JPH0521498A - 半導体素子等の電極パツド間のワイヤボンデイング方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体素子等の電極パツド間のワイヤボンデイング方法及び半導体装置Info
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- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
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- H01L2224/85951—Forming additional members, e.g. for reinforcing
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】強度及び信頼性が高い電極パッド間のボンドを
構成することを目的とする。 【構成】隣接配置した電極パッド26Aに予め金ワイヤ
27で金ボール28を形成し、他の電極パッド16に金
のボンディングワイヤ4の一端を溶融してボールボンデ
ィングし、そのボンディングワイヤ4の他端を、前記予
め形成した金ボール28にボンディングするようにし
て、いずれの電極パッドにもボールボンドする。 【効果】ボンドの面積が増し、そして電極パッドや、こ
れと金ワイヤとの剥離がなくなる。
構成することを目的とする。 【構成】隣接配置した電極パッド26Aに予め金ワイヤ
27で金ボール28を形成し、他の電極パッド16に金
のボンディングワイヤ4の一端を溶融してボールボンデ
ィングし、そのボンディングワイヤ4の他端を、前記予
め形成した金ボール28にボンディングするようにし
て、いずれの電極パッドにもボールボンドする。 【効果】ボンドの面積が増し、そして電極パッドや、こ
れと金ワイヤとの剥離がなくなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、同一の基板
上に隣接配置した複数の半導体素子等の各電極パッド間
のボンディング方法及びボンディング構造に関するもの
である。
上に隣接配置した複数の半導体素子等の各電極パッド間
のボンディング方法及びボンディング構造に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来技術の、基板上に隣接配置した複数
の半導体素子の各電極パッド間のボンディング方法及び
ボンディング構造について、図5及び図6を用いて説明
する。1は全体として半導体装置を示していて、共通の
基板2上に、例えば半導体素子として、フォトダイオー
ド10と前置増幅器20とが隣接配置されている。両者
のシリコンチップ13及び23はそれぞれダイパッド1
4及び24に載置されており、それぞれアウターリード
15及び25を備えている。符号3もアウターリード
で、他の電子回路構成要素と接続するものである。シリ
コンチップ13には、例えば、アルミニュームからなる
電極パッド16が形成されており、またシリコンチップ
23には電極パッド26A及び26Bが形成されてい
る。図6に要部を拡大した断面図を示したが、電極パッ
ド16と電極パッド26Aとはボンディングワイヤ4で
接続されていて、フォトダイオード増幅器系の帶域劣化
を防止するため、フォトダイオード10の出力信号を直
接前置増幅器20に入力するようにし、応答性の高い光
検出ができるようにしている。そして、このワイヤボン
ディングにおいて、フォトダイオード10と前置増幅器
20とは極めて近接して配置されているため、ボンディ
ングワイヤ4も極めて短く、従って、電極パッド16に
対してボールボンディングした場合、他方の電極パッド
26Aにはボンディングワイヤ4の他端をウェッジボン
ディングで行うことになる。
の半導体素子の各電極パッド間のボンディング方法及び
ボンディング構造について、図5及び図6を用いて説明
する。1は全体として半導体装置を示していて、共通の
基板2上に、例えば半導体素子として、フォトダイオー
ド10と前置増幅器20とが隣接配置されている。両者
のシリコンチップ13及び23はそれぞれダイパッド1
4及び24に載置されており、それぞれアウターリード
15及び25を備えている。符号3もアウターリード
で、他の電子回路構成要素と接続するものである。シリ
コンチップ13には、例えば、アルミニュームからなる
電極パッド16が形成されており、またシリコンチップ
23には電極パッド26A及び26Bが形成されてい
る。図6に要部を拡大した断面図を示したが、電極パッ
ド16と電極パッド26Aとはボンディングワイヤ4で
接続されていて、フォトダイオード増幅器系の帶域劣化
を防止するため、フォトダイオード10の出力信号を直
接前置増幅器20に入力するようにし、応答性の高い光
検出ができるようにしている。そして、このワイヤボン
ディングにおいて、フォトダイオード10と前置増幅器
20とは極めて近接して配置されているため、ボンディ
ングワイヤ4も極めて短く、従って、電極パッド16に
対してボールボンディングした場合、他方の電極パッド
26Aにはボンディングワイヤ4の他端をウェッジボン
ディングで行うことになる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って、電極パッド2
6Aに対するボンド面積が少ないため、ボンドの強度が
著しく低く、或いは電極パッド26Aのアルミニューム
が剥がれてしまうという欠点がある。この発明はこのよ
うな欠点を解決しようとするものである。
6Aに対するボンド面積が少ないため、ボンドの強度が
著しく低く、或いは電極パッド26Aのアルミニューム
が剥がれてしまうという欠点がある。この発明はこのよ
うな欠点を解決しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】そのためこの発明は、隣
接配置した複数の半導体素子等の内、一つの電極パッド
に予め金ボールを形成し、他の電極パッドに金のボンデ
ィングワイヤの一端を溶融してボールボンディングし、
そのボンディングワイヤの他端を、前記予め形成した金
ボールにボンディングするようにして、いずれの電極パ
ッドにもボールボンドを行って、前記の課題を解決し
た。
接配置した複数の半導体素子等の内、一つの電極パッド
に予め金ボールを形成し、他の電極パッドに金のボンデ
ィングワイヤの一端を溶融してボールボンディングし、
そのボンディングワイヤの他端を、前記予め形成した金
ボールにボンディングするようにして、いずれの電極パ
ッドにもボールボンドを行って、前記の課題を解決し
た。
【0005】
【作用】従って、一方の電極パッドと他方の電極パッド
とに対するボンド面の面積を、そしてボンドの強度をも
同一にすることができ、従って、従来技術の電極パッド
のアルミニュームや、これと金ワイヤとの剥離がなくな
り、半導体装置等の信頼性を向上させることができる。
とに対するボンド面の面積を、そしてボンドの強度をも
同一にすることができ、従って、従来技術の電極パッド
のアルミニュームや、これと金ワイヤとの剥離がなくな
り、半導体装置等の信頼性を向上させることができる。
【0006】
【実施例】以下、この発明の半導体素子のワイヤボンデ
ィング方法を図1乃至図4を用いて説明する。図1は第
一の工程を示す断面図、図2は第二の工程を示す断面
図、そして図3は第三の工程を示す断面図で、図4はこ
の発明のワイヤボンディング方法で完成した半導体装置
を示す断面図である。なお、図5乃至図6と同一部分に
は同一の符号を付した。
ィング方法を図1乃至図4を用いて説明する。図1は第
一の工程を示す断面図、図2は第二の工程を示す断面
図、そして図3は第三の工程を示す断面図で、図4はこ
の発明のワイヤボンディング方法で完成した半導体装置
を示す断面図である。なお、図5乃至図6と同一部分に
は同一の符号を付した。
【0007】この発明では、図1に示すように、先ず、
前置増幅器20の電極パッド26Aに金ボール形成用の
金ワイヤ27の先端をボールボンディングして、電極パ
ッド26A上に金ボール28を形成する。この場合、金
ボール28には金ワイヤ27が接続された状態にある。
前置増幅器20の電極パッド26Aに金ボール形成用の
金ワイヤ27の先端をボールボンディングして、電極パ
ッド26A上に金ボール28を形成する。この場合、金
ボール28には金ワイヤ27が接続された状態にある。
【0008】次の工程では、図2に示すように、フォト
ダイオード10の電極パッド16に金のボンディングワ
イヤ4の先端を金ボール17が形成されるようにボール
ボンディングする。
ダイオード10の電極パッド16に金のボンディングワ
イヤ4の先端を金ボール17が形成されるようにボール
ボンディングする。
【0009】次に、図3に示すように、前記ボンディン
グワイヤ4の他端を、前記金ボール28にウェッジボン
ディングする。このウェッジボンディングは前記従来技
術の項で記したように、一般的にボンディング面積が小
であるが、この発明の場合は、ボンディングワイヤ4が
金であるので金ボール28と溶融、一体化し、ボンドの
強度は大である。このボンディングに際、金ワイヤ27
は切断される。
グワイヤ4の他端を、前記金ボール28にウェッジボン
ディングする。このウェッジボンディングは前記従来技
術の項で記したように、一般的にボンディング面積が小
であるが、この発明の場合は、ボンディングワイヤ4が
金であるので金ボール28と溶融、一体化し、ボンドの
強度は大である。このボンディングに際、金ワイヤ27
は切断される。
【0010】このようなワイヤボンディング方法を行え
ば、図4に示したように、電極パッド16にも、電極パ
ッド26Aにも、ボンディングワイヤ4をボールボンデ
ィングできる。そして、図示していないが、このような
実施例の場合、フォトダイオード10のボールボンド部
には透明樹脂でポッティングし、前置増幅器20のボー
ルボンド部には不透明樹脂をポッティングして、これら
の部分を保護する。
ば、図4に示したように、電極パッド16にも、電極パ
ッド26Aにも、ボンディングワイヤ4をボールボンデ
ィングできる。そして、図示していないが、このような
実施例の場合、フォトダイオード10のボールボンド部
には透明樹脂でポッティングし、前置増幅器20のボー
ルボンド部には不透明樹脂をポッティングして、これら
の部分を保護する。
【0011】以上のようなワイヤボンディング方法は、
図5に示されているような電極パッド26Bと電子回路
を構成するアウターリード3に設けられた電極パッド間
においても、また、隣接配置された電極パッド間におい
ても応用でき、ボールボンディングができることが容易
に理解されよう。
図5に示されているような電極パッド26Bと電子回路
を構成するアウターリード3に設けられた電極パッド間
においても、また、隣接配置された電極パッド間におい
ても応用でき、ボールボンディングができることが容易
に理解されよう。
【0012】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明のワイヤボンディング方法によれば、一方の電極パッ
ドと他方の電極パッドとに対するボンド面の面積を、そ
してボンドの強度をも同一にすることができ、従って、
従来技術の電極パッドのアルミニュームや、これと金ワ
イヤとの剥離がなくなり、半導体装置、電子回路の信頼
性、歩留りも向上する等数々の優れた効果が得られる。
明のワイヤボンディング方法によれば、一方の電極パッ
ドと他方の電極パッドとに対するボンド面の面積を、そ
してボンドの強度をも同一にすることができ、従って、
従来技術の電極パッドのアルミニュームや、これと金ワ
イヤとの剥離がなくなり、半導体装置、電子回路の信頼
性、歩留りも向上する等数々の優れた効果が得られる。
【図1】この発明の半導体素子等の電極パッド間のワイ
ヤボンディング方法の第一の工程を示す断面図である。
ヤボンディング方法の第一の工程を示す断面図である。
【図2】同じく第二の工程を示す断面図である。
【図3】同じく第三の工程を示す断面図である。
【図4】この発明のワイヤボンディング方法で完成した
半導体装置を示す断面図である。
半導体装置を示す断面図である。
【図5】従来技術によるワイヤボンディング方法で電極
パッド間のボンドが行われた半導体装置を示す斜視図で
ある。
パッド間のボンドが行われた半導体装置を示す斜視図で
ある。
【図6】図5の半導体装置の電極パッド間の一部拡大断
面図である。
面図である。
1 半導体装置
2 基板
3 アウターリード
4 ボンディングワイヤ
10 フォトダイオード
13 シリコンチップ
14 ダイパッド
15 アウターリード
16 電極パッド
17 金ボール
20 前置増幅器
23 シリコンチップ
24 ダイパッド
25 アウターリード
26A 電極パッド
27 金ワイヤ
28 金ボール
Claims (2)
- 【請求項1】隣接配置した複数の電極パッド間の内、一
つの電極パッドに予め金ボールを形成し、他の電極パッ
ドに金のボンディングワイヤの一端を溶融してボールボ
ンディングし、該ボンディングワイヤの他端を、予め形
成した該金ボールにボンディングすることを特徴とする
半導体素子等の電極パッド間のワイヤボンディング方
法。 - 【請求項2】隣接配置した複数の半導体素子の複数の電
極パッド間を、それぞれの電極パッド上に金ボールを形
成して金ワイヤでボンディングしたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168453A JPH0521498A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体素子等の電極パツド間のワイヤボンデイング方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168453A JPH0521498A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体素子等の電極パツド間のワイヤボンデイング方法及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521498A true JPH0521498A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15868391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3168453A Pending JPH0521498A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体素子等の電極パツド間のワイヤボンデイング方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521498A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7374220B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-05-20 | Nifco Inc. | Drive device for driving two members and shielding system for vehicle |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3168453A patent/JPH0521498A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7374220B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-05-20 | Nifco Inc. | Drive device for driving two members and shielding system for vehicle |
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