JP2008277555A - 熱電素子とその製造方法および熱電変換モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱電素子10は、p型半導体11とn型半導体12とを電極13にて電気的に接続し、p型半導体11とn型半導体12との隙間に高抵抗体16を介在させた熱電素子であって、p型半導体11と前記n型半導体12と共に、前記高抵抗体が焼成されてなる。また、熱電素子10の製造方法は、焼成してp型半導体となるp型半導体未焼成体30と焼成してn型半導体となるn型半導体未焼成体32との隙間に焼成して高抵抗体となる高抵抗体未焼成体31を介在させる介在工程と、p型半導体未焼成体30とn型半導体未焼成体32と共に、高抵抗体未焼成体31を焼成する焼成工程と、を含んでいる。
【選択図】図1
Description
V=(αn+αp)(TH−TL) (1)
Qp=ΠI (2)
請求項1記載の発明の要旨は、p型半導体とn型半導体とを電極にて電気的に接続し、p型半導体とn型半導体との隙間に高抵抗体を介在させた熱電素子であって、p型半導体とn型半導体と共に、高抵抗体が焼成されてなることを特徴とする熱電素子に存する。
請求項2記載の発明の要旨は、高抵抗体は、セラミックスであることを特徴とする請求項1記載の熱電素子に存する。
請求項3記載の発明の要旨は、高抵抗体は、ガラスであることを特徴とする請求項1記載の熱電素子に存する。
請求項4記載の発明の要旨は、高抵抗体は、空隙を含むセラミックスであることを特徴とする請求項1記載の熱電素子に存する。
請求項5記載の発明の要旨は、高抵抗体は、空隙を含むガラスと空隙であることを特徴とする請求項1記載の熱電素子に存する。
請求項6記載の発明の要旨は、高抵抗体は、骨材部分と接着部分と空隙を含むことを特徴とする請求項1記載の熱電素子に存する。
請求項7記載の発明の要旨は、骨材部分はセラミックスであり、接着部分はガラスであることを特徴とする請求項6記載の熱電素子に存する。
請求項8記載の発明の要旨は、高抵抗体は、軟化点の異なる少なくとも2種類のガラスと空隙を含んでいることを特徴とする請求項1記載の熱電素子に存する。
請求項9記載の発明の要旨は、焼成してp型半導体となるp型半導体未焼成体と焼成してn型半導体となるn型半導体未焼成体との隙間に焼成して高抵抗体となる高抵抗体未焼成体を介在させる介在工程と、p型半導体未焼成体とn型半導体未焼成体と共に、高抵抗体未焼成体を焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とする熱電素子の製造方法に存する。
請求項10記載の発明の要旨は、請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱電素子からなる熱電変換モジュールに存する。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
本実施例では、図1に示すp型半導体にCuOを10wt%添加した(Mn0.5Ni0.5)3O4を用い、n型半導体にTa2O5を10wt%添加したCa0.4Mn0.6O3を用い、高抵抗体に10wt%のZrO2(骨材部分)と90wt%の接着部分がSiO2系ガラスを主成分とし添加物としてB2O3、Al2O3系を含むガラス(接着部分)を用いた熱電素子の作製例を示す。
本実施例では、図1に示すp型半導体にCuOを10wt%添加した(Mn0.5Co0.5)3O4を用い、n型半導体にZnOを1wt%添加した(Ca0.4Mn0.6)O3を用い、高抵抗体に50wt%のAl2O3と50wt%の(Ca0.3Mn0.7)3O4からなるセラミックスを用いた熱電素子の作製例を示す。
11 p型半導体
12 n型半導体
13 上部電極
14 下部電極
15 下部電極
16 高抵抗体
Claims (10)
- p型半導体とn型半導体とを電極にて電気的に接続し、前記p型半導体と前記n型半導体との隙間に高抵抗体を介在させた熱電素子であって、
前記p型半導体と前記n型半導体と共に、前記高抵抗体が焼成されてなることを特徴とする熱電素子。 - 前記高抵抗体は、セラミックスであることを特徴とする請求項1記載の熱電素子。
- 前記高抵抗体は、ガラスであることを特徴とする請求項1記載の熱電素子。
- 前記高抵抗体は、空隙を含むセラミックスであることを特徴とする請求項1記載の熱電素子。
- 前記高抵抗体は、空隙を含むガラスであることを特徴とする請求項1記載の熱電素子。
- 前記高抵抗体は、骨材部分と接着部分と空隙を含むことを特徴とする請求項1記載の熱電素子。
- 前記骨材部分はセラミックスであり、前記接着部分はガラスであることを特徴とする請求項6記載の熱電素子。
- 前記高抵抗体は、軟化点の異なる少なくとも2種類のガラスと空隙を含んでいることを特徴とする請求項1記載の熱電素子。
- 焼成してp型半導体となるp型半導体未焼成体と焼成してn型半導体となるn型半導体未焼成体との隙間に焼成して高抵抗体となる高抵抗体未焼成体を介在させる介在工程と、
前記p型半導体未焼成体と前記n型半導体未焼成体と共に、前記高抵抗体未焼成体を焼成する焼成工程と、
を含むことを特徴とする熱電素子の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱電素子からなる熱電変換モジュール。
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