JPH05205222A - 磁気ヘッド基板の加工終点検出方法 - Google Patents
磁気ヘッド基板の加工終点検出方法Info
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- JPH05205222A JPH05205222A JP1378992A JP1378992A JPH05205222A JP H05205222 A JPH05205222 A JP H05205222A JP 1378992 A JP1378992 A JP 1378992A JP 1378992 A JP1378992 A JP 1378992A JP H05205222 A JPH05205222 A JP H05205222A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は抵抗検出素子の膜厚にバラツキが生
じたり、加工時に測定部の温度が変化しても、正確に所
定の加工終点を検出することができる信頼性、量産性に
優れた磁気ヘッド基板の加工終点検出方法の提供を目的
とする。 【構成】 磁気ヘッド基板１と、前記磁気ヘッド基板１
上に形成され加工に伴って研削される金属薄膜よりなる
抵抗検出素子４を備え、前記抵抗検出素子４の抵抗値の
変化によって前記磁気ヘッド基板１の加工終点を検出す
る磁気ヘッド基板の加工終点検出方法であって、前記抵
抗検出素子４近傍の前記磁気ヘッド基板１上の加工され
ない部分に前記抵抗検出素子４と同時に形成され同一の
組成及び膜厚を有する標準抵抗素子９を備え、前記抵抗
検出素子４の前記標準抵抗素子９に対する前記抵抗検出
素子の相対抵抗値の変化によって前記磁気ヘッド基板１
の加工終点を検出する構成からなる。
じたり、加工時に測定部の温度が変化しても、正確に所
定の加工終点を検出することができる信頼性、量産性に
優れた磁気ヘッド基板の加工終点検出方法の提供を目的
とする。 【構成】 磁気ヘッド基板１と、前記磁気ヘッド基板１
上に形成され加工に伴って研削される金属薄膜よりなる
抵抗検出素子４を備え、前記抵抗検出素子４の抵抗値の
変化によって前記磁気ヘッド基板１の加工終点を検出す
る磁気ヘッド基板の加工終点検出方法であって、前記抵
抗検出素子４近傍の前記磁気ヘッド基板１上の加工され
ない部分に前記抵抗検出素子４と同時に形成され同一の
組成及び膜厚を有する標準抵抗素子９を備え、前記抵抗
検出素子４の前記標準抵抗素子９に対する前記抵抗検出
素子の相対抵抗値の変化によって前記磁気ヘッド基板１
の加工終点を検出する構成からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる磁気ヘッド基板の加工を行う際、加工終点を高
精度に検出する磁気ヘッド基板の加工終点検出方法に関
するものである。
いられる磁気ヘッド基板の加工を行う際、加工終点を高
精度に検出する磁気ヘッド基板の加工終点検出方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
て、その高速性及び大容量性から固定ディスク装置が利
用されるようになり、特にさらなる大容量化を行うため
に、磁気を高感度で検出し、その変化を自身の抵抗値変
化によって示す磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子と略す）
を用いた浮動型磁気ヘッド等の開発が強く望まれてい
る。しかし、ＭＲ素子を用いた浮動型磁気ヘッド等は極
めて高い加工精度が要求されるため、加工時における加
工終点を検出する方法が種々開発されている。
て、その高速性及び大容量性から固定ディスク装置が利
用されるようになり、特にさらなる大容量化を行うため
に、磁気を高感度で検出し、その変化を自身の抵抗値変
化によって示す磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子と略す）
を用いた浮動型磁気ヘッド等の開発が強く望まれてい
る。しかし、ＭＲ素子を用いた浮動型磁気ヘッド等は極
めて高い加工精度が要求されるため、加工時における加
工終点を検出する方法が種々開発されている。
【０００３】以下に従来の磁気ヘッド基板の加工終点検
出方法について説明する。図４は従来の磁気ヘッド基板
の加工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板の要部斜視
図である。
出方法について説明する。図４は従来の磁気ヘッド基板
の加工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板の要部斜視
図である。
【０００４】１はセラミックス等からなり浮動型磁気ヘ
ッドのスライダーとなる磁気ヘッド基板、２は磁気抵抗
効果を示すＮｉ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ等からなり磁気ヘッ
ド基板１上に形成され磁気ヘッド基板１が加工されるの
に伴って最適な素子幅へと研削され浮動型磁気ヘッドの
読み取り素子となるＭＲ素子、３はＡｕ又はＷ等の金属
等からなり磁気ヘッド基板１上に形成され磁気変化に対
するＭＲ素子２の抵抗値変化を電圧変化として出力させ
るための電流を流すＭＲ素子用リード端子、４はＭＲ素
子に用いる材料と同等の材料であるＮｉ−Ｆｅ，Ｃｏ−
Ｎｉ等からなり磁気ヘッド基板１上に形成され磁気ヘッ
ド基板１が加工されるのに伴って研削されその幅が減少
するために抵抗値が増大する抵抗検出素子、５はＡｕ又
はＷ等の金属等からなり抵抗検出素子４の抵抗値を測定
するための抵抗検出素子用リード端子、６は磁気ヘッド
基板１の加工前の端面、７はＭＲ素子２が最適な素子幅
となる磁気ヘッド基板１の加工終点位置、８は加工によ
って研削される磁気ヘッド基板１の加工部である。
ッドのスライダーとなる磁気ヘッド基板、２は磁気抵抗
効果を示すＮｉ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ等からなり磁気ヘッ
ド基板１上に形成され磁気ヘッド基板１が加工されるの
に伴って最適な素子幅へと研削され浮動型磁気ヘッドの
読み取り素子となるＭＲ素子、３はＡｕ又はＷ等の金属
等からなり磁気ヘッド基板１上に形成され磁気変化に対
するＭＲ素子２の抵抗値変化を電圧変化として出力させ
るための電流を流すＭＲ素子用リード端子、４はＭＲ素
子に用いる材料と同等の材料であるＮｉ−Ｆｅ，Ｃｏ−
Ｎｉ等からなり磁気ヘッド基板１上に形成され磁気ヘッ
ド基板１が加工されるのに伴って研削されその幅が減少
するために抵抗値が増大する抵抗検出素子、５はＡｕ又
はＷ等の金属等からなり抵抗検出素子４の抵抗値を測定
するための抵抗検出素子用リード端子、６は磁気ヘッド
基板１の加工前の端面、７はＭＲ素子２が最適な素子幅
となる磁気ヘッド基板１の加工終点位置、８は加工によ
って研削される磁気ヘッド基板１の加工部である。
【０００５】ＭＲ素子２，ＭＲ素子用リード端子３，抵
抗検出素子４，抵抗検出素子用リード端子５は、磁気ヘ
ッド基板１上に真空蒸着法やスパッタ法等によって金属
薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術を用いて
レジストを所要の形状に被覆し、化学的エッチング法又
はイオンエッチング法等の物理的エッチング法によって
不用な部分を除去することによって形成される。
抗検出素子４，抵抗検出素子用リード端子５は、磁気ヘ
ッド基板１上に真空蒸着法やスパッタ法等によって金属
薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術を用いて
レジストを所要の形状に被覆し、化学的エッチング法又
はイオンエッチング法等の物理的エッチング法によって
不用な部分を除去することによって形成される。
【０００６】以上のように構成された従来の磁気ヘッド
基板の加工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板につい
て、以下その加工方法を説明する。
基板の加工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板につい
て、以下その加工方法を説明する。
【０００７】図５は従来の磁気ヘッド基板の加工終点検
出方法によるＭＲ素子の幅と抵抗検出素子の抵抗値との
関係を示すグラフであり、図６はＭＲ素子の幅と再生出
力との関係を示すグラフである。
出方法によるＭＲ素子の幅と抵抗検出素子の抵抗値との
関係を示すグラフであり、図６はＭＲ素子の幅と再生出
力との関係を示すグラフである。
【０００８】ａは抵抗検出素子４の理想的な特性曲線、
ｂは抵抗検出素子４の実際の特性曲線の下限を示す曲
線、ｃは抵抗検出素子４の実際の特性曲線の上限を示す
曲線、ｄはＭＲ素子２の幅のバラツキの下限点、ｅはＭ
Ｒ素子２の幅のバラツキの上限点、ｆはＭＲ素子２の幅
と再生出力との関係を示す曲線、ｇはＭＲ素子２の再生
出力のバラツキの上限点、ｈはＭＲ素子２の再生出力の
バラツキの下限点である。
ｂは抵抗検出素子４の実際の特性曲線の下限を示す曲
線、ｃは抵抗検出素子４の実際の特性曲線の上限を示す
曲線、ｄはＭＲ素子２の幅のバラツキの下限点、ｅはＭ
Ｒ素子２の幅のバラツキの上限点、ｆはＭＲ素子２の幅
と再生出力との関係を示す曲線、ｇはＭＲ素子２の再生
出力のバラツキの上限点、ｈはＭＲ素子２の再生出力の
バラツキの下限点である。
【０００９】図４において、抵抗検出素子用リード端子
５を用いて抵抗検出素子４の抵抗値を測定しながら、ラ
ッピング装置等を用いた遊離砥粒による加工、あるいは
平面研削盤等を用いた固定砥粒による加工等により磁気
ヘッド基板１を加工前の端面６より加工し、加工部８を
研削する。これに伴って、ＭＲ素子２，抵抗検出素子４
の素子幅は減少し、抵抗検出素子４の断面積が減少する
ため、その抵抗値が増加する。抵抗検出素子４の抵抗値
が加工終点位置７に対応する値となった時点で加工を終
了させれば、ＭＲ素子２の素子幅は最適なものとなる。
５を用いて抵抗検出素子４の抵抗値を測定しながら、ラ
ッピング装置等を用いた遊離砥粒による加工、あるいは
平面研削盤等を用いた固定砥粒による加工等により磁気
ヘッド基板１を加工前の端面６より加工し、加工部８を
研削する。これに伴って、ＭＲ素子２，抵抗検出素子４
の素子幅は減少し、抵抗検出素子４の断面積が減少する
ため、その抵抗値が増加する。抵抗検出素子４の抵抗値
が加工終点位置７に対応する値となった時点で加工を終
了させれば、ＭＲ素子２の素子幅は最適なものとなる。
【００１０】ここで、ＭＲ素子４の最適素子幅は略１．
０（μｍ）である。素子幅がこれより小さい場合は素子
断面における電流密度が増加し素子の溶断までの安全率
が下がり耐久性が下がるために好ましくなく、これより
大きい場合はＭＲ素子の再生出力が減少するために好ま
しくない。
０（μｍ）である。素子幅がこれより小さい場合は素子
断面における電流密度が増加し素子の溶断までの安全率
が下がり耐久性が下がるために好ましくなく、これより
大きい場合はＭＲ素子の再生出力が減少するために好ま
しくない。
【００１１】図５より明らかなように、抵抗検出素子４
の特性が理想的な特性曲線ａに従う場合は、抵抗検出素
子４の抵抗値が７００（Ω）となった時点で加工を終了
させれば、ＭＲ素子２の素子幅を最適値１．０（μｍ）
にすることができる。
の特性が理想的な特性曲線ａに従う場合は、抵抗検出素
子４の抵抗値が７００（Ω）となった時点で加工を終了
させれば、ＭＲ素子２の素子幅を最適値１．０（μｍ）
にすることができる。
【００１２】しかし、抵抗検出素子４の抵抗値は、その
素子幅のみの関数ではなく、その膜厚や、測定部の温度
変化の影響を受ける。そのため、抵抗検出素子４形成時
にその膜厚にバラツキが生じたり、磁気ヘッド基板１加
工時に測定部の温度が変化した場合等に、抵抗検出素子
４の特性は理想的な特性曲線ａより外れる。その範囲を
示すものが実際の特性曲線の下限及び上限を示す曲線
ｂ，ｃである。この場合、抵抗検出素子４の抵抗値が７
００（Ω）のときに加工を終了しても、ＭＲ素子２の幅
は、ＭＲ素子２の幅のバラツキの下限点及び上限点ｄ，
ｅが示すように、０．８（μｍ）〜１．２（μｍ）の間
でバラついていた。
素子幅のみの関数ではなく、その膜厚や、測定部の温度
変化の影響を受ける。そのため、抵抗検出素子４形成時
にその膜厚にバラツキが生じたり、磁気ヘッド基板１加
工時に測定部の温度が変化した場合等に、抵抗検出素子
４の特性は理想的な特性曲線ａより外れる。その範囲を
示すものが実際の特性曲線の下限及び上限を示す曲線
ｂ，ｃである。この場合、抵抗検出素子４の抵抗値が７
００（Ω）のときに加工を終了しても、ＭＲ素子２の幅
は、ＭＲ素子２の幅のバラツキの下限点及び上限点ｄ，
ｅが示すように、０．８（μｍ）〜１．２（μｍ）の間
でバラついていた。
【００１３】図６より明らかなように、更にこの場合、
ＭＲ素子２の再生出力は、ＭＲ素子２の幅が狭くなると
急速に大きくなるため、バラツキが更に助長され、ＭＲ
素子２の再生出力のバラツキの上限点及び下限点ｇ，ｈ
が示すように、０．５（ｍＶｐ−ｐ）〜０．８５（ｍＶ
ｐ−ｐ）の間でバラついていた。
ＭＲ素子２の再生出力は、ＭＲ素子２の幅が狭くなると
急速に大きくなるため、バラツキが更に助長され、ＭＲ
素子２の再生出力のバラツキの上限点及び下限点ｇ，ｈ
が示すように、０．５（ｍＶｐ−ｐ）〜０．８５（ｍＶ
ｐ−ｐ）の間でバラついていた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、抵抗検出素子の抵抗値がその素子幅のみで
なく、抵抗検出素子の膜厚や測定部の湿度変化の影響を
受けるために、抵抗検出素子形成時にその膜厚にバラツ
キが生じたり、磁気ヘッド基板加工時に測定部の温度が
変化した場合等に、抵抗検出素子の特性が理想的なもの
から外れてしまい、加工終点の検出ができなくなり、Ｍ
Ｒ素子の素子幅にバラツキを生じるという問題点があっ
た。
の構成では、抵抗検出素子の抵抗値がその素子幅のみで
なく、抵抗検出素子の膜厚や測定部の湿度変化の影響を
受けるために、抵抗検出素子形成時にその膜厚にバラツ
キが生じたり、磁気ヘッド基板加工時に測定部の温度が
変化した場合等に、抵抗検出素子の特性が理想的なもの
から外れてしまい、加工終点の検出ができなくなり、Ｍ
Ｒ素子の素子幅にバラツキを生じるという問題点があっ
た。
【００１５】更に、この場合、ＭＲ素子の再生出力は、
ＭＲ素子幅が狭くなると急速に大きくなるため、バラツ
キが更に助長されてしまい、ＭＲ素子の再生出力が大き
な幅でバラついてしまうという問題点があった。
ＭＲ素子幅が狭くなると急速に大きくなるため、バラツ
キが更に助長されてしまい、ＭＲ素子の再生出力が大き
な幅でバラついてしまうという問題点があった。
【００１６】本発明は抵抗検出素子の膜厚にバラツキが
生じたり、加工時に測定部の温度が変化した場合でも、
正確に所定の加工終点を検出することができ、磁気抵抗
素子を最適幅に加工することのできる、製品歩留りの高
い信頼性、量産性に優れた磁気ヘッド基板の加工終点検
出方法を提供することを目的とする。
生じたり、加工時に測定部の温度が変化した場合でも、
正確に所定の加工終点を検出することができ、磁気抵抗
素子を最適幅に加工することのできる、製品歩留りの高
い信頼性、量産性に優れた磁気ヘッド基板の加工終点検
出方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッド基板
の加工終点検出方法は、磁気ヘッド基板と、前記磁気ヘ
ッド基板上に形成され加工に伴って研削される金属薄膜
よりなる抵抗検出素子を備え、前記抵抗検出素子の抵抗
値の変化によって前記磁気ヘッド基板の加工終点を検出
する磁気ヘッド基板の加工終点検出方法であって、前記
抵抗検出素子近傍の前記磁気ヘッド基板上の加工されな
い部分に前記抵抗検出素子と同時に形成され同一の組成
及び膜厚を有する標準抵抗素子を備え、前記抵抗検出素
子の前記標準抵抗素子に対する前記抵抗検出素子の相対
抵抗値の変化によって前記磁気ヘッド基板の加工終点を
検出する構成からなる。
の加工終点検出方法は、磁気ヘッド基板と、前記磁気ヘ
ッド基板上に形成され加工に伴って研削される金属薄膜
よりなる抵抗検出素子を備え、前記抵抗検出素子の抵抗
値の変化によって前記磁気ヘッド基板の加工終点を検出
する磁気ヘッド基板の加工終点検出方法であって、前記
抵抗検出素子近傍の前記磁気ヘッド基板上の加工されな
い部分に前記抵抗検出素子と同時に形成され同一の組成
及び膜厚を有する標準抵抗素子を備え、前記抵抗検出素
子の前記標準抵抗素子に対する前記抵抗検出素子の相対
抵抗値の変化によって前記磁気ヘッド基板の加工終点を
検出する構成からなる。
【００１８】
【作用】この構成によって、抵抗検出素子の膜厚にバラ
ツキが生じても、標準抵抗素子の膜厚が抵抗検出素子の
膜厚と全く同一に形成されており、抵抗検出素子が温度
変化の影響を受けても、標準抵抗素子がそれと全く同一
な影響を同時に受けるため、標準抵抗素子によってこれ
らに対する補正を行うことができ、極めて正確に所定の
加工終点を検出することができる。
ツキが生じても、標準抵抗素子の膜厚が抵抗検出素子の
膜厚と全く同一に形成されており、抵抗検出素子が温度
変化の影響を受けても、標準抵抗素子がそれと全く同一
な影響を同時に受けるため、標準抵抗素子によってこれ
らに対する補正を行うことができ、極めて正確に所定の
加工終点を検出することができる。
【００１９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００２０】図１は本発明の一実施例における磁気ヘッ
ド基板の加工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板の要
部斜視図である。
ド基板の加工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板の要
部斜視図である。
【００２１】１は磁気ヘッド基板、２はＭＲ素子、３は
ＭＲ素子用リード端子、４は抵抗検出素子、５は抵抗検
出用リード端子、６は加工前の端面、７は加工終点位
置、８は加工部であり、これらは従来例と同一なものな
ので同一の番号を付し説明を省略する。９は抵抗検出素
子４と同一の組成を有し抵抗検出素子４の近傍の磁気ヘ
ッド基板１上の加工されない部分にその膜厚を同一にす
るために抵抗検出素子４と同時に形成され抵抗検出素子
４の受ける受ける影響を補正するための標準抵抗素子、
１０はＭＲ素子に用いる材料と同等品例えばＮｉ−Ｆ
ｅ，Ｃｏ−Ｎｉ等からなり標準抵抗素子９の抵抗値を測
定するための標準抵抗素子用リード端子である。
ＭＲ素子用リード端子、４は抵抗検出素子、５は抵抗検
出用リード端子、６は加工前の端面、７は加工終点位
置、８は加工部であり、これらは従来例と同一なものな
ので同一の番号を付し説明を省略する。９は抵抗検出素
子４と同一の組成を有し抵抗検出素子４の近傍の磁気ヘ
ッド基板１上の加工されない部分にその膜厚を同一にす
るために抵抗検出素子４と同時に形成され抵抗検出素子
４の受ける受ける影響を補正するための標準抵抗素子、
１０はＭＲ素子に用いる材料と同等品例えばＮｉ−Ｆ
ｅ，Ｃｏ−Ｎｉ等からなり標準抵抗素子９の抵抗値を測
定するための標準抵抗素子用リード端子である。
【００２２】標準抵抗素子９及び標準抵抗素子用リード
端子１０は、ＭＲ素子２等と同様な方法で磁気ヘッド基
板１上に形成される。特に標準抵抗素子９はその膜厚を
同一にするために、抵抗検出素子４と同時に形成され
る。
端子１０は、ＭＲ素子２等と同様な方法で磁気ヘッド基
板１上に形成される。特に標準抵抗素子９はその膜厚を
同一にするために、抵抗検出素子４と同時に形成され
る。
【００２３】又、標準抵抗素子９を抵抗検出素子４から
離して形成すると、両者の受ける温度変化の影響に違い
が生じるために好ましくない。
離して形成すると、両者の受ける温度変化の影響に違い
が生じるために好ましくない。
【００２４】以上のように構成された本発明の一実施例
における磁気ヘッド基板の加工終点検出方法を用いた磁
気ヘッド基板について、以下その加工方法を説明する。
における磁気ヘッド基板の加工終点検出方法を用いた磁
気ヘッド基板について、以下その加工方法を説明する。
【００２５】図２は本実施例における加工検出方法によ
るＭＲ素子の幅と抵抗検出素子の標準抵抗に対する相対
抵抗値との関係を示すグラフであり、図３はＭＲ素子の
幅と再生出力との関係を示すグラフである。
るＭＲ素子の幅と抵抗検出素子の標準抵抗に対する相対
抵抗値との関係を示すグラフであり、図３はＭＲ素子の
幅と再生出力との関係を示すグラフである。
【００２６】ｉは抵抗検出素子４の標準抵抗素子９に対
する相対抵抗値による特性曲線、ｊは加工終点となる抵
抗値を示す点、ｋはＭＲ素子２の幅と再生出力との関係
を示す曲線、ｌは加工終点となる抵抗値を示す点ｊで加
工を終了した場合のＭＲ素子２の再生出力を示す点であ
る。
する相対抵抗値による特性曲線、ｊは加工終点となる抵
抗値を示す点、ｋはＭＲ素子２の幅と再生出力との関係
を示す曲線、ｌは加工終点となる抵抗値を示す点ｊで加
工を終了した場合のＭＲ素子２の再生出力を示す点であ
る。
【００２７】図１において、抵抗値素子用リード端子５
を用いて抵抗検出素子４の抵抗値を測定し、同時に標準
抵抗素子用リード端子１０を用いて標準抵抗素子４の抵
抗値を測定して、両者の比より抵抗検出素子４の標準抵
抗素子４に対する前記抵抗検出素子の相対抵抗値を算出
する。
を用いて抵抗検出素子４の抵抗値を測定し、同時に標準
抵抗素子用リード端子１０を用いて標準抵抗素子４の抵
抗値を測定して、両者の比より抵抗検出素子４の標準抵
抗素子４に対する前記抵抗検出素子の相対抵抗値を算出
する。
【００２８】この測定を行いながら、従来例と同様に磁
気ヘッド基板１を加工前の端面６より加工し、加工部８
を研削する。これに伴って、ＭＲ素子２，抵抗検出素子
４の素子幅が減少し、抵抗検出素子４の抵抗値が増加す
る。一方、標準抵抗素子９は磁気ヘッド基板１上の加工
されない部分に形成されているため、その抵抗値は加工
によっては変化しない。
気ヘッド基板１を加工前の端面６より加工し、加工部８
を研削する。これに伴って、ＭＲ素子２，抵抗検出素子
４の素子幅が減少し、抵抗検出素子４の抵抗値が増加す
る。一方、標準抵抗素子９は磁気ヘッド基板１上の加工
されない部分に形成されているため、その抵抗値は加工
によっては変化しない。
【００２９】又、加工中に測定部の温度が変化した場合
には、抵抗検出素子４と標準抵抗素子９の両者が、全く
同一の影響を受ける。
には、抵抗検出素子４と標準抵抗素子９の両者が、全く
同一の影響を受ける。
【００３０】抵抗検出素子４の標準抵抗素子９に対する
相対抵抗値が、加工終点位置７に対応する値となった時
点で加工を終了させる。抵抗検出素子４の標準抵抗素子
９に対する相対抵抗値を用いることにより、標準抵抗素
子９が抵抗検出素子４と同一の膜厚に形成され、温度変
化に対して同一の影響を受けるため、抵抗検出素子４形
成時の膜厚のバラツキや、加工時の測定部の温度変化に
よる影響を補正し、加工終点を正確に検出することがで
き、ＭＲ素子２の素子幅を最適なものとすることができ
る。
相対抵抗値が、加工終点位置７に対応する値となった時
点で加工を終了させる。抵抗検出素子４の標準抵抗素子
９に対する相対抵抗値を用いることにより、標準抵抗素
子９が抵抗検出素子４と同一の膜厚に形成され、温度変
化に対して同一の影響を受けるため、抵抗検出素子４形
成時の膜厚のバラツキや、加工時の測定部の温度変化に
よる影響を補正し、加工終点を正確に検出することがで
き、ＭＲ素子２の素子幅を最適なものとすることができ
る。
【００３１】図２より明らかなように、標準抵抗素子９
による補正を行うことにより、相対抵抗値による特性曲
線ｊは理想的な特性曲線と程同一なものとなる。そこで
相対抵抗値が７００（Ω）となる点ｊで加工を終了すれ
ば、ＭＲ素子２の素子幅は０．９５（μｍ）〜１．０５
（μｍ）となり、最適値１．０（μｍ）に極めて近い値
に加工することができる。
による補正を行うことにより、相対抵抗値による特性曲
線ｊは理想的な特性曲線と程同一なものとなる。そこで
相対抵抗値が７００（Ω）となる点ｊで加工を終了すれ
ば、ＭＲ素子２の素子幅は０．９５（μｍ）〜１．０５
（μｍ）となり、最適値１．０（μｍ）に極めて近い値
に加工することができる。
【００３２】又、図３より明らかなように、この時のＭ
Ｒ素子２の再生出力は、０．７４（ｍＶｐ−ｐ）〜０．
６６（ｍＶｐ−ｐ）となり、バラツキを極小に抑えるこ
とができる。
Ｒ素子２の再生出力は、０．７４（ｍＶｐ−ｐ）〜０．
６６（ｍＶｐ−ｐ）となり、バラツキを極小に抑えるこ
とができる。
【００３３】尚、本実施例では説明の都合上現時点での
最適値で説明したが、本発明の方法によればＭＲ素子の
種類に応じて任意の最適値を設定することができる。
最適値で説明したが、本発明の方法によればＭＲ素子の
種類に応じて任意の最適値を設定することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、抵抗検出
素子近傍の磁気ヘッド基板上の加工されない部分に標準
抵抗素子を抵抗検出素子と同時に形成することにより、
抵抗検出素子形成時の膜厚のバラツキ及び加工時の測定
部の温度変化による影響を補正し、極めて正確に所定の
加工終点を検出することができ、ＭＲ素子を最適幅に加
工することのできる製品歩留りの高い信頼性、量産性に
優れた磁気ヘッド基板の加工終点検出方法を実現できる
ものである。
素子近傍の磁気ヘッド基板上の加工されない部分に標準
抵抗素子を抵抗検出素子と同時に形成することにより、
抵抗検出素子形成時の膜厚のバラツキ及び加工時の測定
部の温度変化による影響を補正し、極めて正確に所定の
加工終点を検出することができ、ＭＲ素子を最適幅に加
工することのできる製品歩留りの高い信頼性、量産性に
優れた磁気ヘッド基板の加工終点検出方法を実現できる
ものである。
【図１】本発明の一実施例における磁気ヘッド基板の加
工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板の要部斜視図
工終点検出方法を用いた磁気ヘッド基板の要部斜視図
【図２】本発明の一実施例における磁気ヘッド基板の加
工終点検出方法によるＭＲ素子の幅と抵抗検出素子の標
準抵抗に対する相対抵抗値との関係を示すグラフ
工終点検出方法によるＭＲ素子の幅と抵抗検出素子の標
準抵抗に対する相対抵抗値との関係を示すグラフ
【図３】ＭＲ素子の幅と再生出力との関係を示すグラフ
【図４】従来の磁気ヘッド基板の加工終点検出方法を用
いた磁気ヘッド基板の要部斜視図
いた磁気ヘッド基板の要部斜視図
【図５】ＭＲ素子の幅と抵抗検出素子の抵抗値との関係
を示すグラフ
を示すグラフ
【図６】ＭＲ素子の幅と再生出力との関係を示すグラフ
１ 磁気ヘッド基板 ２ ＭＲ素子 ３ ＭＲ素子用リード端子 ４ 抵抗検出素子 ５ 抵抗検出素子用リード端子 ６ 加工前の端面 ７ 加工終点位置 ８ 加工部 ９ 標準抵抗素子 １０ 標準抵抗素子用リード端子
Claims (1)
- 【請求項１】磁気ヘッド基板と、前記磁気ヘッド基板上
に形成され加工に伴って研削される金属薄膜よりなる抵
抗検出素子を備え、前記抵抗検出素子の抵抗値の変化に
よって前記磁気ヘッド基板の加工終点を検出する磁気ヘ
ッド基板の加工終点検出方法であって、前記抵抗検出素
子近傍の前記磁気ヘッド基板上の加工されない部分に前
記抵抗検出素子と同時に形成され同一の組成及び膜厚を
有する標準抵抗素子を備え、前記抵抗検出素子の前記標
準抵抗素子に対する前記抵抗検出素子の相対抵抗値の変
化によって前記磁気ヘッド基板の加工終点を検出するこ
とを特徴とする磁気ヘッド基板の加工終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1378992A JPH05205222A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 磁気ヘッド基板の加工終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1378992A JPH05205222A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 磁気ヘッド基板の加工終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205222A true JPH05205222A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11843020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1378992A Pending JPH05205222A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 磁気ヘッド基板の加工終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205222A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7384327B2 (en) | 2004-04-27 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Method for grinding a bar of thin film magnetic elements utilizing a plurality of resistive films |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP1378992A patent/JPH05205222A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7384327B2 (en) | 2004-04-27 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Method for grinding a bar of thin film magnetic elements utilizing a plurality of resistive films |
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