JPH05181148A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH05181148A JPH05181148A JP34731991A JP34731991A JPH05181148A JP H05181148 A JPH05181148 A JP H05181148A JP 34731991 A JP34731991 A JP 34731991A JP 34731991 A JP34731991 A JP 34731991A JP H05181148 A JPH05181148 A JP H05181148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal line
- switching element
- scanning
- liquid crystal
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絵素電極の全ての箇所にラビング処理を施す
ことができ、表示不良の発生を防止することができるよ
うにする。 【構成】 ベース基板１１における走査線、信号線及び
スイッチング素子の各形成部を窪ませ、その窪み１１ａ
に走査線１２、信号線及びスイッチング素子をそれぞれ
形成し、前記各形成部以外の部分に絵素電極１３を形成
する。このため、走査線１２、信号線及びスイッチング
素子のうちで一番高いものに比較して、絵素電極１３の
高さを同一か、又はより高くできる。これにより、配向
膜１４における絵素電極１３上の全域にわたりラビング
処理を行うことができる。
ことができ、表示不良の発生を防止することができるよ
うにする。 【構成】 ベース基板１１における走査線、信号線及び
スイッチング素子の各形成部を窪ませ、その窪み１１ａ
に走査線１２、信号線及びスイッチング素子をそれぞれ
形成し、前記各形成部以外の部分に絵素電極１３を形成
する。このため、走査線１２、信号線及びスイッチング
素子のうちで一番高いものに比較して、絵素電極１３の
高さを同一か、又はより高くできる。これにより、配向
膜１４における絵素電極１３上の全域にわたりラビング
処理を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型液晶表示装置等の液晶表示装置に関し、特に高品位・
高精細表示が可能な小型の液晶表示装置に関する。
型液晶表示装置等の液晶表示装置に関し、特に高品位・
高精細表示が可能な小型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述したアクティブマトリクス型液晶表
示装置として、従来、図３に示す構成のアクティブマト
リクス基板を使用するものが知られている。この液晶表
示装置は、ベース基板１上に複数の走査線２…及び複数
の信号線３…が交差して配線され、走査線２と信号線３
とで囲まれた領域に表示用絵素電極４が設けられてお
り、この絵素電極４は走査線２と信号線３との交差部近
傍に設けた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチン
グ素子５により駆動されるアクティブマトリクス基板１
０を有し、このアクティブマトリクス基板１０に対し、
間に液晶を挟んで対向基板が対向配設された構成となっ
ている。
示装置として、従来、図３に示す構成のアクティブマト
リクス基板を使用するものが知られている。この液晶表
示装置は、ベース基板１上に複数の走査線２…及び複数
の信号線３…が交差して配線され、走査線２と信号線３
とで囲まれた領域に表示用絵素電極４が設けられてお
り、この絵素電極４は走査線２と信号線３との交差部近
傍に設けた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチン
グ素子５により駆動されるアクティブマトリクス基板１
０を有し、このアクティブマトリクス基板１０に対し、
間に液晶を挟んで対向基板が対向配設された構成となっ
ている。
【０００３】したがって、従来のアクティブマトリクス
型液晶表示装置においては、ベース基板１の表面上の走
査線２と信号線３とが交差して出来る井桁の中に絵素電
極４が形成され、また図４に示すように走査線２、信号
線３及びスイッチング素子５は絵素電極４よりも厚いた
め、絵素電極４は、図５に示すように走査線２や信号線
３等の配線、及びスイッチング素子によって作られる窪
みの底に存在する構造になっている。
型液晶表示装置においては、ベース基板１の表面上の走
査線２と信号線３とが交差して出来る井桁の中に絵素電
極４が形成され、また図４に示すように走査線２、信号
線３及びスイッチング素子５は絵素電極４よりも厚いた
め、絵素電極４は、図５に示すように走査線２や信号線
３等の配線、及びスイッチング素子によって作られる窪
みの底に存在する構造になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶を配向
させるには、図６に示すようにアクティブマトリクス基
板及び対向基板の液晶と接する部分に配向膜６を付け、
その配向膜６上に所定の１方向であるラビング方向（図
５参照）に揃う筋７を付けること、即ちラビング処理を
行うことを必要するが、上述したように絵素電極４が配
線等で形成された窪みの底に存在する。したがって、高
精細表示を行うようにした液晶表示装置では、１つ１つ
の絵素が通常の液晶表示装置の絵素に比べ微細なため、
窪みの中の隅にある絵素電極部分の上までは前記筋７を
付けることが出来ない。よって、ラビング処理が施され
ていない絵素電極部分の上では液晶が配向せず、その配
向しない部分だけが絵素消灯時でも白い輝点となって表
示不良になるという問題があった。
させるには、図６に示すようにアクティブマトリクス基
板及び対向基板の液晶と接する部分に配向膜６を付け、
その配向膜６上に所定の１方向であるラビング方向（図
５参照）に揃う筋７を付けること、即ちラビング処理を
行うことを必要するが、上述したように絵素電極４が配
線等で形成された窪みの底に存在する。したがって、高
精細表示を行うようにした液晶表示装置では、１つ１つ
の絵素が通常の液晶表示装置の絵素に比べ微細なため、
窪みの中の隅にある絵素電極部分の上までは前記筋７を
付けることが出来ない。よって、ラビング処理が施され
ていない絵素電極部分の上では液晶が配向せず、その配
向しない部分だけが絵素消灯時でも白い輝点となって表
示不良になるという問題があった。
【０００５】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、絵素電極の全ての箇所にラビング処
理を施すことができ、表示不良の発生を防止することが
できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
されたものであり、絵素電極の全ての箇所にラビング処
理を施すことができ、表示不良の発生を防止することが
できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、ベース基板上に複数の走査線及び複数の信号線が交
差して配線され、該走査線と該信号線とで囲まれた領域
に設けた表示用絵素電極が、該走査線と信号線との交差
部近傍に設けたスイッチング素子により駆動される第１
基板に対し、間に液晶を挟んで第２基板が対向配設され
た液晶表示装置において、該ベース基板における走査
線、信号線及びスイッチング素子の各形成部を窪ませ、
その窪んだ部分に走査線、信号線及びスイッチング素子
がそれぞれ形成され、該各形成部以外の部分に該絵素電
極が形成されており、そのことにより上記目的を達成す
ることができる。
は、ベース基板上に複数の走査線及び複数の信号線が交
差して配線され、該走査線と該信号線とで囲まれた領域
に設けた表示用絵素電極が、該走査線と信号線との交差
部近傍に設けたスイッチング素子により駆動される第１
基板に対し、間に液晶を挟んで第２基板が対向配設され
た液晶表示装置において、該ベース基板における走査
線、信号線及びスイッチング素子の各形成部を窪ませ、
その窪んだ部分に走査線、信号線及びスイッチング素子
がそれぞれ形成され、該各形成部以外の部分に該絵素電
極が形成されており、そのことにより上記目的を達成す
ることができる。
【０００７】また、本発明の液晶表示装置は、ベース基
板上に複数の走査線及び複数の信号線が交差して配線さ
れ、該走査線と該信号線とで囲まれた領域に設けた表示
用絵素電極が、該走査線と信号線との交差部近傍に設け
たスイッチング素子により駆動される第１基板に対し、
間に液晶を挟んで第２基板が対向配設された液晶表示装
置において、該ベース基板における走査線、信号線及び
スイッチング素子の各形成部以外の部分を盛り上げ、そ
の盛り上げた部分に該絵素電極が形成され、該各形成部
に走査線、信号線及びスイッチング素子がそれぞれ形成
されており、そのことにより上記目的を達成することが
できる。
板上に複数の走査線及び複数の信号線が交差して配線さ
れ、該走査線と該信号線とで囲まれた領域に設けた表示
用絵素電極が、該走査線と信号線との交差部近傍に設け
たスイッチング素子により駆動される第１基板に対し、
間に液晶を挟んで第２基板が対向配設された液晶表示装
置において、該ベース基板における走査線、信号線及び
スイッチング素子の各形成部以外の部分を盛り上げ、そ
の盛り上げた部分に該絵素電極が形成され、該各形成部
に走査線、信号線及びスイッチング素子がそれぞれ形成
されており、そのことにより上記目的を達成することが
できる。
【０００８】更に、本発明の液晶表示装置は、ベース基
板上に複数の走査線及び複数の信号線が交差して配線さ
れ、該走査線と該信号線とで囲まれた領域に設けた表示
用絵素電極が、該走査線と信号線との交差部近傍に設け
たスイッチング素子により駆動される第１基板に対し、
間に液晶を挟んで第２基板が対向配設された液晶表示装
置において、該ベース基板における走査線、信号線及び
スイッチング素子の各形成部以外の部分を盛り上げ、そ
の盛り上げた部分に該絵素電極が形成され、前記ベース
基板における走査線、信号線及びスイッチング素子の各
形成部を窪ませ、その窪ませた部分に走査線、信号線及
びスイッチング素子がそれぞれ形成されており、そのこ
とにより上記目的を達成することができる。
板上に複数の走査線及び複数の信号線が交差して配線さ
れ、該走査線と該信号線とで囲まれた領域に設けた表示
用絵素電極が、該走査線と信号線との交差部近傍に設け
たスイッチング素子により駆動される第１基板に対し、
間に液晶を挟んで第２基板が対向配設された液晶表示装
置において、該ベース基板における走査線、信号線及び
スイッチング素子の各形成部以外の部分を盛り上げ、そ
の盛り上げた部分に該絵素電極が形成され、前記ベース
基板における走査線、信号線及びスイッチング素子の各
形成部を窪ませ、その窪ませた部分に走査線、信号線及
びスイッチング素子がそれぞれ形成されており、そのこ
とにより上記目的を達成することができる。
【０００９】
【作用】本発明にあっては、ベース基板における走査
線、信号線及びスイッチング素子の各形成部を窪ませ、
その窪ませた部分に走査線、信号線及びスイッチング素
子をそれぞれ形成し、前記各形成部以外の部分に該絵素
電極を形成する。又は、ベース基板における走査線、信
号線及びスイッチング素子の各形成部以外の部分を盛り
上げ、その盛り上げた部分に絵素電極を形成し、前記各
形成部に走査線、信号線及びスイッチング素子に形成す
る。或は、ベース基板における走査線、信号線及びスイ
ッチング素子の各形成部を窪ませ、その窪ませた部分に
走査線、信号線及びスイッチング素子をそれぞれ形成
し、前記各形成部以外の部分を盛り上げ、その盛り上げ
た部分に絵素電極を形成する。
線、信号線及びスイッチング素子の各形成部を窪ませ、
その窪ませた部分に走査線、信号線及びスイッチング素
子をそれぞれ形成し、前記各形成部以外の部分に該絵素
電極を形成する。又は、ベース基板における走査線、信
号線及びスイッチング素子の各形成部以外の部分を盛り
上げ、その盛り上げた部分に絵素電極を形成し、前記各
形成部に走査線、信号線及びスイッチング素子に形成す
る。或は、ベース基板における走査線、信号線及びスイ
ッチング素子の各形成部を窪ませ、その窪ませた部分に
走査線、信号線及びスイッチング素子をそれぞれ形成
し、前記各形成部以外の部分を盛り上げ、その盛り上げ
た部分に絵素電極を形成する。
【００１０】このため、走査線、信号線及びスイッチン
グ素子のうちで一番高いものに比較して、絵素電極の高
さを同一か、又はより高くできる。これにより、配向膜
における絵素電極上の全域にわたりラビング処理を行う
ことができる。
グ素子のうちで一番高いものに比較して、絵素電極の高
さを同一か、又はより高くできる。これにより、配向膜
における絵素電極上の全域にわたりラビング処理を行う
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００１２】（実施例１）図１は本発明を適用した液晶
表示装置のベース基板部分を示す断面図である。この液
晶表示装置は、ベース基板１１の信号線形成部には窪み
１１ａが形成され、その窪み１１ａ内に信号線１２が配
線されている。この信号線１２に対してベース基板１１
上で交差する状態で設けられた走査線（図示せず）にお
いても、信号線１２と同様に、ベース基板１１の走査線
形成部に形成した窪み内に配線され、信号線１２や走査
線よりも厚みのある薄膜トランジスタ等のスイッチング
素子（図示せず）においても、ベース基板１１のスイッ
チング素子形成部に形成した窪み内に設けられている。
なお、信号線１２と走査線とが交差する部分には、絶縁
膜を設けて短絡しないようにしてある。
表示装置のベース基板部分を示す断面図である。この液
晶表示装置は、ベース基板１１の信号線形成部には窪み
１１ａが形成され、その窪み１１ａ内に信号線１２が配
線されている。この信号線１２に対してベース基板１１
上で交差する状態で設けられた走査線（図示せず）にお
いても、信号線１２と同様に、ベース基板１１の走査線
形成部に形成した窪み内に配線され、信号線１２や走査
線よりも厚みのある薄膜トランジスタ等のスイッチング
素子（図示せず）においても、ベース基板１１のスイッ
チング素子形成部に形成した窪み内に設けられている。
なお、信号線１２と走査線とが交差する部分には、絶縁
膜を設けて短絡しないようにしてある。
【００１３】上記信号線１２、走査線及びスイッチング
素子をそれぞれ形成するための各窪みは、信号線１２、
走査線及びスイッチング素子がベース基板１１の表面と
同一レベルか、或はそれよりも低くなるようにしてい
る。具体的には、信号線１２や走査線の厚みよりも厚い
スイッチング素子がベース基板１１内に隠れる深さに揃
えている。
素子をそれぞれ形成するための各窪みは、信号線１２、
走査線及びスイッチング素子がベース基板１１の表面と
同一レベルか、或はそれよりも低くなるようにしてい
る。具体的には、信号線１２や走査線の厚みよりも厚い
スイッチング素子がベース基板１１内に隠れる深さに揃
えている。
【００１４】上述した各窪みは、例えばエッチングによ
りベース基板１１を掘り下げて形成される。なお、エッ
チング以外の方法で形成してもよい。
りベース基板１１を掘り下げて形成される。なお、エッ
チング以外の方法で形成してもよい。
【００１５】上記信号線１２と走査線とで囲まれ、前記
窪みの形成されていないベース基板１１部分には、絵素
電極１３が形成されている。この絵素電極１３は、上記
スイッチング素子の最上部に設けられたドレイン電極と
直接に、或は接続用の導電部材を介して接続され、この
スイッチング素子により駆動される。
窪みの形成されていないベース基板１１部分には、絵素
電極１３が形成されている。この絵素電極１３は、上記
スイッチング素子の最上部に設けられたドレイン電極と
直接に、或は接続用の導電部材を介して接続され、この
スイッチング素子により駆動される。
【００１６】したがって、このように構成したアクティ
ブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶を挟持させ
て液晶表示装置を作製する場合、アクティブマトリクス
基板上の絵素電極１３がその周りの信号線１２、走査線
及びスイッチング素子よりも高くなっているので、アク
ティブマトリクス基板上に設けた配向膜１４の全域、特
に絵素電極１３上の全域に一定方向に揃った筋を付ける
ことができる。
ブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶を挟持させ
て液晶表示装置を作製する場合、アクティブマトリクス
基板上の絵素電極１３がその周りの信号線１２、走査線
及びスイッチング素子よりも高くなっているので、アク
ティブマトリクス基板上に設けた配向膜１４の全域、特
に絵素電極１３上の全域に一定方向に揃った筋を付ける
ことができる。
【００１７】なお、上記実施例では絵素電極１３がその
周りの信号線１２、走査線及びスイッチング素子よりも
高くなるようにしているが、本発明は絵素電極１３が信
号線１２、走査線及びスイッチング素子のうちで一番高
いものと同一高さとなるようにしてもよい。
周りの信号線１２、走査線及びスイッチング素子よりも
高くなるようにしているが、本発明は絵素電極１３が信
号線１２、走査線及びスイッチング素子のうちで一番高
いものと同一高さとなるようにしてもよい。
【００１８】また、絵素電極１３が信号線１２、走査線
及びスイッチング素子のうちで一番高いものと同一高
さ、或はより高くなる状態を確保できれば、信号線形成
部や走査線形成部における窪みの深さは、一定にする必
要はない。例えば、厚みのあるスイッチング素子の近傍
では深く、それよりも遠ざかる程、浅くなるようにして
ある。
及びスイッチング素子のうちで一番高いものと同一高
さ、或はより高くなる状態を確保できれば、信号線形成
部や走査線形成部における窪みの深さは、一定にする必
要はない。例えば、厚みのあるスイッチング素子の近傍
では深く、それよりも遠ざかる程、浅くなるようにして
ある。
【００１９】（実施例２）図２は本発明の他の実施例を
示す断面図である。この実施例においては、信号線１２
は平坦なベース基板１１の上に形成され、図示は省略す
るが、他の走査線及びスイッチング素子も同様にベース
基板１１の上に形成されている。一方、絵素電極１３
は、信号線１２と走査線とで囲まれた領域に透明絶縁膜
１５を、例えば信号線１２と同じ高さとなる厚みで形成
し、その透明絶縁膜１５の上に形成してある。上記透明
絶縁膜１５は、例えば信号線１２、走査線及びスイッチ
ング素子のうちで一番厚いものの厚さ分だけ透明絶縁材
料を予め堆積しておき、それを信号線形成部、走査線形
成部及びスイッチング素子形成部のみエッチングにより
パターニングすることで形成してある。なお、信号線形
成部、走査線形成部及びスイッチング素子形成部を除く
部分をベース基板１１より盛り上げる手法としては、他
の手法を使用してもよい。
示す断面図である。この実施例においては、信号線１２
は平坦なベース基板１１の上に形成され、図示は省略す
るが、他の走査線及びスイッチング素子も同様にベース
基板１１の上に形成されている。一方、絵素電極１３
は、信号線１２と走査線とで囲まれた領域に透明絶縁膜
１５を、例えば信号線１２と同じ高さとなる厚みで形成
し、その透明絶縁膜１５の上に形成してある。上記透明
絶縁膜１５は、例えば信号線１２、走査線及びスイッチ
ング素子のうちで一番厚いものの厚さ分だけ透明絶縁材
料を予め堆積しておき、それを信号線形成部、走査線形
成部及びスイッチング素子形成部のみエッチングにより
パターニングすることで形成してある。なお、信号線形
成部、走査線形成部及びスイッチング素子形成部を除く
部分をベース基板１１より盛り上げる手法としては、他
の手法を使用してもよい。
【００２０】このようにすることで、信号線１２、走査
線及びスイッチング素子に対して、絵素電極１３が同じ
高さ、或はより高くなるようにし、アクティブマトリク
ス基板上の配向膜１４の全域にわたりラビング処理を行
えるようにしている。
線及びスイッチング素子に対して、絵素電極１３が同じ
高さ、或はより高くなるようにし、アクティブマトリク
ス基板上の配向膜１４の全域にわたりラビング処理を行
えるようにしている。
【００２１】なお、実施例１ではベース基板１１に窪み
１１ａを設け、一方実施例２ではベース基板１１を透明
絶縁膜１５にて盛り上げることにより、信号線１２、走
査線及びスイッチング素子に対して、絵素電極１３が同
じ高さ、或はより高くなるようにしているが、本発明は
ベース基板１１に窪み１１ａを設けると共に、透明絶縁
膜１５にて盛り上げ、窪み部分に信号線１２、走査線及
びスイッチング素子をそれぞれ形成し、盛り上げた部分
に絵素電極を形成するようにしてもよい。
１１ａを設け、一方実施例２ではベース基板１１を透明
絶縁膜１５にて盛り上げることにより、信号線１２、走
査線及びスイッチング素子に対して、絵素電極１３が同
じ高さ、或はより高くなるようにしているが、本発明は
ベース基板１１に窪み１１ａを設けると共に、透明絶縁
膜１５にて盛り上げ、窪み部分に信号線１２、走査線及
びスイッチング素子をそれぞれ形成し、盛り上げた部分
に絵素電極を形成するようにしてもよい。
【００２２】また、上記説明ではアクティブマトリクス
基板を使用する液晶表示装置に対して説明しているが、
本発明はこれに限らず、単純マトリクス基板を使用する
液晶表示装置にも同様に適用できることはもちろんであ
る。
基板を使用する液晶表示装置に対して説明しているが、
本発明はこれに限らず、単純マトリクス基板を使用する
液晶表示装置にも同様に適用できることはもちろんであ
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明による場合には、走査線、信号線
及びスイッチング素子のうちで一番高いものに比較し
て、絵素電極の高さを同一か、又はより高くできるの
で、配向膜における絵素電極上の全域にわたりラビング
処理を行うことができ、絵素電極上で完全に液晶分子を
配向させることが可能となり、表示不良の発生を防止す
ることができる。
及びスイッチング素子のうちで一番高いものに比較し
て、絵素電極の高さを同一か、又はより高くできるの
で、配向膜における絵素電極上の全域にわたりラビング
処理を行うことができ、絵素電極上で完全に液晶分子を
配向させることが可能となり、表示不良の発生を防止す
ることができる。
【図１】本実施例の液晶表示装置のベース基板部分を示
す断面図。
す断面図。
【図２】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置のベー
ス基板部分を示す断面図。
ス基板部分を示す断面図。
【図３】従来のアクティブマトリクス基板を示す斜視
図。
図。
【図４】図３のアクティブマトリクス基板の交差部と薄
膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）を示す断面図。
膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）を示す断面図。
【図５】図３のアクティブマトリクス基板における絵素
電極部分を示す断面図。
電極部分を示す断面図。
【図６】図５の絵素電極の上に配向膜を形成した状態を
示す断面図。
示す断面図。
１１ ベース基板 １２ 信号線 １３ 絵素電極 １４ 配向膜 １５ 透明絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】ベース基板上に複数の走査線及び複数の信
号線が交差して配線され、該走査線と該信号線とで囲ま
れた領域に設けた表示用絵素電極が、該走査線と信号線
との交差部近傍に設けたスイッチング素子により駆動さ
れる第１基板に対し、間に液晶を挟んで第２基板が対向
配設された液晶表示装置において、 該ベース基板における走査線、信号線及びスイッチング
素子の各形成部を窪ませ、その窪んだ部分に走査線、信
号線及びスイッチング素子がそれぞれ形成され、該各形
成部以外の部分に該絵素電極が形成された液晶表示装
置。 - 【請求項２】ベース基板上に複数の走査線及び複数の信
号線が交差して配線され、該走査線と該信号線とで囲ま
れた領域に設けた表示用絵素電極が、該走査線と信号線
との交差部近傍に設けたスイッチング素子により駆動さ
れる第１基板に対し、間に液晶を挟んで第２基板が対向
配設された液晶表示装置において、 該ベース基板における走査線、信号線及びスイッチング
素子の各形成部以外の部分を盛り上げ、その盛り上げた
部分に該絵素電極が形成され、該各形成部に走査線、信
号線及びスイッチング素子がそれぞれ形成された液晶表
示装置。 - 【請求項３】ベース基板上に複数の走査線及び複数の信
号線が交差して配線され、該走査線と該信号線とで囲ま
れた領域に設けた表示用絵素電極が、該走査線と信号線
との交差部近傍に設けたスイッチング素子により駆動さ
れる第１基板に対し、間に液晶を挟んで第２基板が対向
配設された液晶表示装置において、 該ベース基板における走査線、信号線及びスイッチング
素子の各形成部以外の部分を盛り上げ、その盛り上げた
部分に該絵素電極が形成され、前記ベース基板における
走査線、信号線及びスイッチング素子の各形成部を窪ま
せ、その窪ませた部分に走査線、信号線及びスイッチン
グ素子がそれぞれ形成された液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34731991A JPH05181148A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34731991A JPH05181148A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05181148A true JPH05181148A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18389420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34731991A Withdrawn JPH05181148A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05181148A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100690000B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100823061B1 (ko) * | 2005-03-15 | 2008-04-18 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34731991A patent/JPH05181148A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100690000B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100823061B1 (ko) * | 2005-03-15 | 2008-04-18 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
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