JPH05206054A - Ａｌコンタクト構造およびその製造方法 - Google Patents
Ａｌコンタクト構造およびその製造方法Info
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- JPH05206054A JPH05206054A JP4038485A JP3848592A JPH05206054A JP H05206054 A JPH05206054 A JP H05206054A JP 4038485 A JP4038485 A JP 4038485A JP 3848592 A JP3848592 A JP 3848592A JP H05206054 A JPH05206054 A JP H05206054A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＳＩ技術に用いられているオーミックコン
タクト構造の信頼性，単純性，低抵抗を同時に実現す
る。 【構成】 Ｓｉ（１１１）基板と、コンタクト金属Ａｌ
との間に１原子層の水素が存在し、かつＡｌ層が基板方
位を引き継いで強く（１１１）配向した構造を実現し、
Ｓｉ／Ａｌ界面の熱的安定性を大幅に向上した。その結
果、高濃度ドープｎ−タイプＳｉ基板に対するオーミッ
クコンタクトの熱処理後の抵抗値を非常に低減すること
ができ、しかも従来のＡｌコンタクトより、はるかに信
頼性を高めることができた。
タクト構造の信頼性，単純性，低抵抗を同時に実現す
る。 【構成】 Ｓｉ（１１１）基板と、コンタクト金属Ａｌ
との間に１原子層の水素が存在し、かつＡｌ層が基板方
位を引き継いで強く（１１１）配向した構造を実現し、
Ｓｉ／Ａｌ界面の熱的安定性を大幅に向上した。その結
果、高濃度ドープｎ−タイプＳｉ基板に対するオーミッ
クコンタクトの熱処理後の抵抗値を非常に低減すること
ができ、しかも従来のＡｌコンタクトより、はるかに信
頼性を高めることができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ（１１１）基板を
用いたデバイスのコンタクト構造とその製造方法に関す
るものである。
用いたデバイスのコンタクト構造とその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来Ｓｉを用いたデバイスのオーミック
コンタクトとしては、多結晶のＡｌが用いられてきた。
コンタクト金属としてＡｌを使用すると、抵抗が低い，
加工が容易であるといった利点があるものの、デバイス
のプロセス工程において不可欠な４００℃以上の熱処理
によって、Ａｌがスパイク状にＳｉ層に侵入して短絡が
起こったり、これを防ぐためにＡｌ中にＳｉを溶解させ
るとコンタクト界面にＳｉが再析出してコンタクト抵抗
が増大し、信頼性のうえで大きな問題があった。
コンタクトとしては、多結晶のＡｌが用いられてきた。
コンタクト金属としてＡｌを使用すると、抵抗が低い，
加工が容易であるといった利点があるものの、デバイス
のプロセス工程において不可欠な４００℃以上の熱処理
によって、Ａｌがスパイク状にＳｉ層に侵入して短絡が
起こったり、これを防ぐためにＡｌ中にＳｉを溶解させ
るとコンタクト界面にＳｉが再析出してコンタクト抵抗
が増大し、信頼性のうえで大きな問題があった。
【０００３】その後用いられるようになったＴｉ，Ｗな
どの高融点金属は、コンタクトの熱安定性があるもの
の、抵抗が高いという問題がある。
どの高融点金属は、コンタクトの熱安定性があるもの
の、抵抗が高いという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年のデバイスの集積
化に伴い、素子間をつなぐ配線技術の重要性がますます
増大している。とくに配線のコンタクトでは、信頼性を
維持しながら抵抗の低減を図ることが緊急の課題であ
る。また配線に用いる材料が増え、構造の複雑化や、プ
ロセス工程の増加が起こっているが、材料本来の性質を
生かして単純な製造工程を実現することも重要な課題で
ある。
化に伴い、素子間をつなぐ配線技術の重要性がますます
増大している。とくに配線のコンタクトでは、信頼性を
維持しながら抵抗の低減を図ることが緊急の課題であ
る。また配線に用いる材料が増え、構造の複雑化や、プ
ロセス工程の増加が起こっているが、材料本来の性質を
生かして単純な製造工程を実現することも重要な課題で
ある。
【０００５】本発明の目的は、配線構造の高信頼性，単
純性，高性能を同時に実現することにある。
純性，高性能を同時に実現することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるＡｌコンタクト構造においては、Ｓｉ
（１１１）基板を用いたデバイスのオーミックコンタク
ト構造であって、Ｓｉ基板とコンタクト金属Ａｌの間に
約１原子層の水素が存在し、かつＡｌ層は、基板方位を
引き継いで強く（１１１）配向しているか、或いは完全
に配向した単結晶である。
め、本発明によるＡｌコンタクト構造においては、Ｓｉ
（１１１）基板を用いたデバイスのオーミックコンタク
ト構造であって、Ｓｉ基板とコンタクト金属Ａｌの間に
約１原子層の水素が存在し、かつＡｌ層は、基板方位を
引き継いで強く（１１１）配向しているか、或いは完全
に配向した単結晶である。
【０００７】また、Ａｌコンタクト構造の製造方法にお
いては、Ｓｉ（１１１）面をＨＦ系溶液中に浸して１原
子層の水素原子で終端し、次いでベースプレッシャー１
０-7Ｔｏｒｒ以下の真空中で、基板温度を２００〜４０
０℃として、Ａｌを蒸着するものである。
いては、Ｓｉ（１１１）面をＨＦ系溶液中に浸して１原
子層の水素原子で終端し、次いでベースプレッシャー１
０-7Ｔｏｒｒ以下の真空中で、基板温度を２００〜４０
０℃として、Ａｌを蒸着するものである。
【０００８】
【作用】従来用いられていたＳｉ上に、多結晶のＡｌを
堆積したコンタクトでは、熱処理によって基板側にＡｌ
のスパイクができて、短絡の原因になったり、Ｓｉを含
む合金Ａｌを用いると、コンタクト界面に再析出Ｓｉ層
ができるために、コンタクト抵抗が高くなるという問題
があった。
堆積したコンタクトでは、熱処理によって基板側にＡｌ
のスパイクができて、短絡の原因になったり、Ｓｉを含
む合金Ａｌを用いると、コンタクト界面に再析出Ｓｉ層
ができるために、コンタクト抵抗が高くなるという問題
があった。
【０００９】これに対して、Ｓｉ（１１１）基板上にイ
オンクラスタービーム法によって純粋なＡｌのエピタキ
シャル膜を成長させると、界面が熱処理に対して安定に
なることが報告されている［アイトリプルイー・トラン
スアクション・オン・エレクトロン・デバイス（ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）１９８７年，３４巻，１０１８
頁］。
オンクラスタービーム法によって純粋なＡｌのエピタキ
シャル膜を成長させると、界面が熱処理に対して安定に
なることが報告されている［アイトリプルイー・トラン
スアクション・オン・エレクトロン・デバイス（ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）１９８７年，３４巻，１０１８
頁］。
【００１０】そこで本発明者は、ＳｉとＡｌの熱的に安
定なコンタクトを、イオンクラスターを使わずに、通常
の蒸着法で、より容易に形成する方法を探索した。この
発明をするにあたって、まず水素原子ビームを用いてＳ
ｉ（１１１）表面を１原子層の水素で終端し、Ａｇを蒸
着すると、基板に配向したＡｇ単結晶が層状成長すると
いう報告［フィジカル・レビュー・レター（Ｐｈｙｓｉ
ｃａｌ ＲｅｖｉｅｗＬｅｔｔｅｒｓ）１９９１年，６
６巻，１１９３頁］及び、Ｓｉ（１１１）表面は、ＨＦ
系溶液に浸すことによっても１原子層の水素で終端で
き、しかもこの表面は空気中にさらしても安定であると
いう報告［アプライド・フィジックス・レター（Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）１９９０
年，５７巻，１０３４頁］に着目した。
定なコンタクトを、イオンクラスターを使わずに、通常
の蒸着法で、より容易に形成する方法を探索した。この
発明をするにあたって、まず水素原子ビームを用いてＳ
ｉ（１１１）表面を１原子層の水素で終端し、Ａｇを蒸
着すると、基板に配向したＡｇ単結晶が層状成長すると
いう報告［フィジカル・レビュー・レター（Ｐｈｙｓｉ
ｃａｌ ＲｅｖｉｅｗＬｅｔｔｅｒｓ）１９９１年，６
６巻，１１９３頁］及び、Ｓｉ（１１１）表面は、ＨＦ
系溶液に浸すことによっても１原子層の水素で終端で
き、しかもこの表面は空気中にさらしても安定であると
いう報告［アプライド・フィジックス・レター（Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）１９９０
年，５７巻，１０３４頁］に着目した。
【００１１】そして、Ｓｉ（１１１）表面をＨＦ溶液で
処理した後に、Ａｌ蒸着することにより、水素１原子層
を挾むＳｉ／Ｈ／Ａｌ構造が形成でき、このとき、Ａｌ
層は、基板方位に配向した単結晶であって、熱的に安定
な界面が得られるという仮説をたてた。
処理した後に、Ａｌ蒸着することにより、水素１原子層
を挾むＳｉ／Ｈ／Ａｌ構造が形成でき、このとき、Ａｌ
層は、基板方位に配向した単結晶であって、熱的に安定
な界面が得られるという仮説をたてた。
【００１２】この仮説を検証するために、Ｓｉ（１１
１）基板上に様々な条件でＡｌを堆積し、Ａｌの膜質と
界面との熱的安定性を調べた。まず、上記Ｓｉ基板を熱
酸化して、約１０００Åの熱酸化膜を形成し、ＨＦ溶液
でエッチングして、表面の研磨ダメージを取り去った。
１）基板上に様々な条件でＡｌを堆積し、Ａｌの膜質と
界面との熱的安定性を調べた。まず、上記Ｓｉ基板を熱
酸化して、約１０００Åの熱酸化膜を形成し、ＨＦ溶液
でエッチングして、表面の研磨ダメージを取り去った。
【００１３】ついで、ｐＨ９〜１０のバッファードフッ
酸に１分間浸して、純水でリンスした後、即座にベース
プレッシャー１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空槽に導入し、Ａ
ｌの蒸着を行った。条件は、基板温度２５０℃，成長速
度３０Ａ／ｓｅｃとした。この基板温度では、Ｓｉ表面
上の１原子層の水素が安定に存在していることが報告さ
れていることから［アプライド・フィジックス・レター
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
１９９１年，５９巻，６８５頁］、Ａｌは、１原子層の
水素層を挾んで、Ｓｉ基板に蒸着されたと考えられる。
酸に１分間浸して、純水でリンスした後、即座にベース
プレッシャー１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空槽に導入し、Ａ
ｌの蒸着を行った。条件は、基板温度２５０℃，成長速
度３０Ａ／ｓｅｃとした。この基板温度では、Ｓｉ表面
上の１原子層の水素が安定に存在していることが報告さ
れていることから［アプライド・フィジックス・レター
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
１９９１年，５９巻，６８５頁］、Ａｌは、１原子層の
水素層を挾んで、Ｓｉ基板に蒸着されたと考えられる。
【００１４】このようにして作製したＡｌ膜をＸ線及び
透過型電子顕微鏡を用いて評価したところ、Ｓｉ基板の
方位に配向した、ほぼ完全な単結晶になっていることが
確認できた。
透過型電子顕微鏡を用いて評価したところ、Ｓｉ基板の
方位に配向した、ほぼ完全な単結晶になっていることが
確認できた。
【００１５】次に、この界面の熱的安定性を調べた。窒
素雰囲気中で５５０℃，１時間の熱処理を行い、Ａｌ層
をリン酸でエッチングしたところ、界面にスパイクは、
観測されなかった。また、低濃度ドープ（５×１０14ｃ
ｍ-3）のｎ−タイプＳｉ基板上に、上記方法によってＡ
ｌ蒸着を行い、上記条件で５５０℃の熱処理を行った
後、ショットキーダイオードを作製して、ショットキー
障壁の高さをＩ−Ｖ法によって測定した。
素雰囲気中で５５０℃，１時間の熱処理を行い、Ａｌ層
をリン酸でエッチングしたところ、界面にスパイクは、
観測されなかった。また、低濃度ドープ（５×１０14ｃ
ｍ-3）のｎ−タイプＳｉ基板上に、上記方法によってＡ
ｌ蒸着を行い、上記条件で５５０℃の熱処理を行った
後、ショットキーダイオードを作製して、ショットキー
障壁の高さをＩ−Ｖ法によって測定した。
【００１６】その結果、Ｓｉ／多結晶Ａｌを熱処理した
場合にみられるような障壁高さの増大は全くなく、理想
的ショットキー特性を保持していた。これらのことか
ら、前記方法によって作製したＳｉ／Ａｌ界面の熱的安
定性が証明された。
場合にみられるような障壁高さの増大は全くなく、理想
的ショットキー特性を保持していた。これらのことか
ら、前記方法によって作製したＳｉ／Ａｌ界面の熱的安
定性が証明された。
【００１７】またＡｌ蒸着を、基板温度２００℃で行っ
たサンプルは、完全な単結晶Ａｌになっておらず、基板
方位を反映したグレインと、そうでないグレインが混在
していたが、熱処理後のショットキー障壁特性の劣化は
見られず、４００℃，１時間以上の熱処理により、Ａｌ
膜は、単結晶化していることを見出した。このことか
ら、Ａｌ／Ｓｉコンタクトの電気的特性の熱的安定性に
関し、Ａｌは必ずしも単結晶である必要がないことがわ
かった。
たサンプルは、完全な単結晶Ａｌになっておらず、基板
方位を反映したグレインと、そうでないグレインが混在
していたが、熱処理後のショットキー障壁特性の劣化は
見られず、４００℃，１時間以上の熱処理により、Ａｌ
膜は、単結晶化していることを見出した。このことか
ら、Ａｌ／Ｓｉコンタクトの電気的特性の熱的安定性に
関し、Ａｌは必ずしも単結晶である必要がないことがわ
かった。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１９】（実施例１）高濃度ドープ（２×１０19ｃ
ｍ-3）したｎ−タイプＳｉ（１１１）基板表面に、熱酸
化によりＳｉＯ2膜を厚さ２００Ａ形成し、さらにＣＶ
Ｄ法によりＳｉＯ2膜を１μｍ堆積して、レジストパタ
ーン形成後、ＨＦ水溶液でエッチングして径１μｍの柱
状のコンタクト孔をあけた。ついでｐＨ９〜１０のバッ
ファードフッ酸に１分間浸して、純水でリンスした後、
即座にベースプレッシャー１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空槽
に導入して、Ａｌの蒸着を行った。
ｍ-3）したｎ−タイプＳｉ（１１１）基板表面に、熱酸
化によりＳｉＯ2膜を厚さ２００Ａ形成し、さらにＣＶ
Ｄ法によりＳｉＯ2膜を１μｍ堆積して、レジストパタ
ーン形成後、ＨＦ水溶液でエッチングして径１μｍの柱
状のコンタクト孔をあけた。ついでｐＨ９〜１０のバッ
ファードフッ酸に１分間浸して、純水でリンスした後、
即座にベースプレッシャー１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空槽
に導入して、Ａｌの蒸着を行った。
【００２０】条件は、基板温度２５０℃，成長速度３０
Ａ／ｓｅｃ，Ａｌ膜厚は、平坦部で１０００Ａとした。
さらにバイアススパッタ法により、１μｍのＡｌを堆積
してコンタクト孔を埋め込み、電気測定用の配線パター
ンを形成した。また、基板の裏面エッチングを行い、共
通のオーミック電極をとれるようにした。
Ａ／ｓｅｃ，Ａｌ膜厚は、平坦部で１０００Ａとした。
さらにバイアススパッタ法により、１μｍのＡｌを堆積
してコンタクト孔を埋め込み、電気測定用の配線パター
ンを形成した。また、基板の裏面エッチングを行い、共
通のオーミック電極をとれるようにした。
【００２１】このようにして作製したサンプルを、Ｎ2
／Ｈ2雰囲気中、５００℃の条件で、１時間の熱処理を
行い、コンタクトの電気特性を調べた。その結果、コン
タクトは、オーミック特性を示し、しかも、１００個の
コンタクトの平均の比抵抗値は、１×１０−７Ω・ｃｍ
2と極めて低い値が得られた。このことから、従来の多
結晶Ａｌを用いたコンタクトに比べてはるかに高い信頼
性があること、高融点金属を用いたコンタクトより低い
抵抗が得られることが確認できた。
／Ｈ2雰囲気中、５００℃の条件で、１時間の熱処理を
行い、コンタクトの電気特性を調べた。その結果、コン
タクトは、オーミック特性を示し、しかも、１００個の
コンタクトの平均の比抵抗値は、１×１０−７Ω・ｃｍ
2と極めて低い値が得られた。このことから、従来の多
結晶Ａｌを用いたコンタクトに比べてはるかに高い信頼
性があること、高融点金属を用いたコンタクトより低い
抵抗が得られることが確認できた。
【００２２】（実施例２）高濃度ドープ（２×１０19ｃ
ｍ-3）したｎ−タイプＳｉ（１１１）基板表面に、熱酸
化によりＳｉＯ2膜を厚さ２００Ａ形成し、さらに、Ｃ
ＶＤ法によりＳｉＯ2膜を１μｍ堆積して、レジストパ
ターン形成後、ＨＦ水溶液でエッチングして、径１μｍ
の柱状のコンタクト孔をあけた。ついで、ｐＨ９〜１０
のバッファードフッ酸に１分間浸して、純水でリンスし
た後、即座にベースプレッシャー１０-7Ｔｏｒｒ以下の
真空槽に導入し、Ａｌの蒸着を行った。
ｍ-3）したｎ−タイプＳｉ（１１１）基板表面に、熱酸
化によりＳｉＯ2膜を厚さ２００Ａ形成し、さらに、Ｃ
ＶＤ法によりＳｉＯ2膜を１μｍ堆積して、レジストパ
ターン形成後、ＨＦ水溶液でエッチングして、径１μｍ
の柱状のコンタクト孔をあけた。ついで、ｐＨ９〜１０
のバッファードフッ酸に１分間浸して、純水でリンスし
た後、即座にベースプレッシャー１０-7Ｔｏｒｒ以下の
真空槽に導入し、Ａｌの蒸着を行った。
【００２３】条件は、基板温度２００℃，成長速度３０
Ａ／ｓｅｃ，Ａｌ膜厚は、平坦部で１０００Ａとした。
さらにバイアススパッタ法により１μｍのＡｌを堆積し
てコンタクト孔を埋め込み、電気測定用の配線パターン
を形成した。また、基板の裏面エッチングを行い、共通
のオーミック電極をとれるようにした。
Ａ／ｓｅｃ，Ａｌ膜厚は、平坦部で１０００Ａとした。
さらにバイアススパッタ法により１μｍのＡｌを堆積し
てコンタクト孔を埋め込み、電気測定用の配線パターン
を形成した。また、基板の裏面エッチングを行い、共通
のオーミック電極をとれるようにした。
【００２４】このようにして作製したサンプルを、Ｎ2
／Ｈ2雰囲気中、５００℃の条件で、１時間の熱処理を
行い、コンタクトの電気特性を調べた。その結果、コン
タクトは、オーミック特性を示し、しかも、１００個の
コンタクトの平均の比抵抗値は、２×１０−７Ω・ｃｍ
2と極めて低い値が得られた。また、この条件で作製し
たＡｌ膜は、完全に基板方位に配向した膜ではなかっ
た。このことからＡｌ膜の体積条件が最適条件から若干
はずれ、理想的な単結晶膜ではない場合でも高い信頼性
を保持していることが確認できた。
／Ｈ2雰囲気中、５００℃の条件で、１時間の熱処理を
行い、コンタクトの電気特性を調べた。その結果、コン
タクトは、オーミック特性を示し、しかも、１００個の
コンタクトの平均の比抵抗値は、２×１０−７Ω・ｃｍ
2と極めて低い値が得られた。また、この条件で作製し
たＡｌ膜は、完全に基板方位に配向した膜ではなかっ
た。このことからＡｌ膜の体積条件が最適条件から若干
はずれ、理想的な単結晶膜ではない場合でも高い信頼性
を保持していることが確認できた。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高濃度ド
ープｎ−タイプＳｉ基板に対するオーミックコンタクト
の熱処理後の抵抗値を非常に低減することができ、従来
のＡｌコンタクトに比べてはるかに信頼性を向上できる
効果を有する。
ープｎ−タイプＳｉ基板に対するオーミックコンタクト
の熱処理後の抵抗値を非常に低減することができ、従来
のＡｌコンタクトに比べてはるかに信頼性を向上できる
効果を有する。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｓｉ（１１１）基板を用いたデバイスの
オーミックコンタクト構造であって、 Ｓｉ基板とコンタクト金属Ａｌの間に約１原子層の水素
が存在し、かつＡｌ層は、基板方位を引き継いで強く
（１１１）配向しているか、或いは完全に配向した単結
晶であることを特徴とするＡｌコンタクト構造。 - 【請求項２】 Ｓｉ（１１１）面をＨＦ系溶液中に浸し
て１原子層の水素原子で終端し、次いでベースプレッシ
ャー１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空中で、基板温度を２００
〜４００℃として、Ａｌを蒸着することを特徴とするＡ
ｌコンタクト構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038485A JPH05206054A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | Ａｌコンタクト構造およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038485A JPH05206054A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | Ａｌコンタクト構造およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206054A true JPH05206054A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12526566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4038485A Pending JPH05206054A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | Ａｌコンタクト構造およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206054A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4847699B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2011-12-28 | エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド | 電気接合における半導体のフェルミ準位をピン止め解除する方法および同接合を組み入れたデバイス |
| WO2012026428A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2019040975A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP4038485A patent/JPH05206054A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4847699B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2011-12-28 | エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド | 電気接合における半導体のフェルミ準位をピン止め解除する方法および同接合を組み入れたデバイス |
| WO2012026428A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2012049193A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2019040975A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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