JPH05178633A - 基体上における光導波体の製造方法 - Google Patents
基体上における光導波体の製造方法Info
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- JPH05178633A JPH05178633A JP4124955A JP12495592A JPH05178633A JP H05178633 A JPH05178633 A JP H05178633A JP 4124955 A JP4124955 A JP 4124955A JP 12495592 A JP12495592 A JP 12495592A JP H05178633 A JPH05178633 A JP H05178633A
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- layer
- substrate
- optical waveguide
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、外部との結合に便利な円弧上の断
面を有する光導波体を基体上に平坦な構造形態で形成す
る方法を得ることを目的とする。 【構成】 基体1 上に透明な材料の2つの層3 ,6 重ね
られた構造4 ,4.1 を生成し、その第2の層6 は、第1
の層3 の材料より大きい屈折率と、低い溶融点とを有し
ている透明な材料で生成し、加熱処理を行って第2の層
6 の材料だけを溶融して、溶融した第2の層の表面が断
面で見た場合に少なくとも円の弧に近似する形状に変化
するように加熱温度および期間が選択され、それに続く
冷却処理において、第2の層の材料が円の弧の形状で凝
固し、光導波体が形成されることを特徴とする。
面を有する光導波体を基体上に平坦な構造形態で形成す
る方法を得ることを目的とする。 【構成】 基体1 上に透明な材料の2つの層3 ,6 重ね
られた構造4 ,4.1 を生成し、その第2の層6 は、第1
の層3 の材料より大きい屈折率と、低い溶融点とを有し
ている透明な材料で生成し、加熱処理を行って第2の層
6 の材料だけを溶融して、溶融した第2の層の表面が断
面で見た場合に少なくとも円の弧に近似する形状に変化
するように加熱温度および期間が選択され、それに続く
冷却処理において、第2の層の材料が円の弧の形状で凝
固し、光導波体が形成されることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基体上に平坦な構造の
形態で1つまたは複数の光導波体を生成する方法に関す
る。
形態で1つまたは複数の光導波体を生成する方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】このような方法は、文献(“Bauelement
e der integrierten Optik:eine Einfuhrung,”Integr
ated Optical Components :An Introduction ,および
“Laser und Optoelektronik”Lasers and Optoelecron
ics ,No.4/1986 , 323乃至326 頁)に記載されてい
る。エピタキシャル方法では、層が単結晶基体に最初に
供給され、所望の光導波体の形態でフォトリソグラフ的
に構成された、すなわち光導波体が生成されるべき箇所
において層が除去されている基体の表面に沿って延在す
る高くなった光導波体構造が得られる。したがって、エ
ピタキシャル方法は構造の形態で単結晶層として導波体
を生成するために使用される。基体として使用されるべ
き材料、並びにさらに異なる屈折率を有していなければ
ならない実質的に一致した格子定数を持つ光波のため
に、このようなエピタキシャル方法は現在いくつかの化
合物に制限されている。エピタキシャル方法によって生
成された単結晶光導波体は、研磨された端面での光波の
入出力のための結合に関する問題が比較的少ないように
一般に円または半円形にほぼ適合する断面部を有する。
e der integrierten Optik:eine Einfuhrung,”Integr
ated Optical Components :An Introduction ,および
“Laser und Optoelektronik”Lasers and Optoelecron
ics ,No.4/1986 , 323乃至326 頁)に記載されてい
る。エピタキシャル方法では、層が単結晶基体に最初に
供給され、所望の光導波体の形態でフォトリソグラフ的
に構成された、すなわち光導波体が生成されるべき箇所
において層が除去されている基体の表面に沿って延在す
る高くなった光導波体構造が得られる。したがって、エ
ピタキシャル方法は構造の形態で単結晶層として導波体
を生成するために使用される。基体として使用されるべ
き材料、並びにさらに異なる屈折率を有していなければ
ならない実質的に一致した格子定数を持つ光波のため
に、このようなエピタキシャル方法は現在いくつかの化
合物に制限されている。エピタキシャル方法によって生
成された単結晶光導波体は、研磨された端面での光波の
入出力のための結合に関する問題が比較的少ないように
一般に円または半円形にほぼ適合する断面部を有する。
【0003】拡散方法において、ドーピング材料を基体
中すなわち基体表面の下で拡散することによってかなり
円形に近い光導波体断面部が得られる。ここでも研磨さ
れた端面での光波の入出力のための結合に関する問題は
特にない。
中すなわち基体表面の下で拡散することによってかなり
円形に近い光導波体断面部が得られる。ここでも研磨さ
れた端面での光波の入出力のための結合に関する問題は
特にない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
透明層の蒸着のような被覆方法だけが使用された場合、
この層はエッチングプロセスによって或は例えば構成さ
れたマスクを通して層を蒸着することによって構成され
るならば、例えば光ファイバの光波の入出力のための結
合にあまり適さない長方形断面を本質的に有する光導波
体が得られる。
透明層の蒸着のような被覆方法だけが使用された場合、
この層はエッチングプロセスによって或は例えば構成さ
れたマスクを通して層を蒸着することによって構成され
るならば、例えば光ファイバの光波の入出力のための結
合にあまり適さない長方形断面を本質的に有する光導波
体が得られる。
【0005】したがって、本発明の目的は、研磨された
端面において光ファイバ中への結合を容易に可能にする
ように透明な層の供給によって生成される光導波体を構
成することである。
端面において光ファイバ中への結合を容易に可能にする
ように透明な層の供給によって生成される光導波体を構
成することである。
【0006】
【課題解決のための手段】この目的は、透明な材料の2
つの重ねられた層の構造を生成し、第2の層は、第1の
層の材料より大きい屈折率と、低い溶融点とを有してい
る透明な材料で生成し、加熱処理を行い、それにおい
て、第2の層の材料だけが溶融し、溶融した第2の層の
表面が、断面で見た場合に少なくとも円の弧に近似する
形状に変化するように温度および期間が選択され、それ
に続く冷却処理において、第2の層の材料が円の弧の形
状で凝固し、光導波体が形成されることを特徴とする方
法によって達成される。この方法により、光導波体は光
ファイバ中の結合にかなり良好に適合した断面を得る。
さらに、多数の有機および無機化合物がこのタイプの光
導波体製造に利用可能である。また、基体に対して単結
晶材料を使用する必要はない。基体は任意の所望の材料
から構成されてもよい。しかしながら、それはその熱膨
脹係数が光導波体が形成される材料のそれにほぼ対応す
るように選択されなければならない。
つの重ねられた層の構造を生成し、第2の層は、第1の
層の材料より大きい屈折率と、低い溶融点とを有してい
る透明な材料で生成し、加熱処理を行い、それにおい
て、第2の層の材料だけが溶融し、溶融した第2の層の
表面が、断面で見た場合に少なくとも円の弧に近似する
形状に変化するように温度および期間が選択され、それ
に続く冷却処理において、第2の層の材料が円の弧の形
状で凝固し、光導波体が形成されることを特徴とする方
法によって達成される。この方法により、光導波体は光
ファイバ中の結合にかなり良好に適合した断面を得る。
さらに、多数の有機および無機化合物がこのタイプの光
導波体製造に利用可能である。また、基体に対して単結
晶材料を使用する必要はない。基体は任意の所望の材料
から構成されてもよい。しかしながら、それはその熱膨
脹係数が光導波体が形成される材料のそれにほぼ対応す
るように選択されなければならない。
【0007】本発明の別の有効な詳細は請求項2以下に
記載されており、以下図面に示された実施例を参照して
説明されている。
記載されており、以下図面に示された実施例を参照して
説明されている。
【0008】
【実施例】図1において参照符号1は、光導波体または
集積された光学回路用の支持体として機能する基体を示
す。基体はガラスまたは水晶から構成されていることが
好ましいが、しかし別の有機または無機材料および金属
でも使用されることが可能である。
集積された光学回路用の支持体として機能する基体を示
す。基体はガラスまたは水晶から構成されていることが
好ましいが、しかし別の有機または無機材料および金属
でも使用されることが可能である。
【0009】透明材料の第1の層3は、その表面2を部
分的にまたは完全に被覆するように基体1に供給される
(図1のb)。さらに、図1のcによると高くなった基
体4は所望の光導波体の形態(示された実施例ではY分
枝の形態)で構造4を被覆し、続いて被覆されていない
残りの層5を除去する(図1のd)ことによって基体1
の表面2上に生成される。ポリマーが層3として使用さ
れた場合、残りの層5の除去はプラズマエッチングによ
って行われることが好ましい。しかしながら、別のエッ
チング方法または適切な溶媒による除去も考えられる。
分的にまたは完全に被覆するように基体1に供給される
(図1のb)。さらに、図1のcによると高くなった基
体4は所望の光導波体の形態(示された実施例ではY分
枝の形態)で構造4を被覆し、続いて被覆されていない
残りの層5を除去する(図1のd)ことによって基体1
の表面2上に生成される。ポリマーが層3として使用さ
れた場合、残りの層5の除去はプラズマエッチングによ
って行われることが好ましい。しかしながら、別のエッ
チング方法または適切な溶媒による除去も考えられる。
【0010】層2は例えば光重合可能な材料から構成さ
れてもよく、構造4は印刷回路板の製造で知られている
フォトリソグラフ方法によって生成されてもよい。
れてもよく、構造4は印刷回路板の製造で知られている
フォトリソグラフ方法によって生成されてもよい。
【0011】ガラスが層3として使用された場合、残り
の層はフッ化水素酸によりそれをエッチングすることに
よって除去される。
の層はフッ化水素酸によりそれをエッチングすることに
よって除去される。
【0012】原理的に残りの層5、または構造4に沿っ
た境界ストリップはまたレーザビームによって、または
別の適切な方法でそれを処理することによって除去され
てもよい。
た境界ストリップはまたレーザビームによって、または
別の適切な方法でそれを処理することによって除去され
てもよい。
【0013】別の方法ステップにおいて、構造4および
基体表面2の少なくとも周辺領域は第2の透明層6によ
り被覆される。この層6の材料は第1の層3の材料より
低い融点を有し、さらに屈折率が第1の層3の材料の屈
折率より大きいように選択される。第2の層6は層3よ
り大きい厚さに効果的に設けられる。例えば、第1の層
3の厚さは約0.5 乃至5μmである。
基体表面2の少なくとも周辺領域は第2の透明層6によ
り被覆される。この層6の材料は第1の層3の材料より
低い融点を有し、さらに屈折率が第1の層3の材料の屈
折率より大きいように選択される。第2の層6は層3よ
り大きい厚さに効果的に設けられる。例えば、第1の層
3の厚さは約0.5 乃至5μmである。
【0014】図1のfおよびgによると、構造4.1は
構造4の生成のために使用されたものと同じ、または異
なる方法にしたがって第2の層6上に生成される。この
層はおそらく幅7を除いて構造4と同一である。構造
4.1の幅7は構造4の幅の約70乃至100 %であっても
よい。
構造4の生成のために使用されたものと同じ、または異
なる方法にしたがって第2の層6上に生成される。この
層はおそらく幅7を除いて構造4と同一である。構造
4.1の幅7は構造4の幅の約70乃至100 %であっても
よい。
【0015】それに続く加熱プロセスにおいて、第2の
層6中の構造4.1はそれが溶融し始める温度および時
間長で加熱され、材料の表面張力によって表面を円の弧
の形態に膨らませる。したがって、この層の断面は半円
または円形セグメントに近付く。冷却後、構造4.1は
この形状を保持し、光波の誘導に良く適しており、好ま
しい断面(図1のh)のためにそれにまたはそれから光
波が問題なく結合されることができるストリップライン
の形態で光導波体8を形成する。
層6中の構造4.1はそれが溶融し始める温度および時
間長で加熱され、材料の表面張力によって表面を円の弧
の形態に膨らませる。したがって、この層の断面は半円
または円形セグメントに近付く。冷却後、構造4.1は
この形状を保持し、光波の誘導に良く適しており、好ま
しい断面(図1のh)のためにそれにまたはそれから光
波が問題なく結合されることができるストリップライン
の形態で光導波体8を形成する。
【0016】光導波体8の光学特性を改良または安定化
するために、第3の透明層9が少なくとも光導波体8上
に別の方法ステップで設けられる。この第3の層の屈折
率は第2の層6の材料の屈折率より低い(図1のi)。
するために、第3の透明層9が少なくとも光導波体8上
に別の方法ステップで設けられる。この第3の層の屈折
率は第2の層6の材料の屈折率より低い(図1のi)。
【0017】第1の層3および第2の層6における構造
4および4.1はまた単一プロセスステップで生成され
てもよい。この方法は図2のa乃至eを参照される以下
のように行われる:最初に、図2のaに示された基体1
は第1の層3を具備している(図2のb)。その後溶融
点が高く、第1の層3の材料より大きい屈折率を有する
材料の層6が層3に供給される(図2のc)。その後、
構造4および4.1は適切なマスクを通して、或は例え
ばプラズマエッチング、レーザビーム処理等による1つ
の方法ステップにおいて例えばフォトリソグラフィック
方法によって生成され、そこにおいて構造を囲む残りの
層5は除去される(図2のdおよび図2のe)。残りの
層を全て除去する代わりに、構造に隣接した制限された
領域がチャンネルまたはストリップの形態で除去されて
もよい。その後の処理は加熱および冷却プロセスによっ
て図1のhおよび図1のiを参照して説明されたように
行われる。
4および4.1はまた単一プロセスステップで生成され
てもよい。この方法は図2のa乃至eを参照される以下
のように行われる:最初に、図2のaに示された基体1
は第1の層3を具備している(図2のb)。その後溶融
点が高く、第1の層3の材料より大きい屈折率を有する
材料の層6が層3に供給される(図2のc)。その後、
構造4および4.1は適切なマスクを通して、或は例え
ばプラズマエッチング、レーザビーム処理等による1つ
の方法ステップにおいて例えばフォトリソグラフィック
方法によって生成され、そこにおいて構造を囲む残りの
層5は除去される(図2のdおよび図2のe)。残りの
層を全て除去する代わりに、構造に隣接した制限された
領域がチャンネルまたはストリップの形態で除去されて
もよい。その後の処理は加熱および冷却プロセスによっ
て図1のhおよび図1のiを参照して説明されたように
行われる。
【0018】光波の良好な結合を実現するために、光導
波体8の端面10は研磨される。端面10の平面は、望まし
くない反射を避けるように基体1の平面12に垂直にライ
ン13に関して基体エッジ11において小さい角度αだけ図
3に示されているように傾斜されること好ましい。
波体8の端面10は研磨される。端面10の平面は、望まし
くない反射を避けるように基体1の平面12に垂直にライ
ン13に関して基体エッジ11において小さい角度αだけ図
3に示されているように傾斜されること好ましい。
【0019】この方法により、光導波体は基体1の両側
に設けられることも述べられるべきである。
に設けられることも述べられるべきである。
【0020】ポリマーが第1の層3および第2の層6と
して使用された場合、第1の層3の材料および恐らく第
3の層9の材料もまたポリアクリレート、ポリイミド、
高分子ポリカーボネイトまたはポリイソシアネートに基
づいた1つ以上のポリマーから構成され、第2の層6の
材料はポリスチレン、ポリウレタン、低分子ポリカーボ
ネイトをベースにした少なくとも1つのポリマーから構
成されることができる。
して使用された場合、第1の層3の材料および恐らく第
3の層9の材料もまたポリアクリレート、ポリイミド、
高分子ポリカーボネイトまたはポリイソシアネートに基
づいた1つ以上のポリマーから構成され、第2の層6の
材料はポリスチレン、ポリウレタン、低分子ポリカーボ
ネイトをベースにした少なくとも1つのポリマーから構
成されることができる。
【0021】参照として使用された無機材料は二酸化シ
リコンに基づいたガラスである。二酸化シリコンが使用
された場合、その割合は少なくとも30重量%、特に50重
量%より高いことが好ましい。ガラスは30重量%までの
鉛および、または30重量%までの亜鉛を含んでいてもよ
い。
リコンに基づいたガラスである。二酸化シリコンが使用
された場合、その割合は少なくとも30重量%、特に50重
量%より高いことが好ましい。ガラスは30重量%までの
鉛および、または30重量%までの亜鉛を含んでいてもよ
い。
【0022】本発明の技術的範囲内において、第1の層
3は無機材料の層であり、第2の層6はおよび恐らくは
第3の層9は有機材料から構成されることができる。
3は無機材料の層であり、第2の層6はおよび恐らくは
第3の層9は有機材料から構成されることができる。
【0023】第1の層3の構造の幅と厚さの比率は約
1:1乃至5:1であることが好ましく、第2の層6の
それは約0.5 :1乃至約2:1の範囲であるように選択
される。
1:1乃至5:1であることが好ましく、第2の層6の
それは約0.5 :1乃至約2:1の範囲であるように選択
される。
【0024】第2の層6中の構造4.1の幅は0.7 乃至
10μmであることが好ましく、第1の層3中の構造4の
幅は1乃至10μmである。第2の層6中の構造4.1の
厚さはそれが溶融する前は約1乃至8μmである。
10μmであることが好ましく、第1の層3中の構造4の
幅は1乃至10μmである。第2の層6中の構造4.1の
厚さはそれが溶融する前は約1乃至8μmである。
【0025】第1の層3の構造4の上方側のエッジ13が
できるだけ急峻なエッジに形成されてその上で溶融する
第2の層6の接続のために制限された開始位置を形成す
るように注意が払われなければならない。
できるだけ急峻なエッジに形成されてその上で溶融する
第2の層6の接続のために制限された開始位置を形成す
るように注意が払われなければならない。
【図1】二重被覆および除去プロセスが使用された場合
の本発明の方法の個々のステップを示した図。
の本発明の方法の個々のステップを示した図。
【図2】単一の除去プセスが使用された場合の本発明の
方法の個々のステップを示した図。
方法の個々のステップを示した図。
【図3】端面のエッジの断面図。
Claims (4)
- 【請求項1】 基体上に平坦な構造の形態で1つまたは
複数の光導波体を生成する方法において、 透明な材料の2つの重ねられた層の構造を生成し、 第2の層は、第1の層の材料より大きい屈折率と、低い
溶融点とを有している透明な材料で生成し、 加熱処理を行い、それにおいて、第2の層の材料だけが
溶融し、溶融した第2の層の表面が断面で見た場合に少
なくとも円の弧に近似する形状に変化するように温度お
よび期間が選択され、 それに続く冷却処理において、第2の層の材料が前記円
の弧の形状で凝固し、光導波体が形成されることを特徴
とする方法。 - 【請求項2】 基体は一方または両方の側において第1
の層の材料で最初に被覆され、前記第1の層の部分的な
領域は光導波体の構造が結果的に生じるように除去さ
れ、その後少なくとも構造および基体の隣接した表面が
第2の層により被覆され、その後第2の層の部分的な領
域は第1の層から形成された構造が70乃至100 %の幅で
被覆されて残っているように除去され、その後加熱処理
が実行されることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 基体は一方または両方の側において少な
くともそれぞれの一部分にわたって第1の層の材料で最
初に被覆され、この材料は続いて第2の層の材料により
被覆され、その後両方の層の部分的な領域が光導波体の
ための構造が結果的に生じるように除去され、その後加
熱処理が実行されることを特徴とする請求項1記載の方
法。 - 【請求項4】 加熱処理の後または冷却処理の後、少な
くとも結果的な光導波体が屈折が第2の層の材料より低
い透明材料によってカバーされる被覆処理が実行される
ことを特徴とする請求項1乃至3のいすれか1項記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4116432A DE4116432A1 (de) | 1991-05-18 | 1991-05-18 | Verfahren zur herstellung von lichtwellenleitern auf einem substrat |
DE4116432:6 | 1991-05-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05178633A true JPH05178633A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=6432032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4124955A Pending JPH05178633A (ja) | 1991-05-18 | 1992-05-18 | 基体上における光導波体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5246733A (ja) |
EP (1) | EP0514731A3 (ja) |
JP (1) | JPH05178633A (ja) |
CA (1) | CA2068801A1 (ja) |
DE (1) | DE4116432A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2546506B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 光半導体素子と光導波路の結合構造およびその結合方法 |
US5846694A (en) * | 1996-02-13 | 1998-12-08 | The Regents Of The University Of California | Microminiature optical waveguide structure and method for fabrication |
TW201316383A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-16 | Univ Nat Taiwan | 於非soi基板上製作矽波導之方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4004851A (en) * | 1965-08-24 | 1977-01-25 | Hirokazu Negishi | Optical device with means for reducing internal reflections |
JPS5997102A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路装置及びその製造方法 |
US4902086A (en) * | 1988-03-03 | 1990-02-20 | At&T Bell Laboratories | Device including a substrate-supported optical waveguide, and method of manufacture |
US5062688A (en) * | 1990-09-14 | 1991-11-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Flat plate optical element and method for preparing the same |
-
1991
- 1991-05-18 DE DE4116432A patent/DE4116432A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-05-11 EP EP19920107876 patent/EP0514731A3/de not_active Withdrawn
- 1992-05-15 CA CA002068801A patent/CA2068801A1/en not_active Abandoned
- 1992-05-18 US US07/884,334 patent/US5246733A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-18 JP JP4124955A patent/JPH05178633A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0514731A2 (de) | 1992-11-25 |
CA2068801A1 (en) | 1992-11-19 |
EP0514731A3 (en) | 1993-01-27 |
US5246733A (en) | 1993-09-21 |
DE4116432A1 (de) | 1992-11-19 |
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