JPH05190760A - 集積される電流制限手段及び過熱遮断手段を持つ可制御半導体開閉装置 - Google Patents

集積される電流制限手段及び過熱遮断手段を持つ可制御半導体開閉装置

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JPH05190760A
JPH05190760A JP4213150A JP21315092A JPH05190760A JP H05190760 A JPH05190760 A JP H05190760A JP 4213150 A JP4213150 A JP 4213150A JP 21315092 A JP21315092 A JP 21315092A JP H05190760 A JPH05190760 A JP H05190760A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 負荷される電流制限手段及び過熱遮断手段を
持つ可制御半導体開閉装置は，並列に作用する多数の開
閉セルにより形成される開閉部分を含み，電流制限の
際，チツプ温度を検出する素子１２のすぐ近くにある特
定の開閉セル１．３は，他のすべての開閉セル１．１に
おけるより大きい比電流負荷を受ける。 【効果】 過熱遮断が確実かつ迅速に行われ，単なる過
熱制限機能を補助するため本来の開閉部分の電流負担能
力の制限が不要になり，それにより大きい信頼性と改善
された短絡強度が得られると共に，チツプ面積当りの利
用可能な開閉電流及び開閉能力が高められる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，負荷電流路にある開閉
部分が並列に作用する多数の主開閉セルにより形成さ
れ，主開閉セルに対して並列に全負荷電流の一部を導い
て過負荷保護を行う少数の補助開閉セルが設けられ，主
開閉セル及び補助開閉セルの少なくとも負荷側端子が直
接かつ高導電的に互いに接続され，主開閉セルの非負荷
側の他の開閉端子と主開閉セルの直接かつ高導電的に互
いに接続される制御端子との間に，別の半導体開閉器の
開閉部分が接続されている，集積される電流制限手段及
び過熱遮断手段を持つ可制御半導体開閉装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の電力用トランジスタでは，過熱遮
断手段がチツプ上に集積されている。トランジスタにお
いて変換される損失電力が，電力用トランジスタを熱的
に破壊するような大きい値をとる前に，この手段が応動
する。短絡の場合過熱遮断手段が電力用トランジスタを
遮断するまで電力用トランジスタを過熱に対して保護す
るために，付加的な電流制限回路が必要である。
【０００３】図３及び４と共に図５が従来技術の例を示
している。図３及び４は電力用ＭＯＳ電界効果トランジ
スタの例の特性曲線を示し，図５は従来技術によるこの
ようなトランジスタの駆動回路を示している。電力用ト
ランジスタＴ１はＮチヤネルＭＯＳ電界効果トランジス
タとして構成され，多数の個々の開閉セル即ち個々のＭ
ＯＳトランジスタセルの並列回路から成つている。出力
端Ａへ動作電圧を通すため，電力用ＮチヤネルＭＯＳ電
界効果トランジスタは，電荷ポンプＣＰにより準備され
る例えば１０Ｖのゲート−ソース電圧ＵＧＳを必要とす
る。電荷ポンプの出力電流は定電流源ＣＳ１により符号
化されている。別のＭＯＳトランジスタＴ２が設けら
れ，そのドレン−ソース部分はトランジスタＴ１のゲー
ト−ソース間に並列接続されている。短絡の場合トラン
ジスタＴ２の導通制御によりトランジスタＴ１のゲート
−ソース電圧ＵＧＳ１が低下して，トランジスタＴ１の
開閉部分を通る電流が遮断される。このためトランジス
タＴ１のゲートは，例えば破線で示す温度監視又は検出
回路ＴＳＣにより駆動され，この温度検出回路は温度セ
ンサＴＳにより駆動される。温度検出回路は出力側に論
理信号を供給し，この信号は例えば１６０℃でトランジ
スタＴ２を導通させるようにそのレベルを変化し，例え
ば適当なヒステリシスにより，温度が所定の値だけ再び
抵下するまでこの状態に留まる。こうして電力用ＭＯＳ
トランジスタＴ１は，特定の冷却時間の間完全に遮断さ
れることができる。
【０００４】しかし図５によるこの公知の回路装置の短
絡強度は限られていることがわかつた。その理由は，技
術的な理由から，本来の電力用トランジスタＴ１を形成
する半導体組織の縁にしか温度センサＴＳを設けられな
いからである。短絡の場合，Ｕｂに相当する電力降下で
最大電流が生ずるため，個々のＭＯＳ開閉セルに大きい
損失電力が生ずると，本来の電力用トランジスタＴ１を
形成するＭＯＳ開閉セルの温度のみがまず強く上昇す
る。チツプ周囲の温度従つてそれからある程度離れて設
けられる温度センサＴＳの温度も，熱伝導のため温度の
最終的な伝搬速度による特定の遅れをもつて追従する。
電力用トランジスタの最も高温の範囲と温度センサとの
間の温度勾配が大きくなりすぎると，電力用トランジス
タＴ１の温度が最高許容値を越えて行き過ぎるため，温
度検出回路の遮断温度に達する前に，このトランジスタ
の半導体組織が不可逆的に損傷する。実際上これによ
り，短絡強度が限られた範囲でしか保証されず，また充
分小さくせねばならない電流制限限界値により電力用ト
ランジスタＴ１の最大出力が限定されるという代償を払
つて，短絡強度を得ねばならない。その結果開閉電力制
限が変動し易くなる。
【０００５】ドイツ連邦共和国特許第３８２１０６５号
明細書に記載されている電力用ＭＯＳ電界効果トランジ
スタ回路では，半導体開閉器が主開閉器と補助開閉器と
を形成する多数の個々の開閉セルから成り，補助開閉器
は主開閉器のセルにより覆われる面の中央に形成され，
ただ１つの開閉セルにより形成されているのがよい。こ
の補助開閉セルの電流は測定抵抗により検出され，対応
する電圧降下が，主開閉器の制御入力端を短絡する別の
半導体開閉器を駆動するのに利用される。その際なるべ
く過負荷が生ずる際主開閉器を遮断しかつ遮断状態に保
つ跳躍特性が実現される。この方策は，非常に短い持続
時間のパルス状過負荷により，チップ基体がまだ熱的な
利用限界に達しなくても，遮断が行われてしまう，とい
う欠点を持つている。更に主開閉セルのアレイの中心に
絶縁して補助開閉セルを点在させ，主開閉セルアレイ外
に設けられる周辺に接続することは，製造の際付加的な
マスキング段階及びデポジシヨン段階を必要とするの
で，技術的に困難である。
【０００６】従つてこの装置は，過負荷限界を前もつて
超過した後開閉駆動の永続的な損傷が回避される維持可
能な安全状態に達するのを目標にしている。
【０００７】ドイツ連邦共和国特許出願公開第３９２７
３０７号明細書は，前述した装置に動作原理が一致して
いる短絡保護回路付き半導体開閉装置を示している。こ
こでは開閉セルが主素子及び副素子，なるべく例えば複
数の主素子及び１つだけの副素子に分割されている。こ
の装置も，負荷の短絡の際内部検出抵抗における電圧降
下に応じて，負荷開閉部分が負荷開閉器の入力端短絡に
より遮断されるように，設計されている。負荷の短絡が
ないと，負荷開閉部分の通電を制限する影響はおこらな
い。電流制限動作はチツプの熱負荷能力を考慮すること
なく行われる。
【０００８】米国特許第４８９６１９９号明細書は，過
負荷保護手段を持つ半導体装置を示している。ここで
は，開閉セルのアレイの中心に温度検出兼制御手段が設
けられ，開閉セルアレイの中心が特定のチツプ温度以下
になるまで，周りに設けられる開閉セルをこの手段によ
り遮断することができる。このような装置の製造技術
は，ドイツ連邦共和国特許第３８２１０６５号明細書に
ついて既に述べたのと同じである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従つて本発明の課題
は，前述した欠点を持たず，できるだけ少ないマスク数
で簡単に製造可能で，内部短絡可能で，最適に過熱遮断
可能で，熱的破壊を防止する集積電流制限手段を持つ可
制御半導体開閉装置を提案することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明によれば，主開閉セル及び補助開閉セルの非負荷
側開閉端子も直接かつ互いに接続され，開閉装置がチツ
プ温度検出素子を持ち，チツプ温度上昇の際このチツプ
温度検出素子が半導体開閉器を導通させるようにこの半
導体開閉器に作用し，装置の開閉駆動の際過負荷限界以
下の負荷電流において補助開閉セルの比電流負荷従つて
比損失電力発生が主開閉セルの比電流負荷従つて比損失
電力発生とほぼ同じ大きさとなるように，補助開閉セル
の性質又は制御量が主開閉セルの性質又は制御量に対し
て相違しており，装置の開閉駆動の際過負荷限界まで負
荷電流の連続増大の際，補助開閉セルの比電流負荷従つ
て比損失電力の発生が単調に増大して，補助開閉セルの
比電流負荷従つて比損失電力の発生を超過し，チツプ温
度検出素子が，前記の特別な開閉セルの近妨範囲におい
て又はこれによりほぼ包囲されて，主開閉セルの占める
チツプ面の縁に設けられている。
【００１１】
【発明の効果】このような半導体開閉装置は，過熱保護
動作が確実かつ迅速であるという利点を持ち，電流制眼
の場合単なる過負荷保護動作を援助するため，本来の開
閉部分の電流負担能力の制限を行う。
【００１２】従つていかなる動作状態でも，駆動信号の
時間経過に関係なく，単位チツプ面当り一般に可能な最
大電流の極めて近くに電流制限限界値を定めることがで
き，従つて信頼性の低下という代償を払うことなく，半
導体チツプの開閉能力を最大にすることができる。温度
検出素子は開閉セルのアレイの中心に設ける必要がな
い。温度検出素子はこのようなアレイの周囲に非常に有
利に設けることができ，いつものように輪郭を形成され
る開閉セルアレイの重心の範囲に規定される妨げられな
い温度輪郭に関して，またチツプ縁に近い他の回路部分
との接触に関して，このようなアレイの周囲に設けるこ
との利点を維持することができる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例が，従来技術による装置も含
む図面に示されている。
【００１４】図３ないし５の説明は，従来の技術の説明
の途中においてなされた。
【００１５】まず図１は，本発明による半導体開閉装置
の開閉セルのそのつど変更可能な原理的チツプトポロジ
ーを示し，図２は，図４による公知の装置の本発明によ
る改良の回路図の例を示している。
【００１６】図１において１．１は，並列接続されてい
る制御電極，即ち図２に示されている半導体開閉器１の
同じ電位にある制御電極を持つ多数の個別主開閉セルを
含むアレイを示している。３．１は，もつと小さい半導
体開閉器３の同様に並列接続されている制御電極を持つ
少数の補助開閉セルを含むアレイを示している。半導体
開閉器１及び３は同じ技術で製造されている。
【００１７】両方のアレイは例えば境界線に沿つて互い
に続いている。実際には，アレイ１．１がアレイ３．１
を包囲するが，いずれにせよアレイ３．１内に設けられ
ている温度センサ１２への少なくとも１つの信号路を覆
わないように，このアレイ１．１を形成することができ
る。従つて負荷電流を検出して詳価しかつ温度を監視す
る回路１１をアレイ１．１及び３．１外に設けて，信号
路を介して温度センサ１２に接続することができる。し
かし区域的に完結される信号電流制限兼温度検出回路１
１′として，回路１１が温度センサも集積して含み，別
個の温度センサ１２の代りに適当な場所でアレイ３．１
により包囲されて設けられるようにすることができる。
【００１８】図２に示す実施例では，半導体開閉器１の
開閉部分は一方では動作電圧Ｕｂ接続され，他方では半
導体開閉装置の出力端Ａに接続されている。その制御電
極は，公知のように例えば電流源５を介して，例えば電
荷ポンプとして構成される駆動回路６の出力端から，制
御信号例えば電流Ｉ１を供給される。駆動回路６は駆動
入力端Ｅを持つている。半導体開閉器１の制御電極と出
力端Ａに接続されるその基準電極との間には，公知のよ
うに別の半導体開閉器２の開閉部分が接続されている。
従つてこの開閉部分には半導体開閉器１の制御電圧Ｕ
ＧＳ１がかかる。半導体開閉器２の制御電極は，別個の
温度センサ１２と負荷電流センサ１３を持つ複合負荷電
流検出兼温度評価回路１１，又は温度センサを集積され
る同じような回路１１′から，制御電圧ＵＧＳ２を供給
される。回路１１又は１１′の温度評価特性は，温度に
ついて跳躍作用を持ちかつ半導体開閉器１を熱的破壊か
ら完全に遮断する作用を持つ前述のヒステリシス開閉特
性を持つことができる。電流センサ１３は，例えば半導
体開閉器１及び３の少なくとも１つの組織の一体の構成
部分として任意に実現可能である。
【００１９】ここでは駆動回路６の出力側に別の電流源
７が付属して，第３の半導体開閉器３の制御電極に作用
結合されている。この半導体開閉器３の開閉部分は半導
体開閉器１の開閉部分に並列接続されている。半導体開
閉器１及び３の制御電極は互いに作用結合され，ここで
は例えば抵抗８を介して互いに接続されている。実際に
はこの抵抗８は，阻止動作又はツエナ動作する少なくと
も１つのｐｎ又はｎｐ半導体接合に代えるか，これと組
合わせることができる。電流源５及び７の少なくとも一
方も抵抗により代えるか，又は電流源５を完全になくし
て，半導体開閉部１及び３の制御電極へ電流Ｉ３のみ即
ち共通な制御信号のみによつてバイアスをかけることが
できる。
【００２０】装置は次のように動作する。電流源５及び
７又は対応する前置抵抗が，半導体開閉器１及び３の制
御電極に所定の切換え電流を供給することにより，所定
の開閉を行う。
【００２１】同じ技術及び同じ開閉セル構造のため，半
導体開閉器１及び３の同じ駆動電圧（ＵＧＳ１＝Ｕ
ＧＳ３）で，アレイ１．１及び３．１において半導体開
閉器を構成する開閉セルを通つて同じ部分電流が流れ
る。
【００２２】全体として流れる電流が回路１１又は１
１′の電流制限機能を有効にしない限り，半導体開閉器
２は全く又は僅かしか駆動されず，従つてＵＧＳ２は例
えば零であるか又は零に近い。従つて半導体開閉器２の
開閉部分は導通せず，電流を通さないので，電圧降下Ｕ
Ｒは零になる。その結果半導体開閉器１及び３は電流源
５及び７（又は対応するオーム抵抗５及び７）を介して
高い電位に接続され，ＵＧＳ１＝ＵＧＳ３である。その
結果，電流制限がまだ始まらないと，半導体開閉器１及
び３の同じ性質の開閉セルを通つて同じ比電流が流れ，
従つて半導体チツプの電流負担範囲において，全体とし
て均一な温度分布が得られる。
【００２３】負荷電流が許容程度を超過すると，負荷電
流センサ１３から回路１１又は１１′へ与えられる信号
が，電圧ＵＧＳ２の上昇により電流制限を開始する。そ
れにより半導体開閉器２が導通制御され，即ち放流素子
として作用し，従つて抵抗８（又はその代りに設けられ
るｐｎ又はｎｐ接合）に電圧降下ＵＲを生ずる。電流Ｉ
３が流れるため，制御電圧ＵＧＳ１が半導体開閉器３の
制御電圧ＵＧＳ３に対して電圧降下ＵＲだけ減少する。
例えば半導体開閉器の個々の開閉セルにも当てはまる図
４の特性曲線から，アレイ３．１に属する補助開閉セル
に対して一層大きい比電流負荷が生ずる。その結果補助
開閉セルにおいて変換される比損失電力はアレイ１．１
の開閉セルにおけるより大きいので，半導体開閉器１の
開閉セルに比較して大きい遊離熱出力従つて高い温度へ
の一層速やかな加熱が生ずる。
【００２４】駆動回路６の適当な設計に関連して，電流
制限の場合いずれにせよ，温度センサ１２又は温度検出
回路１１′のすぐ近く即ちその周りにまとめられる半導
体開閉器３の開閉セルの駆動電圧ＵＧＳ３が，半導体開
閉器１のすべての他の開閉セルの駆動電圧より特定の値
ＵＲだけ高くなるように，することができる。こうして
チツプ温度を検出する検出の特に速やかな加熱を行うた
め，温度検出の範囲における温度分布の所定の不均一化
が意図的に行われる。
【００２５】所定の限界温度を超過すると，回路１１又
は１１′は単なる電流制限の態様又は温度について逆行
するヒステリシス付き電流制限から遮断態様へ跳躍し，
それにより持定の冷却期間にわたつて半導体開閉器１及
び３を完全に阻止することができる。このため例えば図
示しない制御路を回路１１又は１１′と駆動回路６との
間に付加的に設け，駆動回路６における制御信号Ｉ１及
びＩ３の少なくとも一方を，この制御路を介して遮断時
間中零に設定することができる。その代りに，半導体開
閉器２が完全に導通している間，同様に図示してないが
回路１１又は１１′により駆動される別の半導体開閉器
の開閉部分を介して，半導体開閉器３の制御電極を出力
端Ａ又はアース電位に接続することができる。
【００２６】短絡Ａ−ＧＮＤの場合，温度センサ１２又
は温度検出回路１１の所における温度が，アレイ１．１
の他の個所のどれか１つ特にその中心又は重心における
温度に等しいか又はこれより高いように，ＵＲＫを選ぶ
のがよい。従つて電流制限が有効である湯合，温度セン
サ１２又は電流制限兼温度検出回路１１′の周りに設け
られるアレイ３．１の補助開閉セルが最も強く加熱さ
れ，従つて過負荷状態の検出ができるだけ少ない遅れで
行われるようにすることができる。こうして半導体開閉
装置の過負荷による遮断を従来技術による装置より著し
く早く開始し，主電流を通す半導体開閉器１の開閉セル
の制御不能な点状過熱従つてその損傷の危険をなくすこ
とができる。
【００２７】本発明は，特定の開閉セルを別々に駆動す
る上述の実施例に限定されない。例えば技術的手段によ
り，アレイ３．１にある特定数の特別な開閉セルのため
に，主電流を通す半導体開閉器１′の他のすべての開閉
セルの特性曲線より急峻な図４の特性曲線を得ることに
よつて，値の異なる２つの制御量を得る素子８なしです
みかつ半導体開閉器３′の別個の駆動路なしですむ方策
も本発明に含まれる。このような場合，半導体開閉器
１′を持つアレイと半導体開閉器３′に属する開閉セル
との間にある可視分離線４は完全になくてもよく，従つ
てすべての開閉セルの駆動電極の接続は連続的であつて
もよい。
【００２８】半導体開閉装置の短絡強度を改善する本発
明の手段は，もつと広い意味でも図２の実施例に限定さ
れない。ここでは半導体開閉器として，図３及び４の特
性曲線による動作特性を持つＮチヤネルＭＯＳトランジ
スタが半導体開閉器として用いられている。しかし本発
明の範囲を離れることなく，異なる特性を持つ他の半導
体開閉素子も可能である。ここではトランジスタＴ１が
動作電圧Ｕｂをアース１０の方へ導通させる（高側開閉
器）。動作電圧Ｕｂの方へアース電位を導通させる逆の
場合も可能である（低側開閉器）。電力用開閉器１及び
半導体開閉器３の極性又は技術に応じて，例えば駆動回
路として電荷ポンプが必要であるか，又はなくてもよ
い。アレイ毎に異なる傾斜を持つ開閉セルの構成では，
駆動回路６も抵抗分圧器又は導線分岐にするか，又は完
全になくすことができる。電力用開閉器を実現するため
バイポーラ技術を使用しても，前述したように短絡強度
を高めることができる。しかしその場合制御量として，
温度センサ１２又は温度検出回路１１′の近傍範囲にあ
るアレイ３．１内のバイポーラトランジスタ３又はトラ
ンジスタ組織のベース電圧ではなく，ベース電流を，短
絡の場合大きくなるように制御して，温度検出素子の所
に最高の温度を発生せねばならない。これらの変形例は
すべて本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体開閉装置の開閉セルトポロ
ジーの１例の平面図である。
【図２】本発明による半導体開閉装置の概略接続図であ
る。
【図３】電力用ＮチヤネルＭＯＳ電界効果トランジスタ
の形の半導体開閉器の出力特性曲線図である。
【図４】電力用ＮチヤネルＭＯＳ電界効果トランジスタ
の形の半導体開閉器の駆動特性曲線図である。
【図５】従来技術により短絡に対して保護される半導体
開閉装置の原理的接続図である。
【符号の説明】
１〜３ 半導体開閉器 １．１ 主開閉セル ３．１ 補助開閉セル １１′，１２ チツプ温度検出素子 １３ 負荷電流センサ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 負荷電流路にある開閉部分が並列に作用
    する多数の主開閉セルにより形成され，主開閉セルに対
    して並列に全負荷電流の一部を導いて過負荷保護を行う
    少数の補助開閉セルが設けられ，主開閉セル及び補助開
    閉セルの少なくとも負荷側端子が直接かつ高導電的に互
    いに接続され，主開閉セルの非負荷側の他の開閉端子と
    主開閉セルの直接かつ高導電的に互いに接続される制御
    端子との間に，別の半導体開閉器の開閉部分が接続され
    ているものにおいて，主開閉セル（１．１；１）及び補
    助開閉セル（３．１；３）の非負荷側開閉端子も直接か
    つ互いに接続され，開閉装置がチップ温度検出素子（１
    ２，１１′）を持ち，チツプ温度上昇の際このチツプ温
    度検出素子（１２，１１′）が半導体開閉器（２）を導
    通させるようにこの半導体開閉器に作用し，装置の開閉
    駆動の際過負荷限界以下の負荷電流において補助開閉セ
    ル（３．１）の比電流負荷従つて比損失電力発生が主開
    閉セル（１．１）の比電流負荷従つて比損失電力発生と
    ほぼ同じ大きさとなるように，補助開閉セル（３．１）
    の性質又は制御量が主開閉セル（１．１）の性質又は制
    御量に対して相違しており，装置の開閉駆動の際過負荷
    限界まで負荷電流の連続増大の際，補助開閉セル（３．
    １）の比電流負荷従つて比損失電力の発生が単調に増大
    して，補助開閉セル（３．１）の比電流負荷従つて比損
    失電力の発生を超過し，チツプ温度検出素子（１２，１
    １′）が，前記の特別な開閉セル（３．１）の近傍範囲
    において又はこれによりほぼ包囲されて，主開閉セル
    （１．１）の占めるチップ面の縁に設けられていること
    を特徴とする，集積される電流制限手段及び過熱遮断手
    段を持つ可制御半導体開閉装置。
  2. 【請求項２】 開閉セル（１．１；３．１）が任意の技
    術でバイポーラトランジスタ又はＭＯＳトランジスタと
    して構成されていることを特徴とする，請求項１に記載
    の装置。
  3. 【請求項３】 主開閉セル（１．１；１）及び補助開閉
    セル（３．１；３）の制御電極も高導電的に互いに接続
    され，従つてすべての開閉セルが同じ制御量で駆動可能
    であり，補助開閉セル（３．１）が，制御量に関係して
    補助開閉セル（１．１）より出力コンダクタンスの関数
    の大きい傾斜を持つていることを特徴とする，請求項１
    に記載の装置。
  4. 【請求項４】 すべての開閉セル（１．１，１；３．
    １，３）の駆動が特別の駆動回路（６；５，６；５，
    ７）を介して行われ，開閉セルに作用する駆動量の少な
    くとも１つの次の変換，即ち駆動電圧のレベル移動，駆
    動電流のレベル移動，制御量としての電流への駆動電圧
    の変換，又は制御量としての電圧への駆動電流の変換
    が，駆動回路によつて行われることを特徴とする，請求
    項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 すべての開閉セルがほぼ同じに構成され
    るか，又はその制御量に関係して出力コンダクタンスの
    関数のほぼ一様な傾斜を持ち，補助開閉セル（３．１）
    の制御電極が互いに接続され，また主開閉セル（１．
    １）の制御電極が互いに接続され，更に過負荷限界に近
    い負荷範囲で補助開閉セル（３．１）の制御電極及び主
    開閉セル（１．１）の制御電極を少なくとも互いに値の
    異なる制御量で導通制御する手段が設けられていること
    を特徴とする，請求項１に記載の装置。
  6. 【請求項６】 補助開閉セル（３．１）の制御電極と主
    開閉セル（１．１）の制御電極が，制御量の差を形成す
    る素子（８）を介して互いに作用結合していることを特
    徴とする，請求項５に記載の装置。
  7. 【請求項７】 素子（８）が少なくとも１つの抵抗又は
    少なくとも１つのｐｎ又はｎｐ半導体接合であることを
    特徴とする，請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 少なくとも１つの電荷ポンプを含む駆動
    回路（６）を介して開閉セル（１．１；３．１）の駆動
    が行われることを特徴とする，請求項１に記載の装置。
  9. 【請求項９】 主開閉セル（１．１）の少なくとも制御
    入力端にほぼ並列に接続される別の半導体開閉器（２）
    により短絡又は方向転換又は導出可能であることによつ
    て，負荷電流路の通電を制御する量が影響を受け，長い
    期間にわたつて許容される値に負荷電流を制限するよう
    に半導体開閉器（２）へ供給可能な制御信号が，補助開
    閉セル（３．１）の範囲におけるチップ温度に関係する
    のみならず，別個にかつ連続的に検出される少なくとも
    １つの負荷電流部分にも関係していることを特徴とす
    る，請求項１に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 補助開閉セル（３．１）の範囲におけ
    るチツプ温度に関係して負荷電流路の通電を跳躍特性を
    もつて制御する量に対して所定の温度ヒステリシスに応
    じて影響を及ぼす手段が設けられていることを特徴とす
    る，請求項１に記載の装置。
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