JPH05198943A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05198943A JPH05198943A JP4029096A JP2909692A JPH05198943A JP H05198943 A JPH05198943 A JP H05198943A JP 4029096 A JP4029096 A JP 4029096A JP 2909692 A JP2909692 A JP 2909692A JP H05198943 A JPH05198943 A JP H05198943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- circuit board
- resin
- common electrode
- thermoplastic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、密着性が良好でコストダウンの可
能な回路基板の製造方法を提供する。 【構成】 導電性熱可塑性樹脂を用いてゲート近傍を共
通電極部4dとした一次側回路成形品4を成形し、前記
一次側回路成形品4を二次側絶縁部の成形金型6,7に
挿入し熱膨張係数のほぼ等しい熱可塑性樹脂を用いて絶
縁部8を成形して、導電体回路と絶縁部が一体となった
回路基板10aを得る。前記回路基板10aの共通電極
部4dを電極として用い回路パターン4a,4bにメッ
キ層9を形成した後、前記回路基板10bの共通電極部
4dを除去することによって、それぞれが独立した複数
の導電体回路が一体化する。 【効果】 複数の導電体回路が絶縁部と強固に密着し一
体化した回路基板がえられる。また、加工が容易となり
量産性とコストダウンが計れる。
能な回路基板の製造方法を提供する。 【構成】 導電性熱可塑性樹脂を用いてゲート近傍を共
通電極部4dとした一次側回路成形品4を成形し、前記
一次側回路成形品4を二次側絶縁部の成形金型6,7に
挿入し熱膨張係数のほぼ等しい熱可塑性樹脂を用いて絶
縁部8を成形して、導電体回路と絶縁部が一体となった
回路基板10aを得る。前記回路基板10aの共通電極
部4dを電極として用い回路パターン4a,4bにメッ
キ層9を形成した後、前記回路基板10bの共通電極部
4dを除去することによって、それぞれが独立した複数
の導電体回路が一体化する。 【効果】 複数の導電体回路が絶縁部と強固に密着し一
体化した回路基板がえられる。また、加工が容易となり
量産性とコストダウンが計れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複合成形回路基板の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の複合成形回路基板の製造方法で
は、基板の上下面にメッキにより形成された回路パター
ン間にスルーホールを設けて、このスルーホールの内周
面のメッキ処理によって上下面が導通した導電体回路を
形成している。
は、基板の上下面にメッキにより形成された回路パター
ン間にスルーホールを設けて、このスルーホールの内周
面のメッキ処理によって上下面が導通した導電体回路を
形成している。
【0003】また、特開平3−104614号公報に記
載された複合成形回路基板の製造方法においては、回路
形成用の凹部および穴部を有する絶縁性一次側成形品を
絶縁性樹脂を用いて形成した後に、前記凹部および穴部
に導電性樹脂を用いて二次成形をすることによって、基
板の上下面に形成された回路パターンの必要部分が導通
する複合成形回路基板の製造方法が開示されている。
載された複合成形回路基板の製造方法においては、回路
形成用の凹部および穴部を有する絶縁性一次側成形品を
絶縁性樹脂を用いて形成した後に、前記凹部および穴部
に導電性樹脂を用いて二次成形をすることによって、基
板の上下面に形成された回路パターンの必要部分が導通
する複合成形回路基板の製造方法が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の複合成形回路基
板の製造方法では、基板上下面の回路パターンはメッキ
処理によりメッキ層を形成している。基板とメッキ層と
は熱膨張係数が異なり温度変化による界面のズレが発生
する。そのため、回路パターン(メッキ層)が剥離し易
くなり信頼性の低下が著しく、品質上の問題となってい
た。また、基板上面の回路パターンと下面の回路パター
ンを導通し導電体回路とする為にスルーホールを形成
し、さらにその内周面にはメッキ処理を必要とするなど
加工工程もながくなりコストアップの要因となってい
た。
板の製造方法では、基板上下面の回路パターンはメッキ
処理によりメッキ層を形成している。基板とメッキ層と
は熱膨張係数が異なり温度変化による界面のズレが発生
する。そのため、回路パターン(メッキ層)が剥離し易
くなり信頼性の低下が著しく、品質上の問題となってい
た。また、基板上面の回路パターンと下面の回路パター
ンを導通し導電体回路とする為にスルーホールを形成
し、さらにその内周面にはメッキ処理を必要とするなど
加工工程もながくなりコストアップの要因となってい
た。
【0005】また、特開平3−104614号公報に記
載の複合成形回路基板の製造方法においては、一次側成
形品に形成された絶縁部の凹部および穴部に、導電性樹
脂を用いた二次成形をすることによって導電体回路を形
成している。二次成形された導電体回路部は、導電性樹
脂の成形収縮によって絶縁部と導電体回路部の界面が剥
離し易くなり、密着性が問題となっている。
載の複合成形回路基板の製造方法においては、一次側成
形品に形成された絶縁部の凹部および穴部に、導電性樹
脂を用いた二次成形をすることによって導電体回路を形
成している。二次成形された導電体回路部は、導電性樹
脂の成形収縮によって絶縁部と導電体回路部の界面が剥
離し易くなり、密着性が問題となっている。
【0006】本発明は、前記問題点を解消し、加工工程
も少なくコストダウンが可能であるとともに、絶縁部と
導電体回路部の密着性の良好な回路基板の製造方法を提
供することを目的としている。
も少なくコストダウンが可能であるとともに、絶縁部と
導電体回路部の密着性の良好な回路基板の製造方法を提
供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明による回路基板の製造方法は、一次側回路成形
品を導電性熱可塑性樹脂により成形する工程と、この一
次側回路成形品の上面および下面が二次側絶縁部の成形
金型の固定側(上型)の表面と可動側(下型)の表面に
圧接状態に保持して二次側絶縁部を絶縁性樹脂で射出成
形することにより、上面と下面が導通した導電体回路を
形成する工程と、前記導電体回路の上面と下面に露出し
た導電性熱可塑性樹脂部にメッキ処理を施し回路パター
ンを形成したのち、前記回路パターンの共通電極部を除
去してそれぞれ独立した複数の導電体回路とすることを
特徴としている。
の本発明による回路基板の製造方法は、一次側回路成形
品を導電性熱可塑性樹脂により成形する工程と、この一
次側回路成形品の上面および下面が二次側絶縁部の成形
金型の固定側(上型)の表面と可動側(下型)の表面に
圧接状態に保持して二次側絶縁部を絶縁性樹脂で射出成
形することにより、上面と下面が導通した導電体回路を
形成する工程と、前記導電体回路の上面と下面に露出し
た導電性熱可塑性樹脂部にメッキ処理を施し回路パター
ンを形成したのち、前記回路パターンの共通電極部を除
去してそれぞれ独立した複数の導電体回路とすることを
特徴としている。
【0008】また、一次側回路形成品の導電性熱可塑性
樹脂と、二次側絶縁部の絶縁性熱可塑性樹脂の熱膨張係
数がほぼ等しいことを特徴としている。
樹脂と、二次側絶縁部の絶縁性熱可塑性樹脂の熱膨張係
数がほぼ等しいことを特徴としている。
【0009】
【作用】この回路基板の製造方法は、熱膨張係数がほぼ
等しい導電性熱可塑性樹脂と絶縁性熱可塑性樹脂の二色
成形方法によるものである。導電性熱可塑性樹脂によっ
て成形された一次側回路成形品を、金型内に圧接状態に
保持して二次側絶縁部を絶縁性樹脂で射出成形するた
め、二次側絶縁部の成形収縮によって絶縁部と導電体回
路部の界面は強固に密着する。
等しい導電性熱可塑性樹脂と絶縁性熱可塑性樹脂の二色
成形方法によるものである。導電性熱可塑性樹脂によっ
て成形された一次側回路成形品を、金型内に圧接状態に
保持して二次側絶縁部を絶縁性樹脂で射出成形するた
め、二次側絶縁部の成形収縮によって絶縁部と導電体回
路部の界面は強固に密着する。
【0010】また、一次側回路形成品の導電性熱可塑性
樹脂と、二次側絶縁部の絶縁性熱可塑性樹脂の熱膨張係
数はほぼ等しいので、温度変化に対しての安定性が向上
し、品質良好な信頼度の高い回路基板が得られる。
樹脂と、二次側絶縁部の絶縁性熱可塑性樹脂の熱膨張係
数はほぼ等しいので、温度変化に対しての安定性が向上
し、品質良好な信頼度の高い回路基板が得られる。
【0011】
【実施例】以下図面により本発明の実施例を詳述する。
図1は、本発明の回路基板の製造工程を示す第一実施例
である。一次側回路成形工程では、図1(a)の如く導
電性熱可塑性樹脂であるポリフェニレンサルファイド
(以下PPSと略記)を用いて、共通電極部4dより充
填し上面パターン4a、下面パターン4b、及び上面パ
ターン4aと下面パターン4bとの導通をとる柱形状4
cを形成し、一次側回路形成品4が完了する。次に二次
側絶縁部の成形工程に移行する。
図1は、本発明の回路基板の製造工程を示す第一実施例
である。一次側回路成形工程では、図1(a)の如く導
電性熱可塑性樹脂であるポリフェニレンサルファイド
(以下PPSと略記)を用いて、共通電極部4dより充
填し上面パターン4a、下面パターン4b、及び上面パ
ターン4aと下面パターン4bとの導通をとる柱形状4
cを形成し、一次側回路形成品4が完了する。次に二次
側絶縁部の成形工程に移行する。
【0012】二次側絶縁部の成形工程について図1
(b)で説明する。まず一次側回路形成品4の共通電極
部4dを、二次側絶縁部8の成形型5の下型(可動側)
7中央の穴7bに挿入し位置決めしたのち型締めする。
上面パターン4aと下面パターン4bを上型(固定側)
6の表面6aと下型(可動側)7の表面7aに圧接状態
に保持した後、キャビティー5aにゲート部7cより絶
縁性の熱可塑性樹脂であるPPSを充填する。
(b)で説明する。まず一次側回路形成品4の共通電極
部4dを、二次側絶縁部8の成形型5の下型(可動側)
7中央の穴7bに挿入し位置決めしたのち型締めする。
上面パターン4aと下面パターン4bを上型(固定側)
6の表面6aと下型(可動側)7の表面7aに圧接状態
に保持した後、キャビティー5aにゲート部7cより絶
縁性の熱可塑性樹脂であるPPSを充填する。
【0013】これで図1(c)に示す如く、一次側回路
形成品4と二次側絶縁部8が一体になった回路基板10
aが成形され、上面パターン4aと下面パターン4bと
の導通をとる柱形状4c も一体となった導電体回路の
成形が完了する。
形成品4と二次側絶縁部8が一体になった回路基板10
aが成形され、上面パターン4aと下面パターン4bと
の導通をとる柱形状4c も一体となった導電体回路の
成形が完了する。
【0014】二次側絶縁部8の成形工程終了後、図1
(d)に示す如く一次側回路形成品4の共通電極部4d
をメッキ処理時の電極として用い、回路基板10aの上
面パターン4aと下面パターン4bにメッキを施して、
上面パターン4aと下面パターン4bにメッキ層9を形
成する。これで全てのパターンが導通し、導電体回路の
表面にメッキ層9が形成された回路基板10bが得られ
る。
(d)に示す如く一次側回路形成品4の共通電極部4d
をメッキ処理時の電極として用い、回路基板10aの上
面パターン4aと下面パターン4bにメッキを施して、
上面パターン4aと下面パターン4bにメッキ層9を形
成する。これで全てのパターンが導通し、導電体回路の
表面にメッキ層9が形成された回路基板10bが得られ
る。
【0015】回路基板10bは、共通電極部4dにより
全てのパターンが導通し一体となった導電体回路を形成
しているため、二次加工としてパターンカット部11に
よって、共通電極部4dを除去し、それぞれ独立した複
数の導電体回路を形成する。その結果として、図1
(e)に示すように、上面パターン4aと下面パターン
4bにメッキ層9が形成され、必要部の上面と下面パタ
ーンが導通しそれぞれ独立した複数の導電体回路を一体
化した回路基板10cが得られる。
全てのパターンが導通し一体となった導電体回路を形成
しているため、二次加工としてパターンカット部11に
よって、共通電極部4dを除去し、それぞれ独立した複
数の導電体回路を形成する。その結果として、図1
(e)に示すように、上面パターン4aと下面パターン
4bにメッキ層9が形成され、必要部の上面と下面パタ
ーンが導通しそれぞれ独立した複数の導電体回路を一体
化した回路基板10cが得られる。
【0016】本発明を用いて製造した回路基板12に部
品14を搭載した後、前記回路基板12の中央部近傍に
IC15を接着し、必要部分を金線により導通し複合回
路を構成した例が図2の平面図である。
品14を搭載した後、前記回路基板12の中央部近傍に
IC15を接着し、必要部分を金線により導通し複合回
路を構成した例が図2の平面図である。
【0017】また、図3は他の応用例を示し、図3
(a)は本発明による回路基板16の中央部分に接着剤
18cによりIC18を接着固定した後、上面パターン
17とIC18のアルミ電極部とを、金線18aによっ
て導通した状態の複合回路の平面図を示している。図3
(b)には、図3(a)で完成した複合回路の下面パタ
ーン21とベース基板20を導電性接着剤22で一体化
した要部の断面図を表しており、IC18の上部はエポ
キシやシリコン等の封止樹脂19が充填されている。
(a)は本発明による回路基板16の中央部分に接着剤
18cによりIC18を接着固定した後、上面パターン
17とIC18のアルミ電極部とを、金線18aによっ
て導通した状態の複合回路の平面図を示している。図3
(b)には、図3(a)で完成した複合回路の下面パタ
ーン21とベース基板20を導電性接着剤22で一体化
した要部の断面図を表しており、IC18の上部はエポ
キシやシリコン等の封止樹脂19が充填されている。
【0018】図4は、本発明による回路基板の製造工程
における第二実施例を示している。一次側回路成形工程
では、第一実施例と同様に導電性の熱可塑性樹脂で成形
するが、メッキ処理後にパターンカットを行う共通電極
部の形状は、図4(a)の様に凸形状となっている。ま
たこの凸の出っ張り量は、後述する図4(b)に示した
パターンカットライン34より下が共通電極部となる様
に設定されている。
における第二実施例を示している。一次側回路成形工程
では、第一実施例と同様に導電性の熱可塑性樹脂で成形
するが、メッキ処理後にパターンカットを行う共通電極
部の形状は、図4(a)の様に凸形状となっている。ま
たこの凸の出っ張り量は、後述する図4(b)に示した
パターンカットライン34より下が共通電極部となる様
に設定されている。
【0019】二次側絶縁部32の成形工程及び上面パタ
ーン31aと下面パターン31bへのメッキ処理によっ
てメッキ層33を形成する工程までは、第一実施例の図
1(a)、(b)と同様に行う。これで二次加工により
パターンカットを行う場所のみを凸とする、図4(b)
に示した一次側回路成形品31と二次側絶縁部32が一
体となった導電体回路35aが成形される。
ーン31aと下面パターン31bへのメッキ処理によっ
てメッキ層33を形成する工程までは、第一実施例の図
1(a)、(b)と同様に行う。これで二次加工により
パターンカットを行う場所のみを凸とする、図4(b)
に示した一次側回路成形品31と二次側絶縁部32が一
体となった導電体回路35aが成形される。
【0020】メッキ処理終了後、前記導電体回路35a
は全てのパターンが導通しているため、パターンカット
ライン34までの凸形状部の切削を行う。この二次加工
によって、ゲート部を含む共通電極部31dを除去する
と同時に各パターンが独立した配線となる。これで図4
(c)に示すように、メッキ層33を有する上面パター
ン31a及び下面パターン31bの必要部分が導通し、
各パターンが独立した配線を有する複数の導電体回路が
一体となった回路基板35bを得ることが出来る。
は全てのパターンが導通しているため、パターンカット
ライン34までの凸形状部の切削を行う。この二次加工
によって、ゲート部を含む共通電極部31dを除去する
と同時に各パターンが独立した配線となる。これで図4
(c)に示すように、メッキ層33を有する上面パター
ン31a及び下面パターン31bの必要部分が導通し、
各パターンが独立した配線を有する複数の導電体回路が
一体となった回路基板35bを得ることが出来る。
【0021】図5は、共通電極部の容易な除去手段を有
する本発明の第三実施例を示している。回路基板51が
得られるまでの工程は、図1の第一実施例及び図4の第
二実施例と同一の工程であるが、図5(a)に示す如く
共通電極部の形状が異なっている。図5(b)は図5
(a)B部の拡大断面図を示している。導電性熱可塑性
樹脂52で形成された共通電極部52aの内部まで絶縁
性熱可塑性樹脂53の先端部53aが入り込んでいる。
そして、メッキ処理によってメッキ層54を形成すると
き、共通電極部の基部55はメッキ処理時の電流密度が
低いため、メッキ層54の厚みが他の部分より薄くな
り、くびれ状態となる。
する本発明の第三実施例を示している。回路基板51が
得られるまでの工程は、図1の第一実施例及び図4の第
二実施例と同一の工程であるが、図5(a)に示す如く
共通電極部の形状が異なっている。図5(b)は図5
(a)B部の拡大断面図を示している。導電性熱可塑性
樹脂52で形成された共通電極部52aの内部まで絶縁
性熱可塑性樹脂53の先端部53aが入り込んでいる。
そして、メッキ処理によってメッキ層54を形成すると
き、共通電極部の基部55はメッキ処理時の電流密度が
低いため、メッキ層54の厚みが他の部分より薄くな
り、くびれ状態となる。
【0022】図5(c)は、回路パターンのメッキ処理
後に共通電極部を除去した状態を示している。メッキ治
具に装着したままや、治具から取り出し後に横方向に曲
げ力を少し加えるだけで、共通電極部の基部55が破断
し複数の導電体回路となる。
後に共通電極部を除去した状態を示している。メッキ治
具に装着したままや、治具から取り出し後に横方向に曲
げ力を少し加えるだけで、共通電極部の基部55が破断
し複数の導電体回路となる。
【0023】
【発明の効果】上記のように本発明による回路基板は、
上面パターンと下面パターンの必要部分が導通した導電
体回路と絶縁部とが強固に密着している。また、前記導
電体回路を形成する導電性熱可塑性樹脂と前記絶縁部を
形成する熱可塑性樹脂の熱膨張係数はほぼ等しいので温
度変化に対しても密着状態は安定し、回路基板の信頼性
は高い。更に、導電性熱可塑性樹脂によって形成された
一次側回路成形品は、中央部分に配置されたゲートとゲ
ートを含む共通電極部がありゲートを電極としてのメッ
キ処理によって、上面パターンと下面パターンの必要部
分に容易にメッキ層を形成することが出来る。また、共
通電極部が下面パターンの中央部近傍にまとまっている
ので、パターンカットにより中央部近傍を除去するだけ
で、それぞれが独立した導電体回路を容易に形成出来る
など、量産性やコスト削減に対しての効果は大きい。
上面パターンと下面パターンの必要部分が導通した導電
体回路と絶縁部とが強固に密着している。また、前記導
電体回路を形成する導電性熱可塑性樹脂と前記絶縁部を
形成する熱可塑性樹脂の熱膨張係数はほぼ等しいので温
度変化に対しても密着状態は安定し、回路基板の信頼性
は高い。更に、導電性熱可塑性樹脂によって形成された
一次側回路成形品は、中央部分に配置されたゲートとゲ
ートを含む共通電極部がありゲートを電極としてのメッ
キ処理によって、上面パターンと下面パターンの必要部
分に容易にメッキ層を形成することが出来る。また、共
通電極部が下面パターンの中央部近傍にまとまっている
ので、パターンカットにより中央部近傍を除去するだけ
で、それぞれが独立した導電体回路を容易に形成出来る
など、量産性やコスト削減に対しての効果は大きい。
【図1】本発明の第一実施例である回路基板製造方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図2】本発明の第一実施例を用いた複合回路の平面図
である。
である。
【図3】本発明の第一実施例を用い多層に構成した複合
回路応用例の要部断面図である。
回路応用例の要部断面図である。
【図4】本発明の第二実施例である回路基板製造方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図5】本発明の第三実施例である回路基板製造方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
4 一次側回路成形品 4a 上面パターン 4b 下面パターン 4c 柱状部 4d 共通電極部 5 絶縁部成形型 6 上型 7 下型 8 二次側絶縁部 9 メッキ層 10 回路基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/00 A 6921−4E
Claims (3)
- 【請求項1】 樹脂を用いた一次側回路形成品と樹脂を
用いた二次側絶縁部を射出成形法で一体成形する回路基
板の製造方法において、一次側回路形成品を導電性の樹
脂により形成する工程と、この一次側回路形成品の上面
および下面の少なくとも一部が二次側絶縁部の成形金型
の固定側(上型)の表面と可動側(下型)の表面に圧接
状態に保持して、二次側絶縁部を絶縁性の樹脂で射出成
形することにより、上面と下面が導通し一体となった導
電体回路を形成する工程と、前記導電体回路の上面と下
面に露出した導電性の樹脂部にメッキ処理を施し上面お
よび下面に回路パターンを形成したのち、前記回路パタ
ーンの共通電極部を除去してそれぞれ独立した複数の導
電体回路とすることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項2】 一次側回路形成品と二次側絶縁部の熱膨
張係数がほぼ等しい熱可塑性樹脂を用いたことを特徴と
する請求項1記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項3】 一次側回路形成品と二次側絶縁部の熱可
塑性樹脂がPPSであることを特徴とする請求項1記載
の回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4029096A JPH05198943A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4029096A JPH05198943A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05198943A true JPH05198943A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12266829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4029096A Pending JPH05198943A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05198943A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6510038B1 (en) | 1996-11-19 | 2003-01-21 | Tdk Corporation | High-voltage feedthrough capacitor |
WO2016021618A1 (ja) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | 株式会社江東彫刻 | 配線回路部品の作製方法、配線回路部品を作製するための金型、樹脂製配線回路部品 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP4029096A patent/JPH05198943A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6510038B1 (en) | 1996-11-19 | 2003-01-21 | Tdk Corporation | High-voltage feedthrough capacitor |
WO2016021618A1 (ja) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | 株式会社江東彫刻 | 配線回路部品の作製方法、配線回路部品を作製するための金型、樹脂製配線回路部品 |
JPWO2016021618A1 (ja) * | 2014-08-05 | 2017-06-01 | 株式会社江東彫刻 | 配線回路部品の作製方法、配線回路部品を作製するための金型、樹脂製配線回路部品 |
EP3197248A4 (en) * | 2014-08-05 | 2018-03-07 | Koto Engraving Co. Ltd. | Method for making wiring circuit component, mold for making wiring circuit component, and resinous wiring circuit component |
US10390437B2 (en) | 2014-08-05 | 2019-08-20 | Koto Engraving Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring circuit component, mold for manufacturing wiring circuit component, and resinous wiring circuit component |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0854511B1 (en) | Resin sealing type semiconductor device | |
US5200366A (en) | Semiconductor device, its fabrication method and molding apparatus used therefor | |
US7148087B2 (en) | Electronic package having a folded flexible substrate and method of manufacturing the same | |
US5780933A (en) | Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same | |
JP2002009196A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1126489A (ja) | ゲートスロットを有するサブストレートならびに半導体パッケージ成形用の金型および成形方法 | |
US4969257A (en) | Transfer sheet and process for making a circuit substrate | |
US6853060B1 (en) | Semiconductor package using a printed circuit board and a method of manufacturing the same | |
US6563209B1 (en) | Lead frame for semiconductor device | |
US20040029361A1 (en) | Method for producing semiconductor modules and a module produced according to said method | |
JPH0730152A (ja) | 基板に実装された電子部品のモールド方法およびそのモールド用基板構造 | |
JPH05198943A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
US5297008A (en) | Polymeric composite lead wire and method for making same | |
JPH11111738A (ja) | Cob及びcobの製造方法,半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
JPH10247715A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20050051905A1 (en) | Semiconductor component having a plastic housing and methods for its production | |
US6022763A (en) | Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof | |
JPH05343829A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JPH0774451A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JPH06224531A (ja) | 射出成形プリント基板配線構造 | |
JP3304065B2 (ja) | 電子基板の製造方法 | |
JP2000025069A (ja) | インサート樹脂成形回路基板の製造方法 | |
JP3061177B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
KR100303354B1 (ko) | 칩 사이즈 패키지 및 그의 제조방법 | |
JP3819787B2 (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 |