JPH0520945A - ブツシング - Google Patents

ブツシング

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Publication number
JPH0520945A
JPH0520945A JP17022091A JP17022091A JPH0520945A JP H0520945 A JPH0520945 A JP H0520945A JP 17022091 A JP17022091 A JP 17022091A JP 17022091 A JP17022091 A JP 17022091A JP H0520945 A JPH0520945 A JP H0520945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bushing
insulating cylinder
insulating
cylinder
insulation
Prior art date
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Pending
Application number
JP17022091A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Matsumoto
松本  聡
Hirokuni Aoyanagi
浩邦 青柳
Hiroshi Murase
洋 村瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP17022091A priority Critical patent/JPH0520945A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐震性ならびに耐汚損特性に優れたコンパク
ト且つ軽量のブッシングを提供する。 【構成】 高電圧導体1を覆う絶縁筒として、複数の絶
縁筒3,4を内外に配置する。大気に接触する外側の絶
縁筒4を高分子絶縁材料で構成する。外側の絶縁筒4の
表面にひだ9を設け且つこの外側の絶縁筒4の表面全体
に熱収縮性材料による絶縁被覆10を施す。付加的に、
外側の絶縁筒4には、その中央部の下方側に膨らみを持
たせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高電圧機器に使用され
る長尺なブッシングに関し、特に、耐震性ならびに耐汚
損特性を向上させた小型軽量のガスブッシングに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年の首都圏における電力需要の伸びに
伴い、発電所の増設による供給量の確保が検討されてい
る。しかしながら、大電力を得るための発電所は、用地
確保の関係上、都心部から遠く離れた地域にしか建設で
きないため、遠隔地の発電所から電力需要の大きい都心
部に電力を輸送することになる。そして、このように新
たに増設された遠隔地の発電所から都心部に電力を輸送
するためには、長大な送電系統が必要である。送電路が
発電所増設の都度確保されれば問題ないが、用地難の昨
今では、このような新たな送電路の建設は極めて困難で
ある。
【0003】通常、電力の輸送は、送電損失を最小限に
するため、発電所端において電圧を一度上昇(昇圧)さ
せた後、需要地近くにおいて電圧を低減(降圧)させる
ことが一般的に行われている。このように昇圧を行った
場合、送電電圧を上昇させることによって送電電力を増
大させることが可能である。従って、この昇圧方法は、
従来、送電電力の増大策として採用されている。
【0004】ところで、このような昇圧方法を採用して
なる大電力送電系統の送電電圧は、日本国内では現在、
最高550kVであるが、最近では、前記した理由によ
り、さらに送電電圧を上げ、交流1100kV(UH
V、Ultra High Voltage )にすることが検討されてい
る。このようなUHV送電を実施する場合、送電路の両
端に設置される変電所には、一回線当たり最低6本のU
HVブッシングが設置されることになる。これに対し、
現在550kV級の変電所で使用されているブッシング
は、高電圧導体を絶縁筒で覆ってなる構成を有してい
る。この場合、絶縁筒は、一般的に碍管と称され、その
材料は磁器とされている。そして、このような構成を有
する従来のブッシングをUHVブッシングに適用した場
合には、大気中における沿面放電特性によって沿面距離
が決まるため、汚損による放電特性を考慮すると、気中
碍管部分で12mの距離が必要と試算されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁器製
の碍管を使用してなる従来のブッシングをUHVブッシ
ングとして適用した場合には、以上のようにブッシング
が長尺になる上、それに伴い、極めて大重量化してしま
うと同時に、耐震強度的にも不利となり、何らかの耐震
強度向上策が必要となる。これを解決するためには、碍
管の沿面汚損に対するフラッシオーバ特性を改善し、ブ
ッシング全体をコンパクトにする必要がある。
【0006】また、大気中に配設されるブッシングは、
紫外線及び温度変化などを初めとする過酷な気候及び環
境下にさらされるため、その影響を受け易いという欠点
もある。さらに、ブッシングの内部には、一般的に圧縮
ガスが封入されているため、万一その碍管に破損を生じ
た場合には、内部のガス圧によって碍管が飛散し、極め
て危険性が高いという欠点もある。
【0007】本発明は、以上のような従来技術の課題を
解決するために提案されたものであり、その目的は、耐
震性ならびに耐汚損特性に優れたコンパクト且つ軽量の
ブッシングを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるブッシング
は、高電圧導体を絶縁筒で覆ってなり、大気中に配置さ
れるブッシングにおいて、絶縁筒として、複数の絶縁筒
を内外に配置し、これらの絶縁筒のうち、大気に接触す
る外側の絶縁筒を高分子絶縁材料で構成すると共に、こ
の外側の絶縁筒の表面にひだを設け且つこの外側の絶縁
筒の表面全体に熱収縮性材料による絶縁被覆を施したこ
とを特徴としている。また、大気に接触する外側の絶縁
筒には、その中央部の下方側に膨らみを持たせることが
望ましい。
【0009】
【作用】本発明のブッシングにおいては、ブッシング本
体であるところの絶縁筒を複数の絶縁筒にて構成し、特
に、その大気と接触する外側の絶縁筒を高分子絶縁材料
で構成することにより、絶縁筒を磁器で構成した場合に
比べて、格段に軽量化できる。このため、ブッシングの
径を大きくすることが可能となり、その結果として、ブ
ッシング内部の絶縁距離を拡大でき、絶縁特性を向上で
きる。
【0010】また、大気と接触する外側の絶縁筒の沿面
にひだを設けているため、沿面距離を長くすることが可
能であり、これによってブッシングの耐汚損性、すなわ
ち、汚損に対するフラッシオーバ特性を改善できる。こ
の結果、ブッシング全体をコンパクトにして耐震性を向
上することができる。これに加えて、ブッシングの中央
部下方側に膨らみを持たせた場合には、沿面距離をさら
に長くすることができるため、さらに耐汚損性を向上し
てブッシングをコンパクト化できる。
【0011】一方、大気と接触する外側の絶縁筒の表面
全体に、熱収縮性材料による絶縁被覆を施すことによ
り、絶縁筒の耐候性を改善できる利点もある。その上、
複数の絶縁筒を内外に配置しているため、大気と接触す
る外側の絶縁筒とその内側の絶縁筒との間のガス圧を低
くすることにより、万一破損が起きた場合でも、絶縁筒
の飛散を防止できるという利点もある。
【0012】
【実施例】以下には、本発明の実施例について、図1及
び図2を参照しながら具体的に説明する。この場合、図
1は、本発明によるブッシングの一実施例を示す構造
図、図2は、図1のブッシング沿面を示す拡大図であ
る。
【0013】まず、図1において、1は高電圧導体を示
している。この高電圧導体1は、大気側の図示していな
い架空線から、図1に示すブッシングを介して、ガス絶
縁開閉装置や遮断器、変圧器などの高電圧機器2の内部
に引込まれている。3,4は高電圧導体1の周囲に、同
軸状に内外に配設された絶縁筒である。この場合、内側
の絶縁筒3の内部には、SF6 ガスなどの絶縁性ガス7
が加圧封入されていると共に、電界を制御するためのシ
ールド電極5が設けられている。シールド電極5の先端
は、絶縁筒3の中央部下方側に位置している。
【0014】また、大気に接触する外側の絶縁筒4は、
高分子絶縁材料で構成され、且つ、そのシールド電極5
の先端位置に近い位置、すなわち、ブッシング全体の中
央部下方側の位置に膨らみを有している。この場合、図
1の実施例においては、膨らみを形成させるために、絶
縁筒として、頂部を切断された円錐形状を有する2個の
絶縁筒4a,4bを使用し、これらの絶縁筒4a,4b
を、フランジ6を用いて接合している。また、この外側
の絶縁筒4と内側の絶縁筒3との間には、低気圧の絶縁
性ガス8が封入されている。
【0015】次に、図2に示すように、外側の絶縁筒4
の表面には、ひだ9が設けられている。そして、このひ
だ9を含む絶縁筒4の表面全体には、熱収縮性材料によ
る絶縁被覆10が施されている。この場合に使用する熱
収縮性材料としては、例えば、レイケム社サーモフィッ
ト(熱収縮性ポリオレフィン製)などを使用可能であ
る。
【0016】以上のような構成を有する本実施例のブッ
シングによれば、大気と接触する外側の絶縁筒4の材料
として、高分子絶縁材料を用いているため、絶縁筒全体
を磁器で構成していた従来のブッシングに比べて、格段
にブッシングを軽量化できる。このため、従来のブッシ
ングよりもブッシングの径を大きくすることが可能とな
り、その結果として、ブッシング内部の絶縁距離を拡大
できる。すなわち、高電圧導体1とシールド電極5ある
いはシールド電極5と絶縁筒3との距離を拡大できる上
に、絶縁筒3と絶縁筒4との距離を拡大することがで
き、絶縁特性を向上できる。
【0017】また、本実施例においては、外側の絶縁筒
4の沿面にひだを設けているため、沿面距離を長くする
ことが可能であり、ブッシングの耐汚損性を改善でき
る。この結果、ブッシング全体を従来よりもコンパクト
にすることができる。従って、地震に対するブッシング
の機械的応答を低減させることができ、耐震性を大幅に
向上することができる。特に、ブッシングが汚損された
場合には、シールド電極5の先端付近の電界が上昇する
が、本実施例においては、外側の絶縁筒4の中央部下方
側に膨らみを持たせてあるため、沿面距離をさらに長く
することが可能であるため、さらに耐汚損性を向上して
ブッシングをコンパクト化できる。
【0018】一方、外側の絶縁筒4の表面全体には、熱
収縮性材料による絶縁被覆10が施されているため、絶
縁筒4の耐候性を改善できる。すなわち、苛酷な気候及
び環境下、あるいは紫外線及び温度変化に対して、これ
らの影響を最小限に止めることができ、信頼性を向上で
きる。
【0019】その上、2個の絶縁筒3,4を内外に配置
し、且つ、大気と接触する外側の絶縁筒4とその内側の
絶縁筒3との間のガス圧を低くしているため、万一破損
が起きた場合でも、絶縁筒の飛散を防止できる防爆構造
となっている。
【0020】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、例えば、大気と接触する外側の絶縁筒に
使用する高分子絶縁材料の種類は適宜選択可能であり、
また、その表面の絶縁被覆に使用する熱収縮性材料の種
類も適宜選択可能である。さらに、この外側の絶縁筒の
構造も適宜変更可能であり、前記実施例で述べたフラン
ジを用いた方法以外にも、例えば、ちょうちん型の1個
の絶縁筒を使用することなどが考えられ、同様に優れた
作用効果を得られるものである。一方、内外に配置する
絶縁筒の数は、3個以上とすることも可能である。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、複数の絶縁筒を内外に配置し、外側の絶縁筒を高分
子絶縁材料で構成することにより、従来のブッシングよ
りも耐震性ならびに耐汚損特性に優れたコンパクト且つ
軽量のブッシングを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるブッシングの一実施例を示す構造
図。
【図2】図1のブッシング沿面を示す拡大図。
【符号の説明】
1 … 高電圧導体 2 … 高電圧機器 3 … 内側の絶縁筒 4 … 外側の絶縁筒 5 … シールド電極 6 … フランジ 7,8 … 絶縁性ガス 9 … 絶縁筒のひだ 10 … 熱収縮材料による絶縁被覆

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 高電圧導体を絶縁筒で覆ってなり、大気
    中に配置されるブッシングにおいて、 前記絶縁筒として、複数の絶縁筒を内外に配置し、これ
    らの絶縁筒のうち、大気に接触する外側の絶縁筒を高分
    子絶縁材料で構成すると共に、この外側の絶縁筒の表面
    にひだを設け且つこの外側の絶縁筒の表面全体に熱収縮
    性材料による絶縁被覆を施したことを特徴とするブッシ
    ング。
JP17022091A 1991-07-10 1991-07-10 ブツシング Pending JPH0520945A (ja)

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JP17022091A JPH0520945A (ja) 1991-07-10 1991-07-10 ブツシング

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003028043A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 Abb As, Abb Offshore Systems Sealed lead-in structure
WO2007065912A1 (de) * 2005-12-09 2007-06-14 Siemens Aktiengesellschaft Spritzgussgeformte aussenkonusdurchführung
US8406907B2 (en) 1997-02-21 2013-03-26 Nokia Mobile Phones Limited Setting audio parameters in a digital signal processor in an electronic device, and electronic device

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US8571694B1 (en) 1997-02-21 2013-10-29 Nokia Corporation Method for setting audio parameters in a digital signal processor in an electronic device, and electronic device
WO2003028043A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 Abb As, Abb Offshore Systems Sealed lead-in structure
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