JPH05206433A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH05206433A JPH05206433A JP4037250A JP3725092A JPH05206433A JP H05206433 A JPH05206433 A JP H05206433A JP 4037250 A JP4037250 A JP 4037250A JP 3725092 A JP3725092 A JP 3725092A JP H05206433 A JPH05206433 A JP H05206433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- circuit device
- optical sensors
- photosensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置の光学系要求により、光の照射エリアが
大きく設定されても、ＩＣのチップサイズが大きくなら
ないようにしてコストの低減を図る。 【構成】 照射エリア３内に単一画素を構成する光セン
サを小さく分割して配置し、光センサと光センサの間の
領域に周辺回路を構成するように素子を配置する。 【効果】 照射エリア内に回路を構成することが可能と
なり、チップサイズを小さくすることができ、ＩＣのコ
ストを低減することができる。
大きく設定されても、ＩＣのチップサイズが大きくなら
ないようにしてコストの低減を図る。 【構成】 照射エリア３内に単一画素を構成する光セン
サを小さく分割して配置し、光センサと光センサの間の
領域に周辺回路を構成するように素子を配置する。 【効果】 照射エリア内に回路を構成することが可能と
なり、チップサイズを小さくすることができ、ＩＣのコ
ストを低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路装置に
関し、特に光センサ内蔵ＩＣのパターンレイアウト方式
に関するものである。
関し、特に光センサ内蔵ＩＣのパターンレイアウト方式
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、例えば従来の光センサ内蔵ＩＣ
のパターンレイアウト図の一例である。図において、１
は光センサ部、２は回路部であり、光センサ部１で受光
し、光電変換等により得られる光電流量を検出するため
の回路等が設けられている。３は光センサ部１に対して
光が照射される領域（照射エリア）である。
のパターンレイアウト図の一例である。図において、１
は光センサ部、２は回路部であり、光センサ部１で受光
し、光電変換等により得られる光電流量を検出するため
の回路等が設けられている。３は光センサ部１に対して
光が照射される領域（照射エリア）である。
【０００３】光センサ内蔵ＩＣにおいて、光センサ部１
に光が照射され、その照射された光の明るさに応じて、
光電変換等により得られる電流量が変化する。次いで、
回路部２でその電流量を検出する。
に光が照射され、その照射された光の明るさに応じて、
光電変換等により得られる電流量が変化する。次いで、
回路部２でその電流量を検出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の光センサ内蔵Ｉ
Ｃのパターンレイアウト方式では、上記のように構成さ
れているので、装置の光学系要求により、光の照射エリ
アが大きく設定された場合、照射エリアの面積と同じく
光センサ部も大きくすることが必要となり、ＩＣのチッ
プサイズを大きくとる必要があり、コスト高になるとい
う問題点があった。
Ｃのパターンレイアウト方式では、上記のように構成さ
れているので、装置の光学系要求により、光の照射エリ
アが大きく設定された場合、照射エリアの面積と同じく
光センサ部も大きくすることが必要となり、ＩＣのチッ
プサイズを大きくとる必要があり、コスト高になるとい
う問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、装置の光学系要求で光の照射エ
リアが大きく設定されても、ＩＣのチップサイズが大き
くならないようにして、コストの低減を図ることのでき
る半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、装置の光学系要求で光の照射エ
リアが大きく設定されても、ＩＣのチップサイズが大き
くならないようにして、コストの低減を図ることのでき
る半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路装置は、光照射領域内に単一画素を複数に分割し
たものが分散配置されてなる光センサを備え、該小さく
分割して配置したセンサとセンサの間の領域に、回路を
構成する種々の素子を配置するようにしたものである。
積回路装置は、光照射領域内に単一画素を複数に分割し
たものが分散配置されてなる光センサを備え、該小さく
分割して配置したセンサとセンサの間の領域に、回路を
構成する種々の素子を配置するようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、光センサ内蔵ＩＣのパタ
ーンレイアウトとして、装置の光学系要求で光の照射エ
リアが大きく設定された場合、その照射エリアに単一画
素を小さく分割した光センサを配置し、照射エリア内の
光センサと光センサの間の領域に回路部を構成する素子
を配置するから、照射エリア外の部分のレイアウト面積
を小さくし、ＩＣのチップサイズを小さくすることがで
きる。
ーンレイアウトとして、装置の光学系要求で光の照射エ
リアが大きく設定された場合、その照射エリアに単一画
素を小さく分割した光センサを配置し、照射エリア内の
光センサと光センサの間の領域に回路部を構成する素子
を配置するから、照射エリア外の部分のレイアウト面積
を小さくし、ＩＣのチップサイズを小さくすることがで
きる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による半導体集積回路装
置を示し、図において、３は装置の光学系要求で設定さ
れた照射エリアである。１は前記照射エリア３に配置さ
れた光センサで、照射された光の明るさに応じて電流が
流れる。２は前記光センサ１より流れる電流を検出する
回路を含む周辺回路部である。
する。図１は本発明の一実施例による半導体集積回路装
置を示し、図において、３は装置の光学系要求で設定さ
れた照射エリアである。１は前記照射エリア３に配置さ
れた光センサで、照射された光の明るさに応じて電流が
流れる。２は前記光センサ１より流れる電流を検出する
回路を含む周辺回路部である。
【０００９】図２は前記光センサの電気的接続図であ
る。前記のように構成された光センサ内蔵ＩＣのパター
ンレイアウトにおいて、照射エリア３に照射された光に
対応して、図２のように並列接続された光センサ１に電
流が流れる。このように並列接続することにより、照射
エリア３に配置された全ての光センサ１に流れる電流が
合わされ、回路部２においてその電流量が検出される。
その電流量は被写体の明るさと対応しているため、その
電流量の大きさで被写体から装置へ入る光の量をコント
ロールすることで、適した露出にすることができる。上
記実施例では、光センサ１を並列接続したものを示した
が、図３の他の実施例に示すように直列接続してもよ
い。
る。前記のように構成された光センサ内蔵ＩＣのパター
ンレイアウトにおいて、照射エリア３に照射された光に
対応して、図２のように並列接続された光センサ１に電
流が流れる。このように並列接続することにより、照射
エリア３に配置された全ての光センサ１に流れる電流が
合わされ、回路部２においてその電流量が検出される。
その電流量は被写体の明るさと対応しているため、その
電流量の大きさで被写体から装置へ入る光の量をコント
ロールすることで、適した露出にすることができる。上
記実施例では、光センサ１を並列接続したものを示した
が、図３の他の実施例に示すように直列接続してもよ
い。
【００１０】図３に示すように、直列接続を行った場
合、電流量は最も小さな値の電流値に規制されるため、
部分的に明るい被写体によって露出不足になることを防
ぐことができる。
合、電流量は最も小さな値の電流値に規制されるため、
部分的に明るい被写体によって露出不足になることを防
ぐことができる。
【００１１】図４は、この発明のさらに他の実施例を示
し、光センサ１の接続の方法として、複数個のセンサ分
割体を並列接続し、それを１つのグループとして、その
グループ間を直列接続したものである。並列接続を行う
ことで、部分的に暗い被写体に露出が合い、露出過剰に
なることを防ぐことができ、かつ全体としては、直列接
続することにより、グループ間では最も小さな電流値に
規制させることができるため、明るい被写体による露出
不足を解消できる。
し、光センサ１の接続の方法として、複数個のセンサ分
割体を並列接続し、それを１つのグループとして、その
グループ間を直列接続したものである。並列接続を行う
ことで、部分的に暗い被写体に露出が合い、露出過剰に
なることを防ぐことができ、かつ全体としては、直列接
続することにより、グループ間では最も小さな電流値に
規制させることができるため、明るい被写体による露出
不足を解消できる。
【００１２】図５は、この発明のさらに他の実施例を示
し、光センサ１の接続の方法として複数個の光センサ分
割体を直列接続し、それを１つのグループとして、その
グループ間を並列接続したものである。直列接続を行う
ことで、そのグループ内で最も暗いところに露出を合わ
せることができ、かつ全体としては並列接続すること
で、適度な露出を得ることができる。
し、光センサ１の接続の方法として複数個の光センサ分
割体を直列接続し、それを１つのグループとして、その
グループ間を並列接続したものである。直列接続を行う
ことで、そのグループ内で最も暗いところに露出を合わ
せることができ、かつ全体としては並列接続すること
で、適度な露出を得ることができる。
【００１３】図６，図７はこの発明のさらに他の実施例
を示し、図６は照射エリア３内に配置された光センサを
含むレイアウトパターン図である。図７は上記光センサ
の分割体の電気的接続図である。
を示し、図６は照射エリア３内に配置された光センサを
含むレイアウトパターン図である。図７は上記光センサ
の分割体の電気的接続図である。
【００１４】光センサ分割体を接続する場合、中心部８
と周囲部４，５，６，７とにグループ分けをする。露出
を最も合わせたい被写体は中心近くにあることが多いた
め、周囲部は光センサ分割体同志を直列接続することに
より、部分的に明るい部分が周囲部に存在しても最も暗
いところに露出が合うため、露出不足になることを防ぐ
ことができる。そして、中心部８は並列接続することに
より、露出過剰となるのを防ぎ、被写体に合った露出を
得ることができる。
と周囲部４，５，６，７とにグループ分けをする。露出
を最も合わせたい被写体は中心近くにあることが多いた
め、周囲部は光センサ分割体同志を直列接続することに
より、部分的に明るい部分が周囲部に存在しても最も暗
いところに露出が合うため、露出不足になることを防ぐ
ことができる。そして、中心部８は並列接続することに
より、露出過剰となるのを防ぎ、被写体に合った露出を
得ることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
集積回路装置によれば、照射エリアに単一画素を小さく
分割した光センサを配置し、照射エリア内の光センサと
光センサの間の領域に回路部を構成する素子を配置する
ようにしたので、これによりチップサイズを小さくで
き、かつコストダウンを図ることができる効果がある。
集積回路装置によれば、照射エリアに単一画素を小さく
分割した光センサを配置し、照射エリア内の光センサと
光センサの間の領域に回路部を構成する素子を配置する
ようにしたので、これによりチップサイズを小さくで
き、かつコストダウンを図ることができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
における光センサ内蔵ＩＣのパターンレイアウト図であ
る。
における光センサ内蔵ＩＣのパターンレイアウト図であ
る。
【図２】この発明の一実施例における光センサ分割体の
電気的接続図である。
電気的接続図である。
【図３】この発明の他の実施例における光センサ分割体
の電気的接続図である。
の電気的接続図である。
【図４】この発明のさらに他の実施例の電気的接続図で
ある。
ある。
【図５】この発明のさらに他の実施例の電気的接続図で
ある。
ある。
【図６】この発明のさらに他の実施例のパターンレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図７】この発明の該他の実施例の電気的接続図であ
る。
る。
【図８】従来の光センサ内蔵ＩＣのパターンレイアウト
図である。
図である。
１ 光センサ ２ 回路部 ３ 照射エリア
Claims (6)
- 【請求項１】 光センサを内蔵する半導体集積回路装置
において、 光照射領域内に単一画素を複数に分割したものが分散配
置されてなる光センサと、 前記分割したセンサとセンサの間の領域に設けられた上
記光センサで検出した信号を処理する周辺回路とを備え
たことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 上記複数に分割された光センサは、相互
に並列接続されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 上記複数に分割された光センサは、相互
に直列接続されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体集積回路装置。 - 【請求項４】 上記複数に分割された光センサは、相互
に並列接続したものを相互に直列に接続してなることを
特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 上記複数に分割された光センサは、相互
に直列接続したものを相互に並列に接続してなることを
特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項６】 上記複数に分割された光センサは、中央
部分を並列に、周辺部分を直列に接続してなることを特
徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037250A JPH05206433A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037250A JPH05206433A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206433A true JPH05206433A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12492394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037250A Pending JPH05206433A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2726691A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-10 | Thomson Csf | Photodetecteur de grande dimension et procede de realisation d'un tel photodetecteur |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP4037250A patent/JPH05206433A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2726691A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-10 | Thomson Csf | Photodetecteur de grande dimension et procede de realisation d'un tel photodetecteur |
| EP0712166A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-15 | Thomson-Csf | Photodétecteur de grande dimension et procédé de réalisation d'un tel photodétecteur |
| US5712499A (en) * | 1994-11-08 | 1998-01-27 | Thomson-Csf | Large photodetector array |
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