JPH0521360A - 発光素子用半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
発光素子用半導体薄膜の製造方法Info
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- JPH0521360A JPH0521360A JP17390491A JP17390491A JPH0521360A JP H0521360 A JPH0521360 A JP H0521360A JP 17390491 A JP17390491 A JP 17390491A JP 17390491 A JP17390491 A JP 17390491A JP H0521360 A JPH0521360 A JP H0521360A
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- Japan
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- thin film
- light emitting
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- clad layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層厚さを精密に制御して出力の均一な発
光素子用半導体薄膜を再現性よく製造することができ、
生産性の高い薄膜製造方法を提供しようとするものであ
る。 【構成】 ＧａＡｓ単結晶基板に第１のＡｌＧａＡｓ系
化合物半導体単結晶薄膜からなるクラッド層を形成し、
次いで、第２のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体単結晶薄膜
からなる活性層を形成し、さらに、第３のＡｌＧａＡｓ
系化合物半導体単結晶薄膜からなるクラッド層を形成す
る発光素子用半導体薄膜の製造方法において、上記クラ
ッド層を液相エピタキシャル成長法で形成し、上記活性
層を有機金属気相成長法又は分子線エピタキシャル成長
法で形成することを特徴とする発光素子用半導体薄膜の
製造方法である。
光素子用半導体薄膜を再現性よく製造することができ、
生産性の高い薄膜製造方法を提供しようとするものであ
る。 【構成】 ＧａＡｓ単結晶基板に第１のＡｌＧａＡｓ系
化合物半導体単結晶薄膜からなるクラッド層を形成し、
次いで、第２のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体単結晶薄膜
からなる活性層を形成し、さらに、第３のＡｌＧａＡｓ
系化合物半導体単結晶薄膜からなるクラッド層を形成す
る発光素子用半導体薄膜の製造方法において、上記クラ
ッド層を液相エピタキシャル成長法で形成し、上記活性
層を有機金属気相成長法又は分子線エピタキシャル成長
法で形成することを特徴とする発光素子用半導体薄膜の
製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード等の発
光素子用半導体薄膜の製造方法に関する。
光素子用半導体薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、発光素子用のダブルヘテロ構造
を有するＡｌＧａＡｓ系薄膜の断面図である。この薄膜
は、ＧａＡｓ基板の上にｐ型クラッド層、活性層及びｎ
型クラッド層を順次積層したものであり、この薄膜の製
造には、一般に、図６に示す液相エピタキシャル成長装
置が使用されてきた。この装置は、基板を装着したホル
ダーの上に３つの溶液ホルダーを設け、各ホルダーにそ
れぞれの層を成長するための原料溶液を収容し、操作棒
で原料溶液ホルダーを移動して基板と原料溶液を順次接
触することにより、基板の上にｐ型クラッド層、活性層
及びｎ型クラッド層を順次積層するものである。
を有するＡｌＧａＡｓ系薄膜の断面図である。この薄膜
は、ＧａＡｓ基板の上にｐ型クラッド層、活性層及びｎ
型クラッド層を順次積層したものであり、この薄膜の製
造には、一般に、図６に示す液相エピタキシャル成長装
置が使用されてきた。この装置は、基板を装着したホル
ダーの上に３つの溶液ホルダーを設け、各ホルダーにそ
れぞれの層を成長するための原料溶液を収容し、操作棒
で原料溶液ホルダーを移動して基板と原料溶液を順次接
触することにより、基板の上にｐ型クラッド層、活性層
及びｎ型クラッド層を順次積層するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１に示すような発光
素子用ダブルヘテロ構造においては、上下のクラッド層
の厚さは、通常１０〜７０μｍの間で設計されるが、実
際の厚さが設計値に対して僅かにばらついても、そのば
らつきは、光出力や応答速度など、発光ダイオードの性
能に殆ど影響しない。一方、活性層は、通常１μｍ程度
の厚さに設計され、その厚さの僅かの変動が発光ダイオ
ード性能に大きく影響する。
素子用ダブルヘテロ構造においては、上下のクラッド層
の厚さは、通常１０〜７０μｍの間で設計されるが、実
際の厚さが設計値に対して僅かにばらついても、そのば
らつきは、光出力や応答速度など、発光ダイオードの性
能に殆ど影響しない。一方、活性層は、通常１μｍ程度
の厚さに設計され、その厚さの僅かの変動が発光ダイオ
ード性能に大きく影響する。
【０００４】しかし、液相エピタキシャル成長法で活性
層を形成するときに、発光ダイオード性能に影響しない
範囲内に、ウエハ面内や製造毎の活性層厚さのばらつき
を抑えることは困難であった。
層を形成するときに、発光ダイオード性能に影響しない
範囲内に、ウエハ面内や製造毎の活性層厚さのばらつき
を抑えることは困難であった。
【０００５】そこで、本発明では、上記の問題点を解消
し、活性層厚さを精密に制御可能な成長法を採用するこ
とより、出力の均一な発光ダイオードを再現性良く製造
することができ、かつ、生産性の高い発光素子用半導体
薄膜の製造方法を提供しようとするものである。
し、活性層厚さを精密に制御可能な成長法を採用するこ
とより、出力の均一な発光ダイオードを再現性良く製造
することができ、かつ、生産性の高い発光素子用半導体
薄膜の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するためき手段】本発明は、ＧａＡｓ単結
晶基板に第１のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体単結晶薄膜
からなるクラッド層を形成し、次いで、第２のＡｌＧａ
Ａｓ系化合物半導体単結晶薄膜からなる活性層を形成
し、さらに、第３のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体単結晶
薄膜からなるクラッド層を形成する発光素子用半導体薄
膜の製造方法において、上記クラッド層を液相エピタキ
シャル成長法で形成し、上記活性層を有機金属気相成長
法、又は、分子線エピタキシャル成長法で形成すること
を特徴とする発光素子用半導体薄膜の製造方法である。
晶基板に第１のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体単結晶薄膜
からなるクラッド層を形成し、次いで、第２のＡｌＧａ
Ａｓ系化合物半導体単結晶薄膜からなる活性層を形成
し、さらに、第３のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体単結晶
薄膜からなるクラッド層を形成する発光素子用半導体薄
膜の製造方法において、上記クラッド層を液相エピタキ
シャル成長法で形成し、上記活性層を有機金属気相成長
法、又は、分子線エピタキシャル成長法で形成すること
を特徴とする発光素子用半導体薄膜の製造方法である。
【０００７】
【作用】本発明で採用する有機金属気相成長法、並び
に、分子線エピタキシャル成長法は、成長される薄膜の
厚さ制御が容易であり、１μｍ程度の活性層を形成する
ときには、製造ラン間並びにウエハ面内の厚さのばらつ
きを、有機金属気相成長法で５％以下に、分子線エピタ
キシャル成長法で３％以下に抑えることができる。それ
故、ほぼ設計どおりの厚さの活性層を再現性よく形成す
ることができ、発光ダイオードの性能のばらつきも極め
て低く抑えることができる。
に、分子線エピタキシャル成長法は、成長される薄膜の
厚さ制御が容易であり、１μｍ程度の活性層を形成する
ときには、製造ラン間並びにウエハ面内の厚さのばらつ
きを、有機金属気相成長法で５％以下に、分子線エピタ
キシャル成長法で３％以下に抑えることができる。それ
故、ほぼ設計どおりの厚さの活性層を再現性よく形成す
ることができ、発光ダイオードの性能のばらつきも極め
て低く抑えることができる。
【０００８】一方、液相エピタキシャル成長法は、膜の
成長速度が大きいので、１０〜７０μｍという厚さを有
し、厚さのばらつきをある程度許容するクラッド層の成
長には、この液相エピタキシャル成長法が適している。
成長速度が大きいので、１０〜７０μｍという厚さを有
し、厚さのばらつきをある程度許容するクラッド層の成
長には、この液相エピタキシャル成長法が適している。
【０００９】このように、本発明では、成長速度の大き
な液相エピタキシャル成長法でクラッド層を形成し、膜
厚制御の容易な有機金属気相成長法若しくは分子線エピ
タキシャル成長法で均一な膜厚を要求される活性層を形
成することにより、均一な性能を有する発光ダイオード
を短時間で効率的に製造することができるようになっ
た。
な液相エピタキシャル成長法でクラッド層を形成し、膜
厚制御の容易な有機金属気相成長法若しくは分子線エピ
タキシャル成長法で均一な膜厚を要求される活性層を形
成することにより、均一な性能を有する発光ダイオード
を短時間で効率的に製造することができるようになっ
た。
【００１０】なお、本発明は、図１に示すような発光素
子用ダブルヘテロ構造以外にも、図２に示すように、ク
ラッド層表面にさらにキャップ層を設けた構造や、図３
に示すように、ＧａＡｓ基板上に厚めのクラッド層と活
性層とクラッド層を形成した後、ＧａＡｓ基板を除去し
た構造、さらには、図４に示すように、ＧａＡｓ基板上
に２層のクラッド層と活性層とクラッド層を形成した
後、ＧａＡｓ基板を除去した構造なども、同様に製造す
ることができる。
子用ダブルヘテロ構造以外にも、図２に示すように、ク
ラッド層表面にさらにキャップ層を設けた構造や、図３
に示すように、ＧａＡｓ基板上に厚めのクラッド層と活
性層とクラッド層を形成した後、ＧａＡｓ基板を除去し
た構造、さらには、図４に示すように、ＧａＡｓ基板上
に２層のクラッド層と活性層とクラッド層を形成した
後、ＧａＡｓ基板を除去した構造なども、同様に製造す
ることができる。
【００１１】
【実施例】（実施例１）直径５ｃｍのＧａＡｓ基板の上
に図１に示す赤外発光ダイオード用薄膜を形成した。設
計値は表１の通りである。
に図１に示す赤外発光ダイオード用薄膜を形成した。設
計値は表１の通りである。
【表１】
【００１２】まず、ｐ型クラッド層は、図５の装置の基
板ホルダーに上記基板を装着して次の成長条件の下で育
成した。溶液ホルダーに金属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ
多結晶を１３ｇ、金属Ａｌを２００ｍｇ及びドーパント
として金属Ｚｎを２０ｍｇ投入し、水素ガス中で昇温し
て９３０℃で原料溶液を安定させてから、操作棒で溶液
ホルダーをスライドして原料溶液を基板と接触させ、冷
却速度０．５℃／分で炉の温度を低下させて８７０℃に
なった時点で溶液ホルダーをスライドさせて原料溶液を
分離してＰ型クラッド層を得た。その後、活性層は、上
記基板を有機金属気相成長炉に装着して次の成長条件の
下で育成した。炉内を真空に引いた後、水素ガスをキャ
リァガスとしてトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ) 3 Ｇ
ａ）を流量８ｓｃｃｍ、トリメチルアルミニウム（（Ｃ
Ｈ3 ) 3 Ａｌ）を流量０．５ｓｃｃｍ、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ) を流量２５０ｓｃｃｍで、ジメチル亜鉛（（ＣＨ
3 ) 2 Ｚｎ）を流量３０ｓｃｃｍで供給し、雰囲気圧力
を１０〜７６０Ｔｏｒｒ、成長温度を７３０〜７６０℃
に調整して３５分間気相成長して活性層を得た。さら
に、ｎ型クラッド層は、別の図５の装置に上記基板を装
着して次の成長条件の下で育成した。溶液ホルダーに金
属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ多結晶を１３ｇ、金属Ａｌ
を１８０ｍｇ及びドーパントとして金属Ｔｅを５ｍｇ投
入し、水素ガス中で昇温して９３０℃で原料溶液を安定
させてから、操作棒で溶液ホルダーをスライドして原料
溶液を基板と接触させ、冷却速度０．５℃／分で炉の温
度を低下させて８７０℃になった時点で溶液ホルダーを
スライドさせて原料溶液を分離してｎ型クラッド層を得
た。上記の方法で赤外発光ダイオード用薄膜を５回製造
した。得られた薄膜は、ｐ型クラッド層の厚さのばらつ
きが１３．５〜２４．７μｍ、活性層の厚さのばらつき
が０．９７〜１．０３μｍ、ｎ型クラッド層の厚さのば
らつきが２５．４〜３４．５μｍであり、得られた薄膜
から製造したＬＥＤの出力（相対値）は０．９〜１．１
と極めて再現性が良いことが分かった。
板ホルダーに上記基板を装着して次の成長条件の下で育
成した。溶液ホルダーに金属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ
多結晶を１３ｇ、金属Ａｌを２００ｍｇ及びドーパント
として金属Ｚｎを２０ｍｇ投入し、水素ガス中で昇温し
て９３０℃で原料溶液を安定させてから、操作棒で溶液
ホルダーをスライドして原料溶液を基板と接触させ、冷
却速度０．５℃／分で炉の温度を低下させて８７０℃に
なった時点で溶液ホルダーをスライドさせて原料溶液を
分離してＰ型クラッド層を得た。その後、活性層は、上
記基板を有機金属気相成長炉に装着して次の成長条件の
下で育成した。炉内を真空に引いた後、水素ガスをキャ
リァガスとしてトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ) 3 Ｇ
ａ）を流量８ｓｃｃｍ、トリメチルアルミニウム（（Ｃ
Ｈ3 ) 3 Ａｌ）を流量０．５ｓｃｃｍ、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ) を流量２５０ｓｃｃｍで、ジメチル亜鉛（（ＣＨ
3 ) 2 Ｚｎ）を流量３０ｓｃｃｍで供給し、雰囲気圧力
を１０〜７６０Ｔｏｒｒ、成長温度を７３０〜７６０℃
に調整して３５分間気相成長して活性層を得た。さら
に、ｎ型クラッド層は、別の図５の装置に上記基板を装
着して次の成長条件の下で育成した。溶液ホルダーに金
属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ多結晶を１３ｇ、金属Ａｌ
を１８０ｍｇ及びドーパントとして金属Ｔｅを５ｍｇ投
入し、水素ガス中で昇温して９３０℃で原料溶液を安定
させてから、操作棒で溶液ホルダーをスライドして原料
溶液を基板と接触させ、冷却速度０．５℃／分で炉の温
度を低下させて８７０℃になった時点で溶液ホルダーを
スライドさせて原料溶液を分離してｎ型クラッド層を得
た。上記の方法で赤外発光ダイオード用薄膜を５回製造
した。得られた薄膜は、ｐ型クラッド層の厚さのばらつ
きが１３．５〜２４．７μｍ、活性層の厚さのばらつき
が０．９７〜１．０３μｍ、ｎ型クラッド層の厚さのば
らつきが２５．４〜３４．５μｍであり、得られた薄膜
から製造したＬＥＤの出力（相対値）は０．９〜１．１
と極めて再現性が良いことが分かった。
【００１３】（比較例１）図６の装置を用いて、実施例
１と同様な赤外発光ダイオード用薄膜を得た。先ず、上
記基板を図６の装置に装着し、原料溶液ホルダーに、第
１の原料溶液として金属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ多結
晶を１３ｇ、金属Ａｌを２００ｍｇ及びドーパントとし
て金属Ｚｎを２０ｍｇ投入し、第２の原料溶液として金
属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ多結晶を１４ｇ、金属Ａｌ
を１０ｍｇ及びドーパントとして金属Ｚｎを２０ｍｇ投
入し、第３の原料溶液として金属Ｇａを１００ｇ、Ｇａ
Ａｓ多結晶を１３ｇ、金属Ａｌを１８０ｍｇ及びドーパ
ントとして金属Ｔｅを５ｍｇ投入し、水素ガス中で昇温
して９３０℃で第１の原料溶液を安定させてから、操作
棒で溶液ホルダーをスライドして第１の原料溶液を基板
と接触させ、冷却速度０．５℃／分で炉の温度を低下さ
せて８７０℃になった時点で溶液ホルダーをスライドさ
せて第１の原料溶液を分離してＰ型クラッド層を得た。
次いで、９００℃まで昇温して第２の原料溶液を安定さ
せてから、操作棒で溶液ホルダーをスライドして第２の
原料溶液を基板と接触させ、冷却速度０．５℃／分で炉
の温度を低下させて８９８℃になった時点で溶液ホルダ
ーをスライドさせて第２の原料溶液を分離して活性層を
得た。さらに、９３０℃まで昇温して第３の原料溶液を
安定させてから、操作棒で溶液ホルダーをスライドして
第３の原料溶液を基板と接触させ、冷却速度０．５℃／
分で炉の温度を低下させて８７０℃になった時点で溶液
ホルダーをスライドさせて第３の原料溶液を分離してｎ
型クラッド層を得た。上記の方法で赤外発光ダイオード
用薄膜を５回製造した。得られた薄膜は、ｐ型クラッド
層の厚さのばらつきが１３．２〜２３．８μｍ、活性層
の厚さのばらつきが０〜２．２μｍ、ｎ型クラッド層の
厚さのばらつきが２４．８〜３４．８μｍであり、得ら
れた薄膜から製造したＬＥＤの出力（相対値）は０〜
１．３と再現性が低いことが分かった。
１と同様な赤外発光ダイオード用薄膜を得た。先ず、上
記基板を図６の装置に装着し、原料溶液ホルダーに、第
１の原料溶液として金属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ多結
晶を１３ｇ、金属Ａｌを２００ｍｇ及びドーパントとし
て金属Ｚｎを２０ｍｇ投入し、第２の原料溶液として金
属Ｇａを１００ｇ、ＧａＡｓ多結晶を１４ｇ、金属Ａｌ
を１０ｍｇ及びドーパントとして金属Ｚｎを２０ｍｇ投
入し、第３の原料溶液として金属Ｇａを１００ｇ、Ｇａ
Ａｓ多結晶を１３ｇ、金属Ａｌを１８０ｍｇ及びドーパ
ントとして金属Ｔｅを５ｍｇ投入し、水素ガス中で昇温
して９３０℃で第１の原料溶液を安定させてから、操作
棒で溶液ホルダーをスライドして第１の原料溶液を基板
と接触させ、冷却速度０．５℃／分で炉の温度を低下さ
せて８７０℃になった時点で溶液ホルダーをスライドさ
せて第１の原料溶液を分離してＰ型クラッド層を得た。
次いで、９００℃まで昇温して第２の原料溶液を安定さ
せてから、操作棒で溶液ホルダーをスライドして第２の
原料溶液を基板と接触させ、冷却速度０．５℃／分で炉
の温度を低下させて８９８℃になった時点で溶液ホルダ
ーをスライドさせて第２の原料溶液を分離して活性層を
得た。さらに、９３０℃まで昇温して第３の原料溶液を
安定させてから、操作棒で溶液ホルダーをスライドして
第３の原料溶液を基板と接触させ、冷却速度０．５℃／
分で炉の温度を低下させて８７０℃になった時点で溶液
ホルダーをスライドさせて第３の原料溶液を分離してｎ
型クラッド層を得た。上記の方法で赤外発光ダイオード
用薄膜を５回製造した。得られた薄膜は、ｐ型クラッド
層の厚さのばらつきが１３．２〜２３．８μｍ、活性層
の厚さのばらつきが０〜２．２μｍ、ｎ型クラッド層の
厚さのばらつきが２４．８〜３４．８μｍであり、得ら
れた薄膜から製造したＬＥＤの出力（相対値）は０〜
１．３と再現性が低いことが分かった。
【００１４】（実施例２）実施例１において、活性層の
形成を分子線エピタキシャル成長法に代え、他の条件は
実施例１と同様にして図１の赤外発光ダイオード用薄膜
を製造した。ｐ型クラッド層を形成した基板を分子線エ
ピタキシャル成長装置に装着してから、チャンバー内を
１×１０-11 Ｔｏｒｒまで真空排気し、基板を６１０℃
に加熱し、Ｇａの分子線強度を５×１０-7Ｔｏｒｒ，Ａ
ｓの分子線強度を１×１０-5Ｔｏｒｒ，Ａｌの分子線強
度を７．６×１０-9Ｔｏｒｒに設定し、Ｂｅセル温度を
７００℃として６０分間エピタキシャル成長して活性層
を得た。上記の方法で赤外発光ダイオード用薄膜を５回
製造した。得られた薄膜は、ｐ型クラッド層の厚さのば
らつきが１３．７〜２５．０μｍ、活性層の厚さのばら
つきが０．９７〜１．０３μｍ、ｎ型クラッド層の厚さ
のばらつきが２５．０〜３５．２μｍであり、得られた
薄膜から製造したＬＥＤの出力（相対値）は０．９〜
１．１と極めて再現性が良いことが分かった。
形成を分子線エピタキシャル成長法に代え、他の条件は
実施例１と同様にして図１の赤外発光ダイオード用薄膜
を製造した。ｐ型クラッド層を形成した基板を分子線エ
ピタキシャル成長装置に装着してから、チャンバー内を
１×１０-11 Ｔｏｒｒまで真空排気し、基板を６１０℃
に加熱し、Ｇａの分子線強度を５×１０-7Ｔｏｒｒ，Ａ
ｓの分子線強度を１×１０-5Ｔｏｒｒ，Ａｌの分子線強
度を７．６×１０-9Ｔｏｒｒに設定し、Ｂｅセル温度を
７００℃として６０分間エピタキシャル成長して活性層
を得た。上記の方法で赤外発光ダイオード用薄膜を５回
製造した。得られた薄膜は、ｐ型クラッド層の厚さのば
らつきが１３．７〜２５．０μｍ、活性層の厚さのばら
つきが０．９７〜１．０３μｍ、ｎ型クラッド層の厚さ
のばらつきが２５．０〜３５．２μｍであり、得られた
薄膜から製造したＬＥＤの出力（相対値）は０．９〜
１．１と極めて再現性が良いことが分かった。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、発光ダイオード用薄膜の活性層を均一な厚さで再
現性よく形成することができ、均一な性能の発光ダイオ
ード用薄膜を得ることができるようになった。また、ク
ラッド層を成長速度の大きな液相エピタキシャル成長法
を採用することにより、全層の成長に要する時間を短縮
することが可能となり、生産性を向上させることができ
た。
より、発光ダイオード用薄膜の活性層を均一な厚さで再
現性よく形成することができ、均一な性能の発光ダイオ
ード用薄膜を得ることができるようになった。また、ク
ラッド層を成長速度の大きな液相エピタキシャル成長法
を採用することにより、全層の成長に要する時間を短縮
することが可能となり、生産性を向上させることができ
た。
【図１】赤外発光ダイオード用薄膜の断面図である。
【図２】別の赤外発光ダイオード用薄膜の断面図であ
る。
る。
【図３】さらに別の赤外発光ダイオード用薄膜の断面図
である。
である。
【図４】さらにまた別の赤外発光ダイオード用薄膜の断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の実施に使用する液相エピタキシャル成
長装置の概念図である。
長装置の概念図である。
【図６】従来方法の実施に使用する液相エピタキシャル
成長装置の概念図である。
成長装置の概念図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ単結晶基板に第１のＡｌＧａＡ
ｓ系化合物半導体単結晶薄膜からなるクラッド層を形成
し、次いで、第２のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体単結晶
薄膜からなる活性層を形成し、さらに、第３のＡｌＧａ
Ａｓ系化合物半導体単結晶薄膜からなるクラッド層を形
成する発光素子用半導体薄膜の製造方法において、上記
クラッド層を液相エピタキシャル成長法で形成し、上記
活性層を有機金属気相成長法で形成することを特徴とす
る発光素子用半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光素子用半導体薄膜の
製造方法において、活性層を分子線エピタキシャル成長
法で形成することを特徴とする発光素子用半導体薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17390491A JPH0521360A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 発光素子用半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17390491A JPH0521360A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 発光素子用半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521360A true JPH0521360A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15969240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17390491A Pending JPH0521360A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 発光素子用半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100776A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体ウェハ及びそれを用いた電界効果トランジスタ |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP17390491A patent/JPH0521360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100776A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体ウェハ及びそれを用いた電界効果トランジスタ |
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