JPH05217820A - 半導体基板及びその作製方法 - Google Patents
半導体基板及びその作製方法Info
- Publication number
- JPH05217820A JPH05217820A JP4038464A JP3846492A JPH05217820A JP H05217820 A JPH05217820 A JP H05217820A JP 4038464 A JP4038464 A JP 4038464A JP 3846492 A JP3846492 A JP 3846492A JP H05217820 A JPH05217820 A JP H05217820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- porous
- anodization
- layer
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の反りや割れの原因となる内部応力の発
生の抑制された多孔質シリコン基板を作製する。 【構成】 単結晶シリコン基板１１の両面側から陽極化
成を行う。先ず、一方の面側からＨＦ溶液を用いて陽極
化成を行って多孔質シリコン層１２を形成し、次いで他
方の面側からＨＦ溶液を用いて陽極化成を行って多孔質
シリコン層１３を形成して、基板全体を多孔質シリコン
となす。両面側からの交互の陽極化成は合計３回以上に
分けて行うこともできる。また、両面側から同時に陽極
化成を行うこともできる。
生の抑制された多孔質シリコン基板を作製する。 【構成】 単結晶シリコン基板１１の両面側から陽極化
成を行う。先ず、一方の面側からＨＦ溶液を用いて陽極
化成を行って多孔質シリコン層１２を形成し、次いで他
方の面側からＨＦ溶液を用いて陽極化成を行って多孔質
シリコン層１３を形成して、基板全体を多孔質シリコン
となす。両面側からの交互の陽極化成は合計３回以上に
分けて行うこともできる。また、両面側から同時に陽極
化成を行うこともできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板及びその作
製方法に関し、更に詳しくは、誘電体分離に適し、絶縁
物上での単結晶半導体層の形成に適し、絶縁物上の単結
晶半導体層に集積回路あるいは電子デバイスを形成する
のに適し、更には発光素子を作製するのに適する半導体
基板の作製に関するものである。
製方法に関し、更に詳しくは、誘電体分離に適し、絶縁
物上での単結晶半導体層の形成に適し、絶縁物上の単結
晶半導体層に集積回路あるいは電子デバイスを形成する
のに適し、更には発光素子を作製するのに適する半導体
基板の作製に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】絶縁物上の単結晶Ｓｉ半導体層の形成
は、シリコン オン インシュレーター(SOI) 技術とし
て広く知られ、通常のＳｉ集積回路を作製するバルクＳ
ｉ基板を利用しては到達しえない数々の優位点をＳＯＩ
技術を利用したデバイスが有することから多くの研究が
成されてきた。すなわち、ＳＯＩ技術を利用すること
で、 １．誘電体分離が容易で高集積化が可能、 ２．対放射線耐性に優れている、 ３．浮遊容量が低減され高速化が可能、 ４．ウエル工程が省略できる、 ５．ラッチアップを防止できる、 ６．薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが可
能、 等の優位点が得られる。
は、シリコン オン インシュレーター(SOI) 技術とし
て広く知られ、通常のＳｉ集積回路を作製するバルクＳ
ｉ基板を利用しては到達しえない数々の優位点をＳＯＩ
技術を利用したデバイスが有することから多くの研究が
成されてきた。すなわち、ＳＯＩ技術を利用すること
で、 １．誘電体分離が容易で高集積化が可能、 ２．対放射線耐性に優れている、 ３．浮遊容量が低減され高速化が可能、 ４．ウエル工程が省略できる、 ５．ラッチアップを防止できる、 ６．薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが可
能、 等の優位点が得られる。
【０００３】上記したようなデバイス特性上の多くの利
点を実現するために、ここ数十年に渡り、ＳＯＩ構造の
形成方法について研究されてきている。この内容は、例
えば以下の文献にまとめられている。Special Issue: "
Single-crystal silicon onnon-single-crystal insula
tors"; edited by G.W.Cullen, Journal of CrystalGro
wth, volume 63, no 3, pp 429〜590 (1983)。
点を実現するために、ここ数十年に渡り、ＳＯＩ構造の
形成方法について研究されてきている。この内容は、例
えば以下の文献にまとめられている。Special Issue: "
Single-crystal silicon onnon-single-crystal insula
tors"; edited by G.W.Cullen, Journal of CrystalGro
wth, volume 63, no 3, pp 429〜590 (1983)。
【０００４】また、古くは単結晶サファイア基板上に、
ＳｉをＣＶＤ（化学気相法）で、ヘテロエピタキシ−さ
せて形成するＳＯＳ（シリコン オン サファイア）が
知られており、最も成熟したＳＯＩ技術として一応の成
功を収めはしたが、Ｓｉ層と下地サファイア基板界面の
格子不整合により大量の結晶欠陥、サファイア基板から
のアルミニュ−ムのＳｉ層への混入、そして何よりも基
板の高価格と大面積化への遅れとにより、その応用の広
がりが妨げられている。比較的近年には、サファイア基
板を使用せずにＳＯＩ構造を実現しようという試みが行
なわれている。
ＳｉをＣＶＤ（化学気相法）で、ヘテロエピタキシ−さ
せて形成するＳＯＳ（シリコン オン サファイア）が
知られており、最も成熟したＳＯＩ技術として一応の成
功を収めはしたが、Ｓｉ層と下地サファイア基板界面の
格子不整合により大量の結晶欠陥、サファイア基板から
のアルミニュ−ムのＳｉ層への混入、そして何よりも基
板の高価格と大面積化への遅れとにより、その応用の広
がりが妨げられている。比較的近年には、サファイア基
板を使用せずにＳＯＩ構造を実現しようという試みが行
なわれている。
【０００５】この１つの方法として、多孔質Ｓｉの酸化
による誘電体分離によりＳＯＩ構造を形成する方法があ
る。この方法は、Ｐ型Ｓｉ単結晶基板表面にＮ型Ｓｉを
プロトン注入（イマイ他; J. Crystal Growth, vol 63,
547(1983)）もしくはエピタキシャル成長とパターニン
グとによって島状に形成し、表面よりＳｉ島を囲む様に
ＨＦ溶液中での陽極化成法によりＰ型Ｓｉ基板のみを多
孔質化した後、増速酸化によりＮ型Ｓｉ島を誘電体分離
する方法である。
による誘電体分離によりＳＯＩ構造を形成する方法があ
る。この方法は、Ｐ型Ｓｉ単結晶基板表面にＮ型Ｓｉを
プロトン注入（イマイ他; J. Crystal Growth, vol 63,
547(1983)）もしくはエピタキシャル成長とパターニン
グとによって島状に形成し、表面よりＳｉ島を囲む様に
ＨＦ溶液中での陽極化成法によりＰ型Ｓｉ基板のみを多
孔質化した後、増速酸化によりＮ型Ｓｉ島を誘電体分離
する方法である。
【０００６】多孔質Ｓｉは、ＨＦ溶液中の陽極化成によ
り作製され、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／ｃｍ3 に比
べて、その密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％で変化さ
せることで１．１〜０．６ｇ／ｃｍ3 に変化させること
ができる。この多孔質Ｓｉ層は、透過型電子顕微鏡によ
る観察によれば、平均６００オングストローム程度の径
の孔が形成されたものである。
り作製され、単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ／ｃｍ3 に比
べて、その密度をＨＦ溶液濃度を５０〜２０％で変化さ
せることで１．１〜０．６ｇ／ｃｍ3 に変化させること
ができる。この多孔質Ｓｉ層は、透過型電子顕微鏡によ
る観察によれば、平均６００オングストローム程度の径
の孔が形成されたものである。
【０００７】多孔質Ｓｉは、Uhlir 等によって１９５６
年に半導体の電解研磨の研究過程に於て発見された（A.
Uhlir, Bell Syst.Tech.J., vol 35,p.333(1956)) 。ま
た、ウナガミ等は、陽極化成におけるＳｉの溶解反応を
研究し、ＨＦ溶液中のＳｉの陽極反応には正孔が必要で
あり、その反応は、次のようであると報告している（T.
ウナガミ: J. Electrochem.Soc., vol. 127, p.476(198
0)）： Si + 2HF + (2-n)e+ → SiF2 + 2H+ + ne- SiF2 + 2HF → SiF4 + H2 SiF4 + 2HF → H2SiF6 又は、 Si + 4HF + (4-λ)e+ → SiF4 + 4H++ λe- SiF4 + 2HF → H2SiF6 ここで、ｅ+ 及び、ｅ- はそれぞれ、正孔と電子を表し
ている。また、ｎ及びλは夫々シリコン１原子が溶解す
るために必要な正孔の数であり、ｎ＞２又は、λ＞４な
る条件が満たされた場合に多孔質シリコンが形成される
としている。
年に半導体の電解研磨の研究過程に於て発見された（A.
Uhlir, Bell Syst.Tech.J., vol 35,p.333(1956)) 。ま
た、ウナガミ等は、陽極化成におけるＳｉの溶解反応を
研究し、ＨＦ溶液中のＳｉの陽極反応には正孔が必要で
あり、その反応は、次のようであると報告している（T.
ウナガミ: J. Electrochem.Soc., vol. 127, p.476(198
0)）： Si + 2HF + (2-n)e+ → SiF2 + 2H+ + ne- SiF2 + 2HF → SiF4 + H2 SiF4 + 2HF → H2SiF6 又は、 Si + 4HF + (4-λ)e+ → SiF4 + 4H++ λe- SiF4 + 2HF → H2SiF6 ここで、ｅ+ 及び、ｅ- はそれぞれ、正孔と電子を表し
ている。また、ｎ及びλは夫々シリコン１原子が溶解す
るために必要な正孔の数であり、ｎ＞２又は、λ＞４な
る条件が満たされた場合に多孔質シリコンが形成される
としている。
【０００８】以上のことから、正孔の存在するＰ型シリ
コンは、多孔質化されやすい。この多孔質化に於ける選
択性は長野ら、及び、イマイによって実証されている
（長野、中島、安野、大中、梶原; 電子通信学会技術研
究報告、vol 79,SSD 79-9549(1979)、及び、K.イマイ;S
olid-State Electronics vol 24,159 (1981)）。この様
に正孔の存在するＰ型シリコンは多孔質化されやすく、
選択的にＰ型シリコンを多孔質化することができる。
コンは、多孔質化されやすい。この多孔質化に於ける選
択性は長野ら、及び、イマイによって実証されている
（長野、中島、安野、大中、梶原; 電子通信学会技術研
究報告、vol 79,SSD 79-9549(1979)、及び、K.イマイ;S
olid-State Electronics vol 24,159 (1981)）。この様
に正孔の存在するＰ型シリコンは多孔質化されやすく、
選択的にＰ型シリコンを多孔質化することができる。
【０００９】一方、高濃度Ｎ型シリコンも多孔質化され
るという報告（R.P.Holmstorm, I.J.Y.Chi, Appl.Phys.
Lett. Vol.42, 386(1983) ）もあり、Ｐ型，Ｎ型の別に
こだわらず多孔質化を実現できる基板を選ぶことが重要
である。
るという報告（R.P.Holmstorm, I.J.Y.Chi, Appl.Phys.
Lett. Vol.42, 386(1983) ）もあり、Ｐ型，Ｎ型の別に
こだわらず多孔質化を実現できる基板を選ぶことが重要
である。
【００１０】また、多孔質層はその内部に大量の空隙が
形成されている為に、密度がもとのシリコンの半分以下
に減少する。その結果、体積に比べて表面積が飛躍的に
増大するため、その化学エッチング速度は、通常の単結
晶層のエッチング速度に比べて、著しく増速される。
形成されている為に、密度がもとのシリコンの半分以下
に減少する。その結果、体積に比べて表面積が飛躍的に
増大するため、その化学エッチング速度は、通常の単結
晶層のエッチング速度に比べて、著しく増速される。
【００１１】多孔質Ｓｉ層には、透過型電子顕微鏡によ
る観察によれば、平均約６００オングストロ−ム程度の
径の孔が形成されており、その密度は単結晶Ｓｉに比べ
ると半分以下になるにもかかわらず、単結晶性は維持さ
れており、多孔質層の上部へ単結晶Ｓｉ層をエピタキシ
ャル成長させることも可能である。ただし、１０００℃
以上では、内部の孔の再配列が起こり、増速エッチング
の特性が損なわれる。このため、Ｓｉ層のエピタキシャ
ル成長には、分子線エピタキシャル成長法、プラズマＣ
ＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ等のＣＶＤ法、バイアス・
スパッタ−法、液相成長法等の低温成長が好適とされ
る。
る観察によれば、平均約６００オングストロ−ム程度の
径の孔が形成されており、その密度は単結晶Ｓｉに比べ
ると半分以下になるにもかかわらず、単結晶性は維持さ
れており、多孔質層の上部へ単結晶Ｓｉ層をエピタキシ
ャル成長させることも可能である。ただし、１０００℃
以上では、内部の孔の再配列が起こり、増速エッチング
の特性が損なわれる。このため、Ｓｉ層のエピタキシャ
ル成長には、分子線エピタキシャル成長法、プラズマＣ
ＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ等のＣＶＤ法、バイアス・
スパッタ−法、液相成長法等の低温成長が好適とされ
る。
【００１２】また、最近、多孔質Ｓｉが発光するという
ことが報告されている（L.T.Canham,Appl.Phys.Lett.,5
7,1046(1990)）。この理由は、多孔質ＳｉでＳｉの細い
柱が数ｎｍから数十ｎｍの間隔で立ち並んでいることに
よる量子効果であるとされている。
ことが報告されている（L.T.Canham,Appl.Phys.Lett.,5
7,1046(1990)）。この理由は、多孔質ＳｉでＳｉの細い
柱が数ｎｍから数十ｎｍの間隔で立ち並んでいることに
よる量子効果であるとされている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記のいずれの場合に
も、多孔質Ｓｉの厚さはせいぜい数十μｍである。多孔
質Ｓｉでは、その格子定数はもとの単結晶Ｓｉに比べて
広がっていることが知られている。そのため、単結晶Ｓ
ｉ基板の表層に多孔質Ｓｉを形成する応力によって基板
が反ってしまい、更には基板内部に歪が蓄積されること
になる。この基板の反りは、自動搬送等の基板のチャッ
クや露光工程において大きな障害になる。更に、多孔質
Ｓｉを厚くすると、その内部応力によって基板が割れて
しまうこともある。
も、多孔質Ｓｉの厚さはせいぜい数十μｍである。多孔
質Ｓｉでは、その格子定数はもとの単結晶Ｓｉに比べて
広がっていることが知られている。そのため、単結晶Ｓ
ｉ基板の表層に多孔質Ｓｉを形成する応力によって基板
が反ってしまい、更には基板内部に歪が蓄積されること
になる。この基板の反りは、自動搬送等の基板のチャッ
クや露光工程において大きな障害になる。更に、多孔質
Ｓｉを厚くすると、その内部応力によって基板が割れて
しまうこともある。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、以上の様な課題を解決するものとして、シリコン基
板を陽極化成法により表面から裏面まで全てにわたって
多孔質シリコンに変質させて多孔質シリコン基板を作製
する方法であって、陽極化成をシリコン基板の両面側か
ら行うことを特徴とする、半導体基板の作製方法、が提
供される。
ば、以上の様な課題を解決するものとして、シリコン基
板を陽極化成法により表面から裏面まで全てにわたって
多孔質シリコンに変質させて多孔質シリコン基板を作製
する方法であって、陽極化成をシリコン基板の両面側か
ら行うことを特徴とする、半導体基板の作製方法、が提
供される。
【００１５】本発明においては、前記陽極化成をシリコ
ン基板の両面側から同時に行ってもよいし、シリコン基
板の表面側と裏面側とで交互に行ってもよい。また、前
記陽極化成はＨＦ溶液中で行うことができる。
ン基板の両面側から同時に行ってもよいし、シリコン基
板の表面側と裏面側とで交互に行ってもよい。また、前
記陽極化成はＨＦ溶液中で行うことができる。
【００１６】更に、本発明によれば、以上の様な課題を
解決するものとして、前記本発明方法方法により作製さ
れた半導体基板が提供される。
解決するものとして、前記本発明方法方法により作製さ
れた半導体基板が提供される。
【００１７】本発明によれば、多孔質Ｓｉのみからなる
基板を作製できるため、非多孔質単結晶Ｓｉと多孔質Ｓ
ｉとの接合が原因となる内部応力は発生せず、基板の反
りを抑制できる。更に、本発明では、基板の両面側から
陽極化成を行うので、作製中の内部応力発生を抑制で
き、基板の割れを防止できる。
基板を作製できるため、非多孔質単結晶Ｓｉと多孔質Ｓ
ｉとの接合が原因となる内部応力は発生せず、基板の反
りを抑制できる。更に、本発明では、基板の両面側から
陽極化成を行うので、作製中の内部応力発生を抑制で
き、基板の割れを防止できる。
【００１８】また、定電流の陽極化成では多孔質層が厚
くなる（陽極化成距離が長くなる）につれて多孔質化速
度は遅くなるのであるが、本発明では両面側から陽極化
成するので、片面側から全厚さを陽極化成する場合に比
べて、陽極化成距離が短くてすみ、従って多孔質化速度
の低下を抑制でき、陽極化成時間を短縮できる。更に、
多孔質化速度の変化は多孔質ＳｉのＰｏｒｏｓｉｔｙを
変化させることになり、片面側からの陽極化成ではＰｏ
ｒｏｓｉｔｙが一方の面側から他方の面側へと単調増加
または単調減少の変化をするので多孔質Ｓｉ基板の大き
な反りが生ずるが、本発明では両面側から陽極化成を行
うのでＰｏｒｏｓｉｔｙ変化による反りの発生がかなり
抑制される。
くなる（陽極化成距離が長くなる）につれて多孔質化速
度は遅くなるのであるが、本発明では両面側から陽極化
成するので、片面側から全厚さを陽極化成する場合に比
べて、陽極化成距離が短くてすみ、従って多孔質化速度
の低下を抑制でき、陽極化成時間を短縮できる。更に、
多孔質化速度の変化は多孔質ＳｉのＰｏｒｏｓｉｔｙを
変化させることになり、片面側からの陽極化成ではＰｏ
ｒｏｓｉｔｙが一方の面側から他方の面側へと単調増加
または単調減少の変化をするので多孔質Ｓｉ基板の大き
な反りが生ずるが、本発明では両面側から陽極化成を行
うのでＰｏｒｏｓｉｔｙ変化による反りの発生がかなり
抑制される。
【００１９】本発明によれば、通常の半導体集積回路の
分野で使用されている直径３インチ以上のＳｉ基板を全
て多孔質化することができる。本発明によれば、ＳＯＩ
構造を作製するのに応用可能な半導体基板を作製するこ
とができる。更に、本発明によれば、安価なＳｉ基板を
元にして発光素子を作り込むことが可能な半導体基板を
作製することができる。
分野で使用されている直径３インチ以上のＳｉ基板を全
て多孔質化することができる。本発明によれば、ＳＯＩ
構造を作製するのに応用可能な半導体基板を作製するこ
とができる。更に、本発明によれば、安価なＳｉ基板を
元にして発光素子を作り込むことが可能な半導体基板を
作製することができる。
【００２０】以下、本発明の半導体基板の作製方法の実
施態様例を図面を参照しながら詳述する。
施態様例を図面を参照しながら詳述する。
【００２１】
【実施態様例１】図１は本発明による半導体基板の作製
方法の第１の実施態様例を示す模式的断面図である。先
ず、図１（ａ）に示す様なＳｉ基板１１を用意する。次
に、該基板の一方の面側から第１回目の陽極化成を行
い、図１（ｂ）に示す様なある厚さの多孔質Ｓｉ層１２
を形成する。この多孔質Ｓｉ層１２の厚さは、元のＳｉ
基板の厚さ以下で自由に設定できる。その後、基板の他
方の面側から第２回目の陽極化成を行い、図１（ｃ）に
示す様な残りの厚さの多孔質Ｓｉ層１３を形成する。
尚、この第２回目の陽極化成の条件は第１回目と同一で
ある必要はない。以上により、図１（ｃ）で示す様な全
厚さが多孔質Ｓｉからなる反りの殆どない基板が得られ
る。
方法の第１の実施態様例を示す模式的断面図である。先
ず、図１（ａ）に示す様なＳｉ基板１１を用意する。次
に、該基板の一方の面側から第１回目の陽極化成を行
い、図１（ｂ）に示す様なある厚さの多孔質Ｓｉ層１２
を形成する。この多孔質Ｓｉ層１２の厚さは、元のＳｉ
基板の厚さ以下で自由に設定できる。その後、基板の他
方の面側から第２回目の陽極化成を行い、図１（ｃ）に
示す様な残りの厚さの多孔質Ｓｉ層１３を形成する。
尚、この第２回目の陽極化成の条件は第１回目と同一で
ある必要はない。以上により、図１（ｃ）で示す様な全
厚さが多孔質Ｓｉからなる反りの殆どない基板が得られ
る。
【００２２】
【実施態様例２】図２は本発明による半導体基板の作製
方法の第２の実施態様例を示す模式的断面図である。先
ず、図２（ａ）に示す様なＳｉ基板２１を用意する。次
に、該基板の一方の面側から第１回目の陽極化成を行
い、図２（ｂ）に示す様なある厚さの多孔質Ｓｉ層２２
を形成する。次に、基板の他方の面側から第２回目の陽
極化成を行い、図２（ｃ）に示す様なある厚さの多孔質
Ｓｉ層２３を形成する。次に、基板の第１回目の陽極化
成を行った面側から第３回目の陽極化成を行い、多孔質
Ｓｉ層２２の直下に図２（ｄ）に示す様なある厚さの多
孔質Ｓｉ層２４を形成する。次に、基板の第２回目の陽
極化成を行った面側から第４回目の陽極化成を行い、多
孔質Ｓｉ層２３の直下に図２（ｅ）に示す様なある厚さ
の多孔質Ｓｉ層２５を形成する。以上の様にして、Ｓｉ
基板２１が全て多孔質Ｓｉになるまで、一方の面側から
の陽極化成と他方の面側からの陽極化成とを交互に行う
ことにより、図２（ｆ）で示す様な多孔質Ｓｉ層２６を
含む全厚さが多孔質Ｓｉからなる反りの殆どない基板が
得られる。尚、各多孔質Ｓｉ層形成のための陽極化成の
条件はそれぞれ他の多孔質Ｓｉ層形成のための陽極化成
の条件と独立に設定することができる。
方法の第２の実施態様例を示す模式的断面図である。先
ず、図２（ａ）に示す様なＳｉ基板２１を用意する。次
に、該基板の一方の面側から第１回目の陽極化成を行
い、図２（ｂ）に示す様なある厚さの多孔質Ｓｉ層２２
を形成する。次に、基板の他方の面側から第２回目の陽
極化成を行い、図２（ｃ）に示す様なある厚さの多孔質
Ｓｉ層２３を形成する。次に、基板の第１回目の陽極化
成を行った面側から第３回目の陽極化成を行い、多孔質
Ｓｉ層２２の直下に図２（ｄ）に示す様なある厚さの多
孔質Ｓｉ層２４を形成する。次に、基板の第２回目の陽
極化成を行った面側から第４回目の陽極化成を行い、多
孔質Ｓｉ層２３の直下に図２（ｅ）に示す様なある厚さ
の多孔質Ｓｉ層２５を形成する。以上の様にして、Ｓｉ
基板２１が全て多孔質Ｓｉになるまで、一方の面側から
の陽極化成と他方の面側からの陽極化成とを交互に行う
ことにより、図２（ｆ）で示す様な多孔質Ｓｉ層２６を
含む全厚さが多孔質Ｓｉからなる反りの殆どない基板が
得られる。尚、各多孔質Ｓｉ層形成のための陽極化成の
条件はそれぞれ他の多孔質Ｓｉ層形成のための陽極化成
の条件と独立に設定することができる。
【００２３】
【実施態様例３】図３は本発明による半導体基板の作製
方法の第３の実施態様例を示す模式的断面図である。先
ず、図３（ａ）に示す様なＳｉ基板３１を用意する。次
に、該基板の両面側から同時に陽極化成を行い、図３
（ｂ）に示す様に多孔質Ｓｉ層３１，３２の形成を継続
し、これらの層の厚さを次第に増加させる。かくして、
図３（ｃ）に示す様に全厚さが多孔質Ｓｉ層３１，３２
からなる反りの殆どない基板が得られる。尚、一方の面
側からの陽極化成の条件と他方の面側からの陽極化成の
条件とは同一である必要はない。
方法の第３の実施態様例を示す模式的断面図である。先
ず、図３（ａ）に示す様なＳｉ基板３１を用意する。次
に、該基板の両面側から同時に陽極化成を行い、図３
（ｂ）に示す様に多孔質Ｓｉ層３１，３２の形成を継続
し、これらの層の厚さを次第に増加させる。かくして、
図３（ｃ）に示す様に全厚さが多孔質Ｓｉ層３１，３２
からなる反りの殆どない基板が得られる。尚、一方の面
側からの陽極化成の条件と他方の面側からの陽極化成の
条件とは同一である必要はない。
【００２４】
【実施例】以下、具体的実施例によって、本発明を説明
する。
する。
【００２５】（実施例１）３００ミクロン厚で直径４イ
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
【００２６】先ず、基板の表面側に第１回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ６ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ２００（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ６ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ２００（μｍ）。
【００２７】次に、基板の裏面側に第２回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ０. ８ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １００（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ０. ８ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １００（μｍ）。
【００２８】以上の様にして、Ｓｉ基板の全体が多孔質
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
【００２９】尚、上記第１回目の陽極化成処理と第２回
目の陽極化成処理とを逆の順序で行ったところ、同様の
結果が得られた。
目の陽極化成処理とを逆の順序で行ったところ、同様の
結果が得られた。
【００３０】（実施例２）４００ミクロン厚で直径４イ
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
【００３１】先ず、基板の裏面側に第１回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ６ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ２００（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ６ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ２００（μｍ）。
【００３２】次に、基板の表面側に第２回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ７ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ４. ５ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ２００（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ７ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ４. ５ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ２００（μｍ）。
【００３３】以上の様にして、Ｓｉ基板の全体が多孔質
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
【００３４】尚、上記第１回目の陽極化成処理と第２回
目の陽極化成処理とを逆の順序で行ったところ、同様の
結果が得られた。
目の陽極化成処理とを逆の順序で行ったところ、同様の
結果が得られた。
【００３５】（実施例３）６２５ミクロン厚で直径５イ
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
【００３６】先ず、基板の裏面側に第１回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ５. ５ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ３１２．５（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ５. ５ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ３１２．５（μｍ）。
【００３７】次に、基板の表面側に第２回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は第１回目と同一であった。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は第１回目と同一であった。
【００３８】以上の様にして、Ｓｉ基板の全体が多孔質
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
【００３９】尚、上記第１回目の陽極化成処理と第２回
目の陽極化成処理とを逆の順序で行ったところ、同様の
結果が得られた。
目の陽極化成処理とを逆の順序で行ったところ、同様の
結果が得られた。
【００４０】（実施例４）６２５ミクロン厚で直径６イ
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
【００４１】先ず、基板の裏面側に第１回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ３ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １０６（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ３ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １０６（μｍ）。
【００４２】次に、基板の表面側に第２回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は第１回目と同一であった。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は第１回目と同一であった。
【００４３】次に、基板の裏面側に第３回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第３回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ３ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １０４（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第３回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ３ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １０４（μｍ）。
【００４４】次に、基板の表面側に第４回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第４回目の陽極化
成処理の条件は第３回目と同一であった。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第４回目の陽極化
成処理の条件は第３回目と同一であった。
【００４５】次に、基板の裏面側に第５回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第５回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ３ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １０２．５（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第５回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： １. ３ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １０２．５（μｍ）。
【００４６】次に、基板の表面側に第６回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第６回目の陽極化
成処理の条件は第５回目と同一であった。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第６回目の陽極化
成処理の条件は第５回目と同一であった。
【００４７】以上の様にして、Ｓｉ基板の全体が多孔質
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
【００４８】（実施例５）３００ミクロン厚で直径４イ
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
【００４９】先ず、基板の表面側に第１回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ３５ （分） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ３１（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第１回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ５ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ３５ （分） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ３１（μｍ）。
【００５０】次に、基板の裏面側に第２回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ０．８ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ５１（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第２回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ０．８ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ５１（μｍ）。
【００５１】次に、基板の表面側に第３回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第３回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ３０ （分） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ７０（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第３回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ３０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ３０ （分） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ７０（μｍ）。
【００５２】次に、基板の裏面側に第４回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第４回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ７ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ２. １ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １００（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第４回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： ７ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ２. １ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： １００（μｍ）。
【００５３】次に、基板の表面側に第５回目の陽極化成
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第５回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ０．８ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ４８（μｍ）。
処理を行い多孔質Ｓｉ層を形成した。第５回目の陽極化
成処理の条件は次のとおりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ０．８ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ４８（μｍ）。
【００５４】以上の様にして、Ｓｉ基板の全体が多孔質
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
【００５５】（実施例６）４００ミクロン厚で直径４イ
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
【００５６】奇数回目の陽極化成処理を基板の表面側に
行い、偶数回目の陽極化成処理を基板の裏面側に行い、
多孔質Ｓｉ層を順次形成した。表面側を陽極化成処理す
るときの電流を＋（プラス）とし裏面側を陽極化成処理
するときの電流を−（マイナス）として表示すると、陽
極化成処理の際の電流のタイムチャートは図４に示す通
りとした。また、他の陽極化成処理の条件は次のとおり
であった： 電流密度 ： ７ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 。
行い、偶数回目の陽極化成処理を基板の裏面側に行い、
多孔質Ｓｉ層を順次形成した。表面側を陽極化成処理す
るときの電流を＋（プラス）とし裏面側を陽極化成処理
するときの電流を−（マイナス）として表示すると、陽
極化成処理の際の電流のタイムチャートは図４に示す通
りとした。また、他の陽極化成処理の条件は次のとおり
であった： 電流密度 ： ７ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 。
【００５７】以上の様にして、５３回の陽極化成処理を
したところ、Ｓｉ基板の全体が多孔質Ｓｉになり、反り
のない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透過型電子顕微鏡写
真（参考資料参照）による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
したところ、Ｓｉ基板の全体が多孔質Ｓｉになり、反り
のない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透過型電子顕微鏡写
真（参考資料参照）による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
【００５８】（実施例７）６２５ミクロン厚で直径６イ
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
ンチのＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成処理した。
【００５９】基板の両面に対し同時に陽極化成処理を行
い表面側及び裏面側にそれぞれ多孔質Ｓｉ層を形成し
た。表面側及び裏面側とも陽極化成処理の条件は次のと
おりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ５. ５ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ３１２．５（μｍ）。
い表面側及び裏面側にそれぞれ多孔質Ｓｉ層を形成し
た。表面側及び裏面側とも陽極化成処理の条件は次のと
おりであった： 電流密度 ： １０ （ｍＡ・cm-2 ） 陽極化成溶液 ： HF:H2O:C2H5OH=1:1:1 時間 ： ５. ５ （時間） 多孔質Ｓｉ層の厚み： ３１２．５（μｍ）。
【００６０】以上の様にして、Ｓｉ基板の全体が多孔質
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
Ｓｉになり、反りのない多孔質Ｓｉ基板が得られた。透
過型電子顕微鏡写真による断面観察の結果、多孔質Ｓｉ
基板には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な単
結晶性が維持されていることが確認された。
【００６１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、上
記した様な課題を解決する半導体基板及びその作製方法
が提供される。
記した様な課題を解決する半導体基板及びその作製方法
が提供される。
【００６２】本発明によれば、絶縁物上に単結晶半導体
層を形成するのに適する半導体基板の作製方法、更には
絶縁物上の単結晶半導体層に集積回路あるいは電子デバ
イスを形成するのに適する半導体基板の作製方法が提供
される。
層を形成するのに適する半導体基板の作製方法、更には
絶縁物上の単結晶半導体層に集積回路あるいは電子デバ
イスを形成するのに適する半導体基板の作製方法が提供
される。
【００６３】本発明によれば、多孔質Ｓｉのみからなる
基板を作製できるため、非多孔質単結晶Ｓｉと多孔質Ｓ
ｉとの接合が原因となる内部歪は発生せず、大面積基板
の場合に特に問題となる基板の反りを抑制できる。更
に、基板の両面側から陽極化成を行うので、作製中の内
部応力発生を抑制でき、基板の割れを防止できる。
基板を作製できるため、非多孔質単結晶Ｓｉと多孔質Ｓ
ｉとの接合が原因となる内部歪は発生せず、大面積基板
の場合に特に問題となる基板の反りを抑制できる。更
に、基板の両面側から陽極化成を行うので、作製中の内
部応力発生を抑制でき、基板の割れを防止できる。
【００６４】また、定電流の陽極化成では多孔質層が厚
くなる（陽極化成距離が長くなる）につれて多孔質化速
度は遅くなるのであるが、本発明では両面側から陽極化
成するので、片面側から全厚さを陽極化成する場合に比
べて、陽極化成距離が短くてすみ、従って多孔質化速度
の低下を抑制でき、陽極化成時間を短縮できる。更に、
多孔質化速度の変化は多孔質ＳｉのＰｏｒｏｓｉｔｙを
変化させることになり、片面側からの陽極化成ではＰｏ
ｒｏｓｉｔｙが一方の面側から他方の面側へと単調増加
または単調減少の変化をするので多孔質Ｓｉ基板の大き
な反りが生ずるが、本発明では両面側から陽極化成を行
うのでＰｏｒｏｓｉｔｙ変化による反りの発生がかなり
抑制される。
くなる（陽極化成距離が長くなる）につれて多孔質化速
度は遅くなるのであるが、本発明では両面側から陽極化
成するので、片面側から全厚さを陽極化成する場合に比
べて、陽極化成距離が短くてすみ、従って多孔質化速度
の低下を抑制でき、陽極化成時間を短縮できる。更に、
多孔質化速度の変化は多孔質ＳｉのＰｏｒｏｓｉｔｙを
変化させることになり、片面側からの陽極化成ではＰｏ
ｒｏｓｉｔｙが一方の面側から他方の面側へと単調増加
または単調減少の変化をするので多孔質Ｓｉ基板の大き
な反りが生ずるが、本発明では両面側から陽極化成を行
うのでＰｏｒｏｓｉｔｙ変化による反りの発生がかなり
抑制される。
【００６５】本発明によれば、ＳＯＩ構造を作製するの
に応用可能な半導体基板を作製することができる。更
に、本発明によれば、安価なＳｉ基板を元にして発光素
子を作り込むことが可能な半導体基板を作製することが
できる。
に応用可能な半導体基板を作製することができる。更
に、本発明によれば、安価なＳｉ基板を元にして発光素
子を作り込むことが可能な半導体基板を作製することが
できる。
【図１】本発明による半導体基板の作製方法の第１の実
施態様例を示す模式的断面図である。
施態様例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明による半導体基板の作製方法の第２の実
施態様例を示す模式的断面図である。
施態様例を示す模式的断面図である。
【図３】本発明による半導体基板の作製方法の第３の実
施態様例を示す模式的断面図である。
施態様例を示す模式的断面図である。
【図４】陽極化成処理の際の電流のタイムチャートであ
る。
る。
１１，２１，３１ Ｓｉ基板 １２，１３，２２〜２６，３２，３３ 多孔質Ｓｉ層
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板を陽極化成法により表面か
ら裏面まで全てにわたって多孔質シリコンに変質させて
多孔質シリコン基板を作製する方法であって、陽極化成
をシリコン基板の両面側から行うことを特徴とする、半
導体基板の作製方法。 - 【請求項２】 前記陽極化成をシリコン基板の両面側か
ら同時に行う、請求項１に記載の半導体基板の作製方
法。 - 【請求項３】 前記陽極化成をシリコン基板の表面側と
裏面側とで交互に行う、請求項１に記載の半導体基板の
作製方法。 - 【請求項４】 前記陽極化成をＨＦ溶液中で行う、請求
項１に記載の半導体基板の作製方法。 - 【請求項５】 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の
方法により作製された半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03846492A JP3171903B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体基板及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03846492A JP3171903B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体基板及びその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217820A true JPH05217820A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3171903B2 JP3171903B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=12525975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03846492A Expired - Fee Related JP3171903B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体基板及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171903B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255731B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | SOI bonding structure |
| US6258244B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Treating method and apparatus utilizing chemical reaction |
| KR100839376B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-06-19 | 연세대학교 산학협력단 | 다공성 실리콘 및 이의 제조방법 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP03846492A patent/JP3171903B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258244B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Treating method and apparatus utilizing chemical reaction |
| US6255731B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | SOI bonding structure |
| KR100839376B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-06-19 | 연세대학교 산학협력단 | 다공성 실리콘 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3171903B2 (ja) | 2001-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3250673B2 (ja) | 半導体素子基体とその作製方法 | |
| JP3214631B2 (ja) | 半導体基体及びその作製方法 | |
| JP3261685B2 (ja) | 半導体素子基体及びその作製方法 | |
| JP3112121B2 (ja) | 半導体基材の作製方法および半導体部材 | |
| JP2994837B2 (ja) | 半導体基板の平坦化方法、半導体基板の作製方法、及び半導体基板 | |
| JP3176072B2 (ja) | 半導体基板の形成方法 | |
| JP2910001B2 (ja) | 半導体基材及びその作製方法 | |
| JP3253099B2 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
| JPH05206422A (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP3171903B2 (ja) | 半導体基板及びその作製方法 | |
| JP3157030B2 (ja) | 半導体基体とその作製方法 | |
| JP3119384B2 (ja) | 半導体基板及びその作製方法 | |
| JPH04346418A (ja) | 半導体基材の作製方法 | |
| JP3342442B2 (ja) | 半導体基板の作製方法及び半導体基板 | |
| JP3128077B2 (ja) | バイポーラトランジスタの製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP3112100B2 (ja) | 半導体基材の作製方法 | |
| JP3112101B2 (ja) | 半導体基材の作製方法 | |
| JPH05241139A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3755857B2 (ja) | 半導体基板の作製方法および基板から半導体層を分離する方法 | |
| JPH05217828A (ja) | 半導体基体及びその作製方法 | |
| JP3098811B2 (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0541488A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3098810B2 (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP3796358B2 (ja) | 半導体基板の作製方法及び基板から半導体層を分離する方法 | |
| JPH05217829A (ja) | 半導体基体及びその作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |