JPH05206088A - 半導体の加工方法 - Google Patents
半導体の加工方法Info
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- JPH05206088A JPH05206088A JP1435092A JP1435092A JPH05206088A JP H05206088 A JPH05206088 A JP H05206088A JP 1435092 A JP1435092 A JP 1435092A JP 1435092 A JP1435092 A JP 1435092A JP H05206088 A JPH05206088 A JP H05206088A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の半導体の加工方法は、反応性ガスを
用いて半導体１９の表面をエッチングすることにより、
半導体１９に所定の形状を付与する半導体の加工方法に
おいて、半導体１９のエッチングすべき面１９ａを前記
反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱しつつエッ
チングすることを特徴とする。 【効果】 前記半導体のエッチングすべき面に凹凸があ
った場合においても、当該凸部の温度を赤外放射により
上昇させることができ、エッチングすべき面を平坦化す
ることができる。
用いて半導体１９の表面をエッチングすることにより、
半導体１９に所定の形状を付与する半導体の加工方法に
おいて、半導体１９のエッチングすべき面１９ａを前記
反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱しつつエッ
チングすることを特徴とする。 【効果】 前記半導体のエッチングすべき面に凹凸があ
った場合においても、当該凸部の温度を赤外放射により
上昇させることができ、エッチングすべき面を平坦化す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応性ガスを用いた半
導体の加工方法に係り、更に詳しくは、加熱反応により
半導体の表面をエッチングするガスエッチングプロセス
に好適に用いられ、しかも、加工面の平坦性に優れた半
導体の加工方法に関するものである。
導体の加工方法に係り、更に詳しくは、加熱反応により
半導体の表面をエッチングするガスエッチングプロセス
に好適に用いられ、しかも、加工面の平坦性に優れた半
導体の加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、反応性ガスを用いた半導体の加工
方法に、ドライエッチングの一種である反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）や反応性イオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）等の異方性エッチングがある。例えば、Ｒ
ＩＥは、高真空の真空容器内にＣｌ2，ＨＣｌ，Ｘｅ
Ｆ2，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，ＨＢｒ，Ｂｒ2等の反応性ガスを
導入し、この反応性ガスに高電圧を印加することにより
該反応性ガスをプラズマ化してイオン、ラジカル等の化
学活性状態とし、これらを半導体基板の表面と反応させ
ることにより該半導体基板をエッチングするもので、ま
た、ＲＩＢＥは、プラズマ内のイオンを主として用いる
ものである。これらの方法は、イオンの効果により基板
の面方位に依存しない、いわゆる異方性エッチングを低
温で行うことが可能である。しかし、これらの方法に
は、エッチング中に半導体結晶中に損傷（イオン損傷）
が誘起され、この損傷がデバイス特性を劣化させるとい
う問題がある。そこで、今日では、この問題を回避する
ために、ドライエッチング後に損傷のないウェットエッ
チングを行うことにより、前記ドライエッチングによる
損傷層を除去する方法が一般に用いられている。
方法に、ドライエッチングの一種である反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）や反応性イオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）等の異方性エッチングがある。例えば、Ｒ
ＩＥは、高真空の真空容器内にＣｌ2，ＨＣｌ，Ｘｅ
Ｆ2，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，ＨＢｒ，Ｂｒ2等の反応性ガスを
導入し、この反応性ガスに高電圧を印加することにより
該反応性ガスをプラズマ化してイオン、ラジカル等の化
学活性状態とし、これらを半導体基板の表面と反応させ
ることにより該半導体基板をエッチングするもので、ま
た、ＲＩＢＥは、プラズマ内のイオンを主として用いる
ものである。これらの方法は、イオンの効果により基板
の面方位に依存しない、いわゆる異方性エッチングを低
温で行うことが可能である。しかし、これらの方法に
は、エッチング中に半導体結晶中に損傷（イオン損傷）
が誘起され、この損傷がデバイス特性を劣化させるとい
う問題がある。そこで、今日では、この問題を回避する
ために、ドライエッチング後に損傷のないウェットエッ
チングを行うことにより、前記ドライエッチングによる
損傷層を除去する方法が一般に用いられている。
【０００３】一方、イオン照射を用いず、基板を加熱す
ることにより反応性ガスと前記基板とを反応させてエッ
チングを行う、ガスエッチングという方法がある。この
方法は、前記ドライエッチングと異なり、基板面方位依
存性が大、マスクパターンの正確な転写が困難、プラズ
マ状態のガスの反応と比べて反応が遅くエッチング速度
が小さい等の欠点があったために、これまではほとんど
注目されなかったものであるが、近年、微細加工技術の
進展に伴い、面内の微細化及び深さ方向の精密加工が益
々高度化するに及び、エッチング速度の小さい点が再認
識されるようになってきており、加工制御性を高めるこ
とで従来欠点とされていた面方位依存性をも考慮した加
工方法として研究が進められている。
ることにより反応性ガスと前記基板とを反応させてエッ
チングを行う、ガスエッチングという方法がある。この
方法は、前記ドライエッチングと異なり、基板面方位依
存性が大、マスクパターンの正確な転写が困難、プラズ
マ状態のガスの反応と比べて反応が遅くエッチング速度
が小さい等の欠点があったために、これまではほとんど
注目されなかったものであるが、近年、微細加工技術の
進展に伴い、面内の微細化及び深さ方向の精密加工が益
々高度化するに及び、エッチング速度の小さい点が再認
識されるようになってきており、加工制御性を高めるこ
とで従来欠点とされていた面方位依存性をも考慮した加
工方法として研究が進められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たガスエッチングでは、加工面の平坦性が悪く、きれい
な面が得られないという欠点があった。図３はＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体の一種であるＩｎＧａＡｓＰ系の半導
体レーザ１であって、ｐ−ＩｎＰ基板２上に有機金属気
相成長（ＯＭＶＰＥ）法によりＩｎＧａＡｓＰ等の多層
膜３を成膜させ、この多層膜３を抵抗加熱によるガスエ
ッチングにより所定の形状のストライプ４としたもので
ある。この半導体レーザ１では、ストライプ４は、本来
ならば平坦な（１００）面５に対して５４度位の傾斜を
なす（１１１）面６が形成されるべきものであるが、こ
の（１１１）面６は、マスクエッヂに凹凸が生じ、さら
に、（１１１）面６の放射面が大きくかつ低温の反応性
ガスに絶えず晒されているために、この（１１１）面６
の特に凸部７の温度が低下し、したがって当該凸部７の
エッチング速度が遅延して表面の凹凸が大きくなり、き
れいな（１１１）面が得られないという欠点があった。
したがって、ストライプ４を高精度で形成することがで
きず、デバイス特性が低下し、特に光導波路の場合では
光の導波損失が大きいという欠点があった。
たガスエッチングでは、加工面の平坦性が悪く、きれい
な面が得られないという欠点があった。図３はＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体の一種であるＩｎＧａＡｓＰ系の半導
体レーザ１であって、ｐ−ＩｎＰ基板２上に有機金属気
相成長（ＯＭＶＰＥ）法によりＩｎＧａＡｓＰ等の多層
膜３を成膜させ、この多層膜３を抵抗加熱によるガスエ
ッチングにより所定の形状のストライプ４としたもので
ある。この半導体レーザ１では、ストライプ４は、本来
ならば平坦な（１００）面５に対して５４度位の傾斜を
なす（１１１）面６が形成されるべきものであるが、こ
の（１１１）面６は、マスクエッヂに凹凸が生じ、さら
に、（１１１）面６の放射面が大きくかつ低温の反応性
ガスに絶えず晒されているために、この（１１１）面６
の特に凸部７の温度が低下し、したがって当該凸部７の
エッチング速度が遅延して表面の凹凸が大きくなり、き
れいな（１１１）面が得られないという欠点があった。
したがって、ストライプ４を高精度で形成することがで
きず、デバイス特性が低下し、特に光導波路の場合では
光の導波損失が大きいという欠点があった。
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、加工面の平坦性に優れた半導体の加工方法
を提供することにある。
のであって、加工面の平坦性に優れた半導体の加工方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な半導体の加工方法を採用した。す
なわち、反応性ガスを用いて半導体の表面をエッチング
することにより、該半導体に所定の形状を付与する半導
体の加工方法において、前記半導体のエッチングすべき
面を前記反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱し
つつエッチングすることを特徴としている。
に、本発明は次の様な半導体の加工方法を採用した。す
なわち、反応性ガスを用いて半導体の表面をエッチング
することにより、該半導体に所定の形状を付与する半導
体の加工方法において、前記半導体のエッチングすべき
面を前記反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱し
つつエッチングすることを特徴としている。
【０００７】前記赤外線は、前記反応性ガスの吸収波長
帯及び反応を起こさせる真空容器の窓の吸収波長帯を除
去した赤外線が好ましい。その理由は、赤外線が前記反
応性ガスに吸収されると半導体表面の加熱効率が低下す
るからであり、また、該赤外線が前記反応性ガスに吸収
されることにより該反応性ガスが分解し半導体のエッチ
ング効率が低下するからである。
帯及び反応を起こさせる真空容器の窓の吸収波長帯を除
去した赤外線が好ましい。その理由は、赤外線が前記反
応性ガスに吸収されると半導体表面の加熱効率が低下す
るからであり、また、該赤外線が前記反応性ガスに吸収
されることにより該反応性ガスが分解し半導体のエッチ
ング効率が低下するからである。
【０００８】前記半導体の材料としては、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体では、ＡｌＰ，ＡｌＡｓ，ＡｌＳｂ，Ｇａ
Ｐ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＧａＮ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，
ＩｎＳｂ及びこれらの化合物、また、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体では、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ
及びこれらの化合物が好適である。
化合物半導体では、ＡｌＰ，ＡｌＡｓ，ＡｌＳｂ，Ｇａ
Ｐ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＧａＮ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，
ＩｎＳｂ及びこれらの化合物、また、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体では、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ
及びこれらの化合物が好適である。
【０００９】また、前記反応性ガスとしては、水素化合
物、塩素化合物、弗素化合物、炭化水素等を主成分とす
る気体、または十分な蒸気圧を有する化合物、例えば、
Ｈ2，ＡｓＨ3，ＮＨ3，Ｃ2Ｈ6，ＨＣｌ，Ｃｌ2，ＰＯＣ
ｌ3，ＧｅＨ4，ＰＦ5，ＢＣｌ3，ＢＦ3，ＰＦ3，ＣＣｌ
4，ＳｉＣｌ4，ＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｈ6，ＳｉＨ2Ｃｌ2，Ｂ2
Ｈ6，ＳｉＨ4，ＳｂＨ3，Ｈ2Ｓｅ，Ｈ2Ｔｅ，ＳｉＨＣ
ｌ3，ＣＨＦ3，Ｃ3Ｈ8，Ｃ3Ｆ8，ＰＨ3，Ｈ2Ｓ，Ｓ
Ｆ6，Ｃ2Ｆ6，ＮＦ3，ＢＢｒ3，ＧｅＣｌ4，ＨＢｒ等か
ら、前記半導体の加工に好適なものが選択される。
物、塩素化合物、弗素化合物、炭化水素等を主成分とす
る気体、または十分な蒸気圧を有する化合物、例えば、
Ｈ2，ＡｓＨ3，ＮＨ3，Ｃ2Ｈ6，ＨＣｌ，Ｃｌ2，ＰＯＣ
ｌ3，ＧｅＨ4，ＰＦ5，ＢＣｌ3，ＢＦ3，ＰＦ3，ＣＣｌ
4，ＳｉＣｌ4，ＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｈ6，ＳｉＨ2Ｃｌ2，Ｂ2
Ｈ6，ＳｉＨ4，ＳｂＨ3，Ｈ2Ｓｅ，Ｈ2Ｔｅ，ＳｉＨＣ
ｌ3，ＣＨＦ3，Ｃ3Ｈ8，Ｃ3Ｆ8，ＰＨ3，Ｈ2Ｓ，Ｓ
Ｆ6，Ｃ2Ｆ6，ＮＦ3，ＢＢｒ3，ＧｅＣｌ4，ＨＢｒ等か
ら、前記半導体の加工に好適なものが選択される。
【００１０】
【作用】本発明の半導体の加工方法では、半導体のエッ
チングすべき面を赤外線により加熱しつつエッチングす
ることにより、前記半導体のエッチングすべき面に凹凸
があった場合、低温の反応性ガスに絶えず晒されている
にもかかわらず、当該凸部の温度が表面からの赤外吸収
により上昇し、他の部分より高速でエッチングされる。
したがって、前記半導体のエッチングすべき面が平坦化
される。
チングすべき面を赤外線により加熱しつつエッチングす
ることにより、前記半導体のエッチングすべき面に凹凸
があった場合、低温の反応性ガスに絶えず晒されている
にもかかわらず、当該凸部の温度が表面からの赤外吸収
により上昇し、他の部分より高速でエッチングされる。
したがって、前記半導体のエッチングすべき面が平坦化
される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の半導体のエッチング（加工）
方法について説明する。まず、この半導体のエッチング
方法に用いられるドライエッチング装置について図２に
基づき説明する。このドライエッチング装置１１は、１
００Ｗのハロゲンランプ等からなる赤外線ＩＲ放射用の
光源１２と、当該光源１２からの光を集光させる銅製の
集光ミラー１３と、４μｍ以上の波長の光を透過させる
フィルタ１４と、１０-6Ｔｏｒｒ（約１．３３×１０-4
Ｐａ）程度の高真空を得ることができ側面にＫＢｒから
なる窓１５が設けられた真空容器１６と、該真空容器１
６に接続された真空ポンプ１７と、前記真空容器１６内
に反応性ガスを供給するガス供給装置１８とから構成さ
れている。そして、真空容器１６には、エッチングすべ
き半導体基板１９を固定し垂直平面内で回転可能なサセ
プタ２０と、該サセプタ２０を加熱して半導体基板１９
の温度を安定化させるヒーター２１とが設けられてい
る。
方法について説明する。まず、この半導体のエッチング
方法に用いられるドライエッチング装置について図２に
基づき説明する。このドライエッチング装置１１は、１
００Ｗのハロゲンランプ等からなる赤外線ＩＲ放射用の
光源１２と、当該光源１２からの光を集光させる銅製の
集光ミラー１３と、４μｍ以上の波長の光を透過させる
フィルタ１４と、１０-6Ｔｏｒｒ（約１．３３×１０-4
Ｐａ）程度の高真空を得ることができ側面にＫＢｒから
なる窓１５が設けられた真空容器１６と、該真空容器１
６に接続された真空ポンプ１７と、前記真空容器１６内
に反応性ガスを供給するガス供給装置１８とから構成さ
れている。そして、真空容器１６には、エッチングすべ
き半導体基板１９を固定し垂直平面内で回転可能なサセ
プタ２０と、該サセプタ２０を加熱して半導体基板１９
の温度を安定化させるヒーター２１とが設けられてい
る。
【００１２】半導体基板１９を加熱するための赤外線
は、フィルタ１４及び窓１５により反応性ガスの吸収波
長帯の赤外線及び反応を起こさせる真空容器１６の窓１
５の吸収波長帯の赤外線を除去したものである。また、
ヒーター２１は、赤外線ＩＲの加熱に対して補助的に用
いられるもので、半導体基板１９の背面側から加熱する
ことにより該半導体基板１９の温度を安定化させること
が容易になる。
は、フィルタ１４及び窓１５により反応性ガスの吸収波
長帯の赤外線及び反応を起こさせる真空容器１６の窓１
５の吸収波長帯の赤外線を除去したものである。また、
ヒーター２１は、赤外線ＩＲの加熱に対して補助的に用
いられるもので、半導体基板１９の背面側から加熱する
ことにより該半導体基板１９の温度を安定化させること
が容易になる。
【００１３】ここで用いた半導体基板１９は、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体であるＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レー
ザに用いられる基板で、ｐ−ＩｎＰ基板２上に有機金属
気相成長（ＯＭＶＰＥ）法によりＩｎＧａＡｓＰ等の多
層膜３を成膜させたものである。
Ｖ族化合物半導体であるＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レー
ザに用いられる基板で、ｐ−ＩｎＰ基板２上に有機金属
気相成長（ＯＭＶＰＥ）法によりＩｎＧａＡｓＰ等の多
層膜３を成膜させたものである。
【００１４】次に、このドライエッチング装置１１を用
いた半導体基板のエッチング方法について図１を基に説
明する。まず、サセプタ２０に、ＩｎＧａＡｓＰ等の多
層膜３が成膜され、表面に所定のパターンのマスク３１
が形成された半導体基板１９を固定し、真空容器１６内
を高真空にし、ヒーター２１を用いて該半導体基板１９
を所定の温度（例えば、５０〜３００℃間の特定の温
度）まで加熱する。
いた半導体基板のエッチング方法について図１を基に説
明する。まず、サセプタ２０に、ＩｎＧａＡｓＰ等の多
層膜３が成膜され、表面に所定のパターンのマスク３１
が形成された半導体基板１９を固定し、真空容器１６内
を高真空にし、ヒーター２１を用いて該半導体基板１９
を所定の温度（例えば、５０〜３００℃間の特定の温
度）まで加熱する。
【００１５】次いで、光源１２から放射される赤外線Ｉ
Ｒを、集光ミラー１３、フィルタ１４、窓１５を次々に
透過させて反応性ガスの吸収波長帯の赤外線及び反応を
起こさせる真空容器１６の窓１５の吸収波長帯の赤外線
を除去し、半導体基板１９のエッチングすべき面１９ａ
を所定の温度に加熱する。ガス供給装置１８により真空
容器１６内にＣｌ2，ＨＣｌ，ＨＢｒ，Ｂｒ2等の反応性
ガスを導入し、半導体基板１９のエッチングすべき面１
９ａを所定の形状にエッチングする（図１（ａ））。
Ｒを、集光ミラー１３、フィルタ１４、窓１５を次々に
透過させて反応性ガスの吸収波長帯の赤外線及び反応を
起こさせる真空容器１６の窓１５の吸収波長帯の赤外線
を除去し、半導体基板１９のエッチングすべき面１９ａ
を所定の温度に加熱する。ガス供給装置１８により真空
容器１６内にＣｌ2，ＨＣｌ，ＨＢｒ，Ｂｒ2等の反応性
ガスを導入し、半導体基板１９のエッチングすべき面１
９ａを所定の形状にエッチングする（図１（ａ））。
【００１６】ここでは、半導体基板１９のエッチングす
べき面１９ａに凹凸があった場合でも、反応性ガスに絶
えず晒されているにもかかわらず当該凸部３２の温度が
赤外放射により上昇し、エッチングすべき面１９ａの他
の部分より高速でエッチングされる。したがって、エッ
チングすべき面１９ａが平坦化される。エッチング終了
後、マスク３１を除去する（図１（ｂ））。このよう
に、平坦な（１００）面５に対してエッチングすべき面
１９ａが平坦化された（１１１）面となる半導体基板３
３を得ることができる。
べき面１９ａに凹凸があった場合でも、反応性ガスに絶
えず晒されているにもかかわらず当該凸部３２の温度が
赤外放射により上昇し、エッチングすべき面１９ａの他
の部分より高速でエッチングされる。したがって、エッ
チングすべき面１９ａが平坦化される。エッチング終了
後、マスク３１を除去する（図１（ｂ））。このよう
に、平坦な（１００）面５に対してエッチングすべき面
１９ａが平坦化された（１１１）面となる半導体基板３
３を得ることができる。
【００１７】表１は、上記実施例及び従来例のそれぞれ
の半導体基板のエッチングすべき面の平坦度を比較した
ものである。
の半導体基板のエッチングすべき面の平坦度を比較した
ものである。
【表１】
【００１８】実施例及び従来例それぞれのサンプルのガ
スエッチングの条件は下記の通りとした。 ヒーター設定温度：２００℃ 反応性ガスの種類：ＨＢｒ 上記ガスの圧力 ：４×１０-4Ｔｏｏｒ エッチングの時間：２時間 また、エッチングすべき面の凹凸の評価は、２μｍの幅
のストライプマスクを用いてガスエッチングを行い、こ
の時のストライプサイドについて粗さ曲線ｆ（ｘ）を計
測し、この粗さ曲線ｆ（ｘ）を用いて下記の式により中
心線平均粗さＲａを算出して評価した。
スエッチングの条件は下記の通りとした。 ヒーター設定温度：２００℃ 反応性ガスの種類：ＨＢｒ 上記ガスの圧力 ：４×１０-4Ｔｏｏｒ エッチングの時間：２時間 また、エッチングすべき面の凹凸の評価は、２μｍの幅
のストライプマスクを用いてガスエッチングを行い、こ
の時のストライプサイドについて粗さ曲線ｆ（ｘ）を計
測し、この粗さ曲線ｆ（ｘ）を用いて下記の式により中
心線平均粗さＲａを算出して評価した。
【数１】 また、ストライプサイドの測定長さを５０μｍ、カット
オフ値を２００オングストロームとし、２００オングス
トローム以上のうねりは無視した。
オフ値を２００オングストロームとし、２００オングス
トローム以上のうねりは無視した。
【００１９】表１から明らかな様に、本実施例では、従
来例と比べて中心線平均粗さＲａの値が１桁以上小さく
なっており、半導体基板のエッチングすべき面の凹凸が
小さく平坦性が大幅に改善されていることがわかる。
来例と比べて中心線平均粗さＲａの値が１桁以上小さく
なっており、半導体基板のエッチングすべき面の凹凸が
小さく平坦性が大幅に改善されていることがわかる。
【００２０】以上説明した様に、上記の半導体基板のエ
ッチング方法によれば、半導体基板１９のエッチングす
べき面１９ａを、反応性ガスの吸収波長帯の赤外線及び
反応を起こさせる真空容器１６の窓１５の吸収波長帯の
赤外線が除去された赤外線ＩＲにより加熱しつつエッチ
ングすることとしたので、半導体基板１９のエッチング
すべき面１９ａに凹凸があった場合であっても、当該凸
部３２の温度を赤外放射により上昇させることによりエ
ッチングすべき面１９ａを平坦化させることができる。
このように、加熱反応によるガスエッチング方法におい
て、半導体基板１９のエッチングすべき面１９ａの平坦
性に優れた半導体のエッチング方法を提供することが可
能になる。
ッチング方法によれば、半導体基板１９のエッチングす
べき面１９ａを、反応性ガスの吸収波長帯の赤外線及び
反応を起こさせる真空容器１６の窓１５の吸収波長帯の
赤外線が除去された赤外線ＩＲにより加熱しつつエッチ
ングすることとしたので、半導体基板１９のエッチング
すべき面１９ａに凹凸があった場合であっても、当該凸
部３２の温度を赤外放射により上昇させることによりエ
ッチングすべき面１９ａを平坦化させることができる。
このように、加熱反応によるガスエッチング方法におい
て、半導体基板１９のエッチングすべき面１９ａの平坦
性に優れた半導体のエッチング方法を提供することが可
能になる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の半導体の加
工方法によれば、反応性ガスを用いて半導体の表面をエ
ッチングすることにより、該半導体に所定の形状を付与
する半導体の加工方法において、前記半導体のエッチン
グすべき面を前記反応性ガスに吸収されない赤外線によ
り加熱しつつエッチングすることとしたので、前記半導
体のエッチングすべき面に凹凸があった場合であって
も、当該凸部の温度を赤外吸収により上昇させることが
でき、該エッチングすべき面を平坦化させることができ
る。このように、エッチングすべき面の平坦性に優れた
半導体の加工方法を提供することが可能になる。
工方法によれば、反応性ガスを用いて半導体の表面をエ
ッチングすることにより、該半導体に所定の形状を付与
する半導体の加工方法において、前記半導体のエッチン
グすべき面を前記反応性ガスに吸収されない赤外線によ
り加熱しつつエッチングすることとしたので、前記半導
体のエッチングすべき面に凹凸があった場合であって
も、当該凸部の温度を赤外吸収により上昇させることが
でき、該エッチングすべき面を平坦化させることができ
る。このように、エッチングすべき面の平坦性に優れた
半導体の加工方法を提供することが可能になる。
【図１】 本発明の半導体の加工方法の一実施例を示す
図である。
図である。
【図２】 本発明の半導体の加工方法に用いられるドラ
イエッチング装置を示す構成図である。
イエッチング装置を示す構成図である。
【図３】 従来の半導体の加工方法により加工された半
導体基板の斜視図である。
導体基板の斜視図である。
１１… …ドライエッチング装置、１２… …光源、１３
… …集光ミラー、１４… …フィルタ、１５… …窓、
１６… …真空容器、１７… …真空ポンプ、１８… …
ガス供給装置、１９，３３… …半導体基板、１９ａ…
…エッチングすべき面、２０… …サセプタ、２１… …
ヒーター、３１… …マスク、３２… …凸部
… …集光ミラー、１４… …フィルタ、１５… …窓、
１６… …真空容器、１７… …真空ポンプ、１８… …
ガス供給装置、１９，３３… …半導体基板、１９ａ…
…エッチングすべき面、２０… …サセプタ、２１… …
ヒーター、３１… …マスク、３２… …凸部
Claims (1)
- 【請求項１】 反応性ガスを用いて半導体の表面をエッ
チングすることにより、該半導体に所定の形状を付与す
る半導体の加工方法において、 前記半導体のエッチングすべき面を前記反応性ガスに吸
収されない赤外線により加熱しつつエッチングすること
を特徴とする半導体の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1435092A JPH05206088A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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-
1992
- 1992-01-29 JP JP1435092A patent/JPH05206088A/ja active Pending
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