JPH0518675Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0518675Y2 JPH0518675Y2 JP1985022354U JP2235485U JPH0518675Y2 JP H0518675 Y2 JPH0518675 Y2 JP H0518675Y2 JP 1985022354 U JP1985022354 U JP 1985022354U JP 2235485 U JP2235485 U JP 2235485U JP H0518675 Y2 JPH0518675 Y2 JP H0518675Y2
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- Japan
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- thick film
- film resistor
- infrared
- solder
- insulating resin
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- Expired - Lifetime
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本考案は、主として、熱型赤外線検出器に関
し、赤外線検出素子を支持する基板上に設けられ
たゲート抵抗用厚膜抵抗体を、絶縁樹脂によつて
被覆することにより、厚膜抵抗体の表面に半田が
付着するのを阻止し、半田付着による抵抗値変動
を防止できるようにしたものである。
し、赤外線検出素子を支持する基板上に設けられ
たゲート抵抗用厚膜抵抗体を、絶縁樹脂によつて
被覆することにより、厚膜抵抗体の表面に半田が
付着するのを阻止し、半田付着による抵抗値変動
を防止できるようにしたものである。
〈従来の技術〉
熱型赤外線検出器としては、従来より、焦電型
（例えば実開昭58−140436号）、モーサパイル型或
いはサーミスタ型等のものが知られているが、何
れの場合も、赤外線検出信号は非常に微弱であ
り、Ｓ／Ｍ比を向上させ得る構造、或いは回路的
設計を行なうことが重要である。そこで、この種
の熱型赤外検出器においては、絶縁基板の表面側
に光学的手段によつて形成された所定位置に、赤
外線検出素子をマウントすると共に、表面側の残
りのスペースまたは背面側に、赤外線検出素子か
らの微弱な検出信号を増幅する増幅回路部品、例
えば電界効果トランジスタ（以下FETと称す
る）、抵抗、トランジスタ等の回路素子を配置し、
更に全体をケースに封入した構造とし、Ｓ／Ｍを
向上させていた。
（例えば実開昭58−140436号）、モーサパイル型或
いはサーミスタ型等のものが知られているが、何
れの場合も、赤外線検出信号は非常に微弱であ
り、Ｓ／Ｍ比を向上させ得る構造、或いは回路的
設計を行なうことが重要である。そこで、この種
の熱型赤外検出器においては、絶縁基板の表面側
に光学的手段によつて形成された所定位置に、赤
外線検出素子をマウントすると共に、表面側の残
りのスペースまたは背面側に、赤外線検出素子か
らの微弱な検出信号を増幅する増幅回路部品、例
えば電界効果トランジスタ（以下FETと称す
る）、抵抗、トランジスタ等の回路素子を配置し、
更に全体をケースに封入した構造とし、Ｓ／Ｍを
向上させていた。
ケースは、小型化の要求から、内径が８mmφの
小型のものが多く用いられ、回路素子は、この小
さなケース内スペースに収納できるよう、厚膜部
品として基板に直接形成するか、またはチツプ部
品として半田付けする。
小型のものが多く用いられ、回路素子は、この小
さなケース内スペースに収納できるよう、厚膜部
品として基板に直接形成するか、またはチツプ部
品として半田付けする。
第２図は従来のこの種の赤外線検出器の断面図
であり、アルミナ磁器等の絶縁材料を用いて平板
状に形成した絶縁基板１の表面１０１に熱型赤外
線検出素子２をマウントすると共に、絶縁基板１
の背面１０２側に、赤外線検出素子２からの検出
信号を増幅するFET３、厚膜抵抗体４及びリー
ド端子５，６等の回路構成に必要な部品を装着し
てある。部品３〜６の取付けに当つては、絶縁基
板１の他面１０２上に所定のパターンで導体パタ
ーン７１〜７４を形成し、この導体パターン７１
〜７４上に部品３〜６を半田付け８１〜８４す
る。導体パターン７１〜７４に対する部品３〜６
の半田付けに当つては、導体パターン７１〜７４
の上に予めクリーム半田を塗布しておき、次に部
品３〜６を所定位置に配置して仮止めした後、加
熱する手段がとられる。
であり、アルミナ磁器等の絶縁材料を用いて平板
状に形成した絶縁基板１の表面１０１に熱型赤外
線検出素子２をマウントすると共に、絶縁基板１
の背面１０２側に、赤外線検出素子２からの検出
信号を増幅するFET３、厚膜抵抗体４及びリー
ド端子５，６等の回路構成に必要な部品を装着し
てある。部品３〜６の取付けに当つては、絶縁基
板１の他面１０２上に所定のパターンで導体パタ
ーン７１〜７４を形成し、この導体パターン７１
〜７４上に部品３〜６を半田付け８１〜８４す
る。導体パターン７１〜７４に対する部品３〜６
の半田付けに当つては、導体パターン７１〜７４
の上に予めクリーム半田を塗布しておき、次に部
品３〜６を所定位置に配置して仮止めした後、加
熱する手段がとられる。
９は支持台、１０はケース、１１及び１２は絶
縁ブツシユである。ケース１０には赤外線透過窓
１３が設けられている。
縁ブツシユである。ケース１０には赤外線透過窓
１３が設けられている。
〈考案が解決しようとする課題〉
上述のように、従来は赤外線検出信号のＳ／Ｍ
比の改善、小型化等の要求から、赤外線検出素子
２を支持する絶縁基板１の背面１０２に導体パタ
ーン７１〜７４を設け、この導体パターン７１〜
７４に厚膜化或いはチツプ化されたFET３や厚
膜抵抗体４、更にはリード端子５，６等の部品を
半田付け８１〜８４する構造となつていて、
FET３のゲート抵抗となる厚膜抵抗体４は、他
面１０２側で露出している。このため、FET３
のリード線やリード端子５，６の半田付けに厚膜
抵抗体４の表面にフラツクスや、半田が付着し、
抵抗値が著しく低下してしまう危険があつた。赤
外線検出素子２からの検出信号は微弱であり、こ
れを増幅するFET３のゲート抵抗用厚膜抵抗体
４は１０11Ω程度の高抵抗値となるのが普通であ
るから、少量のフラツクスや、半田が付着しただ
けで抵抗値が所定値から著しく乖離してしまい、
必要な増幅率が確保できなくなる。
比の改善、小型化等の要求から、赤外線検出素子
２を支持する絶縁基板１の背面１０２に導体パタ
ーン７１〜７４を設け、この導体パターン７１〜
７４に厚膜化或いはチツプ化されたFET３や厚
膜抵抗体４、更にはリード端子５，６等の部品を
半田付け８１〜８４する構造となつていて、
FET３のゲート抵抗となる厚膜抵抗体４は、他
面１０２側で露出している。このため、FET３
のリード線やリード端子５，６の半田付けに厚膜
抵抗体４の表面にフラツクスや、半田が付着し、
抵抗値が著しく低下してしまう危険があつた。赤
外線検出素子２からの検出信号は微弱であり、こ
れを増幅するFET３のゲート抵抗用厚膜抵抗体
４は１０11Ω程度の高抵抗値となるのが普通であ
るから、少量のフラツクスや、半田が付着しただ
けで抵抗値が所定値から著しく乖離してしまい、
必要な増幅率が確保できなくなる。
そこで、本考案の課題は、上述する従来の問題
点を解決し、電界効果トランジスタのゲート抵抗
用厚膜抵抗体の表面に、フラツクスや半田が付着
するのを阻止して抵抗値変動を防止し、所定の増
幅特性が得られるようにした赤外線検出器を提供
することである。
点を解決し、電界効果トランジスタのゲート抵抗
用厚膜抵抗体の表面に、フラツクスや半田が付着
するのを阻止して抵抗値変動を防止し、所定の増
幅特性が得られるようにした赤外線検出器を提供
することである。
〈課題を解決するための手段〉
上述した課題解決のため、本考案は、赤外線検
出素子を支持する基板の同一面上に、前記赤外線
検出素子から出力される信号を増幅する電界効果
トランジスタ及びそのゲート抵抗となる厚膜抵抗
体を有する赤外線検出器において、前記厚膜抵抗
体は絶縁樹脂で被覆されていることを特徴とす
る。
出素子を支持する基板の同一面上に、前記赤外線
検出素子から出力される信号を増幅する電界効果
トランジスタ及びそのゲート抵抗となる厚膜抵抗
体を有する赤外線検出器において、前記厚膜抵抗
体は絶縁樹脂で被覆されていることを特徴とす
る。
〈作用〉
電界効果トランジスタのゲート抵抗となる厚膜
抵抗体が絶縁樹脂で被覆されているので、FET
のリード線やリード端子の半田付けに厚膜抵抗体
の表面にフラツクスや半田が付着することがな
い。このため、フラツクスや半田の付着による厚
膜抵抗体の抵抗値変動を防止して抵抗値を所定の
高抵抗値に保ち、所要の増幅特性を確保できる。
抵抗体が絶縁樹脂で被覆されているので、FET
のリード線やリード端子の半田付けに厚膜抵抗体
の表面にフラツクスや半田が付着することがな
い。このため、フラツクスや半田の付着による厚
膜抵抗体の抵抗値変動を防止して抵抗値を所定の
高抵抗値に保ち、所要の増幅特性を確保できる。
〈実施例〉
第１図は本考案に係る赤外線検出器の断面図で
ある。図において、第２図の同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。１４は絶縁樹脂
である。絶縁樹脂１４は厚膜抵抗体４の全体を被
覆している。従つて、FET３のリード線やリー
ド端子５，６の半田付けに厚膜抵抗体４の表面に
フラツクスや半田が付着することがない。このた
め、フラツクスや半田の付着による厚膜抵抗体４
の抵抗値変動を防止して抵抗値を所定の高抵抗値
に保ち、所要の増幅特性を確保できる。
ある。図において、第２図の同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。１４は絶縁樹脂
である。絶縁樹脂１４は厚膜抵抗体４の全体を被
覆している。従つて、FET３のリード線やリー
ド端子５，６の半田付けに厚膜抵抗体４の表面に
フラツクスや半田が付着することがない。このた
め、フラツクスや半田の付着による厚膜抵抗体４
の抵抗値変動を防止して抵抗値を所定の高抵抗値
に保ち、所要の増幅特性を確保できる。
実施例において、絶縁樹脂１４は、厚膜抵抗体
４を被覆する他、基板１の部品半田付け面となる
他面１０２側を、部品３〜６の半田付け領域を除
いて被覆している。この部分の絶縁樹脂１４は部
品３〜６を半田付けする前に、その半田付け領域
を避けて、スクリーン印刷等の手段によつて塗布
し、硬化させておく。そして、絶縁樹脂１４の硬
化後に、絶縁樹脂１４のない半田付け領域にクリ
ーム半田を塗布し、部品３〜６を所定位置に配置
し、加熱処理して半田付け処理を行なう。
４を被覆する他、基板１の部品半田付け面となる
他面１０２側を、部品３〜６の半田付け領域を除
いて被覆している。この部分の絶縁樹脂１４は部
品３〜６を半田付けする前に、その半田付け領域
を避けて、スクリーン印刷等の手段によつて塗布
し、硬化させておく。そして、絶縁樹脂１４の硬
化後に、絶縁樹脂１４のない半田付け領域にクリ
ーム半田を塗布し、部品３〜６を所定位置に配置
し、加熱処理して半田付け処理を行なう。
部品３〜６を配置する段階では、絶縁樹脂１４
は硬化しており、その樹脂壁によつて回路部品３
〜６の配置位置が形成されているから、部品３〜
６は位置ズレを生じることなく、確実に所定位置
に位置決めされる。しかも、半田加熱処理時にフ
ラツクス及び溶融半田の流出が絶縁樹脂１４によ
つて阻止されるから、導体部分に対するフラツク
ス或いは半田の付着または半田ブリツジ等の発生
も確実に防止される。
は硬化しており、その樹脂壁によつて回路部品３
〜６の配置位置が形成されているから、部品３〜
６は位置ズレを生じることなく、確実に所定位置
に位置決めされる。しかも、半田加熱処理時にフ
ラツクス及び溶融半田の流出が絶縁樹脂１４によ
つて阻止されるから、導体部分に対するフラツク
ス或いは半田の付着または半田ブリツジ等の発生
も確実に防止される。
絶縁樹脂１４としては、エポキシ樹脂、シリコ
ーン樹脂等の印刷性の良好なものが望ましい。ま
た、その厚みは0.05mm以上とする。厚みが0.05mm
以上であると、部品３〜６の位置決め、フラツク
ス及び半田の流出防止作用が確実に得られるから
である。
ーン樹脂等の印刷性の良好なものが望ましい。ま
た、その厚みは0.05mm以上とする。厚みが0.05mm
以上であると、部品３〜６の位置決め、フラツク
ス及び半田の流出防止作用が確実に得られるから
である。
〈考案の効果〉
以上述べたように、本考案は、赤外線検出素子
を支持する基板の同一面上に、赤外線検出素子か
ら出力される信号を増幅する電界効果トランジス
タ及びそのゲート抵抗となる厚膜抵抗体を有する
赤外線検出器において、厚膜抵抗体は絶縁樹脂で
被覆されているから、電界効果トランジスタのゲ
ート抵抗用厚膜抵抗体の表面にフラツクスや半田
が付着するのを阻止して抵抗値変更を防止し、所
定の増幅特性が得られるようにした赤外線検出器
を提供することができる。
を支持する基板の同一面上に、赤外線検出素子か
ら出力される信号を増幅する電界効果トランジス
タ及びそのゲート抵抗となる厚膜抵抗体を有する
赤外線検出器において、厚膜抵抗体は絶縁樹脂で
被覆されているから、電界効果トランジスタのゲ
ート抵抗用厚膜抵抗体の表面にフラツクスや半田
が付着するのを阻止して抵抗値変更を防止し、所
定の増幅特性が得られるようにした赤外線検出器
を提供することができる。
第１図は本考案に係る赤外線検出器の部分断面
図、第２図は従来の赤外線検出器の部分断面図で
ある。 １……絶縁基板、２……赤外線検出素子、３…
…電界効果トランジスタ、４……厚膜抵抗体、１
４……絶縁樹脂。
図、第２図は従来の赤外線検出器の部分断面図で
ある。 １……絶縁基板、２……赤外線検出素子、３…
…電界効果トランジスタ、４……厚膜抵抗体、１
４……絶縁樹脂。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 赤外線検出素子を支持する基板の同一面上
に、前記赤外線検出素子から出力される信号を
増幅する電界効果トランジスタ及びそのゲート
抵抗となる厚膜抵抗体を有する赤外線検出器に
おいて、前記厚膜抵抗体は、絶縁樹脂で被覆さ
れていることを特徴とする赤外線検出器。 (2) 前記絶縁樹脂は、厚みが0.05mm以上であるこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項
に記載の赤外線検出器。 (3) 前記赤外線検出素子は、熱検出型のものでな
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
１項または第２項に記載の赤外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985022354U JPH0518675Y2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985022354U JPH0518675Y2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139440U JPS61139440U (ja) | 1986-08-29 |
| JPH0518675Y2 true JPH0518675Y2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=30514572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985022354U Expired - Lifetime JPH0518675Y2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0518675Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769797A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing hybrid thick film integrated circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5995234U (ja) * | 1982-12-18 | 1984-06-28 | ティーディーケイ株式会社 | 赤外線検出器 |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP1985022354U patent/JPH0518675Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769797A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing hybrid thick film integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61139440U (ja) | 1986-08-29 |
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