JP2000276722A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2000276722A JP2000276722A JP11082335A JP8233599A JP2000276722A JP 2000276722 A JP2000276722 A JP 2000276722A JP 11082335 A JP11082335 A JP 11082335A JP 8233599 A JP8233599 A JP 8233599A JP 2000276722 A JP2000276722 A JP 2000276722A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドのデプス量の加工及び検査を
効率的に行うことができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供すること。 【解決手段】 複数のテストパターンＴＥＧの第２ＭＲ
素子２２は、薄膜磁気ヘッド１０における第１ＭＲ素子
３と同一の材料、同一の膜厚及び同一のトラック幅Ｔｗ
であって、それぞれのテストパターンＴＥＧによってハ
イトｈが異なるように形成される。そして、この複数の
テストパターンＴＥＧにそれぞれセンス電流Ｉが印加さ
れて、ハイトｈの異なる第２ＭＲ素子２２の抵抗値Ｒが
測定され、抵抗値Ｒとハイトｈとの相関関数が求められ
る。そして、薄膜磁気ヘッド１０のスライダ面を加工す
る際、もしくは加工した後、第１ＭＲ素子３にセンス電
流Ｉが印加され抵抗値Ｒが測定される。この抵抗値Ｒが
相関関数に代入されることで、薄膜磁気ヘッド１０のデ
プス量Ｄｐが求められる。
効率的に行うことができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供すること。 【解決手段】 複数のテストパターンＴＥＧの第２ＭＲ
素子２２は、薄膜磁気ヘッド１０における第１ＭＲ素子
３と同一の材料、同一の膜厚及び同一のトラック幅Ｔｗ
であって、それぞれのテストパターンＴＥＧによってハ
イトｈが異なるように形成される。そして、この複数の
テストパターンＴＥＧにそれぞれセンス電流Ｉが印加さ
れて、ハイトｈの異なる第２ＭＲ素子２２の抵抗値Ｒが
測定され、抵抗値Ｒとハイトｈとの相関関数が求められ
る。そして、薄膜磁気ヘッド１０のスライダ面を加工す
る際、もしくは加工した後、第１ＭＲ素子３にセンス電
流Ｉが印加され抵抗値Ｒが測定される。この抵抗値Ｒが
相関関数に代入されることで、薄膜磁気ヘッド１０のデ
プス量Ｄｐが求められる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造方法、特に、薄膜磁気ヘッドにおけるデプス量の測
定に関するものである。
製造方法、特に、薄膜磁気ヘッドにおけるデプス量の測
定に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
化大容量化が進んでいる中で、磁界によって抵抗率が変
化する磁気抵抗効果素子（以下「ＭＲ素子」という）を
有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下「ＭＲ薄膜
ヘッド」という）が用いられている。このＭＲ薄膜ヘッ
ドは、ＭＲ素子の抵抗変化を再生出力電圧として検出す
るものであって、その再生出力が媒体速度に依存せず、
媒体速度が低くても高再生出力が得られるという特徴を
有している。このため、小型ハードディスクにおいて大
容量化を実現する磁気ヘッドとして利用することができ
る。
化大容量化が進んでいる中で、磁界によって抵抗率が変
化する磁気抵抗効果素子（以下「ＭＲ素子」という）を
有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下「ＭＲ薄膜
ヘッド」という）が用いられている。このＭＲ薄膜ヘッ
ドは、ＭＲ素子の抵抗変化を再生出力電圧として検出す
るものであって、その再生出力が媒体速度に依存せず、
媒体速度が低くても高再生出力が得られるという特徴を
有している。このため、小型ハードディスクにおいて大
容量化を実現する磁気ヘッドとして利用することができ
る。
【０００３】ここで、ＭＲ薄膜ヘッド１０は、図７に示
すように、ウェハ製造工程とスライダ加工工程を経るこ
とにより製造される。まず、図７（Ａ）に示すように、
基板（ウェハ）１の上にフォトリソグラフィー技術等を
用いて下部磁性膜、ＭＲ素子、電極端子、上部磁性膜及
びコイル等が形成され、複数のＭＲ薄膜ヘッド１０が形
成される（ウェハ製造工程）。次に、この基板１に形成
された複数のＭＲ薄膜ヘッド１０がそれぞれ切断され、
図５（Ｂ）に示すように、磁気情報記録媒体と摺動する
面であるスライダ面（ＡＢＳ面：Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎ
ｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）が加工される（スライダ加工工
程）。このとき、ＭＲ薄膜ヘッド１０におけるデプス量
は、このスライダ加工工程によって調整されることとな
る。
すように、ウェハ製造工程とスライダ加工工程を経るこ
とにより製造される。まず、図７（Ａ）に示すように、
基板（ウェハ）１の上にフォトリソグラフィー技術等を
用いて下部磁性膜、ＭＲ素子、電極端子、上部磁性膜及
びコイル等が形成され、複数のＭＲ薄膜ヘッド１０が形
成される（ウェハ製造工程）。次に、この基板１に形成
された複数のＭＲ薄膜ヘッド１０がそれぞれ切断され、
図５（Ｂ）に示すように、磁気情報記録媒体と摺動する
面であるスライダ面（ＡＢＳ面：Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎ
ｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）が加工される（スライダ加工工
程）。このとき、ＭＲ薄膜ヘッド１０におけるデプス量
は、このスライダ加工工程によって調整されることとな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ＭＲ薄膜ヘッ
ド１０におけるデプス量は、重要なパラメータの１つで
ある。すなわち、デプス量が所定の長さにならないと、
ＭＲ薄膜ヘッドの再生出力やアシンメトリー等が変化し
てしまい、ＭＲ薄膜ヘッド１０の品質が低下してしまう
ことになる。従って、スライダ加工工程において、ヘッ
ド特性の品質を向上・維持するためには、目標とするデ
プス量からずれることがないよう加工を施す必要があ
る。
ド１０におけるデプス量は、重要なパラメータの１つで
ある。すなわち、デプス量が所定の長さにならないと、
ＭＲ薄膜ヘッドの再生出力やアシンメトリー等が変化し
てしまい、ＭＲ薄膜ヘッド１０の品質が低下してしまう
ことになる。従って、スライダ加工工程において、ヘッ
ド特性の品質を向上・維持するためには、目標とするデ
プス量からずれることがないよう加工を施す必要があ
る。
【０００５】従来のスライダ加工工程において、デプス
量の測定は、デプスセンサやＭＲ薄膜ヘッド１０の抵抗
値を測定し、その抵抗値に基づいて研磨する量を決定し
ている。具体的には、ＭＲ素子の抵抗値Ｒは、以下の式
（１）で与えられる。 Ｒ＝Ｔｗρ／ｈ＋Ｒ１ ・・・（１） ここで、ρはＭＲ素子の抵抗率、Ｒ１は電極端子の抵
抗、ＴｗはＭＲ素子のトラック幅を示している。従っ
て、式（１）に設定したＭＲ素子の抵抗率ρ、ＭＲ素子
のトラック幅Ｔｗ、電極端子の抵抗Ｒ１及び測定された
ＭＲ素子の抵抗値Ｒが代入されることで、デプス量が算
出される。そこで、スライダ加工する際に、ＭＲ素子に
センス電流Ｉを印加して抵抗値Ｒを測定しながら研磨す
ることで、所望のデプス量を得るようにしている。
量の測定は、デプスセンサやＭＲ薄膜ヘッド１０の抵抗
値を測定し、その抵抗値に基づいて研磨する量を決定し
ている。具体的には、ＭＲ素子の抵抗値Ｒは、以下の式
（１）で与えられる。 Ｒ＝Ｔｗρ／ｈ＋Ｒ１ ・・・（１） ここで、ρはＭＲ素子の抵抗率、Ｒ１は電極端子の抵
抗、ＴｗはＭＲ素子のトラック幅を示している。従っ
て、式（１）に設定したＭＲ素子の抵抗率ρ、ＭＲ素子
のトラック幅Ｔｗ、電極端子の抵抗Ｒ１及び測定された
ＭＲ素子の抵抗値Ｒが代入されることで、デプス量が算
出される。そこで、スライダ加工する際に、ＭＲ素子に
センス電流Ｉを印加して抵抗値Ｒを測定しながら研磨す
ることで、所望のデプス量を得るようにしている。
【０００６】しかし、ＭＲ薄膜ヘッド１０ごとの膜構成
やトラック幅Ｔｗ等のプロセス条件及びウェハ製造工程
におけるばらつき等を考慮すると、予め設計された薄膜
磁気ヘッドの寸法と、実際に基板に形成される薄膜磁気
ヘッドの寸法は異なるものである。このため、抵抗値Ｒ
が所定の値になった場合であっても、所望のデプス量Ｄ
ｐ（ハイトｈ）が得られないという問題がある。また上
述のように、抵抗値Ｒを測定しながらスライダ加工を行
った場合でも、所定のデプス量が得られない場合がある
ため、スライダ加工工程を経た磁気ヘッドは、光学的な
測定方法によりデプス量Ｄｐが測定される。しかし、光
学的に測定しようとすると、非常に手間がかかり効率的
にＭＲ薄膜ヘッド１０を製造できないという問題があ
る。
やトラック幅Ｔｗ等のプロセス条件及びウェハ製造工程
におけるばらつき等を考慮すると、予め設計された薄膜
磁気ヘッドの寸法と、実際に基板に形成される薄膜磁気
ヘッドの寸法は異なるものである。このため、抵抗値Ｒ
が所定の値になった場合であっても、所望のデプス量Ｄ
ｐ（ハイトｈ）が得られないという問題がある。また上
述のように、抵抗値Ｒを測定しながらスライダ加工を行
った場合でも、所定のデプス量が得られない場合がある
ため、スライダ加工工程を経た磁気ヘッドは、光学的な
測定方法によりデプス量Ｄｐが測定される。しかし、光
学的に測定しようとすると、非常に手間がかかり効率的
にＭＲ薄膜ヘッド１０を製造できないという問題があ
る。
【０００７】そこで本発明は上記課題を解消し、薄膜磁
気ヘッドのデプス量の加工及び検査を正確に行うことが
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的
としている。
気ヘッドのデプス量の加工及び検査を正確に行うことが
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明によれば、基板上に第１磁気抵抗効果素子を有する
薄膜磁気ヘッドを形成して、前記基板から前記薄膜磁気
ヘッドを切り出して、前記薄膜磁気ヘッドにおけるスラ
イダ面を加工して、所定のデプス量に加工する薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、前記薄膜磁気ヘッドを形成
するときに、前記基板上に前記第１磁気抵抗素子と同一
の材料、同一の膜厚及び同一のトラック幅であって、デ
プス方向の長さであるハイトがそれぞれ異なるように形
成された第２磁気抵抗効果素子を有する複数のテストパ
ターンを形成して、複数の前記テストパターンにおける
前記第２磁気抵抗効果素子にセンス電流を印加して、複
数の前記第２磁気抵抗効果素子の抵抗値をそれぞれ測定
し、前記ハイトと前記抵抗値の相関関数を求めておき、
前記スライダ面を加工するときに、もしくは前記スライ
ダ面を加工した後に、前記第１磁気抵抗効果素子にセン
ス電流を印加して、前記第１磁気抵抗効果素子の抵抗値
を求めて、前記第１磁気抵抗効果素子の抵抗値及び前記
相関関数により、前記第１磁気抵抗効果素子のハイトを
測定する薄膜磁気ヘッドの製造方法により、達成され
る。
発明によれば、基板上に第１磁気抵抗効果素子を有する
薄膜磁気ヘッドを形成して、前記基板から前記薄膜磁気
ヘッドを切り出して、前記薄膜磁気ヘッドにおけるスラ
イダ面を加工して、所定のデプス量に加工する薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、前記薄膜磁気ヘッドを形成
するときに、前記基板上に前記第１磁気抵抗素子と同一
の材料、同一の膜厚及び同一のトラック幅であって、デ
プス方向の長さであるハイトがそれぞれ異なるように形
成された第２磁気抵抗効果素子を有する複数のテストパ
ターンを形成して、複数の前記テストパターンにおける
前記第２磁気抵抗効果素子にセンス電流を印加して、複
数の前記第２磁気抵抗効果素子の抵抗値をそれぞれ測定
し、前記ハイトと前記抵抗値の相関関数を求めておき、
前記スライダ面を加工するときに、もしくは前記スライ
ダ面を加工した後に、前記第１磁気抵抗効果素子にセン
ス電流を印加して、前記第１磁気抵抗効果素子の抵抗値
を求めて、前記第１磁気抵抗効果素子の抵抗値及び前記
相関関数により、前記第１磁気抵抗効果素子のハイトを
測定する薄膜磁気ヘッドの製造方法により、達成され
る。
【０００９】請求項１の構成によれば、薄膜磁気ヘッド
が形成される同一基板上に複数のテストパターンが形成
される。複数のテストパターンは、薄膜磁気ヘッドにお
ける磁気抵抗効果素子と同一の材料、同一の膜厚及び同
一のトラック幅であって、それぞれのテストパターンに
よって、ハイトが異なるように形成される。そして、こ
の複数のテストパターンにそれぞれセンス電流が印加さ
れて、ハイトの異なる第２磁気抵抗効果素子の抵抗値が
測定され、この抵抗値とハイトとの相関関数が求められ
る。そして、薄膜磁気ヘッドのスライダ面を加工して、
所定のデプス量に調整する際、第１磁気抵抗効果素子に
センス電流が印加され、抵抗値が測定さる。このとき、
測定された抵抗値がテストパターンにより求められた相
関関数に代入されることで、薄膜磁気ヘッドのデプス量
が求められる。これにより、相関関数は理論上の計算式
ではなく、実際に形成された第２磁気抵抗効果素子から
導き出された数値に基づいて算出されたものである。従
って、抵抗値を測定することで、実際に形成されている
デプス量が測定されることとなる。
が形成される同一基板上に複数のテストパターンが形成
される。複数のテストパターンは、薄膜磁気ヘッドにお
ける磁気抵抗効果素子と同一の材料、同一の膜厚及び同
一のトラック幅であって、それぞれのテストパターンに
よって、ハイトが異なるように形成される。そして、こ
の複数のテストパターンにそれぞれセンス電流が印加さ
れて、ハイトの異なる第２磁気抵抗効果素子の抵抗値が
測定され、この抵抗値とハイトとの相関関数が求められ
る。そして、薄膜磁気ヘッドのスライダ面を加工して、
所定のデプス量に調整する際、第１磁気抵抗効果素子に
センス電流が印加され、抵抗値が測定さる。このとき、
測定された抵抗値がテストパターンにより求められた相
関関数に代入されることで、薄膜磁気ヘッドのデプス量
が求められる。これにより、相関関数は理論上の計算式
ではなく、実際に形成された第２磁気抵抗効果素子から
導き出された数値に基づいて算出されたものである。従
って、抵抗値を測定することで、実際に形成されている
デプス量が測定されることとなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。
【００１１】図１は、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法の好ましい実施の形態におけるウェハ製造工程での基
板の様子を示す平面図である。図１において、基板１の
上には複数のＭＲ薄膜ヘッド１０及び複数のテストパタ
ーンＴＥＧが形成されている。この複数のＭＲ薄膜ヘッ
ド１０及びテストパターンＴＥＧは、たとえばフォトリ
ソグラフィ技術により、基板１の上に所定の薄膜を積層
する事により形成される。
法の好ましい実施の形態におけるウェハ製造工程での基
板の様子を示す平面図である。図１において、基板１の
上には複数のＭＲ薄膜ヘッド１０及び複数のテストパタ
ーンＴＥＧが形成されている。この複数のＭＲ薄膜ヘッ
ド１０及びテストパターンＴＥＧは、たとえばフォトリ
ソグラフィ技術により、基板１の上に所定の薄膜を積層
する事により形成される。
【００１２】図２は、図１におけるＭＲ薄膜ヘッド１０
の概略斜視図であり、図２を参照してＭＲ薄膜ヘッド１
０について説明する。図２のＭＲ薄膜ヘッド１０は、基
板１、下部磁性膜（下部シールド膜）２、第１ＭＲ素子
３、電極端子４、上部磁性膜（上部シールド膜）５、コ
イル６等から構成されている。第１ＭＲ素子３は、磁気
情報記録媒体との摺動面に同一の方向が長手方向となる
ように形成されていて、電極端子４、４と電気的に接続
されている。そして、第１ＭＲ素子３には、磁気情報記
録媒体の摺動方向と同一の方向（矢印Ｙ方向）に電極端
子４、４からセンス電流Ｉが流れる。
の概略斜視図であり、図２を参照してＭＲ薄膜ヘッド１
０について説明する。図２のＭＲ薄膜ヘッド１０は、基
板１、下部磁性膜（下部シールド膜）２、第１ＭＲ素子
３、電極端子４、上部磁性膜（上部シールド膜）５、コ
イル６等から構成されている。第１ＭＲ素子３は、磁気
情報記録媒体との摺動面に同一の方向が長手方向となる
ように形成されていて、電極端子４、４と電気的に接続
されている。そして、第１ＭＲ素子３には、磁気情報記
録媒体の摺動方向と同一の方向（矢印Ｙ方向）に電極端
子４、４からセンス電流Ｉが流れる。
【００１３】次に、図３は図１において形成されるテス
トパターンＴＥＧの平面図であり、図３を参照してテス
トパターンＴＥＧについて説明する。図３（Ａ）のテス
トパターンＴＥＧは、下部磁性膜２１、第２ＭＲ素子２
２、電極端子２３、２３等を有している。基板１の上に
下部磁性膜２１が形成されて、下部磁性膜２１の上に第
２ＭＲ素子２２及び電極端子２３、２３が形成されてい
る。第２ＭＲ素子２２は、所定のトラック幅Ｔｗ及び所
定のハイトｈになるように形成される。ここで、ハイト
ｈとは、スライダ面に対する第２ＭＲ素子２２の長さを
意味する。そして、第２ＭＲ素子２２は、電極端子２
３、２３と電気的に接続されていて、第２ＭＲ素子２２
における長手方向（矢印Ｙ方向）にセンス電流Ｉが流れ
る。
トパターンＴＥＧの平面図であり、図３を参照してテス
トパターンＴＥＧについて説明する。図３（Ａ）のテス
トパターンＴＥＧは、下部磁性膜２１、第２ＭＲ素子２
２、電極端子２３、２３等を有している。基板１の上に
下部磁性膜２１が形成されて、下部磁性膜２１の上に第
２ＭＲ素子２２及び電極端子２３、２３が形成されてい
る。第２ＭＲ素子２２は、所定のトラック幅Ｔｗ及び所
定のハイトｈになるように形成される。ここで、ハイト
ｈとは、スライダ面に対する第２ＭＲ素子２２の長さを
意味する。そして、第２ＭＲ素子２２は、電極端子２
３、２３と電気的に接続されていて、第２ＭＲ素子２２
における長手方向（矢印Ｙ方向）にセンス電流Ｉが流れ
る。
【００１４】テストパターンＴＥＧにおける下部磁性膜
２１、第２ＭＲ素子２２及び電極端子２３は、図２のＭ
Ｒ薄膜ヘッド１０における下部磁性膜２、第１ＭＲ素子
３、電極端子４、４と同一の材料及びほぼ同一の膜厚で
形成されている。従って、テストパターンＴＥＧにおけ
る第２ＭＲ素子２２の抵抗率と、ＭＲ薄膜ヘッド１０に
おける第１ＭＲ素子３の抵抗率とは同一のものとなる。
また、図３（Ｂ）に示す第２ＭＲ素子２２のトラック幅
Ｔｗは図２のＭＲ薄膜ヘッド１０のトラック幅Ｔｗとほ
ぼ同一になるように形成されている。さらに、図３
（Ｂ）の第２ＭＲ素子２２のハイトｈは、図１の複数の
テストパターンＴＥＧによってそれぞれハイトｈが異な
るように形成されている。具体的には、図１の基板１に
は、ハイトｈがたとえば０．８μｍ、２．０μｍ、３．
０μｍ、４．０μｍになるような数種類のテストパター
ンＴＥＧが形成されている。
２１、第２ＭＲ素子２２及び電極端子２３は、図２のＭ
Ｒ薄膜ヘッド１０における下部磁性膜２、第１ＭＲ素子
３、電極端子４、４と同一の材料及びほぼ同一の膜厚で
形成されている。従って、テストパターンＴＥＧにおけ
る第２ＭＲ素子２２の抵抗率と、ＭＲ薄膜ヘッド１０に
おける第１ＭＲ素子３の抵抗率とは同一のものとなる。
また、図３（Ｂ）に示す第２ＭＲ素子２２のトラック幅
Ｔｗは図２のＭＲ薄膜ヘッド１０のトラック幅Ｔｗとほ
ぼ同一になるように形成されている。さらに、図３
（Ｂ）の第２ＭＲ素子２２のハイトｈは、図１の複数の
テストパターンＴＥＧによってそれぞれハイトｈが異な
るように形成されている。具体的には、図１の基板１に
は、ハイトｈがたとえば０．８μｍ、２．０μｍ、３．
０μｍ、４．０μｍになるような数種類のテストパター
ンＴＥＧが形成されている。
【００１５】図４は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
の好ましい実施の形態を示すフローチャート図であり、
図１乃至図４を参照して薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて説明する。まず、基板１の上に図２の複数のＭＲ薄
膜ヘッド１０と図３の複数のテストパターンＴＥＧとが
それぞれ形成される（ＳＴ１）。このとき、テストパタ
ーンＴＥＧのハイトｈがたとえば０．８μｍ、２．０μ
ｍ、３．０μｍ、４．０μｍになるような数種類のテス
トパターンＴＥＧが形成される。
の好ましい実施の形態を示すフローチャート図であり、
図１乃至図４を参照して薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて説明する。まず、基板１の上に図２の複数のＭＲ薄
膜ヘッド１０と図３の複数のテストパターンＴＥＧとが
それぞれ形成される（ＳＴ１）。このとき、テストパタ
ーンＴＥＧのハイトｈがたとえば０．８μｍ、２．０μ
ｍ、３．０μｍ、４．０μｍになるような数種類のテス
トパターンＴＥＧが形成される。
【００１６】次に、ハイトｈの異なる複数のテストパタ
ーンＴＥＧにセンス電流Ｉが印加され、第２ＭＲ素子２
２の抵抗値Ｒが測定される（ＳＴ２）。そして、その抵
抗値Ｒとハイトｈの相関関数Ｒ＝ｆ（１／ｈ）が求めら
れる（ＳＴ３）。具体的には、第２ＭＲ素子２２の抵抗
値Ｒは、以下の式（１）で示すことができる。 Ｒ＝Ｔｗρ／ｈ＋Ｒ１ ・・・（１） ここで、ρは第２ＭＲ素子２２の抵抗率、Ｒ１は電極端
子２３、２３の抵抗値、ＴｗはテストパターンＴＥＧの
トラック幅を示している。このとき、式（１）において
抵抗値Ｒとハイトｈの関係に着目すると、図５（Ａ）の
ように、抵抗値Ｒはハイトｈに反比例することがわか
る。逆に、図５（Ｂ）に示すように抵抗値Ｒはハイトｈ
の逆数（１／ｈ）に比例する（１次直線を描く）という
ことができる。
ーンＴＥＧにセンス電流Ｉが印加され、第２ＭＲ素子２
２の抵抗値Ｒが測定される（ＳＴ２）。そして、その抵
抗値Ｒとハイトｈの相関関数Ｒ＝ｆ（１／ｈ）が求めら
れる（ＳＴ３）。具体的には、第２ＭＲ素子２２の抵抗
値Ｒは、以下の式（１）で示すことができる。 Ｒ＝Ｔｗρ／ｈ＋Ｒ１ ・・・（１） ここで、ρは第２ＭＲ素子２２の抵抗率、Ｒ１は電極端
子２３、２３の抵抗値、ＴｗはテストパターンＴＥＧの
トラック幅を示している。このとき、式（１）において
抵抗値Ｒとハイトｈの関係に着目すると、図５（Ａ）の
ように、抵抗値Ｒはハイトｈに反比例することがわか
る。逆に、図５（Ｂ）に示すように抵抗値Ｒはハイトｈ
の逆数（１／ｈ）に比例する（１次直線を描く）という
ことができる。
【００１７】そこで、複数のテストパターンＴＥＧにお
ける設定されたハイトｈと、測定された抵抗値Ｒの相関
関数Ｒ＝ｆ（１／ｈ）は、図６に示すようなグラフ図に
なる。この相関関数Ｒ＝ｆ（１／ｈ）は、ウェハ製造工
程において発生する寸法のばらつき、ＭＲ薄膜ヘッド１
０の膜構成やトラック幅等のプロセス条件の違い等を含
まれた関数となる。すわなち、設計値を用いて理論上求
められる抵抗値Ｒとハイトｈの関係ではなく、実際に形
成されたＭＲ素子の抵抗値Ｒとハイトｈの関係が把握さ
れることとなる。これにより、ウェハ製造工程におい
て、トラック幅Ｔｗ、膜厚等が所定の値からばらつきが
生じた場合であっても、抵抗値Ｒとハイトｈの関係を正
確に求めることができる。さらに、ＭＲ薄膜ヘッド１０
の膜構成やトラック幅Ｔｗのプロセス条件の違いがある
場合でも、抵抗値Ｒとハイトｈの関係を正確に求めるこ
とができる。
ける設定されたハイトｈと、測定された抵抗値Ｒの相関
関数Ｒ＝ｆ（１／ｈ）は、図６に示すようなグラフ図に
なる。この相関関数Ｒ＝ｆ（１／ｈ）は、ウェハ製造工
程において発生する寸法のばらつき、ＭＲ薄膜ヘッド１
０の膜構成やトラック幅等のプロセス条件の違い等を含
まれた関数となる。すわなち、設計値を用いて理論上求
められる抵抗値Ｒとハイトｈの関係ではなく、実際に形
成されたＭＲ素子の抵抗値Ｒとハイトｈの関係が把握さ
れることとなる。これにより、ウェハ製造工程におい
て、トラック幅Ｔｗ、膜厚等が所定の値からばらつきが
生じた場合であっても、抵抗値Ｒとハイトｈの関係を正
確に求めることができる。さらに、ＭＲ薄膜ヘッド１０
の膜構成やトラック幅Ｔｗのプロセス条件の違いがある
場合でも、抵抗値Ｒとハイトｈの関係を正確に求めるこ
とができる。
【００１８】その後、基板１に作製された複数のＭＲ薄
膜ヘッド１０がそれぞれ切断されて（ＳＴ４）、ＭＲ薄
膜ヘッド１０のスライダ面が加工される（ＳＴ５）。こ
のスライダ加工工程において、ＭＲ薄膜ヘッド１０は、
第１ＭＲ素子３の抵抗値Ｒを測定しながら、デプス量が
所定の値になるように研磨される。具体的には、スライ
ダ加工後のハイトｈがたとえば０．８±０．１（μｍ）
になるように加工する場合、ハイトｈが０．７（μｍ）
≦ｈ≦０．９（μｍ）の範囲内に加工されればよい。従
って図６により、第１ＭＲ素子３の抵抗値Ｒの範囲が、
たとえば４３．６７（Ω）≦Ｒ≦５３．８９（Ω）にな
るまで、デプス量（ハイトｈ）を研磨すればよい。そし
て、抵抗値Ｒが所定の範囲内になるまで加工し、所望の
デプス量（ハイトｈ）を得ることができる。
膜ヘッド１０がそれぞれ切断されて（ＳＴ４）、ＭＲ薄
膜ヘッド１０のスライダ面が加工される（ＳＴ５）。こ
のスライダ加工工程において、ＭＲ薄膜ヘッド１０は、
第１ＭＲ素子３の抵抗値Ｒを測定しながら、デプス量が
所定の値になるように研磨される。具体的には、スライ
ダ加工後のハイトｈがたとえば０．８±０．１（μｍ）
になるように加工する場合、ハイトｈが０．７（μｍ）
≦ｈ≦０．９（μｍ）の範囲内に加工されればよい。従
って図６により、第１ＭＲ素子３の抵抗値Ｒの範囲が、
たとえば４３．６７（Ω）≦Ｒ≦５３．８９（Ω）にな
るまで、デプス量（ハイトｈ）を研磨すればよい。そし
て、抵抗値Ｒが所定の範囲内になるまで加工し、所望の
デプス量（ハイトｈ）を得ることができる。
【００１９】上記実施の形態によれば、実際に基板に形
成された第２ＭＲ素子２２の抵抗値Ｒとハイトｈから求
めた相関関数を用いて第１ＭＲ素子３の抵抗値Ｒを測定
するため、ウェハ製造工程で膜厚やトラック幅Ｔｗ等に
ばらつきが生じた場合であっても、測定された抵抗値Ｒ
から正確なハイトｈを得ることができる。特に、第１Ｍ
Ｒ素子３の構成や電極端子４、４の構造が変更された場
合であっても、煩わしい計算をせずに抵抗値Ｒさえ測定
すればハイトｈを容易に算出することができる。また、
スライダ加工後においても、従来、スライダ加工後のデ
プス量は光学的に測定されているが、相関関数Ｒ＝ｆ
（１／ｈ）を用いれば、抵抗値Ｒを測定するとハイトｈ
が容易に算出することができる。従って、ＭＲ薄膜ヘッ
ド１０の不良解析作業等の効率を向上させることができ
る。
成された第２ＭＲ素子２２の抵抗値Ｒとハイトｈから求
めた相関関数を用いて第１ＭＲ素子３の抵抗値Ｒを測定
するため、ウェハ製造工程で膜厚やトラック幅Ｔｗ等に
ばらつきが生じた場合であっても、測定された抵抗値Ｒ
から正確なハイトｈを得ることができる。特に、第１Ｍ
Ｒ素子３の構成や電極端子４、４の構造が変更された場
合であっても、煩わしい計算をせずに抵抗値Ｒさえ測定
すればハイトｈを容易に算出することができる。また、
スライダ加工後においても、従来、スライダ加工後のデ
プス量は光学的に測定されているが、相関関数Ｒ＝ｆ
（１／ｈ）を用いれば、抵抗値Ｒを測定するとハイトｈ
が容易に算出することができる。従って、ＭＲ薄膜ヘッ
ド１０の不良解析作業等の効率を向上させることができ
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
精度良く所望のデプス量に加工する事ができるととも
に、スライダ加工後の薄膜磁気ヘッドのデプス量を容易
に把握することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することができる。
精度良く所望のデプス量に加工する事ができるととも
に、スライダ加工後の薄膜磁気ヘッドのデプス量を容易
に把握することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することができる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるウ
ェハ工程での基板の様子を示す平面図。
ェハ工程での基板の様子を示す平面図。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において作
製される薄膜磁気ヘッドを示す概略斜視図。
製される薄膜磁気ヘッドを示す概略斜視図。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において作
製されるテストパターンを示す平面図。
製されるテストパターンを示す平面図。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の好ましい
実施の形態を示すフローチャート図。
実施の形態を示すフローチャート図。
【図５】一般的なＭＲ素子の抵抗値とハイトの関係を示
すグラフ図。
すグラフ図。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるテ
ストパターンの抵抗値とハイトの相関関数を示すグラフ
図。
ストパターンの抵抗値とハイトの相関関数を示すグラフ
図。
【図７】一般的な薄膜磁気ヘッドの製造工程の一例を示
す工程図。
す工程図。
１・・・基板、２、２１・・・下部磁性膜、３、・・・
第１ＭＲ素子（第１磁気抵抗効果素子）、４、２３・・
・電極端子、５・・・上部磁性膜、１０・・・ＭＲ薄膜
ヘッド（薄膜磁気ヘッド）、２２・・・第２ＭＲ素子
（第２磁気抵抗効果素子）、ＴＥＧ・・・テストパター
ン、Ｒ・・・抵抗値、ｈ・・・ハイト、Ｔｗ・・・トラ
ック幅。
第１ＭＲ素子（第１磁気抵抗効果素子）、４、２３・・
・電極端子、５・・・上部磁性膜、１０・・・ＭＲ薄膜
ヘッド（薄膜磁気ヘッド）、２２・・・第２ＭＲ素子
（第２磁気抵抗効果素子）、ＴＥＧ・・・テストパター
ン、Ｒ・・・抵抗値、ｈ・・・ハイト、Ｔｗ・・・トラ
ック幅。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に第１磁気抵抗効果素子を有する
薄膜磁気ヘッドを形成して、前記基板から前記薄膜磁気
ヘッドを切り出して、前記薄膜磁気ヘッドにおけるスラ
イダ面を加工して、所定のデプス量に加工する薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、 前記薄膜磁気ヘッドを形成するときに、前記基板上に前
記第１磁気抵抗素子と同一の材料、同一の膜厚及び同一
のトラック幅であって、デプス方向の長さであるハイト
がそれぞれ異なるように形成された第２磁気抵抗効果素
子を有する複数のテストパターンを形成し、 複数の前記テストパターンにおける前記第２磁気抵抗効
果素子にセンス電流を印加して、複数の前記第２磁気抵
抗効果素子の抵抗値をそれぞれ測定し、前記ハイトと前
記抵抗値の相関関数を求めておき、 前記スライダ面を加工するときに、もしくは前記スライ
ダ面を加工した後に、前記第１磁気抵抗効果素子にセン
ス電流を印加して、前記第１磁気抵抗効果素子の抵抗値
を求めて、前記第１磁気抵抗効果素子の抵抗値及び前記
相関関数により、前記第１磁気抵抗効果素子のハイトを
測定することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082335A JP2000276722A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082335A JP2000276722A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276722A true JP2000276722A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13771703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11082335A Pending JP2000276722A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000276722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7564235B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-07-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Determination of magnetic read head properties |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11082335A patent/JP2000276722A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7564235B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-07-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Determination of magnetic read head properties |
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