JPH05215801A - ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法 - Google Patents

ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法

Info

Publication number
JPH05215801A
JPH05215801A JP4300507A JP30050792A JPH05215801A JP H05215801 A JPH05215801 A JP H05215801A JP 4300507 A JP4300507 A JP 4300507A JP 30050792 A JP30050792 A JP 30050792A JP H05215801 A JPH05215801 A JP H05215801A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inspection
network
charged
post
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4300507A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3467595B2 (ja
Inventor
Matthias Brunner
ブルンナー マチアス
Ralf Schmidt
シユミツト ラルフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH05215801A publication Critical patent/JPH05215801A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3467595B2 publication Critical patent/JP3467595B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams
    • G01R31/306Contactless testing using electron beams of printed or hybrid circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 それぞれ多数の接触点1…24を有する多数
の回路網NW1…NW9を有するプリント配線板LPの
形態のミクロ配線の検査、特に電子線検査の際の検査エ
ラーを認識するための方法を、追加的な中間または後検
査によりプリント回路板の検査エラーは真のエラー中
断、短絡との間の区別を可能にするように改良する。 【構成】 それぞれの主検査で確認された回路網NW2
のなかの中断Uおよび検査群TG1の回路網NW1…N
W3の間の短絡K1、K2または異なる検査群TG1、
TG2の回路網NW2、NW4の間の短絡K3がそれぞ
れの後検査中に認識され、またはたとえばミクロフィー
ルドまたは表面汚染に起因して主検査中に生ずる検査エ
ラーが確認される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は請求項1、2の前文およ
び同文の請求項3、4の前文による方法に関する。
【0002】
【従来の技術】冒頭に記載した種類の方法はヨーロッパ
特許出願第 EP0189777B1号明細書から公知である。その
際に、たとえば検査すべきプリント回路板上に存在する
ミクロフィールドおよび表面汚染に基づいて誤った検査
結果を与え得る方法が扱われている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、追加
的な中間または後検査によりプリント回路板の検査エラ
ーと真のエラー(中断、短絡)との間の区別を可能にす
る改良された方法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題は、請求項1、
2、3および4の特徴部分にあげられている特徴により
解決される。
【0005】請求項5ないし7には方法の好ましい実施
態様があげられている。
【0006】
【発明の効果】本発明により得られる利点は特に、本発
明による方法では比較的少ない追加的な検査(中間検
査、後検査)により上記の公知の方法にくらべて信頼性
のある検査結果が得られることにある。
【0007】
【実施例】以下、図面により本発明を説明する。
【0008】本発明による方法を説明するため、図面に
は、プリント回路板LPの斜視図が示されており、その
表面上に互いに隔てられて回路網NW1…NW9が位置
しており、その際に回路網NW1…NW3は検査群TG
1に、回路網NW4…NW6は検査群TG2に、また回
路網NW7…NW9は検査群TG3に一括されている。
回路網NW1…NW9の各々は多数の接触点1…24を
有し、その際に回路網NW1は接触点1、2および3
を、回路網NW2は接触点4、5および6を、回路網N
W3は接触点7、8および9を、回路網NW4は接触点
10および11を、回路網NW5は接触点12、13お
よび14を、回路網NW6は接触点15および16を、
回路網NW7は接触点17、18および19を、回路網
NW8は接触点20および21を、また回路網NW9は
接触点22、23および24を有する。回路網NW1…
NW9は2つの直角に交わる平行な対によりシンボル的
に示されており、また回路網NW2のなかに回路網の導
線が参照符号Lを付して示されている。導線Lは接触点
6をその他の回路網NW2から隔てる中断Uを有する。
回路網NW2は短絡K1を介して回路網NW3と、短絡
K2を介して回路網NW1と、また検査群にわたる短絡
K3を介して回路網NW4と接続されている。
【0009】回路網を充電するため、たとえば一次電子
線が回路網の接触点に向けられる。回路網を充電するた
めの他の可能性は、イオン照射、レーザービームによる
光電子発生またはミクロ電極の使用にある。接触点にお
ける電位を測定するため、一般に充電のためにも利用さ
れるそれぞれ1つの一次電子線がそれぞれの接触点に向
けられ、またそれにより二次電子線が発生される。接触
点における電位を測定するため、逆電界により検出器の
なかに到達した二次電子流が評価される。負に充電され
た接触点は放出された二次電子を加速し、二次電子はそ
れにより逆電界に打ち勝ち得る。それにより充電された
接触点に対して高い検出された電流、従ってまた高い信
号が生じ、他方において充電されない接触点に対しては
低い電流、従ってまた低い信号が生ずる。接触点におけ
る電位の測定はたとえばミクロ電極を介しても行われ得
る。図面中ではたとえば接触点4に回路網NW2を充電
するための一次電子線PE1が向けられている。接触点
5に向けられた一次電子線PE2は二次電子線SE2を
発生し、接触点6に向けられた一次電子線PE3は二次
電子線SE3を発生し、接触点7に向けられた一次電子
線PE5は二次電子線SE5を発生し、接触点10に向
けられた一次電子線PE6は二次電子線SE6を発生
し、また接触点17に向けられた一次電子線PE7は二
次電子線SE7を発生し、それらを介してそれぞれ当該
の接触点の電位が決定される。検査の前にすべての接触
点が零電位を有することから出発して、回路網のなかの
中断を確認するための主検査の第1のステップは、それ
ぞれ1つのまだ適切に充電されない回路網、たとえば回
路網NW2、がそれぞれの回路網の接触点、たとえば接
触点4、を介して適切に零電位と異なる充電電位に充電
されることにより開始する。表現“零電位”および“充
電電位”はここでは、また以下では電位範囲として理解
されるべきであり、その際に電位範囲は互いに重なって
いない。回路網のなかの中断を確認するための主検査の
第2のステップではそれぞれそれぞれの回路網の接触
点、たとえば回路網NW2の接触点5および6、のまだ
適切に充電されない接触点の電位が測定される。回路網
のなかの中断を確認するための主検査の第3のステップ
ではそれぞれの中断が、それぞれの回路網の中断接触点
が導線を介して、たとえば接触点6が導線Lを介して充
電電位に充電されなかったことにより確認される。ミク
ロフィールドおよび(または)表面汚染によりたとえば
二次電子は、中断が単に模擬されるように影響され得
る。この検査エラーを回避するため、主検査の後に本発
明による第1の後検査が行われる。その際に本発明によ
る第1の後検査の前にプリント回路板LPのすべての接
触点1…24を放電させる必要がある。放電はここで
は、また以下では、接触点が負に充電されているとき
に、低エネルギーの正のイオンビームにより行われる。
本発明による第1の後検査自体は、第1のステップでそ
れぞれの中断接触点、たとえば接触点6、が適切に充電
電位に充電され、第2のステップでこの後検査でそれぞ
れの回路網、たとえば回路網NW2、の適切に充電され
ない接触点、たとえば接触点4または5、の電位が測定
されることにより行われる。本発明による第1の後検査
の第3のステップで、主検査で確認されたそれぞれの中
断が、それぞれの中断接触点を有する回路網、ここでは
中断接触点6を有する回路網NW2、がそれぞれの回路
網の導線を介して充電電位に充電されなかったときに認
識される。主検査中にたとえば中断接触点6が中断Uが
存在することなしに確認されていたならば、たとえば回
路網NW2の接触点4および5が充電電位に充電され、
また主検査中に生じた検査エラーが確認されていたであ
ろう。
【0010】回路網の間の短絡を確認するための検査の
際には、主検査の開始前にすべての接触点が零電位を有
するという前提のもとに、主検査の第1のステップでそ
れぞれまだ適切に充電されない回路網、たとえば回路網
NW2、がそれぞれの回路網の少なくとも1つの接触
点、たとえば接触点4、を介して適切に零電位と異なる
充電電位に充電される。この主検査の第2のステップで
それぞれ他のまだ適切に充電されない回路網、たとえば
回路網NW3、の電位がそれぞれの他の回路網の少なく
とも1つの接触点、たとえば接触点7、を介して測定さ
れる。ここで主検査の第3のステップでそれぞれの短
絡、たとえば既に適切に充電された回路網、たとえばN
W1およびNW2、の1つからそれぞれの他のまだ適切
に充電されない回路網、たとえば回路網NW3、への短
絡K1が、それぞれの他のまだ適切に充電されない回路
網の1つの少なくとも短絡接触点、たとえば接触点7、
が既にそれぞれの短絡を介して充電電位に充電されたこ
とにより確認される。回路網の接触点の電位の測定の際
に同じく、たとえばミクロフィールドおよび(または)
表面汚染により、充電された回路網、従ってまた短絡、
たとえば回路網NW3により短絡K1、が模擬され得
る。この検査エラーを回避するため、本発明による第2
の後検査が行われる。その際に、すべての接触点1…2
4が放電された後に、第1のステップでそれぞれの短絡
接触点、たとえば接触点7、を介してそれぞれの短絡接
触点を有する回路網、たとえば回路網NW3、が適切に
充電電位に充電され、また第2のステップでこの後検査
中にまだ適切に充電されない回路網、たとえば回路網N
W1およびNW2、の電位が、それぞれ電位がそれぞれ
の後検査中にまだ適切に充電されない回路網の1つの少
なくとも接触点、たとえば接触点2または5、を介して
測定されることにより求められる。本発明による第2の
後検査の第3のステップでその際に、後検査中にまだ適
切に充電されない回路網、たとえば回路網NW2、がそ
れぞれの短絡を介して充電電位に充電されたときに、そ
れぞれの主検査の第3のステップで確認された短絡、た
とえば短絡K1、が認識される。短絡K1なしではたと
えば回路網NW1およびNW2はこの場合に充電されて
おらず、また主検査中に確認された短絡は単に検査エラ
ーに基づいて報知されたものであろう。
【0011】回路網のなかの中断および回路網の間の短
絡を確認するための検査は、次のようにして組み合わさ
れ得る。すなわち、それぞれの回路網のなかの中断を確
認するため次々とそれぞれ回路網が充電され、また続い
て既に充電された回路網の1つとそれぞれの回路網との
間の短絡を確認するためまだ適切に充電されない回路網
が測定されるようにして組み合わされ得る。たとえば回
路網NW1およびNW2が主検査中に既に適切に充電さ
れたならば、たとえば回路網NW3は、それが充電され
てはいるが適切には充電されていないかぎり、回路網N
W1への短絡および(または)回路網NW2への短絡に
より充電されている。それぞれの短絡に関与する回路網
の確認は一義的な仕方で可能ではない。図面中に記入さ
れている短絡K2およびK3はこの際に問題ではない。
回路網のなかの中断および回路網の間の短絡を確認する
ための主検査に本発明による第3の後検査が続き、その
際に最初にプリント回路板LPのすべての接触点1…2
4が放電され、第1のステップでそれぞれの短絡接触点
を介して、たとえば接触点7を介して、それぞれの短絡
接触点を有する回路網、たとえば回路網NW3、が適切
に充電電位に充電され、また後検査の第2のステップで
後検査中にまだ適切に充電されない他の回路網、たとえ
ば回路網NW1およびNW2、の電位が、それぞれ電位
がそれぞれの後検査中に適切に充電されない他の回路網
の少なくとも1つの接触点、たとえば接触点2または
5、を介して測定されることにより求められる。本発明
による第3の後検査の第3のステップで、主検査の第5
のステップで確認されたそれぞれの短絡、たとえば短絡
K1、が認識され、また、後検査中に適切に充電されな
い回路網がそれぞれの短絡を介して充電電位に充電され
たとき、それぞれのまだ適切に充電されておらず、また
それぞれの短絡に関与する他の回路網、たとえば回路網
NW2、が一義的に決定され、またそれぞれの短絡接触
点、たとえば接触点7、を有する回路網と一緒に報知さ
れる。こうしてこの後検査により、適切に充電された回
路網がそれぞれ他の回路網の意図された充電の前に適切
に放電されずに、充電された状態にとどまっても、それ
ぞれの短絡に関与する回路網の一義的な対応付けが可能
である。本発明による第2の後検査の際のように、ここ
で相応の仕方でたとえばミクロフィールドおよび(また
は)表面汚染に基づく検査エラーがたとえば中断および
短絡のような真のプリント回路板エラーから区別され得
る。
【0012】既に適切に充電された回路網が他の回路網
の電位の測定に擾乱作用をし得るので、また回路網がプ
リント回路板の制限された絶縁能力に基づいて制限され
た時間のみ充電された状態にとどまるので、なかんず
く、より大きいプリント回路板では検査すべき回路網の
検査群への一括が行われなければならない。最大でも1
つの検査群のすべての回路網しか同時に充電されていな
いので、たとえば多くの最終充電ステップおよび検査群
の間の短絡の確認のための追加的ステップが必要であ
り、このことは追加的な費用を意味する。この理由から
検査群を任意に小さくすることはできない。検査群のあ
る大きさ以下では状況によっては、エラー、たとえばプ
リント回路板の十分でない絶縁能力またはそれぞれの回
路網を覆う電荷雲、に基づいて、検査群が完全に検査さ
れる以前に回路網の放電に通ずることがあり得る。回路
網NW1とNW2との間の短絡K2のみが存在し、また
検査群TG1の主検査の開始時に回路網NW1が適切に
充電されることから出発すると、たとえば回路網NW2
の電位が短絡の確認のために測定されるとき、回路網N
W1は既に再び放電した状態にあり得る。すなわち回路
網NW1は短絡K2を介して回路網NW2をもはや充電
し得ず、それによって短絡K2が主検査中に発見されず
にとどまる。この検査エラーを回避するため、回路網の
なかの中断および回路網の間の短絡を確認するための主
検査の後に、本発明による中間検査が主検査とその後続
の後検査との間で行われ得る。本発明による中間検査中
に、それぞれの検査群TG1のなかのたとえば回路網N
W1のような既に再び充電されない回路網が、それぞれ
それぞれの回路網の少なくとも1つの接触点、たとえば
回路網NW1の接触点2、の電位が測定され、またその
電位が充電電位に一致するか否かを確認されることによ
り求められる。中間検査中に求められた充電されない回
路網、すなわち短絡の確認のために適していなかった回
路網に対しては、それぞれ本発明による第3の後検査が
実行され、その際に短絡接触点を有する回路網の代わり
に、または短絡接触点を有する回路網に追加して、先行
の本発明による中間検査中に求められた回路網がこの後
検査を受ける。こうしてたとえば中間検査中に求められ
た回路網NW1が適切に充電され、また、回路網NW1
が主検査中に既に放電されたとしても、回路網NW2へ
の短絡K2が求められる。
【0013】より多くの検査群が形成されると、たとえ
ば回路網NW2とNW4との間の検査群にわたる短絡K
3のように、異なった検査群の回路網の間の検査群にわ
たる短絡も生じ得る。別の本発明による中間検査中にそ
れぞれ他の検査群の回路網、たとえば検査群TG2およ
びTG3の回路網NW4…NW9、の電位が他の検査群
のそれぞれの回路網の少なくとも1つの接触点、たとえ
ば検査群TG2の回路網NW4の接触点10、を介して
測定される。それぞれの別の中間検査の第2のステップ
で、それぞれの主検査中に既に適切に充電されたそれぞ
れの検査群の回路網の1つから他の検査群のそれぞれの
回路網へのそれぞれの検査群にわたる短絡が、他の検査
群のそれぞれの回路網の少なくとも1つの検査群にわた
る短絡接触点が既にそれぞれの検査群にわたる短絡を介
して充電電位に充電されたことにより確認される。たと
えば検査群にわたる短絡K3は、少なくともたとえば検
査群TG2の回路網NW4の短絡接触点10が既に検査
群にわたる短絡K3を介して充電電位に充電されたこと
により確認される。
【0014】前記別の本発明による中間検査中に少なく
とも1つの検査群にわたる短絡接触点または検査群にわ
たる短絡、たとえば短絡接触点10および短絡K3、が
確認されたならば、本発明によりそれぞれの中間検査の
第3のステップとしてプリント回路板のすべての接触点
1…24が、この場合にも場合によっては短絡を認識、
するためにまたは検査エラーを確認するために本発明に
よる後検査が実行される以前に、放電される。この本発
明による後検査の際に第1のステップでたとえば検査群
にわたる短絡接触点10を介して回路網NW2が適切に
充電電位に充電され、第2のステップで後検査中にまだ
適切に充電されない検査群TG1およびTG3の回路網
NW1…NW3およびNW7…NW9の電位が、それぞ
れ電位が少なくとも1つの接触点2、4、7、17、2
0および22を介して測定されることにより求められ、
また第3のステップで前記別の本発明による中間検査の
第2のステップで確認されたそれぞれの検査群にわたる
短絡K3が、後検査中にまだ適切に充電されないそれぞ
れの他の検査群の回路網、たとえば検査群TG1の回路
網NW2、がそれぞれの検査群にわたる短絡K3を介し
て充電電位に充電されたときに認識される。検査群にわ
たる短絡K3が本発明による後検査中に認識されない場
合には、検査エラーが存在する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による方法を説明するためのプリント回
路板の斜視図。
【符号の説明】
1…24 接触点 K1、K2 検査群のなかでの短絡 K3 検査群にわたる短絡 L NW2の導線 NW1…NW9 LPの回路網 PE1…PE7 種々の接触点における一次電子線 SE1…SE7 種々の接触点における二次電子線 TG1…TG3 検査群

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数の回路網(NW1…NW9)を有す
    るプリント配線板(LP)の形態のミクロ配線の検査、
    特に電子線検査の際の検査エラーを認識するための方法
    であって、各回路網が多数の接触点(1…24)を有し
    ており、回路網のなかの中断(U)が確認され、主検査
    の開始前にすべての接触点が零電位を有し、主検査の第
    1のステップでそれぞれまだ適切に充電されない回路網
    (NW2)がそれぞれの回路網の接触点(4)を介して
    適切に零電位と異なる充電電位に充電され、主検査の第
    2のステップでそれぞれの回路網(NW2)の適切に充
    電されなかった接触点(5、6)の電位が測定され、ま
    た主検査の第3のステップでそれぞれの回路網(NW
    2)の中断(U)が、それぞれの回路網の中断接触点
    (6)がそれぞれの回路網の導線(L)を介して充電電
    位に充電されなかったことにより確認される方法におい
    て、後検査の前にすべての接触点(1…24)が放電さ
    れ、後検査の第1のステップでそれぞれの中断接触点
    (6)が適切に充電電位に充電され、後検査の第2のス
    テップでそれぞれの回路網(NW2)の後検査中に適切
    に充電されない接触点(4、5)の電位が測定され、後
    検査の第3のステップで主検査の第3のステップで確認
    されたそれぞれの中断が、それぞれの回路網(NW2)
    の少なくとも1つの接触点(4、5)がそれぞれの回路
    網(NW2)の導線(L)を介して充電電位に充電され
    たときに認識され、またそれぞれ主検査中に生じた検査
    エラーが、主検査の第3のステップで確認されたそれぞ
    れの中断が認識されないときに確認されることを特徴と
    するミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法。
  2. 【請求項2】 多数の回路網(NW1…NW9)を有す
    るプリント配線板(LP)の形態のミクロ配線の検査、
    特に電子線検査の際の検査エラーを認識するための方法
    であって、各回路網が多数の接触点(1…24)を有し
    ており、回路網の間の短絡(K1)が確認され、主検査
    の開始前にすべての接触点が零電位を有し、主検査の第
    1のステップでそれぞれまだ適切に充電されない回路網
    (NW2)がそれぞれの回路網(NW2)の少なくとも
    1つの接触点(4)を介して適切に零電位と異なる充電
    電位に充電され、主検査の第2のステップでまだ適切に
    充電されない他の回路網(NW3)の電位がそれぞれの
    他の回路網(NW3)の少なくとも1つの接触点(7)
    を介して測定され、また主検査の第3のステップで既に
    適切に充電された回路網(NW1、NW2)の1つから
    それぞれの他のまだ適切に充電されない回路網(NW
    3)へのそれぞれの短絡(K1)が、それぞれの他のま
    だ適切に充電されない回路網(NW3)の少なくとも1
    つの短絡接触点(7)が既にそれぞれの短絡(K1)を
    介して充電電位に充電されたことにより確認される方法
    において、後検査の前にすべての接触点(1…24)が
    放電され、後検査の第1のステップでそれぞれの短絡接
    触点(7)を介してそれぞれの短絡接触点(7)の回路
    網(NW3)が適切に充電電位に充電され、後検査の第
    2のステップで後検査中にまだ適切に充電されない回路
    網(NW1、NW2)の電位が、それぞれ電位がそれぞ
    れの後検査中にまだ適切に充電されない回路網(NW
    1、NW2)の少なくとも1つの接触点(2、5)を介
    して測定されることにより求められ、後検査の第3のス
    テップで主検査の第3のステップで確認されたそれぞれ
    の短絡(K1)が、後検査中にまだ適切に充電されない
    回路網(NW2)がそれぞれの短絡(K1)を介して充
    電電位に充電されたときに認識され、またそれぞれ主検
    査中に生じた検査エラーが、主検査の第3のステップで
    確認されたそれぞれの短絡が認識されないときに確認さ
    れることを特徴とするミクロ配線検査の際の検査エラー
    認識方法。
  3. 【請求項3】 多数の回路網(NW1…NW9)を有す
    るプリント配線板(LP)の形態のミクロ配線の検査、
    特に電子線検査の際の検査エラーを認識するための方法
    であって、各回路網が多数の接触点(1…24)を有し
    ており、回路網(NW2)のなかの中断(U)および回
    路網(NW2、NW3)の間の短絡が確認され、主検査
    の開始前にすべての接触点が零電位を有し、主検査の第
    1のステップでそれぞれまだ適切に充電されない回路網
    (NW2)がそれぞれの回路網の接触点(4)を介して
    適切に零電位と異なる充電電位に充電され、主検査の第
    2のステップでそれぞれの回路網(NW2)の適切に充
    電されなかった接触点(5、6)の電位が測定され、主
    検査の第3のステップでそれぞれの回路網(NW2)の
    中断(U)が、それぞれの回路網の中断接触点(6)が
    それぞれの回路網の導線(L)を介して充電電位に充電
    されなかったことにより確認され、主検査の第4のステ
    ップでそれぞれまだ適切に充電されない他の回路網(N
    W3)の電位がそれぞれの他の回路網(NW3)の少な
    くとも1つの接触点(7)を介して測定され、また主検
    査の第5のステップで既に適切に充電電位に充電された
    回路網(NW1、NW2)の1つからそれぞれの他のま
    だ適切に充電されない回路網(NW3)へのそれぞれの
    短絡(K1)が、それぞれの他のまだ適切に充電されな
    い他の回路網(NW3)の少なくとも1つの短絡接触点
    (7)が既にそれぞれの短絡(K1)を介して充電電位
    に充電されたことにより確認される方法において、後検
    査の前にプリント配線板(LP)のすべての接触点(1
    …24)が放電され、後検査の第1のステップでそれぞ
    れの短絡接触点(7)を介してそれぞれの短絡接触点
    (7)の回路網(NW3)が適切に充電電位に充電さ
    れ、後検査の第2のステップで後検査中にまだ適切に充
    電されない他の回路網(NW1、NW2)の電位が、そ
    れぞれ電位が後検査中にまだ適切に充電されない他の回
    路網(NW1、NW2)の少なくとも1つの接触点
    (2、5)を介して測定されることにより測定され、後
    検査の第3のステップで主検査の第5のステップで確認
    されたそれぞれの短絡(K1)が認識され、またまだ適
    切に充電されず、またそれぞれの短絡(K1)に関与す
    るそれぞれの他の回路網(NW2)が一義的に確認さ
    れ、また後検査中にまだ適切に充電されない回路網(N
    W3)がそれぞれの短絡(K1)を介して充電電位に充
    電されたときにそれぞれの短絡接触点(7)の回路網
    (NW3)と一緒に報知され、またそれぞれ主検査中に
    生じた検査エラーが、主検査の第5のステップで確認さ
    れたそれぞれの短絡が認識されないときに確認されるこ
    とを特徴とするミクロ配線検査の際の検査エラー認識方
    法。
  4. 【請求項4】 多数の回路網(NW1…NW9)を有す
    るプリント配線板(LP)の形態のミクロ配線の検査、
    特に電子線検査の際の検査エラーを認識するための方法
    であって、各回路網が多数の接触点(1…24)を有し
    ており、回路網(NW2)のなかの中断(U)および回
    路網(NW2、NW3)の間の短絡が確認され、主検査
    の開始前にすべての接触点が零電位を有し、主検査の第
    1のステップでそれぞれまだ適切に充電されない回路網
    (NW2)がそれぞれの回路網の接触点(4)を介して
    適切に零電位と異なる充電電位に充電され、主検査の第
    2のステップでそれぞれそれぞれの回路網(NW2)の
    適切に充電されなかった接触点(5、6)の電位が測定
    され、主検査の第3のステップでそれぞれの回路網(N
    W2)の中断(U)が、それぞれの回路網の中断接触点
    (6)がそれぞれの回路網の導線(L)を介して充電電
    位に充電されなかったことにより確認され、主検査の第
    4のステップでそれぞれまだ適切に充電されない他の回
    路網(NW3)の電位がそれぞれの他の回路網(NW
    3)の少なくとも1つの接触点(7)を介して測定さ
    れ、また主検査の第5のステップで既に適切に充電電位
    に充電された回路網(NW1、NW2)の1つからそれ
    ぞれの他のまだ適切に充電されない回路網(NW3)へ
    のそれぞれの短絡(K1)が、それぞれの他のまだ適切
    に充電されない他の回路網(NW3)の少なくとも1つ
    の短絡接触点(7)が既にそれぞれの短絡(K1)を介
    して充電電位に充電されたことにより確認される方法に
    おいて、多数の回路網が少なくとも1つの検査群(TG
    1、TG2、TG3)に一括され、また主検査がそれぞ
    れ1つの検査群(TG1)に対して実行され、またそれ
    ぞれの中間検査により補われることを特徴とするミクロ
    配線の検査の際の検査エラーの認識方法。
  5. 【請求項5】 中間検査中にエラーに基づいて既に再び
    ロードされないそれぞれの検査群(TG1)のなかの回
    路網(NW1)が、それぞれの回路網(NW1)の少な
    くとも1つの接触点(2)の電位が測定され、またこの
    電位が充電電位に一致するか否かが確認されることによ
    り求められ、後検査の前にすべての接触点(1…24)
    が放電され、後検査の第1のステップでそれぞれ中間検
    査中に求められた回路網(NW1)が適切に充電電位に
    充電され、後検査の第2のステップでそれぞれ少なくと
    も1つの接触点(5、7)を介してそれぞれの検査群
    (T1)の他の回路網(NW2、NW3)の電位が測定
    され、また後検査の第3のステップで短絡(K2)が求
    められ、またそれぞれの短絡(K2)に関与した他の回
    路網(NW2)が一義的に確認され、また、後検査中に
    まだ適切に充電されない回路網(NW3)が短絡(K
    2)を介して充電電位に充電されたときに、後検査の第
    1のステップで適切に充電された同じく(K2)に関与
    した回路網(NW1)と一緒に報知されることを特徴と
    する請求項4記載の方法。
  6. 【請求項6】 それぞれの中間検査の第1のステップで
    それぞれ他の検査群(TG2、TG3)の回路網(NW
    4…NW9)の電位が他の検査群(TG2)の回路網
    (NW4)の少なくとも1つの接触点(10、12、1
    5、17、20および22)を介して測定され、それぞ
    れの中間検査の第2のステップで、それぞれの主検査中
    に既に適切に充電されたそれぞれの検査群(TG1)の
    回路網の1つ(NW2)から他の検査群(TG2)のそ
    れぞれの回路網(NW4)への、それぞれの検査群にわ
    たる短絡(K3)が、他の検査群(TG2)のそれぞれ
    の回路網(NW4)の少なくとも1つの検査群にわたる
    短絡接触点(10)が既にそれぞれの検査群にわたる短
    絡(K3)を介して充電電位に充電されたことにより確
    認されることを特徴とする請求項4記載の方法。
  7. 【請求項7】 それぞれの中間検査の第3のステップと
    してプリント回路板(LP)のすべての接触点(1…2
    4)が放電され、後検査の第1のステップでそれぞれの
    検査群にわたる短絡接触点(10)を介してそれぞれの
    検査群にわたる短絡接触点(10)の回路網(NW4)
    が適切に充電電位に充電され、後検査の第2のステップ
    で後検査中にまだ適切に充電されないそれぞれの他の検
    査群(TG1、TG3)の回路網(NW1…NW3、N
    W7…NW9)の電位が、それぞれ電位がそれぞれの後
    検査中にまだ適切に充電されないそれぞれの他の検査群
    (TG1、TG3)の回路網(NW1…NW3、NW7
    …NW9)の少なくとも1つの接触点(2、4、7、1
    7、20、22)を介して測定されることにより求めら
    れ、後検査の第3のステップで中間検査の第2のステッ
    プで確認されたそれぞれの検査群にわたる短絡(K3)
    が、後検査中にまだ適切に充電されないそれぞれの他の
    検査群(TG1)の回路網(NW2)がそれぞれの検査
    群にわたる短絡(K3)を介して充電電位に充電された
    ときに認識され、また検査エラーが、主検査の第3のス
    テップで確認された短絡が認識されないときに確認され
    ることを特徴とする請求項6記載の方法。
JP30050792A 1991-10-16 1992-10-12 ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法 Expired - Lifetime JP3467595B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4134243.7 1991-10-16
DE4134243 1991-10-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05215801A true JPH05215801A (ja) 1993-08-27
JP3467595B2 JP3467595B2 (ja) 2003-11-17

Family

ID=6442806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30050792A Expired - Lifetime JP3467595B2 (ja) 1991-10-16 1992-10-12 ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5258706A (ja)
EP (1) EP0537505B1 (ja)
JP (1) JP3467595B2 (ja)
DE (1) DE59208570D1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19901767A1 (de) * 1999-01-18 2000-07-20 Etec Ebt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Testen der Funktion einer Vielzahl von Mikrostrukturelementen
US6359451B1 (en) 2000-02-11 2002-03-19 Image Graphics Incorporated System for contactless testing of printed circuit boards
WO2001058558A2 (en) 2000-02-14 2001-08-16 Eco 3 Max Inc. Process for removing volatile organic compounds from an air stream and apparatus therefor
US7023576B1 (en) 2000-05-09 2006-04-04 Phase One A/S Method and an apparatus for elimination of color Moiré
US6541988B2 (en) 2001-06-12 2003-04-01 Lucent Technologies Inc. Circuit board test fixture with electrostatic discharge (ESD) protection
US6793022B2 (en) 2002-04-04 2004-09-21 Halliburton Energy Services, Inc. Spring wire composite corrosion resistant anchoring device
US7129694B2 (en) * 2002-05-23 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
DE10227332A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-15 Akt Electron Beam Technology Gmbh Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften
US7319335B2 (en) * 2004-02-12 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array testing
US20060038554A1 (en) * 2004-02-12 2006-02-23 Applied Materials, Inc. Electron beam test system stage
US6833717B1 (en) 2004-02-12 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Electron beam test system with integrated substrate transfer module
US7355418B2 (en) * 2004-02-12 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
JP2007537800A (ja) * 2004-05-25 2007-12-27 テクファーマ・ライセンシング・アクチェンゲゼルシャフト 投薬装置
US7075323B2 (en) * 2004-07-29 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US7256606B2 (en) * 2004-08-03 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Method for testing pixels for LCD TFT displays
US7317325B2 (en) * 2004-12-09 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Line short localization in LCD pixel arrays
US7535238B2 (en) * 2005-04-29 2009-05-19 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
US7602199B2 (en) 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en) 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US9175533B2 (en) 2013-03-15 2015-11-03 Halliburton Energy Services, Inc. Drillable slip

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1946931A1 (de) * 1969-09-17 1971-03-18 Gen Electric Verfahren zum Pruefen von Schaltungen und Vorrichtung zur Ausfuehrung des Verfahrens
US3784801A (en) * 1972-07-12 1974-01-08 Gte Automatic Electric Lab Inc Data handling system error and fault detecting and discriminating maintenance arrangement
DE2814049A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-18 Siemens Ag Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
JPS55120136A (en) * 1979-03-12 1980-09-16 Hitachi Ltd Method for sensing positioning mark in electron-beam lithography
US4578279A (en) * 1981-05-26 1986-03-25 International Business Machines Corporation Inspection of multilayer ceramic circuit modules by electrical inspection of unfired green sheets
US4417203A (en) * 1981-05-26 1983-11-22 International Business Machines Corporation System for contactless electrical property testing of multi-layer ceramics
DE3235461A1 (de) * 1982-09-24 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur kontaktlosen pruefung eines objekts, insbesondere von mikroverdrahtungen, mit einer korpuskularstrahl-sonde
US4554661A (en) * 1983-10-31 1985-11-19 Burroughs Corporation Generalized fault reporting system
US4733176A (en) * 1984-09-13 1988-03-22 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for locating defects in an electrical circuit with a light beam
US4985681A (en) * 1985-01-18 1991-01-15 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam measuring method for non-contact testing of interconnect networks
EP0201692A1 (de) * 1985-03-22 1986-11-20 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Auswertung einer Messspannung mittels einer bandbreitenbegrenzten Auswerteschaltung und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
JPS622552A (ja) * 1985-06-27 1987-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体検査装置および半導体検査方法
CH668896A5 (de) * 1986-02-20 1989-02-15 Stutz Foto Color Technik Ag Aufspannvorrichtung fuer flaechenhafte reproduktionen.
US4733174A (en) * 1986-03-10 1988-03-22 Textronix, Inc. Circuit testing method and apparatus
US4996659A (en) * 1986-08-20 1991-02-26 Hitachi, Ltd. Method of diagnosing integrated logic circuit
US4843330A (en) * 1986-10-30 1989-06-27 International Business Machines Corporation Electron beam contactless testing system with grid bias switching
US4841242A (en) * 1987-04-10 1989-06-20 Siemens Aktiengesellschaft Method for testing conductor networks
US5057773A (en) * 1989-03-21 1991-10-15 International Business Machines Corporation Method for opens/shorts testing of capacitively coupled networks in substrates using electron beams
US4943769A (en) * 1989-03-21 1990-07-24 International Business Machines Corporation Apparatus and method for opens/shorts testing of capacitively coupled networks in substrates using electron beams

Also Published As

Publication number Publication date
JP3467595B2 (ja) 2003-11-17
US5373233A (en) 1994-12-13
DE59208570D1 (de) 1997-07-10
US5258706A (en) 1993-11-02
EP0537505A1 (de) 1993-04-21
EP0537505B1 (de) 1997-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3467595B2 (ja) ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法
US5268645A (en) Method of and apparatus for testing circuit boards and the like with an inhomogeneous electric field
US20070296447A1 (en) Monitoring pattern for detecting a defect in a semiconductor device and method for detecting a defect
US20030141875A1 (en) Method and apparatus for testing cables
KR101449569B1 (ko) 기판검사장치
JP4068248B2 (ja) 基板の絶縁検査装置及びその絶縁検査方法
US3541440A (en) Use in an automatic testing system of a simulator of an article being tested for testing the testing system
JP3183195B2 (ja) 電気導体組立体の試験方法および装置
US5432460A (en) Apparatus and method for opens and shorts testing of a circuit board
JPH0325384A (ja) プリント板試験方法
JPH04503105A (ja) 電気回路の試験
US3471778A (en) Method of testing an ordered,multi-element electrical circuit array including connecting certain elements in common
JPS6215473A (ja) 送電線故障点の標定方法
EP0021560B1 (en) A method of detecting electrical shorts
JPS61154412A (ja) 電線の端末処理状態検査装置
JPH0836012A (ja) 地絡故障検知装置及び地絡故障検知方法
JP2011247788A (ja) 絶縁検査装置および絶縁検査方法
JPS58137770A (ja) 導通試験器
JPH0757608B2 (ja) 鉄道車両用導通試験装置
JP2010243206A (ja) ワイヤーハーネス導通検査装置
CN117949785A (zh) 线束电气网络绝缘测试方法
JPH04114445A (ja) 半導体試験システム
JPH0249576Y2 (ja)
CN117825798A (zh) 一种火工品回路阻值快速测试电路及方法
CN106226640A (zh) 检测电路及检测方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20021113

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030730

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070905

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 10