JPH0519763B2 - - Google Patents
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- JPH0519763B2 JPH0519763B2 JP10624687A JP10624687A JPH0519763B2 JP H0519763 B2 JPH0519763 B2 JP H0519763B2 JP 10624687 A JP10624687 A JP 10624687A JP 10624687 A JP10624687 A JP 10624687A JP H0519763 B2 JPH0519763 B2 JP H0519763B2
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- magnetic
- annealing
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ヘツドのスパツタリング方法に関
する。更に詳細に説明すると、本発明はセラミツ
ク強磁性材料あるいはセラミツク非磁性材料から
成る基板・コアと強磁性金属薄膜とを組合せた複
合磁気ヘツドのスパツタリング方法に関する。
する。更に詳細に説明すると、本発明はセラミツ
ク強磁性材料あるいはセラミツク非磁性材料から
成る基板・コアと強磁性金属薄膜とを組合せた複
合磁気ヘツドのスパツタリング方法に関する。
（従来の技術）
最近の磁気記録の高密度化に伴なつて、より高
い残留磁束密度Brを有する磁気テープが使用さ
れ、これに対応すべく高磁束密度でトラツク幅の
狭い磁気ヘツドが要望されている。
い残留磁束密度Brを有する磁気テープが使用さ
れ、これに対応すべく高磁束密度でトラツク幅の
狭い磁気ヘツドが要望されている。
このような磁気ヘツドとしては、従来、特開昭
60−223012号に明らかなように、強磁性酸化物よ
り成る磁気コアに強磁性金属の薄膜を真空薄膜形
成技術により形成し、非磁性材料に挟まれるよう
にしてギヤツプ対向面（本明細書では磁気ギヤツ
プに対して平行な突合せ接合面をいう）に露呈す
る強磁性金属の薄膜間で磁気ギヤツプを形成する
薄膜磁気ヘツドが知られている。
60−223012号に明らかなように、強磁性酸化物よ
り成る磁気コアに強磁性金属の薄膜を真空薄膜形
成技術により形成し、非磁性材料に挟まれるよう
にしてギヤツプ対向面（本明細書では磁気ギヤツ
プに対して平行な突合せ接合面をいう）に露呈す
る強磁性金属の薄膜間で磁気ギヤツプを形成する
薄膜磁気ヘツドが知られている。
この磁気ヘツドの製造において重要な強磁性金
属薄膜の形成は、通常スパツタリング等の真空薄
膜形成技術によつて行なわれている。しかしなが
ら、スパツタリングによる薄膜形成は、蒸着法等
に比べてスパツタリング粒子が持つエネルギーが
非常に大きいことから、基板との付着力の増加や
粒子打込み効果等による内部応力の増加といつた
現象を引き起し、金属薄膜の磁気特性に多大な影
響を与える。
属薄膜の形成は、通常スパツタリング等の真空薄
膜形成技術によつて行なわれている。しかしなが
ら、スパツタリングによる薄膜形成は、蒸着法等
に比べてスパツタリング粒子が持つエネルギーが
非常に大きいことから、基板との付着力の増加や
粒子打込み効果等による内部応力の増加といつた
現象を引き起し、金属薄膜の磁気特性に多大な影
響を与える。
内部応力は、スパツタリングによつて作られる
薄膜中には多かれ少なかれ必ず存在し、その値は
薄膜、基板の物質、スパツタリング条件によつて
変わるが、多くの場合２×109dyh／cm2程度の圧
縮応力が残留する。内部応力の残留は、磁気特性
即ち比透磁率μを低下させるため、通常このスパ
ツタリングの後にアニール処理（アニーリング：
annealing）が取られ、残留応力の解消が図られ
ている。
薄膜中には多かれ少なかれ必ず存在し、その値は
薄膜、基板の物質、スパツタリング条件によつて
変わるが、多くの場合２×109dyh／cm2程度の圧
縮応力が残留する。内部応力の残留は、磁気特性
即ち比透磁率μを低下させるため、通常このスパ
ツタリングの後にアニール処理（アニーリング：
annealing）が取られ、残留応力の解消が図られ
ている。
即ち、従来は、スパツタリング後の結果的に生
じた内部応力を測定し、その値に基づいてアニー
ル処理条件が決定されており、スパツタリングの
際に内部応力を所定値にコントロールすることは
行なわれていない。
じた内部応力を測定し、その値に基づいてアニー
ル処理条件が決定されており、スパツタリングの
際に内部応力を所定値にコントロールすることは
行なわれていない。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、本発明者等が種々検討した結果、固
有抵抗ρの最適範囲は、従来の膜付けによつて得
られる薄膜の固有抵抗ρよりも小さい領域に存在
し、それよりも固有抵抗があまり小さくなり過ぎ
ると強磁性を失つてしまうこと、そしてその固有
抵抗値とアニール温度との間には相関関係があ
り、アニール温度を変えることによつて固有抵抗
ρを操作できることが判明した。即ち、アニール
温度を変えて従来の膜付時の固有抵抗よりも小さ
い方向に膜付範囲を移動させることによつて、透
磁率が著しく向上することを知見するに至つた。
有抵抗ρの最適範囲は、従来の膜付けによつて得
られる薄膜の固有抵抗ρよりも小さい領域に存在
し、それよりも固有抵抗があまり小さくなり過ぎ
ると強磁性を失つてしまうこと、そしてその固有
抵抗値とアニール温度との間には相関関係があ
り、アニール温度を変えることによつて固有抵抗
ρを操作できることが判明した。即ち、アニール
温度を変えて従来の膜付時の固有抵抗よりも小さ
い方向に膜付範囲を移動させることによつて、透
磁率が著しく向上することを知見するに至つた。
一方、薄膜の固有抵抗とアニール温度との関係
に着目すると、第１図Ｃに示すように、従来のス
パツタリングによつて得られた薄膜に対してアニ
ール温度を上げる場合緩かに固有抵抗値が下がり
軟磁性を失うが（仮想線のカーブ参照）、ある
初期圧縮応力が薄膜に存在する場合に限り、降下
するカーブが一時的に上昇し再び下降するピーク
現象を起すことを発見した（実線のカーブ参照）。
そして、アニール温度に対する固有抵抗の変化を
示すカーブがその下限値をピークによつて示して
いる場合、このピークまたはその直前または直後
においてアニールを完了するようにすれば比透磁
率μが最高値を得、かつ薄膜の残留応力も１×
109（dyn／cm2）以下となることを知見するに至つ
た。
に着目すると、第１図Ｃに示すように、従来のス
パツタリングによつて得られた薄膜に対してアニ
ール温度を上げる場合緩かに固有抵抗値が下がり
軟磁性を失うが（仮想線のカーブ参照）、ある
初期圧縮応力が薄膜に存在する場合に限り、降下
するカーブが一時的に上昇し再び下降するピーク
現象を起すことを発見した（実線のカーブ参照）。
そして、アニール温度に対する固有抵抗の変化を
示すカーブがその下限値をピークによつて示して
いる場合、このピークまたはその直前または直後
においてアニールを完了するようにすれば比透磁
率μが最高値を得、かつ薄膜の残留応力も１×
109（dyn／cm2）以下となることを知見するに至つ
た。
そこで、本発明は、アニール処理により強磁性
金属薄膜の残留応力を低減し、かつ最大比透磁率
と固有抵抗率を最適範囲に止め得る金属薄膜を得
ることができるスパツタリング方法を提供するこ
とを目的とする。
金属薄膜の残留応力を低減し、かつ最大比透磁率
と固有抵抗率を最適範囲に止め得る金属薄膜を得
ることができるスパツタリング方法を提供するこ
とを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
かかる目的を達成するため、本発明のスパツタ
リング方法は、磁気ヘツド基板の曲げをモニター
しながらスパツタリング条件をフイードバツク制
御することによつて、薄膜に所定の初期圧縮応力
を与えるようにしている。
リング方法は、磁気ヘツド基板の曲げをモニター
しながらスパツタリング条件をフイードバツク制
御することによつて、薄膜に所定の初期圧縮応力
を与えるようにしている。
（作用）
したがつて、スパツタリング後のアニール処理
に際して、あらかじめ作製されたモデルに従つて
最適固有抵抗率を示す領域でアニール処理を完了
すれば、薄膜に残留する圧縮応力は１×109
（dyn／cm2）以下となるし比透磁率μも最高値を
示す金属薄膜を得る。
に際して、あらかじめ作製されたモデルに従つて
最適固有抵抗率を示す領域でアニール処理を完了
すれば、薄膜に残留する圧縮応力は１×109
（dyn／cm2）以下となるし比透磁率μも最高値を
示す金属薄膜を得る。
（実施例）
以下、本発明の磁気ヘツドのスパツタリング方
法を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明す
る。
法を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明す
る。
まず、スパツタリング工程に先立つて、金属薄
膜４の残留応力とアニール温度、アニール温度と
薄膜の固有抵抗ρとの関係について実験を行な
い、サンプルデータをとり、第１図Ｂ、第１図Ｃ
に示すようなグラフを作製する。
膜４の残留応力とアニール温度、アニール温度と
薄膜の固有抵抗ρとの関係について実験を行な
い、サンプルデータをとり、第１図Ｂ、第１図Ｃ
に示すようなグラフを作製する。
この実験は、第２図Ａに示すように、磁気ヘツ
ド基板１Ａあるいは１Ｂの裏面に抵抗線歪ゲージ
２を取付けて、アニール処理をしたとき生ずる基
板１Ａあるいは１Ｂの曲げ、即ち残留応力を測定
することによつて基板表面側に形成される金属薄
膜４の平均圧縮応力σとアニール温度との関係が
把握でき、アニール処理後室温に戻したときの初
期圧縮応力σを推定することができる。即ち、抵
抗線歪ゲージ２によつて薄膜４の圧縮応力をモニ
ターしつつスパツタリングを行なつて、所望の圧
縮応力を残留させた薄膜４を磁気ヘツド基板１
Ａ，１Ｂ上に形成することができる。次いで、こ
のモデルを使つて、アニール温度と固有抵抗との
関係を求め、第１図Ｃに示すようなグラフを作製
する。この実験は、第２図Ｂに示すように、基板
上の薄膜４に直接リード線９を結線したものをア
ニール処理装置１４に挿入し、Ar等の不活性ガ
ス中で徐々に昇温して固有抵抗ρと近似する薄膜
４の電気抵抗Ｒの変化を計測する。上述の実験を
繰返して初期応力の異なる幾つかの固有抵抗−ア
ニール温度のモデル［第１図Ｃ］を作製し、薄膜
組成毎に最適初期圧縮応力値及びその固有抵抗−
アニール温度のモデルを設定する。
ド基板１Ａあるいは１Ｂの裏面に抵抗線歪ゲージ
２を取付けて、アニール処理をしたとき生ずる基
板１Ａあるいは１Ｂの曲げ、即ち残留応力を測定
することによつて基板表面側に形成される金属薄
膜４の平均圧縮応力σとアニール温度との関係が
把握でき、アニール処理後室温に戻したときの初
期圧縮応力σを推定することができる。即ち、抵
抗線歪ゲージ２によつて薄膜４の圧縮応力をモニ
ターしつつスパツタリングを行なつて、所望の圧
縮応力を残留させた薄膜４を磁気ヘツド基板１
Ａ，１Ｂ上に形成することができる。次いで、こ
のモデルを使つて、アニール温度と固有抵抗との
関係を求め、第１図Ｃに示すようなグラフを作製
する。この実験は、第２図Ｂに示すように、基板
上の薄膜４に直接リード線９を結線したものをア
ニール処理装置１４に挿入し、Ar等の不活性ガ
ス中で徐々に昇温して固有抵抗ρと近似する薄膜
４の電気抵抗Ｒの変化を計測する。上述の実験を
繰返して初期応力の異なる幾つかの固有抵抗−ア
ニール温度のモデル［第１図Ｃ］を作製し、薄膜
組成毎に最適初期圧縮応力値及びその固有抵抗−
アニール温度のモデルを設定する。
次いで、この実験データに基づいて、次の如く
金属薄膜を形成し、磁気ヘツドを製造する。
金属薄膜を形成し、磁気ヘツドを製造する。
まず、基板１の表面、例えばギヤツプ対向面３
に、テープ摺接面５と直交する方向（深直方向）
に向かつて延びる方形、Ｖ形ないし台形のトラツ
ク溝１３を研削によつて所定ピツチで多数本形成
する［第３図ａ］。
に、テープ摺接面５と直交する方向（深直方向）
に向かつて延びる方形、Ｖ形ないし台形のトラツ
ク溝１３を研削によつて所定ピツチで多数本形成
する［第３図ａ］。
次いでこの基板１を前述の深直方向と直交する
面即ちテープ摺接面５と平行な面に沿つて２分
し、一対の基板１Ａ，１Ｂを形成する［第３図
ｂ］。
面即ちテープ摺接面５と平行な面に沿つて２分
し、一対の基板１Ａ，１Ｂを形成する［第３図
ｂ］。
そして、これらを洗浄し、真空薄膜形成技術を
用いて強磁性金属の磁性薄膜４を稜線７に沿つて
均一な厚さとなるように形成する［第３図ｃ］。
通常、磁性膜４はセンダスト合金等から成る強磁
性金属をスパツタリング法によつて膜付けする。
スパツタリングは、例えば標準センダスト合金を
ターゲツトとする場合、アルゴンガス雰囲気中、
基板温度200℃で約400Å／minのレートで行なわ
れる。この時、金属薄膜４に室温に戻したときに
所定の圧縮応力が残留するように、公知の歪測定
手段例えば歪ゲージ２等を使つてスパツタリング
中に薄膜の内部応力をモニターし、アニール温度
等のスパツタリング条件をフイードバツク制御す
る。歪ゲージ２は、基板１Ａ，１Ｂの裏面に貼着
あるいは裏面上に直接形成されている。基板１
Ａ，１Ｂは、一般にその形と弾性定数および薄膜
中の応力の大きさによつて決まる曲りを示す。そ
して、応力は歪×弾性率であるから、歪の大きさ
に応じて抵抗値が変化する抵抗線歪ゲージを使つ
て、内部応力３を測定できる。初期設定圧縮応力
は、例えばセンダスト合金をスパツタリング法に
より膜形成する際、第１図Ｂに示すように４〜８
（×109dyn／cm2）の範囲に初期応力を設定するス
パツタリング条件が選定されている。またこの時
のアルゴン雰囲気圧力は１〜10mmTorrの範囲に
設定されている。尚、金属薄膜４は、通常、一層
当たり５〜6μｍの膜厚となるように実質的な多
層膜とすることが好ましく、通常強磁性金属を断
続的にスパツタリング法により膜形成することに
よつて、あるいは強磁性金属と非磁性体を交互に
スパツタリング法により膜形成することによつて
結晶の422面（又は211面）の結晶粒径が520〜570
Å、一方結晶の220面では結晶粒径が200〜300Å
の複数層の磁性薄膜に形成される。
用いて強磁性金属の磁性薄膜４を稜線７に沿つて
均一な厚さとなるように形成する［第３図ｃ］。
通常、磁性膜４はセンダスト合金等から成る強磁
性金属をスパツタリング法によつて膜付けする。
スパツタリングは、例えば標準センダスト合金を
ターゲツトとする場合、アルゴンガス雰囲気中、
基板温度200℃で約400Å／minのレートで行なわ
れる。この時、金属薄膜４に室温に戻したときに
所定の圧縮応力が残留するように、公知の歪測定
手段例えば歪ゲージ２等を使つてスパツタリング
中に薄膜の内部応力をモニターし、アニール温度
等のスパツタリング条件をフイードバツク制御す
る。歪ゲージ２は、基板１Ａ，１Ｂの裏面に貼着
あるいは裏面上に直接形成されている。基板１
Ａ，１Ｂは、一般にその形と弾性定数および薄膜
中の応力の大きさによつて決まる曲りを示す。そ
して、応力は歪×弾性率であるから、歪の大きさ
に応じて抵抗値が変化する抵抗線歪ゲージを使つ
て、内部応力３を測定できる。初期設定圧縮応力
は、例えばセンダスト合金をスパツタリング法に
より膜形成する際、第１図Ｂに示すように４〜８
（×109dyn／cm2）の範囲に初期応力を設定するス
パツタリング条件が選定されている。またこの時
のアルゴン雰囲気圧力は１〜10mmTorrの範囲に
設定されている。尚、金属薄膜４は、通常、一層
当たり５〜6μｍの膜厚となるように実質的な多
層膜とすることが好ましく、通常強磁性金属を断
続的にスパツタリング法により膜形成することに
よつて、あるいは強磁性金属と非磁性体を交互に
スパツタリング法により膜形成することによつて
結晶の422面（又は211面）の結晶粒径が520〜570
Å、一方結晶の220面では結晶粒径が200〜300Å
の複数層の磁性薄膜に形成される。
次いで、磁気ヘツド基板１Ａ，１Ｂのスパツタ
膜・金属薄膜４にリード線９を結線して薄膜の電
気抵抗Ｒを測定し、スパツタリング時の初期圧縮
応力のばらつきの影響をなくすため更に細かく電
気抵抗をモニターしながらアニール処理を行な
う。アニール処理はアルゴンガスなどの不活性ガ
ス雰囲気中において、加熱昇温と共に下降する固
有抵抗ρ（ρ≒Ｒ）が横ばいになり再び上昇に転
じる直前で完了させる。この判断は、先に試験し
て得られたサンプルデータの中から近似したもの
を選び、それに基づいて行なう。この時点におけ
る膜の内部応力はほぼ１×109（dyn／cm2）以下と
なり比透磁率も最大値をとる。通常このときのア
ニール温度は、500〜600℃の範囲である。尚、固
有抵抗率ρが上昇に転じる点は、あらかじめ作製
されたサンプルデータにおいて、ρの測定値が５
〜10％位上昇する点とする。その後、リード線は
取除く。
膜・金属薄膜４にリード線９を結線して薄膜の電
気抵抗Ｒを測定し、スパツタリング時の初期圧縮
応力のばらつきの影響をなくすため更に細かく電
気抵抗をモニターしながらアニール処理を行な
う。アニール処理はアルゴンガスなどの不活性ガ
ス雰囲気中において、加熱昇温と共に下降する固
有抵抗ρ（ρ≒Ｒ）が横ばいになり再び上昇に転
じる直前で完了させる。この判断は、先に試験し
て得られたサンプルデータの中から近似したもの
を選び、それに基づいて行なう。この時点におけ
る膜の内部応力はほぼ１×109（dyn／cm2）以下と
なり比透磁率も最大値をとる。通常このときのア
ニール温度は、500〜600℃の範囲である。尚、固
有抵抗率ρが上昇に転じる点は、あらかじめ作製
されたサンプルデータにおいて、ρの測定値が５
〜10％位上昇する点とする。その後、リード線は
取除く。
ついで、トラツク溝１３に高融点ガラス１０を
充填して薄膜４を保護する［ガラスボンデイング
第３図ｄ］。
充填して薄膜４を保護する［ガラスボンデイング
第３図ｄ］。
その後、ギヤツプ対向面３及びテープ摺接面５
を研削して余分なガラス及び金属薄膜４並びにモ
ニター用リード線の結線部分を取除き所定の面荒
さの平坦な面とする。研削は通常ラツプによつて
行なわれ鏡面仕上げとされる。これによつて薄膜
形成面６に形成された金属薄膜４の端面でトラツ
クが構成される。
を研削して余分なガラス及び金属薄膜４並びにモ
ニター用リード線の結線部分を取除き所定の面荒
さの平坦な面とする。研削は通常ラツプによつて
行なわれ鏡面仕上げとされる。これによつて薄膜
形成面６に形成された金属薄膜４の端面でトラツ
クが構成される。
その後、前述のトラツク溝１３の隣に該溝１３
に沿つて疑似ギヤツプを無くすための凹部８が研
削される［第３図ｅ］。
に沿つて疑似ギヤツプを無くすための凹部８が研
削される［第３図ｅ］。
その後、一方の基板１Ａのギヤツプ対向面３に
巻線溝１２を形成する［第３図ｆ］。この巻線溝
１２はデイツプス寸法を規制する。次いで、両基
板１Ａ，１Ｂのギヤツプ対向面にSiO2等の非磁
性材から成るスペーサ（図示省略）をスパツタリ
ング法によつて形成する。
巻線溝１２を形成する［第３図ｆ］。この巻線溝
１２はデイツプス寸法を規制する。次いで、両基
板１Ａ，１Ｂのギヤツプ対向面にSiO2等の非磁
性材から成るスペーサ（図示省略）をスパツタリ
ング法によつて形成する。
次いで、一対の基板１Ａ，１Ｂを向い合せて金
属薄膜４同士を突合せるようにして、凹部８に低
融点ガラス１１を充填し接合する［ギヤツプボン
デイング第３図ｇ］。
属薄膜４同士を突合せるようにして、凹部８に低
融点ガラス１１を充填し接合する［ギヤツプボン
デイング第３図ｇ］。
上述のギヤツプボンデイングの後、テープ摺接
面５を円筒研摩し、テープ摺接面５を曲面に仕上
げる［第３図ｈ］。
面５を円筒研摩し、テープ摺接面５を曲面に仕上
げる［第３図ｈ］。
次に磁気ギヤツプｇがテープ摺動方向に対して
所定のアジマス角度を取るように斜めにスライス
し、多数のチツプ状の磁気コアを切り出す［第３
図ｉ］。
所定のアジマス角度を取るように斜めにスライス
し、多数のチツプ状の磁気コアを切り出す［第３
図ｉ］。
その後検査を経てサポート・ヘツドベースに取
付け、さらにトラツク方向に馴染みを良くする摺
動面仕上げ加工を施して巻線する［第３図ｊ］。
付け、さらにトラツク方向に馴染みを良くする摺
動面仕上げ加工を施して巻線する［第３図ｊ］。
尚、本発明は、Co−Zr−Nb合金等の非晶質金
属を薄膜材として使う場合にも適用できる。
属を薄膜材として使う場合にも適用できる。
（発明の効果）
以上の説明より明らかなように、本発明は磁気
ヘツド基板の曲げをモニターしながらスパツタリ
ング条件をフイードバツク制御し、薄膜に所定の
初期圧縮応力を与えるようにしているので、モデ
ルとなる固有抵抗特性に沿つて最適固有抵抗率を
呈する時にアニールを完了させると、内部応力が
ほぼ消滅し、比透磁率も最大値を示す。
ヘツド基板の曲げをモニターしながらスパツタリ
ング条件をフイードバツク制御し、薄膜に所定の
初期圧縮応力を与えるようにしているので、モデ
ルとなる固有抵抗特性に沿つて最適固有抵抗率を
呈する時にアニールを完了させると、内部応力が
ほぼ消滅し、比透磁率も最大値を示す。
第１図Ａは比透磁率と固有抵抗の関係を示すグ
ラフ、同図Ｂは内部応力とアニール温度との関係
を示すグラフ、同図Ｃは固有抵抗ρとアニール温
度との関係を示すグラフ、第２図Ａは磁気ヘツド
基板に対する歪ゲージの取付方を示す斜視図、第
２図Ｂはアニール処理を示す説明図、第３図は磁
気ヘツドの加工フロー図である。 １，１Ａ，１Ｂ…磁気ヘツド基板、２…歪ゲー
ジ、４…金属薄膜。
ラフ、同図Ｂは内部応力とアニール温度との関係
を示すグラフ、同図Ｃは固有抵抗ρとアニール温
度との関係を示すグラフ、第２図Ａは磁気ヘツド
基板に対する歪ゲージの取付方を示す斜視図、第
２図Ｂはアニール処理を示す説明図、第３図は磁
気ヘツドの加工フロー図である。 １，１Ａ，１Ｂ…磁気ヘツド基板、２…歪ゲー
ジ、４…金属薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気ヘツド基板の薄膜形成面にスパツタリン
グにて強磁性金属の薄膜を形成する方法におい
て、前記磁気ヘツド基板の曲げをモニターしなが
らスパツタリング条件をフイードバツク制御し、
薄膜に所定の初期圧縮応力を与えることを特徴と
する磁気ヘツドのスパツタリング方法。 ２ 前記モニターは磁気ヘツド基板の裏面に貼着
あるいは磁気ヘツド基板上に構成した歪ゲージに
よつて行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の磁気ヘツドのスパツタリング方法。 ３ 前記初期圧縮応力はセンダスト金属薄膜の場
合、４〜８×106dyn／cm2の範囲であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載
の磁気ヘツドのスパツタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10624687A JPS63273205A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 磁気ヘツドのスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10624687A JPS63273205A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 磁気ヘツドのスパツタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273205A JPS63273205A (ja) | 1988-11-10 |
| JPH0519763B2 true JPH0519763B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=14428752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10624687A Granted JPS63273205A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 磁気ヘツドのスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63273205A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5154810A (en) * | 1991-01-29 | 1992-10-13 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Thin film coating and method |
| IL103888A0 (en) * | 1991-12-06 | 1993-04-04 | Hughes Aircraft Co | Optical coatings having a plurality of prescribed properties and method of fabricating same |
| JPH1125628A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Fujitsu Ltd | 接触検出機能付ヘッドスライダ及びディスク装置 |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP10624687A patent/JPS63273205A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63273205A (ja) | 1988-11-10 |
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