JPS6289909A - 光導波路の形成方法 - Google Patents
光導波路の形成方法Info
- Publication number
- JPS6289909A JPS6289909A JP23048785A JP23048785A JPS6289909A JP S6289909 A JPS6289909 A JP S6289909A JP 23048785 A JP23048785 A JP 23048785A JP 23048785 A JP23048785 A JP 23048785A JP S6289909 A JPS6289909 A JP S6289909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- waveguides
- substrate
- heating
- waveguide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光学装置における光導波路の形成方法に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術）
光学装置で用いられる光導波路の一種に、第２図に示す
ように、基板１上に光導波路２が突出するように形成さ
れたものがある。
ように、基板１上に光導波路２が突出するように形成さ
れたものがある。
第３図は、このような光導波路２を形成するための従来
の工程例の説明図である。第３図（ａ ）において、基
板１としては耐熱性を有し平坦性を有する８１基板が用
いられている。この基板１の表面は鏡面仕上げされてい
て、その表面には数１０μ清の厚さでＳｉＯ２層３が被
着されている。第３図（ｂ）において、Ｓ ｊ Ｏ２［
１３の表面には例えば数μｍの厚さで光導波路２を形成
するＰｂ。
の工程例の説明図である。第３図（ａ ）において、基
板１としては耐熱性を有し平坦性を有する８１基板が用
いられている。この基板１の表面は鏡面仕上げされてい
て、その表面には数１０μ清の厚さでＳｉＯ２層３が被
着されている。第３図（ｂ）において、Ｓ ｊ Ｏ２［
１３の表面には例えば数μｍの厚さで光導波路２を形成
するＰｂ。
−８ｉ０２やＧ１３０２ ＳｉＯ２などの屈折率の高
い材料よりなる光導波路層が、ＣＶＤヤスバッタなどに
より被着されている。この光導波路層２の厚さは伝送さ
れる光の波長に応じて適宜調整されるものであり、伝送
される光の波長が１μｍ程度の場合には数μｍの厚さで
形成されるのが一般的である。第３図（Ｃ）において、
光導波路層２はフォトリソグラフィ技術により、所定の
光導波路の形状にパターン化される。ここで、伝送され
る光の波長を前述のように１μｍ程度とすると、Ｓｉ０
２層３における屈折率は約１．４７ 、Ｐｂ ０−８ｉ
０２ （７）屈折率は約１．６、Ｇｅ ０２−３ｉ
Ｑ２の屈折率は約１．５となり、光は屈折率の大きい光
導波路２内に閉じ込められて伝送されることになる。な
お、光導波路２は、その断面がほぼ正方形になるように
形成される。
い材料よりなる光導波路層が、ＣＶＤヤスバッタなどに
より被着されている。この光導波路層２の厚さは伝送さ
れる光の波長に応じて適宜調整されるものであり、伝送
される光の波長が１μｍ程度の場合には数μｍの厚さで
形成されるのが一般的である。第３図（Ｃ）において、
光導波路層２はフォトリソグラフィ技術により、所定の
光導波路の形状にパターン化される。ここで、伝送され
る光の波長を前述のように１μｍ程度とすると、Ｓｉ０
２層３における屈折率は約１．４７ 、Ｐｂ ０−８ｉ
０２ （７）屈折率は約１．６、Ｇｅ ０２−３ｉ
Ｑ２の屈折率は約１．５となり、光は屈折率の大きい光
導波路２内に閉じ込められて伝送されることになる。な
お、光導波路２は、その断面がほぼ正方形になるように
形成される。
ところで、このように構成される光導波路２の損失は１
ｄＢ／ｍＰｉ！度と比較的大きい。このような損失は、
エツチングの不均一性やマスクと光導波路！１２との密
着性の乱れなどにより、光導波路２の側壁を含む表面に
無数の微小な傷が生じていることによるものと考えられ
る。
ｄＢ／ｍＰｉ！度と比較的大きい。このような損失は、
エツチングの不均一性やマスクと光導波路！１２との密
着性の乱れなどにより、光導波路２の側壁を含む表面に
無数の微小な傷が生じていることによるものと考えられ
る。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、このような従来の欠点を解決したものであっ
て、その目的は、光損失の小さい伝送特性の優れた光導
波路を形成できる方法を提供することにある。
て、その目的は、光損失の小さい伝送特性の優れた光導
波路を形成できる方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
このような目的を達成する本発明は、基板上に光導波路
層を被着する工程と、この光導波路層を所定の光導波路
の形状にパターン化する工程と、光導波路のパターン化
後光導波路層の融点よりもやや高い温度まで加熱して光
導波路の表面を溶融処理する工程とを含むことを特徴と
する。
層を被着する工程と、この光導波路層を所定の光導波路
の形状にパターン化する工程と、光導波路のパターン化
後光導波路層の融点よりもやや高い温度まで加熱して光
導波路の表面を溶融処理する工程とを含むことを特徴と
する。
〈実施例）
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す工程び；閉口であり、
第３図と同一部分には同一符号を付けている。本発明で
は、第１図（ａ ）〜（Ｃ）に示す工程で第３図（ａ
）〜（Ｃ）に示す工程と同様に光導波路ＷＪ２を所定の
光導波路の形状にパターン化した侵、第１図（ｄ ）に
示す工程で光導波路層２の融点よりもやや高い湿度まで
加熱して光導波路２の表面に溶熾処理を施している。
第３図と同一部分には同一符号を付けている。本発明で
は、第１図（ａ ）〜（Ｃ）に示す工程で第３図（ａ
）〜（Ｃ）に示す工程と同様に光導波路ＷＪ２を所定の
光導波路の形状にパターン化した侵、第１図（ｄ ）に
示す工程で光導波路層２の融点よりもやや高い湿度まで
加熱して光導波路２の表面に溶熾処理を施している。
このような溶融処理は、例えば光導波路２をＰｂ０−８
！０２で形成する場合には６００°Ｃ〜７００℃で２０
秒程度加熱した後、基板１および光導波路２が温度衝撃
を受けないように徐冷すればよく、Ｇｅ ０２ Ｓ
ｉ ０２ テ形成スル場合ニ１．ｔ１２００°Ｃ前後で
２０秒程度加熱した後温度ＶｆＩｇ１１を受けないよう
に徐冷すればよい。
！０２で形成する場合には６００°Ｃ〜７００℃で２０
秒程度加熱した後、基板１および光導波路２が温度衝撃
を受けないように徐冷すればよく、Ｇｅ ０２ Ｓ
ｉ ０２ テ形成スル場合ニ１．ｔ１２００°Ｃ前後で
２０秒程度加熱した後温度ＶｆＩｇ１１を受けないよう
に徐冷すればよい。
この結果、光導波路２の表面は溶融して断面形状は角部
分の鈍ったかまぼこ形になるが、エツチング工程により
表面に発生していた微小な無数の傷は表面張力によって
修復されることになり、光の伝送損失を大幅に軽減する
ことができる・なお、上記実施例では、Ｓ：基板の表面
に５ｉ０２層を介して光導波路を形成する例を示したが
、石英基板やサファイア基板を用いてもよい。
分の鈍ったかまぼこ形になるが、エツチング工程により
表面に発生していた微小な無数の傷は表面張力によって
修復されることになり、光の伝送損失を大幅に軽減する
ことができる・なお、上記実施例では、Ｓ：基板の表面
に５ｉ０２層を介して光導波路を形成する例を示したが
、石英基板やサファイア基板を用いてもよい。
また、基板として半導体基板を用いることにより、光伝
送に必要な周辺回路を光導波路と共通の基板に集積化す
ることもできる。
送に必要な周辺回路を光導波路と共通の基板に集積化す
ることもできる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、光損失の小さい
伝送特性の優れた光導波路を形成することができ、ファ
イバージャイロ、変調器、方向性結合器など特性の優れ
た各種の光学装置が実現できる。
伝送特性の優れた光導波路を形成することができ、ファ
イバージャイロ、変調器、方向性結合器など特性の優れ
た各種の光学装置が実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す工程説明説明図、第２
図は光導波路を有する光学装置の一例を示す構成説明図
、第３図は従来の光導波路を形成する工８説明図である
。 １・・・基板、２・・・光導波路。 第１図 ３：５ｉ０２ＪＩ 第２図 第 ３ 図
図は光導波路を有する光学装置の一例を示す構成説明図
、第３図は従来の光導波路を形成する工８説明図である
。 １・・・基板、２・・・光導波路。 第１図 ３：５ｉ０２ＪＩ 第２図 第 ３ 図
Claims (1)
- 基板上に光導波路層を被着する工程と、この光導波路層
を所定の光導波路の形状にパターン化する工程と、光導
波路のパターン化後光導波路層の融点よりもやや高い温
度まで加熱して光導波路の表面を溶融処理する工程とを
含むことを特徴とする光導波路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23048785A JPS6289909A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 光導波路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23048785A JPS6289909A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 光導波路の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289909A true JPS6289909A (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=16908550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23048785A Pending JPS6289909A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 光導波路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01267509A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-10-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 基板支持型光導波路を含むデバイス |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126808A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation for round light waveguide line |
| JPS5924806A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光導波路の表面処理法 |
| JPS59171907A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 光ガイドの製造方法 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP23048785A patent/JPS6289909A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126808A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation for round light waveguide line |
| JPS5924806A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光導波路の表面処理法 |
| JPS59171907A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 光ガイドの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01267509A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-10-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 基板支持型光導波路を含むデバイス |
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