droplets of IPA adhering to the substrate W are replaced with the droplets of the water repellent agent SMT, and a water repellent protective film is formed on the surface of the substrate W. Therefore, the pattern formed on the substrate W is covered with the water-repellent protective film (water-repellent treatment). By covering the pattern with a water-repellent protective film, it is possible to prevent the pattern from collapsing.

次に、ステップS9において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からIPAの蒸気を吐出させる。また、ステップS9において、制御装置110(制御部111)は、撥水化剤SMTの蒸気の吐出を継続させる。ステップS9においてIPAの蒸気及び撥水化剤SMTの蒸気を吐出させているのは、チャンバー2内の圧力の変動を抑制するためである。 Next, in step S9, the control device 110 (control unit 111) discharges the steam of IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. Further, in step S9, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of the water repellent agent SMT. The reason why the steam of IPA and the steam of the water repellent agent SMT are discharged in step S9 is to suppress the fluctuation of the pressure in the chamber 2.

次に、図6に示すように、ステップS10において、制御装置110(制御部111)は、撥水化剤SMTの蒸気の吐出を停止させる。また、ステップS10において、制御装置110(制御部111)は、IPAの蒸気の吐出を継続させる。この結果、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物がIPAの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物がIPAの液滴に置換される。 Next, as shown in FIG. 6, in step S10, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of the steam of the water repellent agent SMT. Further, in step S10, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of the IPA. As a result, the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W is removed by the vapor of IPA. More specifically, the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W is replaced with the droplets of IPA.

次に、ステップS11において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14から不活性ガスを吐出させる。 Next, in step S11, the control device 110 (control unit 111) discharges the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14.

次に、ステップS12において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、第1ノズル11、第2ノズル12、第5ノズル15、及び第6ノズル16からも不活性ガスを吐出させる。この結果、基板Wが乾燥する。本実施形態では、減圧下で基板Wを乾燥させる。減圧下で基板Wを乾燥させることにより、大気圧下で基板Wを乾燥させる場合と比べて、乾燥効率を高めることができる。すなわち、基板Wの乾燥に要する時間を短縮させることができる。 Next, in step S12, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14, and the first nozzle 11, the second nozzle 12, and the fifth nozzle. The inert gas is also discharged from the nozzle 15 and the sixth nozzle 16. As a result, the substrate W dries. In this embodiment, the substrate W is dried under reduced pressure. By drying the substrate W under reduced pressure, the drying efficiency can be improved as compared with the case where the substrate W is dried under atmospheric pressure. That is, the time required for drying the substrate W can be shortened.

次に、図7に示すように、ステップS13において、制御装置110(制御部111)は、第1ノズル11~第6ノズル16からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、減圧部25の駆動を停止させる。この結果、チャンバー2の内圧が大気圧に戻る。 Next, as shown in FIG. 7, in step S13, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas from the first nozzle 11 to the sixth nozzle 16 and drives the decompression unit 25. To stop. As a result, the internal pressure of the chamber 2 returns to atmospheric pressure.

次に、ステップS14において、制御装置110(制御部111)は、第1ノズル11、第2ノズル12、第5ノズル15、及び第6ノズル16からの不活性ガスの吐出を停止させる一方で、第3ノズル13及び第4ノズル14からの不活性ガスの吐出を継続させる。 Next, in step S14, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of the inert gas from the first nozzle 11, the second nozzle 12, the fifth nozzle 15, and the sixth nozzle 16. The ejection of the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 is continued.

また、ステップS14において、制御装置110(制御部111)は、第8バルブV8を閉じた後、第9ノズル19及び第10ノズル20からdIPAを吐出させて、処理槽3内にdIPAを貯留させる。このとき、チャンバー2の内圧は大気圧となっている。したがって、処理槽3内にdIPAを容易に貯留させることができる。 Further, in step S14, after closing the eighth valve V8, the control device 110 (control unit 111) discharges dIPA from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 to store the dIPA in the processing tank 3. .. At this time, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure. Therefore, dIPA can be easily stored in the treatment tank 3.

次に、ステップS15において、制御装置110(制御部111)は、dIPAの吐出を停止させる。また、ステップS15において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第1処理位置へ移動させて、処理槽3に貯留されているdIPAに基板Wを浸漬させる(浸漬工程)。この結果、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物とIPAとの反応に起因して発生したパーティクルが、dIPAによって除去される。具体的には、撥水化剤SMTとIPAとの反応に起因して発生するパーティクルは、dIPAに含まれる水に溶解する。 Next, in step S15, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of the dIPA. Further, in step S15, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the first processing position and immerses the substrate W in the dIPA stored in the processing tank 3 (immersion step). As a result, the particles generated due to the reaction between the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and the IPA are removed by the dIPA. Specifically, the particles generated due to the reaction between the water repellent agent SMT and IPA are dissolved in the water contained in dIPA.

また、ステップS15において、制御装置110(制御部111)は、不活性ガスの吐出を継続させる一方で、減圧部25を駆動することにより、排気ライン42を介してチャンバー2内の気体を排気させる。この結果、チャンバー2内が大気圧未満に減圧される。チャンバー2内の減圧は、ステップS19(図9)まで継続される。 Further, in step S15, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas, while driving the decompression unit 25 to exhaust the gas in the chamber 2 through the exhaust line 42. .. As a result, the pressure inside the chamber 2 is reduced to less than the atmospheric pressure. The depressurization in the chamber 2 is continued until step S19 (FIG. 9).

なお、ステップS15において、制御装置110(制御部111)は、dIPAの吐出を継続させてもよい。dIPAの吐出を継続させることにより、撥水化剤SMTとIPAとの反応に起因して発生したパーティクルを、より除去することができる。 In step S15, the control device 110 (control unit 111) may continue to discharge the dIPA. By continuing the discharge of dIPA, particles generated due to the reaction between the water repellent agent SMT and IPA can be further removed.

また、ステップS15において、制御装置110(制御部111)は、基板WがdIPAに浸漬している状態を保ちつつ、保持部50を上下方向に揺動させてもよい。これにより、撥水化剤SMTとIPAとの反応に起因して発生したパーティクルを、より除去することができる。 Further, in step S15, the control device 110 (control unit 111) may swing the holding unit 50 in the vertical direction while maintaining the state in which the substrate W is immersed in the dIPA. Thereby, the particles generated due to the reaction between the water repellent agent SMT and the IPA can be further removed.

次に、図8に示すように、ステップS16において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からIPAの蒸気を吐出させる。この結果、チャンバー2内にIPAの蒸気を含む雰囲気が形成される。 Next, as shown in FIG. 8, in step S16, the control device 110 (control unit 111) discharges the steam of IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. As a result, an atmosphere containing IPA vapor is formed in the chamber 2.

次に、ステップS17において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第2処理位置へ移動させて、dIPAから基板Wを引き上げる(引き上げ工程)。この結果、基板Wに付着しているdIPAの液滴がIPAの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Wに付着しているdIPAの液滴がIPAの液滴に置換される。 Next, in step S17, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the second processing position and pulls up the substrate W from the dIPA (pulling step). As a result, the droplets of dIPA adhering to the substrate W are removed by the vapor of IPA. More specifically, the dIPA droplets adhering to the substrate W are replaced with the IPA droplets.

また、ステップS17において、制御装置110(制御部111)は、第8バルブV8を開いて、処理槽3から排液ライン41を介してdIPAを排出させる。なお、第8バルブV8の開状態は、ステップS21(図9)まで維持される。 Further, in step S17, the control device 110 (control unit 111) opens the eighth valve V8 to discharge the dIPA from the processing tank 3 via the drainage line 41. The open state of the eighth valve V8 is maintained until step S21 (FIG. 9).

本実施形態によれば、ステップS17において、減圧下で、dIPAの液滴からIPAの液滴への置換を行うことができる。したがって、大気圧下で行う場合と比べて、dIPAの液滴からIPAの液滴への置換を短時間で行うことができる。 According to the present embodiment, in step S17, the droplets of dIPA can be replaced with the droplets of IPA under reduced pressure. Therefore, the replacement of dIPA droplets with IPA droplets can be performed in a shorter time than in the case of performing under atmospheric pressure.

次に、ステップS18において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14から不活性ガスを吐出させる。 Next, in step S18, the control device 110 (control unit 111) discharges the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14.

次に、図9に示すように、ステップS19において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、第1ノズル11、第2ノズル12、第5ノズル15、及び第6ノズル16からも不活性ガスを吐出させる(乾燥工程)。この結果、基板Wが乾燥する。 Next, as shown in FIG. 9, in step S19, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14, and the first nozzle 11, Inert gas is also discharged from the second nozzle 12, the fifth nozzle 15, and the sixth nozzle 16 (drying step). As a result, the substrate W dries.

本実施形態では、減圧下で基板Wを乾燥させる。減圧下で基板Wを乾燥させることにより、大気圧下で基板Wを乾燥させる場合と比べて、乾燥効率を高めることができる。 In this embodiment, the substrate W is dried under reduced pressure. By drying the substrate W under reduced pressure, the drying efficiency can be improved as compared with the case where the substrate W is dried under atmospheric pressure.

次に、ステップS20において、制御装置110(制御部111)は、第1ノズル11~第6ノズル16からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、減圧部25の駆動を停止させる。この結果、チャンバー2の内圧が大気圧に戻る。 Next, in step S20, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas from the first nozzle 11 to the sixth nozzle 16 and stops the driving of the pressure reducing unit 25. As a result, the internal pressure of the chamber 2 returns to atmospheric pressure.

次に、ステップS21において、制御装置110(制御部111)は、第1ノズル11、第2ノズル12、第5ノズル15、及び第6ノズル16からの不活性ガスの吐出を停止させる一方で、第3ノズル13及び第4ノズル14からの不活性ガスの吐出を継続させる。このとき、チャンバー2の内圧は大気圧となっている。 Next, in step S21, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of the inert gas from the first nozzle 11, the second nozzle 12, the fifth nozzle 15, and the sixth nozzle 16. The ejection of the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 is continued. At this time, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure.

以上、図1~図9を参照して本発明の実施形態1を説明した。本実施形態によれば、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物とIPAとの反応に起因して発生したパーティクルを、dIPAによって除去することができる。したがって、基板Wの清浄度を向上させることができる。 The first embodiment of the present invention has been described above with reference to FIGS. 1 to 9. According to the present embodiment, particles generated due to the reaction between the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and IPA can be removed by dIPA. Therefore, the cleanliness of the substrate W can be improved.

また、本実施形態によれば、撥水化剤SMTの蒸気を吐出する前に、基板Wの表面に付着している水滴をIPAの液滴に置換することができる。したがって、基板Wの表面に水滴が付着している場合に比べて、基板Wの表面に撥水化剤SMTの液滴を容易に付着させることができる。 Further, according to the present embodiment, the water droplets adhering to the surface of the substrate W can be replaced with the IPA droplets before the vapor of the water repellent agent SMT is discharged. Therefore, the droplets of the water repellent agent SMT can be easily adhered to the surface of the substrate W as compared with the case where the water droplets are adhered to the surface of the substrate W.

また、本実施形態によれば、乾燥処理(ステップS19)の前に、基板Wの表面に付着しているdIPAの液滴をIPAの液滴に置換することができる。IPAは、dIPAと比べて表面張力が小さいため、乾燥処理時にパターンに作用する液体の表面張力がより小さくなり、パターンの倒壊をより回避することができる。 Further, according to the present embodiment, the droplets of dIPA adhering to the surface of the substrate W can be replaced with the droplets of IPA before the drying treatment (step S19). Since the surface tension of IPA is smaller than that of dIPA, the surface tension of the liquid acting on the pattern during the drying process becomes smaller, and the collapse of the pattern can be further avoided.

また、本実施形態によれば、減圧下で撥水化剤SMTの蒸気を吐出して基板Wの表面に撥水化膜を形成することができる。したがって、大気圧下で撥水化剤SMTの蒸気を吐出して基板Wの表面に撥水化膜を形成する場合と比べて、撥水化膜をより容易に形成することができる。 Further, according to the present embodiment, the vapor of the water repellent agent SMT can be discharged under reduced pressure to form a water repellent film on the surface of the substrate W. Therefore, the water-repellent film can be formed more easily than in the case where the vapor of the water-repellent agent SMT is discharged under atmospheric pressure to form the water-repellent film on the surface of the substrate W.

[実施形態2]
続いて図1、図2、図10及び図11を参照して本発明の実施形態2について説明する。但し、実施形態1と異なる事項を説明し、実施形態1と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態2は、実施形態1と異なり、dIPAによるリンス処理以降の処理を大気圧下で行う。
[Embodiment 2]
Subsequently, the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, 10, and 11. However, matters different from those of the first embodiment will be described, and explanations of the same matters as those of the first embodiment will be omitted. In the second embodiment, unlike the first embodiment, the treatment after the rinsing treatment by dIPA is performed under atmospheric pressure.

図10及び図11は、本実施形態の基板処理方法を示すフロー図である。詳しくは、図10及び図11は、基板処理装置100が実行する処理シーケンスを示す。図10及び図11に示すように、本実施形態の基板処理方法(処理シーケンス)は、ステップS31~ステップS36を含む。 10 and 11 are flow charts showing the substrate processing method of the present embodiment. Specifically, FIGS. 10 and 11 show a processing sequence executed by the substrate processing apparatus 100. As shown in FIGS. 10 and 11, the substrate processing method (processing sequence) of the present embodiment includes steps S31 to S36.

本実施形態において、制御装置110(制御部111)は、まず、実施形態1で説明したステップS1~ステップS14の処理を実行する。その後、制御装置110(制御部111)は、図10に示すように、ステップS31において、dIPAの吐出を停止させる。また、ステップS31において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第1処理位置へ移動させて、処理槽3に貯留されているdIPAに基板Wを浸漬させる(浸漬工程)。この結果、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物とIPAとの反応に起因して発生したパーティクルが、dIPAによって除去される。 In the present embodiment, the control device 110 (control unit 111) first executes the processes of steps S1 to S14 described in the first embodiment. After that, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of the dIPA in step S31, as shown in FIG. Further, in step S31, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the first processing position and immerses the substrate W in the dIPA stored in the processing tank 3 (immersion step). As a result, the particles generated due to the reaction between the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and the IPA are removed by the dIPA.

また、ステップS31において、制御装置110(制御部111)は、ステップS15と同様に、不活性ガスの吐出を継続させる。その一方で、制御装置110(制御部111)は、ステップS15と異なり、減圧部25を駆動させない。したがって、チャンバー2の内圧は大気圧で維持される。チャンバー2の内圧は、ステップS34(図11)まで大気圧で維持される。 Further, in step S31, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas as in step S15. On the other hand, unlike step S15, the control device 110 (control unit 111) does not drive the decompression unit 25. Therefore, the internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure. The internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure until step S34 (FIG. 11).

なお、ステップS31において、制御装置110(制御部111)は、ステップS15と同様に、dIPAの吐出を継続させてもよい。また、ステップS31において、制御装置110(制御部111)は、ステップS15と同様に、基板WがdIPAに浸漬している状態を保ちつつ、保持部50を上下方向に揺動させてもよい。 In step S31, the control device 110 (control unit 111) may continue to discharge the dIPA as in step S15. Further, in step S31, the control device 110 (control unit 111) may swing the holding unit 50 in the vertical direction while maintaining the state in which the substrate W is immersed in the dIPA, as in step S15.

次に、ステップS32において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からIPAの蒸気を吐出させる。この結果、チャンバー2内にIPAの蒸気を含む雰囲気が形成される。 Next, in step S32, the control device 110 (control unit 111) discharges the steam of IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14. As a result, an atmosphere containing IPA vapor is formed in the chamber 2.

次に、ステップS33において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第2処理位置へ移動させて、dIPAから基板Wを引き上げる(引き上げ工程)。また、ステップS33において、制御装置110(制御部111)は、第8バルブV8を開いて、処理槽3から排液ライン41を介してdIPAを排出させる。なお、第8バルブV8の開状態は、ステップS36(図11)まで維持される。 Next, in step S33, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the second processing position and pulls up the substrate W from the dIPA (pulling step). Further, in step S33, the control device 110 (control unit 111) opens the eighth valve V8 to discharge the dIPA from the processing tank 3 via the drainage line 41. The open state of the eighth valve V8 is maintained until step S36 (FIG. 11).

次に、図11に示すように、ステップS34において、制御装置110(制御部111)は、IPAの蒸気の吐出を継続させる。この結果、基板Wに付着しているdIPAの液滴がIPAの蒸気によって除去される。 Next, as shown in FIG. 11, in step S34, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of the IPA. As a result, the droplets of dIPA adhering to the substrate W are removed by the vapor of IPA.

次に、ステップS35において、制御装置110(制御部111)は、減圧部25を駆動させることにより、排気ライン42を介してチャンバー2内の気体を排気させる。この結果、チャンバー2内が大気圧未満に減圧される。また、ステップS35において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14から不活性ガスを吐出させることにより、基板Wを乾燥させる(乾燥工程)。 Next, in step S35, the control device 110 (control unit 111) drives the decompression unit 25 to exhaust the gas in the chamber 2 through the exhaust line 42. As a result, the pressure inside the chamber 2 is reduced to less than the atmospheric pressure. Further, in step S35, the control device 110 (control unit 111) dries the substrate W by discharging the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 (drying step).

本実施形態では、減圧下で基板Wを乾燥させる。減圧下で基板Wを乾燥させることにより、大気圧下で基板Wを乾燥させる場合と比べて、乾燥効率を高めることができる。 In this embodiment, the substrate W is dried under reduced pressure. By drying the substrate W under reduced pressure, the drying efficiency can be improved as compared with the case where the substrate W is dried under atmospheric pressure.

次に、ステップS36において、制御装置110(制御部111)は、第3ノズル13及び第4ノズル14からの不活性ガスの吐出を継続させるとともに、第1ノズル11、第2ノズル12、第5ノズル15、及び第6ノズル16からも不活性ガスを吐出させる。また、ステップS36において、制御装置110(制御部111)は、減圧部25の駆動を停止させる。この結果、チャンバー2の内圧が大気圧に戻る。 Next, in step S36, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14, and the first nozzle 11, the second nozzle 12, and the fifth nozzle. The inert gas is also discharged from the nozzle 15 and the sixth nozzle 16. Further, in step S36, the control device 110 (control unit 111) stops driving the decompression unit 25. As a result, the internal pressure of the chamber 2 returns to atmospheric pressure.

本実施形態によれば、第1ノズル11~第6ノズル16から不活性ガスを吐出させることにより、チャンバー2の内圧を大気圧に効率よく戻すことができる。 According to the present embodiment, the internal pressure of the chamber 2 can be efficiently returned to the atmospheric pressure by discharging the inert gas from the first nozzle 11 to the sixth nozzle 16.

以上、図1、図2、図10及び図11を参照して本発明の実施形態2について説明した。本実施形態によれば、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物とIPAとの反応に起因して発生したパーティクルを、dIPAによって除去することができる。したがって、基板Wの清浄度を向上させることができる。 The second embodiment of the present invention has been described above with reference to FIGS. 1, 2, 10, and 11. According to the present embodiment, particles generated due to the reaction between the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and IPA can be removed by dIPA. Therefore, the cleanliness of the substrate W can be improved.

[実施形態3]
続いて図1、図2、及び図12~図15を参照して本発明の実施形態3について説明する。但し、実施形態1、2と異なる事項を説明し、実施形態1、2と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態3は、実施形態1、2と異なり、大気圧化で処理を行う。
[Embodiment 3]
Subsequently, the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 12 to 15. However, the matters different from those of the first and second embodiments will be described, and the same matters as those of the first and second embodiments will be omitted. In the third embodiment, unlike the first and second embodiments, the treatment is performed by increasing the atmospheric pressure.

図12~図15は、本実施形態の基板処理方法を示すフロー図である。詳しくは、図12~図15は、基板処理装置100が実行する処理シーケンスを示す。図12~図15に示すように、本実施形態の基板処理方法(処理シーケンス)は、ステップS41~ステップS52を含む。 12 to 15 are flow charts showing the substrate processing method of the present embodiment. Specifically, FIGS. 12 to 15 show a processing sequence executed by the substrate processing apparatus 100. As shown in FIGS. 12 to 15, the substrate processing method (processing sequence) of the present embodiment includes steps S41 to S52.

まず、図12に示すように、ステップS41及びステップS42において、制御装置110(制御部111)は、実施形態1で説明したステップS1及びステップS2と同様の処理を行う。ステップS41及びステップS42の処理は、実施形態1で説明したステップS1及びステップS2と同様であるため、その説明は割愛する。 First, as shown in FIG. 12, in steps S41 and S42, the control device 110 (control unit 111) performs the same processing as in steps S1 and S2 described in the first embodiment. Since the processes of steps S41 and S42 are the same as those of steps S1 and S2 described in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

次に、ステップS43において、制御装置110(制御部111)は、実施形態1で説明したステップS3と同様に、第3ノズル13及び第4ノズル14からの不活性ガスの吐出を継続させる。一方、ステップS43において、制御装置110(制御部111)は、実施形態1で説明したステップS3と異なり、減圧部25を駆動させない。したがって、チャンバー2の内圧は大気圧で維持される。チャンバー2の内圧は、ステップS52(図15)まで大気圧で維持される。 Next, in step S43, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14, as in step S3 described in the first embodiment. On the other hand, in step S43, the control device 110 (control unit 111) does not drive the decompression unit 25, unlike step S3 described in the first embodiment. Therefore, the internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure. The internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure until step S52 (FIG. 15).

次に、図13に示すように、ステップS44及びステップS45において、制御装置110(制御部111)は、実施形態1で説明したステップS4及びステップS5と同様の処理を行う。ステップS44及びステップS45の処理は、大気圧化で行われることを除いて、実施形態1で説明したステップS4及びステップS5と同様であるため、その説明は割愛する。なお、制御装置110(制御部111)は、ステップS45において、第8バルブV8を開いて、排液ライン41を介して処理槽3からDIWを排出させる。第8バルブV8の開状態は、ステップS50(図15)まで維持される。 Next, as shown in FIG. 13, in step S44 and step S45, the control device 110 (control unit 111) performs the same processing as in steps S4 and S5 described in the first embodiment. Since the processing of step S44 and step S45 is the same as that of step S4 and step S5 described in the first embodiment except that the processing is performed by increasing the atmospheric pressure, the description thereof will be omitted. In step S45, the control device 110 (control unit 111) opens the eighth valve V8 to discharge DIW from the processing tank 3 via the drainage line 41. The open state of the eighth valve V8 is maintained until step S50 (FIG. 15).

次に、ステップS46において、制御装置110(制御部111)は、IPAの蒸気の吐出を継続させるとともに、保持部50の位置を第2処理位置で維持する。この結果、基板Wに付着している水滴(DIWの液滴)がIPAの蒸気によって除去される。より詳しくは、基板Wに付着している水滴がIPAの液滴に置換される。 Next, in step S46, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of the IPA and maintains the position of the holding unit 50 at the second processing position. As a result, the water droplets (DIW droplets) adhering to the substrate W are removed by the steam of IPA. More specifically, the water droplets adhering to the substrate W are replaced with the IPA droplets.

次に、図14に示すように、ステップS47~ステップS49において、制御装置110(制御部111)は、実施形態1で説明したステップS7~ステップS9と同様の処理を行う。ステップS47~ステップS49の処理は、大気圧化で行われることを除いて、実施形態1で説明したステップS7~ステップS9と同様であるため、その説明は割愛する。 Next, as shown in FIG. 14, in steps S47 to S49, the control device 110 (control unit 111) performs the same processing as in steps S7 to S9 described in the first embodiment. Since the processes of steps S47 to S49 are the same as those of steps S7 to S9 described in the first embodiment except that the process is performed by increasing the atmospheric pressure, the description thereof will be omitted.

次に、図15に示すように、ステップS50において、制御装置110(制御部111)は、実施形態1で説明したステップS10と同様の処理を行う。ステップS50の処理は、大気圧化で行われることを除いて、実施形態1で説明したステップS10と同様であるため、その説明は割愛する。 Next, as shown in FIG. 15, in step S50, the control device 110 (control unit 111) performs the same processing as in step S10 described in the first embodiment. Since the process of step S50 is the same as that of step S10 described in the first embodiment except that the process is performed at atmospheric pressure, the description thereof will be omitted.

次に、ステップS51において、制御装置110(制御部111)は、IPAの蒸気の吐出を継続させる。また、ステップS51において、制御装置110(制御部111)は、第8バルブV8を閉じた後、第9ノズル19及び第10ノズル20からdIPAを吐出させて、処理槽3内にdIPAを貯留させる。このとき、チャンバー2の内圧は大気圧となっている。したがって、処理槽3内にdIPAを容易に貯留させることができる。 Next, in step S51, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of the IPA. Further, in step S51, after closing the eighth valve V8, the control device 110 (control unit 111) discharges dIPA from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 to store the dIPA in the processing tank 3. .. At this time, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure. Therefore, dIPA can be easily stored in the treatment tank 3.

次に、ステップS52において、制御装置110(制御部111)は、dIPAの吐出を停止させる。また、ステップS52において、制御装置110(制御部111)は、保持部50を第1処理位置へ移動させて、処理槽3に貯留されているdIPAに基板Wを浸漬させる(浸漬工程)。この結果、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物とIPAとの反応に起因して発生したパーティクルが、dIPAによって除去される。また、ステップS52において、制御装置110(制御部111)は、IPAの蒸気の吐出を継続させる。 Next, in step S52, the control device 110 (control unit 111) stops the discharge of the dIPA. Further, in step S52, the control device 110 (control unit 111) moves the holding unit 50 to the first processing position and immerses the substrate W in the dIPA stored in the processing tank 3 (immersion step). As a result, the particles generated due to the reaction between the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and the IPA are removed by the dIPA. Further, in step S52, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of the IPA.

その後、制御装置110(制御部111)は、実施形態2で説明したステップS33~ステップS36の処理を実行する。 After that, the control device 110 (control unit 111) executes the processes of steps S33 to S36 described in the second embodiment.

なお、ステップS52において、制御装置110(制御部111)は、ステップS15と同様に、dIPAの吐出を継続させてもよい。また、ステップS52において、制御装置110(制御部111)は、ステップS15と同様に、基板WがdIPAに浸漬している状態を保ちつつ、保持部50を上下方向に揺動させてもよい。 In step S52, the control device 110 (control unit 111) may continue to discharge the dIPA as in step S15. Further, in step S52, the control device 110 (control unit 111) may swing the holding unit 50 in the vertical direction while maintaining the state in which the substrate W is immersed in the dIPA, as in step S15.

以上、図1、図2、及び図12~図15を参照して本発明の実施形態3について説明した。本実施形態によれば、実施形態1、2と同様に、基板Wの清浄度を向上させることができる。また、本実施形態によれば、チャンバー2の内圧を大気圧で維持するため、基板Wに付着している撥水化剤SMTの残渣物をIPAの蒸気によって除去した後(ステップS50の後)、乾燥処理(実施形態1で説明したステップS11~S13)を行うことなく、処理槽3内にdIPAを供給することができる。 The third embodiment of the present invention has been described above with reference to FIGS. 1, 2, and 12 to 15. According to the present embodiment, the cleanliness of the substrate W can be improved as in the first and second embodiments. Further, according to the present embodiment, in order to maintain the internal pressure of the chamber 2 at atmospheric pressure, after removing the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W with the steam of IPA (after step S50). The dIPA can be supplied into the processing tank 3 without performing the drying treatment (steps S11 to S13 described in the first embodiment).

以上、図面(図1~図15)を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 15). However, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be carried out in various embodiments without departing from the gist thereof. In addition, the plurality of components disclosed in the above embodiment can be appropriately modified. For example, one component of all the components shown in one embodiment may be added to another component of another embodiment, or some of the components of all the components shown in one embodiment. The element may be removed from the embodiment.

図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 The drawings are schematically shown mainly for each component in order to facilitate the understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each of the illustrated components are convenient for drawing. It may be different from the actual one from the top. Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and it goes without saying that various changes can be made without substantially deviating from the effect of the present invention. ..

例えば、図1~図15を参照して説明した実施形態では、DIWによるエッチング液のリンス処理が乾燥処理ユニット101の処理槽3内で行われたが、DIWによるエッチング液のリンス処理は、乾燥処理ユニット101とは異なる処理ユニットの処理槽内で行われてもよい。例えば、DIWによるエッチング液のリンス処理は、基板Wをエッチングする処理ユニットの処理槽内で行われてもよい。 For example, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15, the rinsing treatment of the etching solution by DIW was performed in the processing tank 3 of the drying treatment unit 101, but the rinsing treatment of the etching solution by DIW was performed by drying. It may be performed in a processing tank of a processing unit different from the processing unit 101. For example, the rinsing treatment of the etching solution by DIW may be performed in the processing tank of the processing unit for etching the substrate W.

また、図1~図15を参照して説明した実施形態では、撥水化処理が乾燥処理ユニット101のチャンバー2内で行われたが、撥水化処理は、乾燥処理ユニット101とは異なる処理ユニットのチャンバー内で行われてもよい。 Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15, the water repellent treatment was performed in the chamber 2 of the drying treatment unit 101, but the water repellent treatment is a treatment different from that of the drying treatment unit 101. It may be done in the chamber of the unit.

また、図1~図15を参照して説明した実施形態では、基板WをdIPAに浸漬させている際に、基板Wを上下方向に揺動させたが、基板Wを揺動させる方向は上下方向に限定されない。いずれの方向に基板Wを揺動させても、パーティクルの除去を促進させることができる。例えば、基板WをdIPAに浸漬させている際に、基板Wを横方向に揺動させてもよい。 Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15, when the substrate W is immersed in the dIPA, the substrate W is oscillated in the vertical direction, but the direction in which the substrate W is oscillated is up and down. Not limited to the direction. By swinging the substrate W in any direction, the removal of particles can be promoted. For example, when the substrate W is immersed in the dIPA, the substrate W may be swung laterally.

また、図1~図15を参照して説明した実施形態では、蒸気化された撥水化剤SMTを用いて基板Wを撥水化させたが、液状の撥水化剤SMTを処理槽3に貯留させて、処理槽3内の撥水化剤SMTに基板Wを浸漬させてもよい。 Further, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15, the substrate W is made water-repellent by using the vaporized water-repellent agent SMT, but the liquid water-repellent agent SMT is used in the treatment tank 3. The substrate W may be immersed in the water repellent agent SMT in the treatment tank 3.

また、図1、図2、及び図12~図15を参照して説明した実施形態(実施形態3)では、ステップS52の後、実施形態2で説明したステップS33~ステップS36の処理が実行されたが、図16に示すように、ステップS52の後の処理を減圧下で行ってもよい。以下、図16を参照して、本発明の他の実施形態を説明する。 Further, in the embodiment (Embodiment 3) described with reference to FIGS. 1, 2, and 12 to 15, the processes of steps S33 to S36 described in the second embodiment are executed after step S52. However, as shown in FIG. 16, the processing after step S52 may be performed under reduced pressure. Hereinafter, other embodiments of the present invention will be described with reference to FIG.

図16は、本発明の他の実施形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。図16に示すように、本実施形態の基板処理方法(処理シーケンス)は、ステップS52及びステップS61を含む。 FIG. 16 is a flow chart showing a substrate processing method according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 16, the substrate processing method (processing sequence) of the present embodiment includes steps S52 and S61.

図16に示すように、制御装置110(制御部111)は、実施形態3で説明したステップS41~ステップS52の処理の実行後、ステップS61において、IPAの蒸気の吐出を継続させる一方で、減圧部25を駆動することにより、排気ライン42を介してチャンバー2内の気体を排気させてもよい。この結果、チャンバー2内が大気圧未満に減圧される。他の実施形態では、ステップS61の後、実施形態1で説明したステップS17~ステップS21の処理が実行される。 As shown in FIG. 16, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the steam of IPA in step S61 after executing the processes of steps S41 to S52 described in the third embodiment, while reducing the pressure. By driving the unit 25, the gas in the chamber 2 may be exhausted through the exhaust line 42. As a result, the pressure inside the chamber 2 is reduced to less than the atmospheric pressure. In another embodiment, after step S61, the processes of steps S17 to S21 described in the first embodiment are executed.

本発明は、基板を処理する方法及び装置に有用である。 The present invention is useful for methods and devices for processing substrates.

2 :チャンバー
3 :処理槽
4 :気体供給部
5 :液供給部
21 :不活性ガス供給源
22 :IPA供給源
23 :撥水化剤供給源
24 :DIW供給源
25 :減圧部
100 :基板処理装置
101 :処理ユニット(乾燥処理ユニット)
103 :昇降部
110 :制御装置
111 :制御部
112 :記憶部
W :基板
2: Chamber 3: Treatment tank 4: Gas supply unit 5: Liquid supply unit 21: Inert gas supply source 22: IPA supply source 23: Water repellent agent supply source 24: DIW supply source 25: Decompression unit 100: Substrate treatment Device 101: Processing unit (drying processing unit)
103: Elevating unit 110: Control device 111: Control unit 112: Storage unit W: Board

Claims (14)

基板を処理する基板処理方法であって、
希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコールを処理槽に貯める工程と、
前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する浸漬工程と
を包含する、基板処理方法。
It is a substrate processing method that processes a substrate.
The process of storing diluted isopropyl alcohol, which is diluted isopropyl alcohol, in a treatment tank,
A substrate treatment method comprising a dipping step of immersing the water-repellent treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank.
前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬する前に、前記基板を乾燥させる工程を更に包含する、請求項1に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to claim 1, further comprising a step of drying the substrate before immersing the water-repellent-treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank. 前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された撥水化剤を供給して、前記基板を撥水化処理する工程を更に包含する、請求項1又は請求項2に記載の基板処理方法。 The substrate treatment according to claim 1 or 2, further comprising a step of supplying a vaporized water-repellent agent into a closed space accommodating the treatment tank to make the substrate water-repellent. Method. 前記処理槽内に貯められたリンス液に前記基板を浸漬する工程と、
前記リンス液から前記基板を引き上げる工程と、
前記処理槽から前記リンス液を排液する工程と
を更に包含し、
前記リンス液の排液後に前記撥水化処理を行う、請求項3に記載の基板処理方法。
The step of immersing the substrate in the rinse liquid stored in the treatment tank and
The process of pulling up the substrate from the rinse liquid and
Further including the step of draining the rinse liquid from the treatment tank,
The substrate treatment method according to claim 3, wherein the water repellent treatment is performed after the rinse liquid is drained.
前記撥水化処理後に、前記密閉空間内に蒸気化された有機溶媒を供給する、請求項3又は請求項4に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to claim 3 or 4, wherein after the water-repellent treatment, a vaporized organic solvent is supplied into the closed space. 前記密閉空間内を減圧して、前記撥水化処理を行う、請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to any one of claims 3 to 5, wherein the closed space is depressurized to perform the water-repellent treatment. 前記希釈イソプロピルアルコールを前記処理槽に貯める前に、前記密閉空間内の圧力を大気圧に戻す工程を更に包含する、請求項6に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to claim 6, further comprising a step of returning the pressure in the enclosed space to atmospheric pressure before storing the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank. 前記希釈イソプロピルアルコールから前記基板を引き上げる引き上げ工程と、
前記希釈イソプロピルアルコールから引き上げられた前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を更に包含する、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理方法。
The pulling step of pulling up the substrate from the diluted isopropyl alcohol, and
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 7, further comprising a drying step of drying the substrate pulled up from the diluted isopropyl alcohol.
前記引き上げ工程の前に、前記処理槽を収容する密閉空間内に、蒸気化された有機溶媒を供給する工程を更に包含し、
前記乾燥工程は、前記密閉空間内に不活性ガスを供給する工程を含む、請求項8に記載の基板処理方法。
Prior to the pulling step, a step of supplying the vaporized organic solvent into the closed space accommodating the treatment tank is further included.
The substrate processing method according to claim 8, wherein the drying step includes a step of supplying an inert gas into the closed space.
前記処理槽を収容する密閉空間内を減圧して、前記乾燥工程を行う、請求項8又は請求項9に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 8 or 9, wherein the drying step is performed by reducing the pressure in the closed space accommodating the processing tank. 前記浸漬工程において、前記処理槽に前記希釈イソプロピルアルコールを供給する、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to any one of claims 1 to 10, wherein in the dipping step, the diluted isopropyl alcohol is supplied to the treatment tank. 前記浸漬工程において、前記基板を振動させる、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 11, wherein the substrate is vibrated in the dipping step. 前記希釈イソプロピルアルコールにおいて、イソプロピルアルコールの濃度は0.3%以上5%未満である、請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の基板処理方法。 The substrate treatment method according to any one of claims 1 to 12, wherein the concentration of isopropyl alcohol in the diluted isopropyl alcohol is 0.3% or more and less than 5%. 基板を処理する基板処理装置であって、
希釈化されたイソプロピルアルコールである希釈イソプロピルアルコールを貯留する処理槽と、
前記処理槽を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内において、前記処理槽内の第1処理位置と、前記処理槽外の第2処理位置との間で前記基板を移動させる移動部と、
前記移動部を制御して、前記処理槽内の前記希釈イソプロピルアルコールに、撥水化処理された前記基板を浸漬させる制御部と
を備える、基板処理装置。
It is a board processing device that processes boards.
A treatment tank for storing diluted isopropyl alcohol, which is diluted isopropyl alcohol,
A chamber for accommodating the treatment tank and
A moving portion for moving the substrate between the first processing position in the processing tank and the second processing position outside the processing tank in the chamber.
A substrate processing apparatus comprising a control unit for controlling the moving unit and immersing the water-repellent treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the processing tank.
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