JPH05206044A - 基板用熱処理装置 - Google Patents
基板用熱処理装置Info
- Publication number
- JPH05206044A JPH05206044A JP3720292A JP3720292A JPH05206044A JP H05206044 A JPH05206044 A JP H05206044A JP 3720292 A JP3720292 A JP 3720292A JP 3720292 A JP3720292 A JP 3720292A JP H05206044 A JPH05206044 A JP H05206044A
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- JP
- Japan
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- gas
- core tube
- furnace core
- substrate
- process gas
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炉芯管内周壁面への堆積を回避できるように
するとともに、そのための構成を有効利用して、プロセ
スガスを安価に予熱する。 【構成】 炉芯管１の周囲に基板を加熱するヒーターユ
ニット５を設けるとともに、炉芯管１の外表面全面とヒ
ーターユニット５との間に横断面形状環状のガス流路Ｒ
を形成し、そのガス流路Ｒに空気配管９を介して送気フ
ァン８を接続して冷却用ガスを供給し、更に、炉芯管１
にプロセスガスを供給するガス供給管１０に熱交換器１
１を設け、その熱交換器１１にガス流路Ｒを接続し、炉
芯管１に供給する前のプロセスガスをガス流路Ｒからの
排ガスによって予熱する。
するとともに、そのための構成を有効利用して、プロセ
スガスを安価に予熱する。 【構成】 炉芯管１の周囲に基板を加熱するヒーターユ
ニット５を設けるとともに、炉芯管１の外表面全面とヒ
ーターユニット５との間に横断面形状環状のガス流路Ｒ
を形成し、そのガス流路Ｒに空気配管９を介して送気フ
ァン８を接続して冷却用ガスを供給し、更に、炉芯管１
にプロセスガスを供給するガス供給管１０に熱交換器１
１を設け、その熱交換器１１にガス流路Ｒを接続し、炉
芯管１に供給する前のプロセスガスをガス流路Ｒからの
排ガスによって予熱する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板やセラミッ
クス基板といった各種の基板に対して、ＣＶＤ（化学気
相成長）などの各種の熱処理を行うために、内部にプロ
セスガスを導入するようにした炉芯管の周囲に基板を加
熱する加熱手段を設けた基板用熱処理装置に関する。
クス基板といった各種の基板に対して、ＣＶＤ（化学気
相成長）などの各種の熱処理を行うために、内部にプロ
セスガスを導入するようにした炉芯管の周囲に基板を加
熱する加熱手段を設けた基板用熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板用熱処理装置では、炉芯管内に導入
されるプロセスガスが基板と接触し、それに伴って高温
状態の基板が冷却され、基板において温度の不均一を生
じ、膜材料を均一に堆積できない問題があった。
されるプロセスガスが基板と接触し、それに伴って高温
状態の基板が冷却され、基板において温度の不均一を生
じ、膜材料を均一に堆積できない問題があった。
【０００３】この問題を解決する技術として、従来で
は、次のようなものがあった。 Ａ．第１従来例 図３は第１従来例の全体概略縦断面図であり、挿入する
基板ボート０１の長さよりも所定長さ長くした横型の炉
芯管０２の一端側にガス導入孔０３が、他端側に基板ボ
ート０１を挿入する開口０４がそれぞれ形成され、か
つ、炉芯管０２の周囲にヒーターユニット０５が設けら
れ、そして、炉芯管０２内に、開口０４側に偏らせて基
板ボート０１を設置し、ガス導入孔０３と基板ボート０
１の端部との間に空間を形成して炉芯管０２内に導入さ
れたプロセスガスを予熱し、基板ボート０１に保持され
た基板Ｗと接触するまでの間に、プロセスガスの温度を
高くできるように構成されている。
は、次のようなものがあった。 Ａ．第１従来例 図３は第１従来例の全体概略縦断面図であり、挿入する
基板ボート０１の長さよりも所定長さ長くした横型の炉
芯管０２の一端側にガス導入孔０３が、他端側に基板ボ
ート０１を挿入する開口０４がそれぞれ形成され、か
つ、炉芯管０２の周囲にヒーターユニット０５が設けら
れ、そして、炉芯管０２内に、開口０４側に偏らせて基
板ボート０１を設置し、ガス導入孔０３と基板ボート０
１の端部との間に空間を形成して炉芯管０２内に導入さ
れたプロセスガスを予熱し、基板ボート０１に保持され
た基板Ｗと接触するまでの間に、プロセスガスの温度を
高くできるように構成されている。
【０００４】Ｂ．第２従来例 図４は第２従来例の全体概略縦断面図であり、第１従来
例と異なるところは次の通りである。すなわち、横型の
炉芯管０２が短いもので構成され、ガス導入孔０３に供
給されるプロセスガスの供給管０６の途中箇所にヒータ
ー０７が介装され、炉芯管０２に供給されるプロセスガ
スをヒーター０７で予熱し、炉芯管０２内に高温のプロ
セスガスを導入するように構成されている。
例と異なるところは次の通りである。すなわち、横型の
炉芯管０２が短いもので構成され、ガス導入孔０３に供
給されるプロセスガスの供給管０６の途中箇所にヒータ
ー０７が介装され、炉芯管０２に供給されるプロセスガ
スをヒーター０７で予熱し、炉芯管０２内に高温のプロ
セスガスを導入するように構成されている。
【０００５】Ｃ．第３従来例 図５は第３従来例の全体概略縦断面図であり、第１従来
例と異なるところは次の通りである。すなわち、炉芯管
０２が縦型で、かつ、有底筒状の第１の管体０２ａと、
中空筒状の第２の管体０２ｂの二重管で構成され、第２
の管体０２ｂの開口０４とは反対側にガス導入孔０３が
形成されるとともに、第１の管体０２ａの内周面と第２
の管体０２ｂの外周面との間に環状のガス供給路Ｒ１が
形成され、その環状のガス供給路の下端側にプロセスガ
ス供給管０７が接続され、プロセスガスが環状のガス供
給路Ｒ１を流動する間に炉芯管０２から対流熱により予
熱されるように構成されている。
例と異なるところは次の通りである。すなわち、炉芯管
０２が縦型で、かつ、有底筒状の第１の管体０２ａと、
中空筒状の第２の管体０２ｂの二重管で構成され、第２
の管体０２ｂの開口０４とは反対側にガス導入孔０３が
形成されるとともに、第１の管体０２ａの内周面と第２
の管体０２ｂの外周面との間に環状のガス供給路Ｒ１が
形成され、その環状のガス供給路の下端側にプロセスガ
ス供給管０７が接続され、プロセスガスが環状のガス供
給路Ｒ１を流動する間に炉芯管０２から対流熱により予
熱されるように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１、
第２および第３の従来例のいずれの場合にも次のような
欠点があった。
第２および第３の従来例のいずれの場合にも次のような
欠点があった。
【０００７】ａ．第１従来例の欠点 炉芯管０２が長くて大型化し、基板用熱処理装置が高価
になって不経済である。
になって不経済である。
【０００８】ｂ．第２従来例の欠点 専用の別のヒーター０７が必要で、イニシャルコストお
よびランニングコストのいずれもが高価になって不経済
である。
よびランニングコストのいずれもが高価になって不経済
である。
【０００９】ｃ．第３従来例の欠点 二重管に構成するために炉芯管０２が高価になって不経
済であり、また、炉芯管０２全体の熱容量が増大し、炉
芯管０２の温度を高くしたり低下させたりするのに時間
がかかり、その影響を受けて基板Ｗの温度を高速で昇降
しづらい欠点があった。
済であり、また、炉芯管０２全体の熱容量が増大し、炉
芯管０２の温度を高くしたり低下させたりするのに時間
がかかり、その影響を受けて基板Ｗの温度を高速で昇降
しづらい欠点があった。
【００１０】また、ＣＶＤ（化学気相成長）などの熱処
理を行う場合に、炉芯管０２自体の温度が高く、そこに
シラン（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2 ）とを混合したプロセ
スガスを供給したときに、炉芯管０２の内周壁面に堆積
を生じる欠点があった。
理を行う場合に、炉芯管０２自体の温度が高く、そこに
シラン（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2 ）とを混合したプロセ
スガスを供給したときに、炉芯管０２の内周壁面に堆積
を生じる欠点があった。
【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、炉芯管内周壁面への堆積を回避できる
ようにするとともに、そのための構成を有効利用して、
プロセスガスを安価に予熱できるようにすることを目的
とする。
たものであって、炉芯管内周壁面への堆積を回避できる
ようにするとともに、そのための構成を有効利用して、
プロセスガスを安価に予熱できるようにすることを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の基板用熱処理装
置は、上述のような目的を達成するために、内部にプロ
セスガスを導入するようにした炉芯管の周囲に基板を加
熱する加熱手段を設けた基板用熱処理装置において、炉
芯管の外表面全面と加熱手段との間に形成された横断面
形状環状のガス流路に冷却用ガスを供給する冷却ガス供
給手段と、炉芯管に供給する前のプロセスガスを前記ガ
ス流路からの排ガスによって予熱する熱交換器とを備え
て構成する。
置は、上述のような目的を達成するために、内部にプロ
セスガスを導入するようにした炉芯管の周囲に基板を加
熱する加熱手段を設けた基板用熱処理装置において、炉
芯管の外表面全面と加熱手段との間に形成された横断面
形状環状のガス流路に冷却用ガスを供給する冷却ガス供
給手段と、炉芯管に供給する前のプロセスガスを前記ガ
ス流路からの排ガスによって予熱する熱交換器とを備え
て構成する。
【００１３】冷却用ガスとしては、空気とか、窒素（Ｎ
2 ）ガスなどの不活性ガスを使用することができる。
2 ）ガスなどの不活性ガスを使用することができる。
【００１４】
【作用】本発明の基板用熱処理装置の構成によれば、環
状のガス流路に冷却用ガスを供給して炉芯管自体を冷却
し、その冷却に伴って高温になった冷却用ガスの排ガス
を熱交換器に供給してプロセスガスを予熱し、高温状態
でプロセスガスを炉芯管内に導入することができる。
状のガス流路に冷却用ガスを供給して炉芯管自体を冷却
し、その冷却に伴って高温になった冷却用ガスの排ガス
を熱交換器に供給してプロセスガスを予熱し、高温状態
でプロセスガスを炉芯管内に導入することができる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】＜第１実施例＞図１は、基板用熱処理装置
の第１実施例の全体概略縦断面図であり、管軸芯方向が
水平方向を向くように赤外線透過性を有する石英材料に
よって形成された炉芯管１が設けられ、その炉芯管１の
管軸芯方向一端側に開口２が設けられ、この開口２を通
じて、多数の基板Ｗ…を保持した基板ボート３を挿脱で
きるように構成されている。
の第１実施例の全体概略縦断面図であり、管軸芯方向が
水平方向を向くように赤外線透過性を有する石英材料に
よって形成された炉芯管１が設けられ、その炉芯管１の
管軸芯方向一端側に開口２が設けられ、この開口２を通
じて、多数の基板Ｗ…を保持した基板ボート３を挿脱で
きるように構成されている。
【００１７】また、炉芯管１の管軸芯方向他端側にガス
導入孔４が設けられるとともに、図示しないパージガス
の供給手段とプロセスガス供給手段とが選択的に連通接
続可能に接続され、パージガスとしてのＮ2 ガスとかＡ
ｒガスやプロセスガスを供給するように構成されてい
る。
導入孔４が設けられるとともに、図示しないパージガス
の供給手段とプロセスガス供給手段とが選択的に連通接
続可能に接続され、パージガスとしてのＮ2 ガスとかＡ
ｒガスやプロセスガスを供給するように構成されてい
る。
【００１８】前記炉芯管１の周囲には、管軸芯方向に短
い第１のヒータ５ａと長い第２のヒータ５ｂと短い第３
のヒータ５ｃとから成る加熱手段としてのヒーターユニ
ット５が設けられている。
い第１のヒータ５ａと長い第２のヒータ５ｂと短い第３
のヒータ５ｃとから成る加熱手段としてのヒーターユニ
ット５が設けられている。
【００１９】炉芯管１の開口２の近くに、炉芯管１内に
連通するように排気管６が設けられ、基板Ｗ…を保持し
た基板ボート３を炉芯管１内に挿入するとともに、開口
２を炉口キャップ７で蓋した状態でプロセスガスをガス
導入孔４から流すときに、排気管６から排出していくよ
うに構成されている。排気管６には、図示しない排気手
段が連通接続されている。
連通するように排気管６が設けられ、基板Ｗ…を保持し
た基板ボート３を炉芯管１内に挿入するとともに、開口
２を炉口キャップ７で蓋した状態でプロセスガスをガス
導入孔４から流すときに、排気管６から排出していくよ
うに構成されている。排気管６には、図示しない排気手
段が連通接続されている。
【００２０】炉芯管１の外表面全面とヒーターユニット
５との間に横断面形状環状のガス流路Ｒが形成され、そ
のガス流路Ｒに、送気ファン８を介装した空気配管９が
接続され、冷却用ガスとしての空気を供給し、炉芯管１
を冷却してその内周壁面に堆積を生じることを抑制でき
るように構成されている。上述送気ファン８と空気配管
９とから成る構成をして冷却ガス供給手段と称する。ま
た、送気ファン８に代えて押込ファンを使用しても良
い。冷却ガス供給手段としては、窒素ガス（Ｎ2 ）ガス
などの不活性ガスのボンベと、それをガス流路Ｒに接続
するガス配管とから構成するものでも良い。
５との間に横断面形状環状のガス流路Ｒが形成され、そ
のガス流路Ｒに、送気ファン８を介装した空気配管９が
接続され、冷却用ガスとしての空気を供給し、炉芯管１
を冷却してその内周壁面に堆積を生じることを抑制でき
るように構成されている。上述送気ファン８と空気配管
９とから成る構成をして冷却ガス供給手段と称する。ま
た、送気ファン８に代えて押込ファンを使用しても良
い。冷却ガス供給手段としては、窒素ガス（Ｎ2 ）ガス
などの不活性ガスのボンベと、それをガス流路Ｒに接続
するガス配管とから構成するものでも良い。
【００２１】前記ガス導入孔４へのガス供給管１０に熱
交換器１１が介装されるとともに、ガス流路Ｒの排出側
に接続された排ガス配管１２が熱交換器１１に接続さ
れ、炉芯管１に供給する前のプロセスガスをガス流路Ｒ
からの排ガスを利用して予熱するように構成されてい
る。
交換器１１が介装されるとともに、ガス流路Ｒの排出側
に接続された排ガス配管１２が熱交換器１１に接続さ
れ、炉芯管１に供給する前のプロセスガスをガス流路Ｒ
からの排ガスを利用して予熱するように構成されてい
る。
【００２２】基板ボート３は、セラミック製のサポート
１３に支持され、サポート１３は支柱１４ａ…に断熱板
１４ｂ…を取り付けた断熱支持部材１５を設けて構成さ
れる。基板ボート３は長手方向に微小ピッチで基板挿入
溝（図示せず）を形成して構成され、基板Ｗの外縁所要
部を挿入して四点で保持できるようになっている。
１３に支持され、サポート１３は支柱１４ａ…に断熱板
１４ｂ…を取り付けた断熱支持部材１５を設けて構成さ
れる。基板ボート３は長手方向に微小ピッチで基板挿入
溝（図示せず）を形成して構成され、基板Ｗの外縁所要
部を挿入して四点で保持できるようになっている。
【００２３】図中１６は、サポート１３に対する支持部
を示し、この支持部１６を水平方向に駆動移動すること
によってサポート１３に保持された基板ボート３を炉芯
管１に挿脱するように構成されている。
を示し、この支持部１６を水平方向に駆動移動すること
によってサポート１３に保持された基板ボート３を炉芯
管１に挿脱するように構成されている。
【００２４】＜第２実施例＞図２は、基板用熱処理装置
の第２実施例の全体概略縦断面図であり、第１実施例と
異なるところは、次の通りである。
の第２実施例の全体概略縦断面図であり、第１実施例と
異なるところは、次の通りである。
【００２５】すなわち、基板用熱処理装置が縦型に構成
されるとともに、炉芯管１が上部側にガス導入孔４が形
成されない筒状体で構成され、その炉芯管１内に開口２
側から上部までガス導入管１７が延出して設けられてい
る。
されるとともに、炉芯管１が上部側にガス導入孔４が形
成されない筒状体で構成され、その炉芯管１内に開口２
側から上部までガス導入管１７が延出して設けられてい
る。
【００２６】炉芯管１の下側から上方部分が、ヒーター
ユニット５を取り付けたケーシング１８で覆われるとと
もに、そのケーシング１８の上部に、送気ファン１９が
空気配管２０を介して接続され、炉芯管１の外表面とヒ
ーターユニット５間に形成される環状のガス流路Ｒに空
気を供給し、炉芯管１の内周壁面を冷却できるように構
成されている。
ユニット５を取り付けたケーシング１８で覆われるとと
もに、そのケーシング１８の上部に、送気ファン１９が
空気配管２０を介して接続され、炉芯管１の外表面とヒ
ーターユニット５間に形成される環状のガス流路Ｒに空
気を供給し、炉芯管１の内周壁面を冷却できるように構
成されている。
【００２７】前記ガス導入管１７に接続されたガス供給
管２１に熱交換器２２が介装されるとともに、ガス流路
Ｒの排出側に接続された排ガス配管２３が熱交換器２２
に接続され、炉芯管１に供給する前のプロセスガスをガ
ス流路Ｒからの排ガスを利用して予熱するように構成さ
れている。
管２１に熱交換器２２が介装されるとともに、ガス流路
Ｒの排出側に接続された排ガス配管２３が熱交換器２２
に接続され、炉芯管１に供給する前のプロセスガスをガ
ス流路Ｒからの排ガスを利用して予熱するように構成さ
れている。
【００２８】また、基板ボート３が、石英製で透明の３
本の支柱２４…の長手方向両端側それぞれに石英製の板
体２５，２６を一体的に設けて構成されるとともに、支
柱２４…それぞれに、長手方向に微小ピッチで基板挿入
溝（図示せず）が形成され、基板Ｗの外縁所要部を挿入
して三点で保持できるように構成されている。下方の板
体２６側には、支柱２７…に断熱板２８…を取り付けた
断熱支持部材２９が設けられている。
本の支柱２４…の長手方向両端側それぞれに石英製の板
体２５，２６を一体的に設けて構成されるとともに、支
柱２４…それぞれに、長手方向に微小ピッチで基板挿入
溝（図示せず）が形成され、基板Ｗの外縁所要部を挿入
して三点で保持できるように構成されている。下方の板
体２６側には、支柱２７…に断熱板２８…を取り付けた
断熱支持部材２９が設けられている。
【００２９】図中３０は昇降支持アームを示し、この昇
降支持アーム３０を駆動昇降することによって炉口キャ
ップ７を保持し、その炉口キャップ７上に支持された断
熱支持部材２９と基板ボート３を昇降して炉芯管１に挿
脱するように構成されている。
降支持アーム３０を駆動昇降することによって炉口キャ
ップ７を保持し、その炉口キャップ７上に支持された断
熱支持部材２９と基板ボート３を昇降して炉芯管１に挿
脱するように構成されている。
【００３０】この第２実施例によれば、プロセスガスを
供給するガス導入管１７が、炉芯管１内で、その下方か
ら上部まで延出されているため、そのガス導入管１７を
通っている間にもプロセスガスを予熱でき、基板Ｗに対
する温度の不均一を一層良好に防止できる利点を有して
いる。
供給するガス導入管１７が、炉芯管１内で、その下方か
ら上部まで延出されているため、そのガス導入管１７を
通っている間にもプロセスガスを予熱でき、基板Ｗに対
する温度の不均一を一層良好に防止できる利点を有して
いる。
【００３１】上記第１および第２実施例それぞれにおい
て、ヒーターユニット５として、炉芯管１の材料である
石英に対する吸収係数の小さい短波長の赤外線ランプヒ
ーターなどを用いることにより、ヒーターユニット５の
加熱による炉芯管１の温度上昇を抑え、冷却用ガスの供
給により、炉芯管１を一層低温化し、炉芯管１の内周壁
面への堆積をより良好に防止できるようにしても良い。
て、ヒーターユニット５として、炉芯管１の材料である
石英に対する吸収係数の小さい短波長の赤外線ランプヒ
ーターなどを用いることにより、ヒーターユニット５の
加熱による炉芯管１の温度上昇を抑え、冷却用ガスの供
給により、炉芯管１を一層低温化し、炉芯管１の内周壁
面への堆積をより良好に防止できるようにしても良い。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板用熱
処理装置によれば、環状のガス流路に冷却用ガスを供給
して炉芯管自体を冷却するから、ＣＶＤ（化学気相成
長）などの熱処理を行う場合における炉芯管の内周壁面
への堆積を減少できる。
処理装置によれば、環状のガス流路に冷却用ガスを供給
して炉芯管自体を冷却するから、ＣＶＤ（化学気相成
長）などの熱処理を行う場合における炉芯管の内周壁面
への堆積を減少できる。
【００３３】また、熱交換器を設けるだけで、炉芯管の
冷却に伴って高温になった冷却用ガスの排ガスを利用し
てプロセスガスを予熱するから、特殊な形状や構成の炉
芯管とかヒーターを使用したりせずに済み、経済的であ
る。
冷却に伴って高温になった冷却用ガスの排ガスを利用し
てプロセスガスを予熱するから、特殊な形状や構成の炉
芯管とかヒーターを使用したりせずに済み、経済的であ
る。
【図１】本発明に係る基板用熱処理装置の第１実施例の
全体概略縦断面図である。
全体概略縦断面図である。
【図２】第２実施例の全体概略縦断面図である。
【図３】第１従来例の全体概略縦断面図である。
【図４】第２従来例の全体概略縦断面図である。
【図５】第３従来例の全体概略縦断面図である。
１…炉芯管 ２…開口 ５…加熱手段としてのヒーターユニット ８…冷却ガス供給手段を構成する送気ファン ９…冷却ガス供給手段を構成する空気配管 １１…熱交換器 １９…冷却ガス供給手段を構成する送気ファン ２０…冷却ガス供給手段を構成する空気配管 ２２…熱交換器 Ｒ…ガス流路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｄ 8617−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 内部にプロセスガスを導入するようにし
た炉芯管の周囲に基板を加熱する加熱手段を設けた基板
用熱処理装置において、 前記炉芯管の外表面全面と前記加熱手段との間に形成さ
れた横断面形状環状のガス流路に冷却用ガスを供給する
冷却ガス供給手段と、 前記炉芯管に供給する前のプロセスガスを前記ガス流路
からの排ガスによって予熱する熱交換器と、 を備えたことを特徴とする基板用熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3720292A JPH05206044A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 基板用熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3720292A JPH05206044A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 基板用熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206044A true JPH05206044A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12491002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3720292A Pending JPH05206044A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 基板用熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206044A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027759A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Seiko Epson Corp | 熱処理装置、減圧ｃｖｄ装置、および薄膜装置の製造方法 |
| JP2003051505A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP2006203243A (ja) * | 2006-03-24 | 2006-08-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP3720292A patent/JPH05206044A/ja active Pending
Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
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