JPH05190913A - 熱発電素子およびその製造方法 - Google Patents

熱発電素子およびその製造方法

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JPH05190913A
JPH05190913A JP4174810A JP17481092A JPH05190913A JP H05190913 A JPH05190913 A JP H05190913A JP 4174810 A JP4174810 A JP 4174810A JP 17481092 A JP17481092 A JP 17481092A JP H05190913 A JPH05190913 A JP H05190913A
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JP
Japan
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layer
type
thermoelectric generator
fesi
insulating layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4174810A
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English (en)
Inventor
Masashi Komabayashi
正士 駒林
Noboru Karube
登 軽部
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 多層化に適した熱発電素子の製造方法を得
る。熱発電素子の絶縁層のクラック発生を防止し、特性
の低下を防止する。 【構成】 P型のFeSi2のグリーンシート11とN
型のそれ12とに絶縁ペースト13を塗布し、これらを
交互に重ね合わせて圧着し積層体10とする。このグリ
ーンシート11,12の一部はペーストが塗布されてお
らず直接接触してPN接合を形成する。脱脂後、110
0℃〜1200℃で焼成することにより、熱発電素子1
0を形成する。絶縁ペースト13はセラミックスにガラ
ス成分を2〜30重量%含み、FeSi2粉末は粒径を
1〜30μmとすることにより、焼成時の熱収縮による
クラックを防止する。絶縁層の厚さを24μm以下と
し、ガラス成分を80重量%まで含ませても、クラック
は生じない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はP型のFeSi2および
N型のFeSi2を用いた熱発電素子、および、その熱
発電素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の熱発電素子の製造方法としては、
例えば特開昭56−152282号公報に開示された方
法が知られている。この方法によれば、P型主シート
(グリーンシート)とN型主シート(グリーンシート)
との間にPN接合部分を残して隔離シートを介在させて
積層し、焼結するものである。この隔離シートとして
は、フォルステライト等の絶縁物または焼成時に蒸発す
る樟脳紙、不織布、有機物等を用いている。焼結の結
果、P型の鉄硅化物、絶縁体、N型の鉄硅化物の積層構
造体である熱発電素子が完成することとなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の熱発電素子の製造方法にあっては、絶縁層も
グリーンシートで形成し、これを圧着、加熱しているた
め、成形後の絶縁層の厚さ(例えば100μm)が厚
く、この絶縁層が熱発電素子中で大きな体積を占める結
果、多層化に不向きであるという課題があった。
【0004】そこで、本発明は、多層化に適した熱発電
素子の製造方法を提供することをその目的としている。
また、本発明は、絶縁層にクラックが発生しない熱発電
素子を提供することを、その目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る熱発電素子
の製造方法にあっては、P型のFeSi2を含むグリー
ンシート、N型のFeSi2を含むグリーンシートをそ
れぞれ作製する工程と、これらのグリーンシートの表面
の一部に絶縁ペーストをそれぞれ塗布する工程と、これ
らのP型のFeSi2のグリーンシートとN型のFeS
2のグリーンシートとを、上記絶縁ペーストを介して
交互に重ね合わせて圧着する工程と、これらのグリーン
シートの積層体を焼成する工程と、備えている。
【0006】また、上記塗布工程で用いる絶縁ペースト
は、セラミックスを主成分とし、これにガラスを2〜3
0重量%混合している。このセラミックスは、フォルス
テライト、ジルコニア、マグネシア、ステアタイトのい
ずれかを使用する。
【0007】また、上記P型のFeSi2のグリーンシ
ートおよびN型のFeSi2のグリーンシートに用いる
FeSi2の粉末の粒径は1〜30μmとする。
【0008】また、本発明に係る熱発電素子は、P型の
FeSi2層と、このP型のFeSi2層に電気的に接続
されたN型のFeSi2層と、これらのP型のFeSi2
層とN型のFeSi2層との間に介在された絶縁層と、
を備え、この絶縁層は、セラミックスを主成分とし、こ
れにガラスを2〜30重量%混合したものである。
【0009】また、上記絶縁層の厚さは1〜50μmで
ある。さらに、上記セラミックスは、フォルステライ
ト、ジルコニア、マグネシア、ステアタイトのいずれか
である。
【0010】さらにまた、本発明は、P型のFeSi2
層と、このP型のFeSi2層に電気的に接続されたN
型のFeSi2層と、これらのP型のFeSi2層とN型
のFeSi2層との間に介在された絶縁層と、を備えた
熱発電素子において、上記絶縁層は、セラミックスを主
成分とし、これにガラスを2〜80重量%混合したもの
で、かつ、その厚さを1〜24μmとした熱発電素子で
ある。
【0011】また、上記セラミックスは、フォルステラ
イト、ジルコニア、マグネシア、ステアタイトのいずれ
かとした熱発電素子である。
【0012】
【作用】本発明方法によれば、グリーンシートに絶縁ペ
ーストを塗布しているため、積層体を形成した場合の絶
縁層の体積が減少し、多層化が容易である。そして、絶
縁ペースト中のガラス成分を調整することにより、焼成
時の収縮量を低減することができる。その結果、焼結を
完全なものとし、かつ、クラック等の発生を防止するこ
とができる。また、グリーンシート用のFeSi2の粉
末の粒径を1〜30μmとすることにより、焼成時の収
縮量を調節して(例えば半導体層の熱膨張率と絶縁層の
それとを等しくすることにより)クラックの発生を防ぐ
とともに、焼結体の密度が低くなり特性が低下すること
を防止している。
【0013】また、本発明に係る熱発電素子にあって
は、絶縁層をセラミックスとこれにガラスを2〜30重
量%含むもので形成したため、焼結後の該絶縁層でのク
ラックの発生を防止することができる。また、その絶縁
層の厚さを1〜50μmに調節することにより、絶縁不
良の発生を防止するとともに、絶縁層の体積が大となる
ことを防止している。さらに、本発明に係る熱発電素子
にあっては、絶縁層の厚さを1〜24μmとし、かつ、
そのガラス成分を2〜80重量%としても絶縁層とFe
Si2層との間の界面での剥離が生じることはない。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明に係る熱発電素子およびその製造方
法を説明するための当該製法の工程図である。この図に
示すように、本発明方法によれば、まず、ドクターブレ
ード法等を用いてP型のFeSi2のグリーンシート1
1と、N型のFeSi2のグリーンシート12とを作製
する。このグリーンシート11,12の厚さは例えば
0.1mm〜0.5mmとする。また、このグリーンシ
ートの作製に使用するFeSi2の粉末粒径は1〜30
μmとし、この化合物粉末に焼結助剤、バインダ、可塑
剤、溶剤等を混入してグリーンシートを作製する。
【0015】次に、これらのグリーンシート11,12
の表面に、その一部14を残して絶縁ペースト13を例
えばスクリーン印刷によって塗布する。この絶縁ペース
ト13は1〜50μmの厚さに塗布するものとする。ま
た、絶縁ペースト13は、フォルステライト等のセラミ
ックスを主成分とし、これにガラス成分を2〜30重量
%混入したものである。これによりグリーンシート1
1,12との間で熱膨張率を調整してクラックの発生を
防止するものである。
【0016】次に、これらのグリーンシート11,12
同士を重ね合わせ、加熱圧着する。この場合、グリーン
シート11,12の間には絶縁ペースト13の層(絶縁
層)が形成されるとともに、この絶縁ペースト13を塗
布していない一部14でグリーンシート11,12同士
は直接接触する。そして、この加熱圧着を複数の層で繰
り返すことにより、P型FeSi2のグリーンシート1
1とN型FeSi2のグリーンシート12とが交互に重
ね合わされた積層体10を形成する。この場合のPN接
合となる接触部分14は、各層で反対側となるように
(積層体10にて部分14が互い違いに位置するよう
に)重ね合わせるものである。
【0017】さらに、これらの積層体10について脱脂
後、1100℃〜1200℃にて焼成することにより、
熱発電素子10を完成する。この場合の電極は図の上下
のFeSi2部分11から取り出すものである。
【0018】次の表1、表2、および、表3は、この方
法を用いて製造した熱発電素子の実験データを示してい
る。すなわち、この測定に用いた熱発電素子にあって
は、そのグリーンシートに用いたFeSi2の粉末粒径
は10μm、そのグリーンシートの厚さは0.5mmと
し、積層体の焼結は1180℃で、4時間、真空中で行
ったものである。また、熱発電素子は4層で、一層は2
0mm×3mmとした。そして、下表にて起電力、内部
抵抗の測定は、熱発電素子の一端を750℃に加熱した
場合のものである。表1は絶縁ペーストのセラミックス
としてフォルステライトを用いた場合、表2はその他の
セラミックスの場合である。表3は絶縁ペーストの材料
としてフォルステライトを使用した場合で、そのガラス
量を2〜80重量%に変化させた場合である。
【0019】
【表1】
【0020】
【表2】
【0021】
【表3】
【0022】以上のように絶縁層を薄くすることによ
り、第1に、熱発電素子としての変換効率が高められ
る。これは、絶縁層を流れる熱は発電に全く寄与してい
ないため、絶縁層が厚い程、無駄に流れる熱が多くなる
からである。第2に、単位体積当りの発電量が向上す
る。第3に、熱発電素子の一端部の温度が上がり易く、
このため起電力が高められる。絶縁層での吸熱が減少す
る分だけFeSi2層に熱が入り、温度が上がり易くな
るものである。また、上記表1中の比較例,はガラ
ス量が不適当であったため、クラックが生じたものであ
る。比較例は絶縁層が薄くなりすぎて短絡が起こって
いるものである。比較例は絶縁層が厚い例である。さ
らに、比較例は絶縁層をグリーンシートで作製した例
である。
【0023】さらに、表3に示すように、絶縁層の厚さ
を24μmとすると、フォルステライトに対するガラス
成分量を80重量%まで高めたとしても、クラックは生
じないが、絶縁層中のガラス量を82重量%とすると、
クラックが発生する。また、絶縁層の厚さを25μmと
した場合も同様にクラックが発生する。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁層を薄く形成する
ことができ、多層積層化に有利である。また、絶縁ペー
ストのガラス成分、および、FeSi2粉末の粒径を調
節したため、薄くてクラックの発生がなく特性の安定し
た熱発電素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る熱発電素子の製造方法
の工程を示す説明図である。
【符号の説明】
10 積層体(熱発電素子) 11,12 FeSi2のグリーンシート 13 絶縁ペースト 14 PN接合形成部分

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 P型のFeSi2を含むグリーンシー
    ト、N型のFeSi2を含むグリーンシートをそれぞれ
    作製する工程と、 これらのグリーンシートの表面の一部に絶縁ペーストを
    それぞれ塗布する工程と、 これらのP型のFeSi2のグリーンシートとN型のF
    eSi2のグリーンシートとを、上記絶縁ペーストを介
    して交互に重ね合わせて圧着する工程と、 これらのグリーンシートの積層体を焼成する工程と、備
    えたことを特徴とする熱発電素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 上記絶縁ペーストは、セラミックスを主
    成分とし、これにガラスを2〜30重量%混合した請求
    項1に記載の熱発電素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 上記セラミックスは、フォルステライ
    ト、ジルコニア、マグネシア、ステアタイトのいずれか
    である請求項2に記載の熱発電素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 上記P型のFeSi2のグリーンシート
    およびN型のFeSi2のグリーンシートに用いるFe
    Si2の粉末の粒径が1〜30μmである請求項1〜請
    求項3のいずれか1項に記載の熱発電素子の製造方法。
  5. 【請求項5】 P型のFeSi2層と、このP型のFe
    Si2層に電気的に接続されたN型のFeSi2層と、こ
    れらのP型のFeSi2層とN型のFeSi2層との間に
    介在された絶縁層と、を備えた熱発電素子において、 上記絶縁層は、セラミックスを主成分とし、これにガラ
    スを2〜30重量%混合したことを特徴とする熱発電素
    子。
  6. 【請求項6】 上記絶縁層の厚さは1〜50μmである
    請求項5に記載の熱発電素子。
  7. 【請求項7】 上記セラミックスは、フォルステライ
    ト、ジルコニア、マグネシア、ステアタイトのいずれか
    である請求項5〜請求項6のいずれかに記載の熱発電素
    子。
  8. 【請求項8】 P型のFeSi2層と、このP型のFe
    Si2層に電気的に接続されたN型のFeSi2層と、こ
    れらのP型のFeSi2層とN型のFeSi2層との間に
    介在された絶縁層と、を備えた熱発電素子において、 上記絶縁層は、セラミックスを主成分とし、これにガラ
    スを2〜80重量%混合するとともに、この絶縁層の厚
    さは1〜24μmとしたことを特徴とする熱発電素子。
  9. 【請求項9】 上記セラミックスは、フォルステライ
    ト、ジルコニア、マグネシア、ステアタイトのいずれか
    である請求項8に記載の熱発電素子。
JP4174810A 1991-10-14 1992-06-09 熱発電素子およびその製造方法 Withdrawn JPH05190913A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1995017020A1 (fr) * 1993-12-16 1995-06-22 Mitsubishi Materials Corporation Element de conversion thermoelectrique, reseau d'elements de conversion thermoelectrique et convertisseur de deplacement thermique
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