JPH05190469A - Ｃｖｄ装置のガスヘッド監視方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置のガスヘッド監視方法Info
- Publication number
- JPH05190469A JPH05190469A JP2181192A JP2181192A JPH05190469A JP H05190469 A JPH05190469 A JP H05190469A JP 2181192 A JP2181192 A JP 2181192A JP 2181192 A JP2181192 A JP 2181192A JP H05190469 A JPH05190469 A JP H05190469A
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- Japan
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- gas head
- wafer
- reaction
- flakes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 枚葉式の常圧ＣＶＤ装置において、反応炉の
ガスヘッドの噴射面に付着した酸化物のフレークを監視
する方法を提供する。 【構成】 反応炉１１に開閉扉１８を設け、ウエハの交
換時などの反応作業の一時停止中に、開閉扉を開放して
光ファイバー３２の先端に取り付けられた内視鏡３１を
反応炉１１内に挿入し、光ファイバーに接続された受像
カメラにより、ガスヘッドの噴射面を受像してモニタに
表示し、該噴射面に付着した酸化物のフレークの付着状
態を監視する。 【効果】 噴射面に付着したフレークの状態を随時に容
易に監視され、適切な時点でガスヘッドの清掃作業を行
うことが可能となり、ウエハに形成される薄膜の品質
と、その歩留まりがともに向上する。
ガスヘッドの噴射面に付着した酸化物のフレークを監視
する方法を提供する。 【構成】 反応炉１１に開閉扉１８を設け、ウエハの交
換時などの反応作業の一時停止中に、開閉扉を開放して
光ファイバー３２の先端に取り付けられた内視鏡３１を
反応炉１１内に挿入し、光ファイバーに接続された受像
カメラにより、ガスヘッドの噴射面を受像してモニタに
表示し、該噴射面に付着した酸化物のフレークの付着状
態を監視する。 【効果】 噴射面に付着したフレークの状態を随時に容
易に監視され、適切な時点でガスヘッドの清掃作業を行
うことが可能となり、ウエハに形成される薄膜の品質
と、その歩留まりがともに向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＣＶＤ装置において、
ガスヘッドに付着した酸化物フレークに対する監視方法
に関する。
ガスヘッドに付着した酸化物フレークに対する監視方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの酸化物の薄膜を形成する方
法として、気相成長法（ＣＶＤ）がある。ＣＶＤの特徴
は、生成する薄膜の融点よりかなり低い温度で薄膜がえ
られることと、薄膜の純度が高くて電気的特性が安定で
あるので、広く用いられている。このようなＣＶＤ装置
の例を図３により説明する。図３の(a),(b) は、いずれ
もウエハを１枚づつ処理する枚葉式の常圧ＣＶＤ装置で
ある。(a) において、ＣＶＤ装置１は、反応炉11の内部
に図示しない昇降機構により、上下に移動できるサセプ
タ（受け台）12と、これを加熱するヒーター13が設けら
れる。サセプタを点線の位置まで下降し、反応炉の側面
に設けた扉17を開放して外部よりウエハ１を炉内に搬入
し、サセプタに載置して適当な温度に加熱するとともに
扉17を閉鎖する。一方、サセプタの上方にガスヘッド15
を設け、供給配管14よりＳｉＨ4 （モノシランガス）、
Ｏ2 およびＮ2 またはＴＥＯＳ＝（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 Ｓ
ｉ，Ｏ3 及びＮ2 が混合された反応ガスをガスヘッド15
供給してウエハ２の表面に噴射する。ガスヘッド15には
ウエハ２の表面に対して反応ガスが均一に噴射できるよ
うに、(c) に示す噴射穴151 、または噴射スリット152
が狭い間隔で多数設けてある。以上により噴射された反
応ガスは、化学反応によりＳｉＯ2 が生成され、ウエハ
の表面に堆積されて薄膜が形成される。反応により残留
したガスは排気管161,162 により外部の所定の箇所に排
出される。薄膜が所定の厚さに形成されると反応ガスの
供給を停止し、その代わりにＮ2 のみを供給して残留ガ
スを強制的に置換し、反応炉内がパージされる。
法として、気相成長法（ＣＶＤ）がある。ＣＶＤの特徴
は、生成する薄膜の融点よりかなり低い温度で薄膜がえ
られることと、薄膜の純度が高くて電気的特性が安定で
あるので、広く用いられている。このようなＣＶＤ装置
の例を図３により説明する。図３の(a),(b) は、いずれ
もウエハを１枚づつ処理する枚葉式の常圧ＣＶＤ装置で
ある。(a) において、ＣＶＤ装置１は、反応炉11の内部
に図示しない昇降機構により、上下に移動できるサセプ
タ（受け台）12と、これを加熱するヒーター13が設けら
れる。サセプタを点線の位置まで下降し、反応炉の側面
に設けた扉17を開放して外部よりウエハ１を炉内に搬入
し、サセプタに載置して適当な温度に加熱するとともに
扉17を閉鎖する。一方、サセプタの上方にガスヘッド15
を設け、供給配管14よりＳｉＨ4 （モノシランガス）、
Ｏ2 およびＮ2 またはＴＥＯＳ＝（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 Ｓ
ｉ，Ｏ3 及びＮ2 が混合された反応ガスをガスヘッド15
供給してウエハ２の表面に噴射する。ガスヘッド15には
ウエハ２の表面に対して反応ガスが均一に噴射できるよ
うに、(c) に示す噴射穴151 、または噴射スリット152
が狭い間隔で多数設けてある。以上により噴射された反
応ガスは、化学反応によりＳｉＯ2 が生成され、ウエハ
の表面に堆積されて薄膜が形成される。反応により残留
したガスは排気管161,162 により外部の所定の箇所に排
出される。薄膜が所定の厚さに形成されると反応ガスの
供給を停止し、その代わりにＮ2 のみを供給して残留ガ
スを強制的に置換し、反応炉内がパージされる。
【０００３】以上の反応作用において生成されるＳｉＯ
2 は、単にウエハ２の表面のみでなく、ガスヘッド15や
反応炉11の内壁などにフレーク（薄片）となって付着す
る。ガスヘッドに付着したフレークは漸次成長して噴射
穴151 や噴射スリット152 よりの反応ガスの噴射を妨害
し、またはウエハの表面に落下してその品質を低下させ
る。このようなフレークの落下を防止するためには、反
応ガスを下から上に向かって噴射する方式がある。図３
(b) はこの方式の反応炉を示し、ウエハ２とガスヘッド
15は位置が上下に反転されており、ガスヘッド15に付着
したフレークが落下することが避けられる。なお、(a)
の方式はウエハの表面が上向きであるので、関係者はこ
れをフェースアップとよび、(b) の方式はフェースダウ
ンとよんでいる。
2 は、単にウエハ２の表面のみでなく、ガスヘッド15や
反応炉11の内壁などにフレーク（薄片）となって付着す
る。ガスヘッドに付着したフレークは漸次成長して噴射
穴151 や噴射スリット152 よりの反応ガスの噴射を妨害
し、またはウエハの表面に落下してその品質を低下させ
る。このようなフレークの落下を防止するためには、反
応ガスを下から上に向かって噴射する方式がある。図３
(b) はこの方式の反応炉を示し、ウエハ２とガスヘッド
15は位置が上下に反転されており、ガスヘッド15に付着
したフレークが落下することが避けられる。なお、(a)
の方式はウエハの表面が上向きであるので、関係者はこ
れをフェースアップとよび、(b) の方式はフェースダウ
ンとよんでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の各部に付着した
フレークは、適当な一定間隔で定期的に反応炉の反応作
業を停止し、内部を清掃して取り除く作業がなされてい
る。しかし、フレークの付着と成長はＣＶＤの稼働時間
などにより変化するので、かならずしも一定期間の清掃
作業では十分でなく、特にガスヘッドに付着したフレー
クは反応ガスの噴射にムラを生じてウエハの品質が劣化
し、製品の歩留まりが低下する。これに対して、定期的
によらず、フレークの付着状態により適切な時点で清掃
作業を行うことが望ましい。このためには、ガスヘッド
の噴射面のフレークの付着状態をつねに、または随時に
監視することが有効である。この発明は以上に鑑みてな
されたもので、ガスヘッドの噴射面に付着したフレーク
を随時に容易に監視できる方法を提供することを目的と
する。
フレークは、適当な一定間隔で定期的に反応炉の反応作
業を停止し、内部を清掃して取り除く作業がなされてい
る。しかし、フレークの付着と成長はＣＶＤの稼働時間
などにより変化するので、かならずしも一定期間の清掃
作業では十分でなく、特にガスヘッドに付着したフレー
クは反応ガスの噴射にムラを生じてウエハの品質が劣化
し、製品の歩留まりが低下する。これに対して、定期的
によらず、フレークの付着状態により適切な時点で清掃
作業を行うことが望ましい。このためには、ガスヘッド
の噴射面のフレークの付着状態をつねに、または随時に
監視することが有効である。この発明は以上に鑑みてな
されたもので、ガスヘッドの噴射面に付着したフレーク
を随時に容易に監視できる方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するガスヘッド監視方法であって、枚葉式ＣＶＤ装
置において、その反応炉に開閉扉を設ける。ウエハの交
換時などの反応作業の一時停止中に、開閉扉を開放して
光ファイバーの先端に取り付けられた内視鏡を反応炉内
に挿入し、光ファイバーに接続された受像カメラによ
り、ガスヘッドの噴射面を受像してモニタに表示し、該
噴射面に付着した酸化物のフレークの付着状態を監視す
るものである。
達成するガスヘッド監視方法であって、枚葉式ＣＶＤ装
置において、その反応炉に開閉扉を設ける。ウエハの交
換時などの反応作業の一時停止中に、開閉扉を開放して
光ファイバーの先端に取り付けられた内視鏡を反応炉内
に挿入し、光ファイバーに接続された受像カメラによ
り、ガスヘッドの噴射面を受像してモニタに表示し、該
噴射面に付着した酸化物のフレークの付着状態を監視す
るものである。
【０００６】
【作用】上記の監視方法においては、ウエハの交換時な
どに反応作業が一時停止されるので、この間合を利用し
て開閉扉を開放し、内視鏡を反応炉内に挿入してガスヘ
ッドの噴射面を受像してモニタに表示する。これにより
噴射面に付着したフレークの状態が随時に容易に監視で
き、付着状態により清掃作業の必要性を判定して適時に
清掃作業を行うことができる。
どに反応作業が一時停止されるので、この間合を利用し
て開閉扉を開放し、内視鏡を反応炉内に挿入してガスヘ
ッドの噴射面を受像してモニタに表示する。これにより
噴射面に付着したフレークの状態が随時に容易に監視で
き、付着状態により清掃作業の必要性を判定して適時に
清掃作業を行うことができる。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示し、ＣＶＤ装
置の、前記の図３(a) に示したフェースアップ方式の反
応炉の垂直断面と監視装置の構成を示す図、図２はその
平面図である。図１，図２において、反応炉11の側面の
適当な高さの位置に開閉扉18を設け、また反応炉の外部
に監視装置３を具備する。監視装置３は、先端に内視鏡
31を取り付けた光ファイバー32と、その後端に受像カメ
ラ33とモニタ34を接続して構成する。内視鏡31と光ファ
イバー32は医療などに使用されているものが好適であ
る。ウエハの交換の際は反応ガスの供給と反応作用が一
時停止され、サセプタ12を下降してウエハ２が取り出さ
れる。この間合を利用し、手作業により扉18を開放して
光ファイバー32とともに内視鏡31を反応炉内に挿入す
る。内視鏡31をガスヘッド15の噴射面の全範囲に亘って
移動し、噴射穴151 または噴射スリット152 に付着した
フレークの状態を受像カメラ33に受像し、その映像をモ
ニタ34に表示して監視する。なお反応炉内は暗いが、内
視鏡31に付属しているランプ光源により噴射面を照明し
て、フレークを明瞭に受像することができる。以上の監
視により、ガスヘッド15の噴射面に付着したフレークが
許されない状態に達していると判定されたときは、反応
炉より監視装置３を取り去り、所定の方法によりガスヘ
ッドを清掃する。これが終了した後、ウエハ２をサセプ
タ12に載置して上昇し、扉17,18 を閉じて供給配管14よ
り反応ガスを供給して反応作業を継続する。なお、上記
はフェースアップ方式の反応炉に対する実施例である
が、フェースダウン方式に対しても同様に適用すること
ができる。
置の、前記の図３(a) に示したフェースアップ方式の反
応炉の垂直断面と監視装置の構成を示す図、図２はその
平面図である。図１，図２において、反応炉11の側面の
適当な高さの位置に開閉扉18を設け、また反応炉の外部
に監視装置３を具備する。監視装置３は、先端に内視鏡
31を取り付けた光ファイバー32と、その後端に受像カメ
ラ33とモニタ34を接続して構成する。内視鏡31と光ファ
イバー32は医療などに使用されているものが好適であ
る。ウエハの交換の際は反応ガスの供給と反応作用が一
時停止され、サセプタ12を下降してウエハ２が取り出さ
れる。この間合を利用し、手作業により扉18を開放して
光ファイバー32とともに内視鏡31を反応炉内に挿入す
る。内視鏡31をガスヘッド15の噴射面の全範囲に亘って
移動し、噴射穴151 または噴射スリット152 に付着した
フレークの状態を受像カメラ33に受像し、その映像をモ
ニタ34に表示して監視する。なお反応炉内は暗いが、内
視鏡31に付属しているランプ光源により噴射面を照明し
て、フレークを明瞭に受像することができる。以上の監
視により、ガスヘッド15の噴射面に付着したフレークが
許されない状態に達していると判定されたときは、反応
炉より監視装置３を取り去り、所定の方法によりガスヘ
ッドを清掃する。これが終了した後、ウエハ２をサセプ
タ12に載置して上昇し、扉17,18 を閉じて供給配管14よ
り反応ガスを供給して反応作業を継続する。なお、上記
はフェースアップ方式の反応炉に対する実施例である
が、フェースダウン方式に対しても同様に適用すること
ができる。
【０００８】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明によるガ
スヘッド監視方法においては、反応炉に対するウエハの
交換時の間合に、内視鏡を炉内に挿入してガスヘッドに
付着したフレークを随時に容易監視できるもので、その
状態により清掃作業の必要性が判定されて清掃作業を適
時に行うことが可能となり、ウエハに形成される薄膜の
品質と、その歩留まりとがともに向上する効果には大き
いものがある。
スヘッド監視方法においては、反応炉に対するウエハの
交換時の間合に、内視鏡を炉内に挿入してガスヘッドに
付着したフレークを随時に容易監視できるもので、その
状態により清掃作業の必要性が判定されて清掃作業を適
時に行うことが可能となり、ウエハに形成される薄膜の
品質と、その歩留まりとがともに向上する効果には大き
いものがある。
【図１】 図１は、この発明の一実施例のＣＶＤ装置の
反応炉の垂直断面と監視装置の構成を示す説明図であ
る。
反応炉の垂直断面と監視装置の構成を示す説明図であ
る。
【図２】 図２は、図１の実施例における平面図であ
る。
る。
【図３】 図３は、枚葉式の常圧ＣＶＤ装置の反応炉の
垂直断面図を示し、(a) はフェースアップ方式の反応
炉、(b) はフェースダウン方式の反応炉、(c)はガスヘ
ッドに設けられた噴射穴と噴射スリットを示す図であ
る。
垂直断面図を示し、(a) はフェースアップ方式の反応
炉、(b) はフェースダウン方式の反応炉、(c)はガスヘ
ッドに設けられた噴射穴と噴射スリットを示す図であ
る。
１…ＣＶＤ装置、11…反応炉、12…サセプタ、13…ヒー
ター、14…供給配管、15…ガスヘッド、151 …噴射穴、
152 …噴射スリット、161,162 …排気管、17…扉、18…
開閉扉、２…ウエハ、３…監視装置、31…内視鏡、32…
光ファイバー、33…受像カメラ、34…モニタ。
ター、14…供給配管、15…ガスヘッド、151 …噴射穴、
152 …噴射スリット、161,162 …排気管、17…扉、18…
開閉扉、２…ウエハ、３…監視装置、31…内視鏡、32…
光ファイバー、33…受像カメラ、34…モニタ。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応炉内に被処理のウエハを１枚づつ搬
入し、ガスヘッドにより該ウエハの表面に反応ガスを噴
射して、酸化物の薄膜を形成する枚葉式ＣＶＤ装置にお
いて、該反応炉に開閉扉を設け、前記ウエハの交換時な
どの反応作業の一時停止中に、該開閉扉を開放して光フ
ァイバーの先端に取り付けられた内視鏡を該反応炉内に
挿入し、該光ファイバーに接続された受像カメラおよび
モニタにより前記ガスヘッドの噴射面を受像して、該噴
射面に付着した酸化物のフレークの付着状態を監視する
ことを特徴とする、ＣＶＤ装置のガスヘッド監視方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181192A JPH05190469A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Ｃｖｄ装置のガスヘッド監視方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181192A JPH05190469A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Ｃｖｄ装置のガスヘッド監視方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190469A true JPH05190469A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12065445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2181192A Pending JPH05190469A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Ｃｖｄ装置のガスヘッド監視方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5588999A (en) * | 1995-01-17 | 1996-12-31 | Eiko Engineering Co., Ltd. | Thin film forming device |
| JP2004531906A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
| JP2010196102A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Sharp Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP2181192A patent/JPH05190469A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5588999A (en) * | 1995-01-17 | 1996-12-31 | Eiko Engineering Co., Ltd. | Thin film forming device |
| JP2004531906A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
| JP2010196102A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Sharp Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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