JPH05182921A - 拡散炉 - Google Patents

拡散炉

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Publication number
JPH05182921A
JPH05182921A JP5092A JP5092A JPH05182921A JP H05182921 A JPH05182921 A JP H05182921A JP 5092 A JP5092 A JP 5092A JP 5092 A JP5092 A JP 5092A JP H05182921 A JPH05182921 A JP H05182921A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction gas
core tube
furnace core
furnace
oxygen concentration
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Pending
Application number
JP5092A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsutoshi Ishizaki
勝敏 石崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】大気と炉芯管1との圧力差及び温度差による外
気の浸入があってもウェーハ7における処理のばらつき
をなくす。 【構成】炉芯管1の入口付近に配管8と、酸素濃度を測
定する酸素濃度測定器5とを取付け、測定される酸素濃
度値と設定濃度とを比較し、制御装置3を介して反応気
体混合装置2を動作させ反応気体流量を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板(以下ウェ
ーハと称する)を高温で熱処理する拡散炉に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の拡散炉について縦型拡散炉を例に
説明する。
【0003】図2は従来の一例を示す拡散炉の模式断面
図である。従来、この種の拡散炉は、例えば、図2に示
すように、ウェーハ7を搭載するウェーハ装填治具6を
収納する炉芯管1と、この炉芯管1の周囲に取付けられ
たヒータ4と、炉芯管1に反応ガスを供給する反応気体
混合装置2と、この反応気体混合装置を制御する制御装
置3とで構成されていた。
【0004】この拡散炉でウェーハを熱処理する場合
は、まず、反応気体の種類を選択し、所望の流量でキャ
リアガスと混合し炉芯管に供給する。次に、混合ガスが
供給される炉芯管1にウェーハ7を搭載するウェーハ装
填治具6をヒータ4で加熱しウェーハ7を熱処理する。
【0005】また、ウェーハ7が搭載されたウェーハ装
填治具6を炉芯管1内に収納する際、炉芯管1内と大気
との温度差により炉芯管1内に大気が混入する。この混
入量を一定量以下に制限するため、制御装置3からの制
御信号に従い反応気体混合装置2からウェーハ7の処理
時より大量の反応気体を炉芯管1内に供給し、炉芯管1
内を外気圧より大きくしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の拡散炉
では、炉芯管内と大気との温度差、及び炉芯管入口部分
の大気圧の変動によらず一定量の反応気体を炉芯管に供
給し、大気の混入量の制御を行っているため混入量が処
理毎に異なることがある。そのため混入した大気中の酸
素によって薄い酸化膜形成工程では、処理毎に酸化膜厚
ばらつき生じさせる。また、例えばMOSFETのVT
特性安定化熱処理工程では、VT値のばらつきが発生す
る。このことは製品の歩留が低下するという問題点があ
った。
【0007】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
炉芯管と大気との温度差や圧力差の変動にもかかわらず
ばらつきのない膜厚あるいは特性のばらつきのない処理
ができる拡散炉を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の拡散炉は、半導
体基板を収納する炉芯管と、前記炉芯管に反応気体を供
給するために配管で接続された反応気体混合装置と、前
記反応気体混合装置を含む拡散炉全体を制御する制御装
置とを有する拡散炉において、前記炉芯管内の反応気体
の酸素濃度を測定する酸素濃度測定器を備えている。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0010】図1は、本発明の一実施例を示す拡散炉の
模式断面図である。この拡散炉は、同図に示すように、
炉芯管1の入口付近の反応気体を導入する配管8と、こ
の配管8と接続されるとともに酸素濃度を測定する酸素
濃度測定器8を設けたことである。
【0011】また、この酸素濃度測定器8は、測定値を
制御装置3へ送信し、制御装置3は設定された酸素濃度
と比較し反応気体混合装置に流量設定信号を出力させる
ことである。それ以外は、従来例と同じである。
【0012】次に、この拡散炉の動作を説明する。ウェ
ーハ7処理時又は、未処理時は制御装置3からの制御信
号に従って反応気体混合装置2において反応気体の種類
を選択し所望の流量で混合後、ヒーター4により所望の
温度に加熱された炉芯管1に供給する。ウェーハ7が装
填されたウェーハ装填治具6を炉芯管1内に入出させる
場合は、炉芯管1の入口付近の反応気体を配管8を通し
て酸素濃度測定器5に導入し、酸素濃度を測定する。測
定値を拡散炉制御装置3に送信し、設定された酸素濃度
に達するように制御装置3より反応気体混合装置2へ反
応気体流量制御信号を送信し、反応気体の流量を自動的
に変更する。
【0013】上記実施例は、ウェーハ装填治具6の入出
する場合についてであるが、反応気体が酸素を大量に含
まなければ、ウェーハ7処理時においても酸素濃度の測
定は可能である。また、炉芯管の破損による大気混入で
あった場合にも検知できるという2次的な効果もある。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、炉芯管の
反応気体の酸素濃度を測定する酸素濃度測定器を備え、
酸素濃度を測定し反応気体混合装置を酸素濃度に応じて
制御することによって、炉芯管と大気の温度差、炉芯管
入口部分の大気圧の変動にかかわらず、炉芯管内への大
気の混入量を最小限に更に一定に保持できる。従って薄
い酸化膜形成工程では、酸化膜圧のバッチ間のばらつき
が低減し、MOSFETのVT特性安定化熱処理工程で
は、処理バッチ内、バッチ間のVTのばらつきが低減
い、製品の歩留を向上できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す拡散炉の模式断面図で
ある。
【図2】従来の拡散炉の一例を示す模式断面図である。
【符号の説明】 1 炉芯管 2 反応気体混合装置 3 制御装置 4 ヒータ 5 酸素濃度測定器 6 ウェーハ装填治具 7 ウェーハ 8 配管

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板を収納する炉芯管と、前記炉
    芯管に反応気体を供給するために配管で接続された反応
    気体混合装置と、前記反応気体混合装置を含む拡散炉全
    体を制御する制御装置とを有する拡散炉において、前記
    炉芯管内の反応気体の酸素濃度を測定する酸素濃度測定
    器を備えることを特徴とする拡散炉。
JP5092A 1992-01-06 1992-01-06 拡散炉 Pending JPH05182921A (ja)

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JP5092A JPH05182921A (ja) 1992-01-06 1992-01-06 拡散炉

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JP5092A JPH05182921A (ja) 1992-01-06 1992-01-06 拡散炉

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110531796A (zh) * 2019-09-17 2019-12-03 湖南艾科威智能装备有限公司 一种用于扩散炉的称重恒温槽及其参数自动调整方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63220517A (ja) * 1987-03-09 1988-09-13 Mitsubishi Electric Corp 反応炉

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63220517A (ja) * 1987-03-09 1988-09-13 Mitsubishi Electric Corp 反応炉

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110531796A (zh) * 2019-09-17 2019-12-03 湖南艾科威智能装备有限公司 一种用于扩散炉的称重恒温槽及其参数自动调整方法

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980421