JPH05175541A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPH05175541A JPH05175541A JP3355835A JP35583591A JPH05175541A JP H05175541 A JPH05175541 A JP H05175541A JP 3355835 A JP3355835 A JP 3355835A JP 35583591 A JP35583591 A JP 35583591A JP H05175541 A JPH05175541 A JP H05175541A
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- multiplication
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＧａＡｓ系Ｓ
ＡＭ型ＡＰＤにおいて、ＧＢ積を向上させ、かつ製造歩
留を向上させる。 【構成】 キャリア濃度が高く、薄いｎ−ＩｎＰ増倍層
５，ｐ+ −ＩｎＰ窓層３２を順次エピ成長し、しかる
後、化学エッチングして受光部以外をエッチング除去し
て受光領域１３を形成する。 【効果】 高いキャリア濃度によるＧＢ積の向上と、エ
ピ成長による制御性の向上による歩留の向上の効果があ
る。
ＡＭ型ＡＰＤにおいて、ＧＢ積を向上させ、かつ製造歩
留を向上させる。 【構成】 キャリア濃度が高く、薄いｎ−ＩｎＰ増倍層
５，ｐ+ −ＩｎＰ窓層３２を順次エピ成長し、しかる
後、化学エッチングして受光部以外をエッチング除去し
て受光領域１３を形成する。 【効果】 高いキャリア濃度によるＧＢ積の向上と、エ
ピ成長による制御性の向上による歩留の向上の効果があ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体受光装置、特に、
なだれ増幅機能を有するアバランシェフォトダイオード
（Avalanche Photo Diode;以下、ＡＰＤと略す) に関す
るものである。
なだれ増幅機能を有するアバランシェフォトダイオード
（Avalanche Photo Diode;以下、ＡＰＤと略す) に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のＡＰＤの断面構造を示すも
のである。図５の構造はアイ・イー・イー・イー エレ
クトロン ディバイシィズ レターズ ＥＤＬ−７巻
４号１９８６年４月（IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
VOL. EDL-7, No.4, APRIL 1986）から引用したもので、
受光領域と増倍領域とが分離された、ＳＡＭ型（Separa
ted Absorption and Multiplication)と呼ばれるＩｎＧ
ａＡｓ系ＡＰＤである。
のである。図５の構造はアイ・イー・イー・イー エレ
クトロン ディバイシィズ レターズ ＥＤＬ−７巻
４号１９８６年４月（IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
VOL. EDL-7, No.4, APRIL 1986）から引用したもので、
受光領域と増倍領域とが分離された、ＳＡＭ型（Separa
ted Absorption and Multiplication)と呼ばれるＩｎＧ
ａＡｓ系ＡＰＤである。
【０００３】図中、１はｎ+ −ＩｎＰ基板、２は該Ｉｎ
Ｐ基板１上にエピ成長され、キャリア濃度が１〜１０×
１０16cm-3程度で、厚さが０．５〜１．０μｍのｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層、３は該バッファ層２上に連続エピ成長
され、キャリア濃度が５×１０15cm-3程度以下に制御さ
れ、厚さが４μｍのｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４は
該光吸収層３上に連続エピ成長され、キャリア濃度が８
×１０15cm-3程度制御され、厚さも０．１μｍ程度に制
御されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層、５は
該パイルアップ防止層４上に連続エピ成長され、キャリ
ア濃度が１．０〜１．３×１６16cm-3に制御され、厚さ
も１．８〜２．０μｍに制御されたｎ−ＩｎＰ増倍層、
６は該増倍層５上に連続エピ成長され、キャリア濃度が
２×１０15cm-3に制御され、厚さが２μｍ程度のｎ- −
ＩｎＰガードリング層、７は該ガードリング層６の主面
より部分的に、その拡散フロントが前記増倍層５へ接す
るように制御され、Ｚｎ，Ｃｄなどのアクセプタ不純物
の拡散によって形成されたｐ+ −ＩｎＰ拡散領域、８は
同様に該ガードリング層６の主面より、前記拡散領域７
の周囲にリング状に形成され、少なくとも前記拡散領域
７の拡散深さよりも深くなるように形成され、かつＰＮ
接合フロントが傾斜接合となるように形成され、例えば
Ｂｅのイオン注入などの方法で形成されたｐ+ −ＩｎＰ
ガードリング領域、９は前記ガードリング層６上に形成
された、例えばＳｉＮなどの誘電体よりなる表面保護
膜、１０は該表面保護膜９に形成され、前記拡散領域７
が露呈されたコンタクトホール、１１は該コンタクトホ
ール１０を介して前記拡散領域７と電気的に導通するア
ノード電極、１２は前記ＩｎＰ基板１に形成されたカソ
ード電極、１３は受光領域を示す。
Ｐ基板１上にエピ成長され、キャリア濃度が１〜１０×
１０16cm-3程度で、厚さが０．５〜１．０μｍのｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層、３は該バッファ層２上に連続エピ成長
され、キャリア濃度が５×１０15cm-3程度以下に制御さ
れ、厚さが４μｍのｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４は
該光吸収層３上に連続エピ成長され、キャリア濃度が８
×１０15cm-3程度制御され、厚さも０．１μｍ程度に制
御されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層、５は
該パイルアップ防止層４上に連続エピ成長され、キャリ
ア濃度が１．０〜１．３×１６16cm-3に制御され、厚さ
も１．８〜２．０μｍに制御されたｎ−ＩｎＰ増倍層、
６は該増倍層５上に連続エピ成長され、キャリア濃度が
２×１０15cm-3に制御され、厚さが２μｍ程度のｎ- −
ＩｎＰガードリング層、７は該ガードリング層６の主面
より部分的に、その拡散フロントが前記増倍層５へ接す
るように制御され、Ｚｎ，Ｃｄなどのアクセプタ不純物
の拡散によって形成されたｐ+ −ＩｎＰ拡散領域、８は
同様に該ガードリング層６の主面より、前記拡散領域７
の周囲にリング状に形成され、少なくとも前記拡散領域
７の拡散深さよりも深くなるように形成され、かつＰＮ
接合フロントが傾斜接合となるように形成され、例えば
Ｂｅのイオン注入などの方法で形成されたｐ+ −ＩｎＰ
ガードリング領域、９は前記ガードリング層６上に形成
された、例えばＳｉＮなどの誘電体よりなる表面保護
膜、１０は該表面保護膜９に形成され、前記拡散領域７
が露呈されたコンタクトホール、１１は該コンタクトホ
ール１０を介して前記拡散領域７と電気的に導通するア
ノード電極、１２は前記ＩｎＰ基板１に形成されたカソ
ード電極、１３は受光領域を示す。
【０００４】次に動作について説明する。前記アノード
電極１１にマイナス、カソード電極１２にプラスの逆方
向バイアスを印加すると、拡散領域７と増倍層５との間
のＰＮ接合に逆方向バイアスが印加され、主にキャリア
濃度の低い増倍層５の側に空乏層が形成され、さらにバ
イアスを大きくすると、空乏層はパイルアップ防止層４
を通過し、光吸収層３までのびる。さらに、バイアスを
大きくすると、光吸収層３に形成された空乏層の長さは
１〜３μｍ程度に達し、増倍層５，パイルアップ防止層
４，光吸収層３にそれぞれ形成された空乏層内のドナー
イオンによって生じた空間電荷により、電界が発生し、
特に拡散領域７と増倍層５との間のＰＮ接合界面で最大
電界となる。
電極１１にマイナス、カソード電極１２にプラスの逆方
向バイアスを印加すると、拡散領域７と増倍層５との間
のＰＮ接合に逆方向バイアスが印加され、主にキャリア
濃度の低い増倍層５の側に空乏層が形成され、さらにバ
イアスを大きくすると、空乏層はパイルアップ防止層４
を通過し、光吸収層３までのびる。さらに、バイアスを
大きくすると、光吸収層３に形成された空乏層の長さは
１〜３μｍ程度に達し、増倍層５，パイルアップ防止層
４，光吸収層３にそれぞれ形成された空乏層内のドナー
イオンによって生じた空間電荷により、電界が発生し、
特に拡散領域７と増倍層５との間のＰＮ接合界面で最大
電界となる。
【０００５】この様子を図６を用いて説明する。図６は
ＰＮ接合界面をゼロの位置にし、ＩｎＰ基板方向へ距離
ｘを取った時に生じている電界強度Ｅ(x) を示してい
る。増倍層５のキャリア濃度がパイルアップ防止層４，
光吸収層３のキャリア濃度よりも大きいため、電界強度
Ｅ(x) の傾きも大きい。さらにバイアスを大きくする
と、最大電界強度ＥBmaxは、ついになだれ増倍を生じさ
せる臨界電界強度ＥBava. へ達し、この領域でなだれ増
倍が生じる。一方、受光領域１３より入射された波長、
約１．３μｍの光はバンドギャップエネルギーの大きい
増倍層５，パイルアップ防止層４にはほとんど吸収され
ず、バンドギャップエネルギーが０．７５ｅの光吸収層
３に達して初めて、光吸収が発生し、約１．５μｍの距
離を通過して、そのほとんどが吸収される。光吸収によ
って生じたキャリアは、図６で示した内部電界で加速さ
れて、電子と正孔はそれぞれ反対方向に移動する。特に
正孔はパイルアップ防止層４を通り、増倍層５を通って
増倍され、拡散領域７へ達し、多数キャリアとなってア
ノード電極１１から信号となって観測されるため、微弱
な光入力信号でも大きな光電流として観測されるといっ
た、自己増幅機能を持った受光装置であることがこの装
置の特徴である。
ＰＮ接合界面をゼロの位置にし、ＩｎＰ基板方向へ距離
ｘを取った時に生じている電界強度Ｅ(x) を示してい
る。増倍層５のキャリア濃度がパイルアップ防止層４，
光吸収層３のキャリア濃度よりも大きいため、電界強度
Ｅ(x) の傾きも大きい。さらにバイアスを大きくする
と、最大電界強度ＥBmaxは、ついになだれ増倍を生じさ
せる臨界電界強度ＥBava. へ達し、この領域でなだれ増
倍が生じる。一方、受光領域１３より入射された波長、
約１．３μｍの光はバンドギャップエネルギーの大きい
増倍層５，パイルアップ防止層４にはほとんど吸収され
ず、バンドギャップエネルギーが０．７５ｅの光吸収層
３に達して初めて、光吸収が発生し、約１．５μｍの距
離を通過して、そのほとんどが吸収される。光吸収によ
って生じたキャリアは、図６で示した内部電界で加速さ
れて、電子と正孔はそれぞれ反対方向に移動する。特に
正孔はパイルアップ防止層４を通り、増倍層５を通って
増倍され、拡散領域７へ達し、多数キャリアとなってア
ノード電極１１から信号となって観測されるため、微弱
な光入力信号でも大きな光電流として観測されるといっ
た、自己増幅機能を持った受光装置であることがこの装
置の特徴である。
【０００６】さらに、この装置の設計において重要な事
項について述べると、光吸収層３に約１．５μｍ程度の
空乏層を形成するためには図６に示したＥTmaxはキャリ
ア濃度をＮT とすると、
項について述べると、光吸収層３に約１．５μｍ程度の
空乏層を形成するためには図６に示したＥTmaxはキャリ
ア濃度をＮT とすると、
【０００７】 ＥTmax＝（ｅＮT ×１．５μｍ）／ε0 εT * の条件が必要であり、また、ＥQmax，ＥBmaxについて
は、 ＥQmax＝（ｅＮQ ＷQ ）／ε0 εQ * ＋ＥTmax ＥBmax＝（ｅＮB ＷB ）／ε0 εB * ＋ＥQmax の条件が必要で、さらに、 ＥBmax≧ＥBava. が増倍のための必要条件となる。ここで、ｅは電子の電
荷、ＮQ ，ＮB はそれぞれパイルアップ防止層４，増倍
層５のキャリア濃度、ＷQ ，ＷB はそれぞれの厚さ、ε
Q * ，εB * はそれぞれの比誘電率、εT * は光吸収層
３の比誘電率である。
は、 ＥQmax＝（ｅＮQ ＷQ ）／ε0 εQ * ＋ＥTmax ＥBmax＝（ｅＮB ＷB ）／ε0 εB * ＋ＥQmax の条件が必要で、さらに、 ＥBmax≧ＥBava. が増倍のための必要条件となる。ここで、ｅは電子の電
荷、ＮQ ，ＮB はそれぞれパイルアップ防止層４，増倍
層５のキャリア濃度、ＷQ ，ＷB はそれぞれの厚さ、ε
Q * ，εB * はそれぞれの比誘電率、εT * は光吸収層
３の比誘電率である。
【０００８】ＩｎＰ増倍層５とＩｎＧａＡｓＰパイルア
ップ防止層４とＩｎＧａＡｓ光吸収層３との界面はそれ
ぞれヘテロ接合であるため、価電子帯にはバンドの不連
続が形成されており、正孔がドリフトで移動する際に、
この不連続領域で、ある時定数の蓄積が生じ、応答速度
が悪くなるため、この部分での電界強度ＥQmax，ＥTm ax
はある程度以上大きくする必要があり、最低必要電界を
ップ防止層４とＩｎＧａＡｓ光吸収層３との界面はそれ
ぞれヘテロ接合であるため、価電子帯にはバンドの不連
続が形成されており、正孔がドリフトで移動する際に、
この不連続領域で、ある時定数の蓄積が生じ、応答速度
が悪くなるため、この部分での電界強度ＥQmax，ＥTm ax
はある程度以上大きくする必要があり、最低必要電界を
【０００９】
【数１】 とすると、
【００１０】
【数２】
【００１１】であるとされている。また、大きすぎる
と、特にバンドギャップエネルギーの小さい光吸収層３
のパイルアップ防止層４との界面近傍において、トンネ
ル電流成分が増加し、リーク電流が大きくなり、暗電流
増加，雑音の増加を招くとともに、この部分でのなだれ
増倍を生じるため、増倍領域が増倍層５以外の部分にも
生じることになり、増倍距離が等価的に分散され、増倍
時間が大きくなり、応答速度が悪くなる。この場合の最
大限界電界
と、特にバンドギャップエネルギーの小さい光吸収層３
のパイルアップ防止層４との界面近傍において、トンネ
ル電流成分が増加し、リーク電流が大きくなり、暗電流
増加，雑音の増加を招くとともに、この部分でのなだれ
増倍を生じるため、増倍領域が増倍層５以外の部分にも
生じることになり、増倍距離が等価的に分散され、増倍
時間が大きくなり、応答速度が悪くなる。この場合の最
大限界電界
【００１２】
【数３】 は約２×１０ V/cm とされている。
【００１３】以上の理由で、ＥQmax，ＥTmaxは１．５〜
２．０×１０ V/cm が最適であり、この電界強度を与え
るためには、増倍層５の最大電界強度ＥBmaxがなだれ電
界ＥBava. と等しい状態を想定して、
２．０×１０ V/cm が最適であり、この電界強度を与え
るためには、増倍層５の最大電界強度ＥBmaxがなだれ電
界ＥBava. と等しい状態を想定して、
【００１４】ＮB ＝１×１０16cm-3 とすると、 ＥBmax＝ＥBava. ≒４．７×１０ V/cm であるから、増倍層５での電界の低下分ΔＥは ΔＥ＝ＥBmax−ＥQmax＝２．７〜３．２×１０ V/cm の範囲にする必要があり、ＮB とＷB には下式で与えら
れる範囲が存在する。
れる範囲が存在する。
【００１５】
【数４】
【００１６】また、ＮB を大きくすると、ＥBava. を超
えたＥBmaxの大きさが大きくなり、キャリアのイオン化
率の積分で与えられる増倍率はＥBmaxに指数関数的に反
映されるため、一定増倍率を与えるＥBmaxは大きく、Ｅ
Bava. を超えた増倍領域ΔＷBava. は小さくなる。従っ
て、キャリアのなだれ増倍時間が小さくなるため、周波
数応答特性が良くなり、遮断周波数ｆc と増倍率Ｍとの
積で与えられるＧＢ積は向上する。
えたＥBmaxの大きさが大きくなり、キャリアのイオン化
率の積分で与えられる増倍率はＥBmaxに指数関数的に反
映されるため、一定増倍率を与えるＥBmaxは大きく、Ｅ
Bava. を超えた増倍領域ΔＷBava. は小さくなる。従っ
て、キャリアのなだれ増倍時間が小さくなるため、周波
数応答特性が良くなり、遮断周波数ｆc と増倍率Ｍとの
積で与えられるＧＢ積は向上する。
【００１７】また、拡散領域７と増倍層５との間に形成
された主ＰＮ接合のキャリア濃度プロファイルは階段接
合と呼ばれる急峻なステップ形状を示し、一方、ガード
リング領域８と増倍層５との間に形成されたガードリン
グＰＮ接合のキャリア濃度プロファイルは上述したよう
に傾斜接合と呼ばれるなだらかなステップ形状を示すよ
う形成してあり、同じ電圧が印加される状態における各
々のＰＮ接合での最大電界強度は主ＰＮ接合よりもガー
ドリングＰＮ接合の方が小さくなるため、拡散領域７の
パターンエッジ部の電界集中によるエッジブレークダウ
ンを防止し、主ＰＮ接合のみで効果的に増倍を生じさせ
る特徴がある。
された主ＰＮ接合のキャリア濃度プロファイルは階段接
合と呼ばれる急峻なステップ形状を示し、一方、ガード
リング領域８と増倍層５との間に形成されたガードリン
グＰＮ接合のキャリア濃度プロファイルは上述したよう
に傾斜接合と呼ばれるなだらかなステップ形状を示すよ
う形成してあり、同じ電圧が印加される状態における各
々のＰＮ接合での最大電界強度は主ＰＮ接合よりもガー
ドリングＰＮ接合の方が小さくなるため、拡散領域７の
パターンエッジ部の電界集中によるエッジブレークダウ
ンを防止し、主ＰＮ接合のみで効果的に増倍を生じさせ
る特徴がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置は以上のように構成してあるため、ＧＢ積を向上す
るためには、増倍層５のキャリア濃度ＮB を大きくする
必要があるが、キャリア濃度ＮB を大きくすると、ＮB
ＷB 積の制約から増倍層５の厚さＷB の許容範囲は小さ
くなる。ＮB が従来の１×１０16cm-3の場合、ＷB は
１．８４〜２．１９μｍで、０．３５μｍの範囲が許さ
れるのに対し、ＮB が、例えば５×１０16cm-3の場合は
０．３４〜０．４４μｍで、０．０７μｍの範囲しか許
されず、従来の装置では不純物拡散によってＰＮ接合位
置が決定されるため、拡散深さの制御性や増倍層５，ガ
ードリング層６のエピ層厚さの制御性等から０．１μｍ
以下の制御は難しく、ＮB を大きくして高性能化を図る
ことが困難であるという問題点があった。
装置は以上のように構成してあるため、ＧＢ積を向上す
るためには、増倍層５のキャリア濃度ＮB を大きくする
必要があるが、キャリア濃度ＮB を大きくすると、ＮB
ＷB 積の制約から増倍層５の厚さＷB の許容範囲は小さ
くなる。ＮB が従来の１×１０16cm-3の場合、ＷB は
１．８４〜２．１９μｍで、０．３５μｍの範囲が許さ
れるのに対し、ＮB が、例えば５×１０16cm-3の場合は
０．３４〜０．４４μｍで、０．０７μｍの範囲しか許
されず、従来の装置では不純物拡散によってＰＮ接合位
置が決定されるため、拡散深さの制御性や増倍層５，ガ
ードリング層６のエピ層厚さの制御性等から０．１μｍ
以下の制御は難しく、ＮB を大きくして高性能化を図る
ことが困難であるという問題点があった。
【００１９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、増倍層のキャリア濃度ＮB を大
きくしてＧＢ積を向上させることができ、かつ増倍層の
厚さＷB の製造上のばらつきが小さく、高歩留となる半
導体受光装置の構造を提供することを目的とする。
ためになされたもので、増倍層のキャリア濃度ＮB を大
きくしてＧＢ積を向上させることができ、かつ増倍層の
厚さＷB の製造上のばらつきが小さく、高歩留となる半
導体受光装置の構造を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体受
光装置は、第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ
基板上に直接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッ
ファ層を介してエピ成長された第１の導電型を有するＩ
ｎＧａＡｓ光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１
の導電型を有する単層もしくは複数よりなるＩｎＧａＡ
ｓＰパイルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ
増倍機能を有する第１の導電型を有するＩｎＰ増倍層、
該増倍層上に連続的にエピ成長された第２の導電型を有
するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡｌＡｓからなる窓層、受
光領域を取り囲む形で前記窓層と少なくともＩｎＰ増倍
層の一部の深さまでエッチングされた領域とを備えたも
のである。
光装置は、第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ
基板上に直接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッ
ファ層を介してエピ成長された第１の導電型を有するＩ
ｎＧａＡｓ光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１
の導電型を有する単層もしくは複数よりなるＩｎＧａＡ
ｓＰパイルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ
増倍機能を有する第１の導電型を有するＩｎＰ増倍層、
該増倍層上に連続的にエピ成長された第２の導電型を有
するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡｌＡｓからなる窓層、受
光領域を取り囲む形で前記窓層と少なくともＩｎＰ増倍
層の一部の深さまでエッチングされた領域とを備えたも
のである。
【００２１】また、この発明に係る半導体受光装置は、
第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ基板上に直
接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッファ層を介
してエピ成長された第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ
光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１の導電型を
有する単層もしくは複数層よりなるＩｎＧａＡｓＰパイ
ルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ増倍機能
を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍層、該
第１のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された第１の
導電型を有するＩｎＧａＡｓＰもしくはＩｎＧａＡｓも
しくはＩｎＧａＡｌＡｓもしくはＩｎＰと化学エッチン
グに対するエッチング速度が大きく異なりＩｎＰと格子
定数の合う材料からなるエッチングストッパ層、該エッ
チングストッパ層上に連続的にエピ成長されたなだれ増
倍機能を有する第１の導電型を有する第２のＩｎＰ増倍
層、該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された
第２の導電型を有するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡｌＡｓ
からなる窓層、受光領域を取り囲む形で前記窓層と少な
くとも前記第２のＩｎＰ増倍層までエッチングされ前記
エッチングストッパ層が露呈された領域とを備えたもの
である。
第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ基板上に直
接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッファ層を介
してエピ成長された第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ
光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１の導電型を
有する単層もしくは複数層よりなるＩｎＧａＡｓＰパイ
ルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ増倍機能
を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍層、該
第１のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された第１の
導電型を有するＩｎＧａＡｓＰもしくはＩｎＧａＡｓも
しくはＩｎＧａＡｌＡｓもしくはＩｎＰと化学エッチン
グに対するエッチング速度が大きく異なりＩｎＰと格子
定数の合う材料からなるエッチングストッパ層、該エッ
チングストッパ層上に連続的にエピ成長されたなだれ増
倍機能を有する第１の導電型を有する第２のＩｎＰ増倍
層、該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された
第２の導電型を有するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡｌＡｓ
からなる窓層、受光領域を取り囲む形で前記窓層と少な
くとも前記第２のＩｎＰ増倍層までエッチングされ前記
エッチングストッパ層が露呈された領域とを備えたもの
である。
【００２２】また、この発明に係る半導体受光装置は、
第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ基板上に直
接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッファ層を介
してエピ成長された第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ
光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１の導電型を
有する単層もしくは複数層からなるＩｎＧａＡｓＰパイ
ルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ増倍機能
を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍層、該
ＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された第１の導電型
を有するＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰもしくは
ＩｎＧａＡｌＡｓもしくはＩｎＰと化学エッチングに対
するエッチング速度が大きく異なりＩｎＰと格子定数の
合う材料からなるエッチングストッパ層、該エッチング
ストッパ層上に連続的にエピ成長された、なだれ増倍機
能を有する第１の導電型を有する第２のＩｎＰ増倍層、
該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された第２
の導電型を有するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡｌＡｓから
なる窓層、受光領域を取り囲む形で前記窓層と少なくと
も第２のＩｎＰ増倍層までエッチングされ前記エッチン
グストッパ層が露呈された領域、該エッチングされた領
域に露呈した前記第２の導電型を有する窓層と前記第２
の増倍層との界面部に形成されたガードリング機能を有
する第２の導電型を有するガードリング領域とを備えた
ものである。
第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ基板上に直
接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッファ層を介
してエピ成長された第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ
光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１の導電型を
有する単層もしくは複数層からなるＩｎＧａＡｓＰパイ
ルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ増倍機能
を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍層、該
ＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された第１の導電型
を有するＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰもしくは
ＩｎＧａＡｌＡｓもしくはＩｎＰと化学エッチングに対
するエッチング速度が大きく異なりＩｎＰと格子定数の
合う材料からなるエッチングストッパ層、該エッチング
ストッパ層上に連続的にエピ成長された、なだれ増倍機
能を有する第１の導電型を有する第２のＩｎＰ増倍層、
該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された第２
の導電型を有するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡｌＡｓから
なる窓層、受光領域を取り囲む形で前記窓層と少なくと
も第２のＩｎＰ増倍層までエッチングされ前記エッチン
グストッパ層が露呈された領域、該エッチングされた領
域に露呈した前記第２の導電型を有する窓層と前記第２
の増倍層との界面部に形成されたガードリング機能を有
する第２の導電型を有するガードリング領域とを備えた
ものである。
【００２３】また、さらにこの発明に係る半導体受光装
置は、第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ基板
上に直接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッファ
層を介してエピ成長された第１の導電型を有するＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１の導
電型を有する単層もしくは複数層からなるＩｎＧａＡｓ
Ｐパイルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ増
倍機能を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍
層、該第１のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された
第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓＰもしくはＩｎＧａ
ＡｓもしくはＩｎＧａＡｌＡｓもしくはＩｎＰと化学エ
ッチングに対するエッチング速度が大きく異なりＩｎＰ
と格子定数の合う材料からなるエッチングストッパ層、
該エッチングストッパ層上に連続的にエピ成長されたな
だれ増倍機能を有する第１の導電型を有する第２のＩｎ
Ｐ増倍層、該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長
された第２の導電型を有するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡ
ｌＡｓからなる窓層、受光領域を取り囲む形で前記窓層
と少なくとも前記第２のＩｎＰ増倍層までエッチングさ
れ前記エッチングストッパ層が露呈された領域上にエピ
成長により埋め込まれた第１の導電型を有するＩｎＰ埋
め込み層、受光領域を取り囲む形で前記窓層と前記埋め
込み層の境界部のみに環状に少なくとも前記窓層よりも
深く形成された第２の導電型を有するガードリング領域
とを備えたものである。
置は、第１の導電型を有するＩｎＰ基板、該ＩｎＰ基板
上に直接もしくは第１の導電型を有するＩｎＰバッファ
層を介してエピ成長された第１の導電型を有するＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層、該光吸収層上に直接もしくは第１の導
電型を有する単層もしくは複数層からなるＩｎＧａＡｓ
Ｐパイルアップ防止層を介してエピ成長されたなだれ増
倍機能を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍
層、該第１のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長された
第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓＰもしくはＩｎＧａ
ＡｓもしくはＩｎＧａＡｌＡｓもしくはＩｎＰと化学エ
ッチングに対するエッチング速度が大きく異なりＩｎＰ
と格子定数の合う材料からなるエッチングストッパ層、
該エッチングストッパ層上に連続的にエピ成長されたな
だれ増倍機能を有する第１の導電型を有する第２のＩｎ
Ｐ増倍層、該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピ成長
された第２の導電型を有するＩｎＰもしくはＩｎＧａＡ
ｌＡｓからなる窓層、受光領域を取り囲む形で前記窓層
と少なくとも前記第２のＩｎＰ増倍層までエッチングさ
れ前記エッチングストッパ層が露呈された領域上にエピ
成長により埋め込まれた第１の導電型を有するＩｎＰ埋
め込み層、受光領域を取り囲む形で前記窓層と前記埋め
込み層の境界部のみに環状に少なくとも前記窓層よりも
深く形成された第２の導電型を有するガードリング領域
とを備えたものである。
【００２４】
【作用】この発明による半導体受光装置は、従来の拡散
領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチングによっ
て形成するため、エピ成長の段階で、増倍層は大きなキ
ャリア濃度ＮB を有するともに薄い膜厚ＷB を有するよ
う形成でき、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう予め決定
でき、制御性良くＮB を大きくできるため、ＧＢ積が向
上し、歩留も向上する。
領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチングによっ
て形成するため、エピ成長の段階で、増倍層は大きなキ
ャリア濃度ＮB を有するともに薄い膜厚ＷB を有するよ
う形成でき、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう予め決定
でき、制御性良くＮB を大きくできるため、ＧＢ積が向
上し、歩留も向上する。
【００２５】また、この発明による半導体受光装置は、
従来の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチ
ングによって形成し、化学エッチング時にエッチング自
身の制御性も向上できるよう、エッチングストッパ層を
設けたので、エピ成長の段階で、増倍層は大きなキャリ
ア濃度ＮB ，薄い膜厚ＷB を有するよう形成でき、ＮB
ＷB 積が所望の値になるよう予め決定でき、制御性良く
ＮB を大きくできるため、ＧＢ積が向上し、歩留も向上
する。また、エッチング自体の制御性も向上するため、
さらに歩留が向上する。
従来の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチ
ングによって形成し、化学エッチング時にエッチング自
身の制御性も向上できるよう、エッチングストッパ層を
設けたので、エピ成長の段階で、増倍層は大きなキャリ
ア濃度ＮB ，薄い膜厚ＷB を有するよう形成でき、ＮB
ＷB 積が所望の値になるよう予め決定でき、制御性良く
ＮB を大きくできるため、ＧＢ積が向上し、歩留も向上
する。また、エッチング自体の制御性も向上するため、
さらに歩留が向上する。
【００２６】また、この発明による半導体受光装置は、
従来の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチ
ングによって形成し、化学エッチング時にエッチング自
身の制御性も向上できるよう、エッチングストッパ層を
設け、さらに表面に露出したＰＮ接合部分が傾斜接合の
ＰＮ接合となるようにしたため、エピ成長の段階で、増
倍層は大きなキャリア濃度ＮB ，薄い膜厚ＷB を有する
ように形成でき、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう予め
決定でき、制御性良くＮB を大きくできるため、ＧＢ積
が向上し、歩留も向上する。また、エッチング自体の制
御性も向上し、また、エッチングで露出したＰＮ接合部
が傾斜接合であるためこの部分での電界集中によるエッ
ジブレークダウンが抑えられ、さらに歩留が向上する。
従来の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチ
ングによって形成し、化学エッチング時にエッチング自
身の制御性も向上できるよう、エッチングストッパ層を
設け、さらに表面に露出したＰＮ接合部分が傾斜接合の
ＰＮ接合となるようにしたため、エピ成長の段階で、増
倍層は大きなキャリア濃度ＮB ，薄い膜厚ＷB を有する
ように形成でき、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう予め
決定でき、制御性良くＮB を大きくできるため、ＧＢ積
が向上し、歩留も向上する。また、エッチング自体の制
御性も向上し、また、エッチングで露出したＰＮ接合部
が傾斜接合であるためこの部分での電界集中によるエッ
ジブレークダウンが抑えられ、さらに歩留が向上する。
【００２７】また、この発明による半導体受光装置は、
従来の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチ
ングによって形成し、化学エッチング時にエッチング自
身の制御性も向上できるようエッチングストッパ層を設
け、さらにエッチング部のみを選択的にエピ成長して埋
め込んだ後、表面に露出したＰＮ接合部が傾斜接合とな
るよう、リング状のガードリング領域を少なくとも増倍
層に接する深さで形成したので、エピ成長の段階で、増
倍層は大きなキャリア濃度ＮB ，薄い膜厚ＷB を有する
よう形成でき、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう予め決
定でき、制御性良くＮB を大きくできるため、ＧＢ積が
向上し、歩留も向上できる。また、エッチング自体の制
御性も向上し、さらにエッチング部をエピ層で選択的に
埋め込んだことにより、表面の平坦性が向上し、配線や
写真製版等の工程でプロセス上の制御性が向上する。ま
た、ガードリング領域が形成してあるため、エッジブレ
ークダウンが抑えられ、さらに歩留が向上する。
従来の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチ
ングによって形成し、化学エッチング時にエッチング自
身の制御性も向上できるようエッチングストッパ層を設
け、さらにエッチング部のみを選択的にエピ成長して埋
め込んだ後、表面に露出したＰＮ接合部が傾斜接合とな
るよう、リング状のガードリング領域を少なくとも増倍
層に接する深さで形成したので、エピ成長の段階で、増
倍層は大きなキャリア濃度ＮB ，薄い膜厚ＷB を有する
よう形成でき、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう予め決
定でき、制御性良くＮB を大きくできるため、ＧＢ積が
向上し、歩留も向上できる。また、エッチング自体の制
御性も向上し、さらにエッチング部をエピ層で選択的に
埋め込んだことにより、表面の平坦性が向上し、配線や
写真製版等の工程でプロセス上の制御性が向上する。ま
た、ガードリング領域が形成してあるため、エッジブレ
ークダウンが抑えられ、さらに歩留が向上する。
【００２８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例による半導体受
光装置の構成を示しており、図において、図５と同一符
号は同一または相当部分を示しており、１はｎ+ −Ｉｎ
Ｐ基板、２は該ＩｎＰ基板１上にエピ成長され、キャリ
ア濃度が１〜１０×１０16cm-3程度で、厚さが０．５〜
１．０μｍのｎ−ＩｎＰバッファ層、３は該バッファ層
２上に連続エピ成長され、キャリア濃度が５×１０15cm
-3程度以下に制御され、厚さが４μｍのｎ- −ＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層、４は該光吸収層３上に連続エピ成長さ
れ、キャリア濃度が８×１０15cm-3程度に制御され、厚
さも０．１μｍ程度に制御されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰパ
イルアップ防止層、５は該パイルアップ防止層４上に連
続エピ成長された、従来と同様のｎ−ＩｎＰ増倍層であ
るが、キャリア濃度ＮB 、厚みＷB は、
光装置の構成を示しており、図において、図５と同一符
号は同一または相当部分を示しており、１はｎ+ −Ｉｎ
Ｐ基板、２は該ＩｎＰ基板１上にエピ成長され、キャリ
ア濃度が１〜１０×１０16cm-3程度で、厚さが０．５〜
１．０μｍのｎ−ＩｎＰバッファ層、３は該バッファ層
２上に連続エピ成長され、キャリア濃度が５×１０15cm
-3程度以下に制御され、厚さが４μｍのｎ- −ＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層、４は該光吸収層３上に連続エピ成長さ
れ、キャリア濃度が８×１０15cm-3程度に制御され、厚
さも０．１μｍ程度に制御されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰパ
イルアップ防止層、５は該パイルアップ防止層４上に連
続エピ成長された、従来と同様のｎ−ＩｎＰ増倍層であ
るが、キャリア濃度ＮB 、厚みＷB は、
【００２９】 ＮB ×ＷB ＝１．８４〜２．１９×１０12cm-2
【００３０】を満たし、キャリア濃度ＮB が、例えば５
×１０16cm-3程度以上に大きくできている。また、３２
は該増倍層５上に連続的にエピ成長され、キャリア濃度
が１×１０18cm-3以上のｐ型の導電型を有するｐ+ −Ｉ
ｎＰ窓層、５０は該窓層３２の主面から、少なくとも前
記増倍層５に達するように化学エッチングされた領域を
示し、エッチング後のエッチング面とパイルアップ防止
層４までのエッチング残り厚みｔ1 が０＜ｔ1 ＜ＷB な
る関係を満たすものである。９は従来と同様、表面に施
された表面保護膜、１０は該表面保護膜９に形成され、
前記窓層３２が露呈されたコンタクトホール、１１は該
コンタクトホール１０を介して前記窓層３２と電気的に
導通するアノード電極、１２は前記ＩｎＰ基板１に形成
されたカソード電極、１３は受光領域を示す。
×１０16cm-3程度以上に大きくできている。また、３２
は該増倍層５上に連続的にエピ成長され、キャリア濃度
が１×１０18cm-3以上のｐ型の導電型を有するｐ+ −Ｉ
ｎＰ窓層、５０は該窓層３２の主面から、少なくとも前
記増倍層５に達するように化学エッチングされた領域を
示し、エッチング後のエッチング面とパイルアップ防止
層４までのエッチング残り厚みｔ1 が０＜ｔ1 ＜ＷB な
る関係を満たすものである。９は従来と同様、表面に施
された表面保護膜、１０は該表面保護膜９に形成され、
前記窓層３２が露呈されたコンタクトホール、１１は該
コンタクトホール１０を介して前記窓層３２と電気的に
導通するアノード電極、１２は前記ＩｎＰ基板１に形成
されたカソード電極、１３は受光領域を示す。
【００３１】以下、動作について説明する。従来のもの
と全く同様に機能し、アノード電極１１，カソード電極
１２間に逆方向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５
でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入射した光によ
って光吸収層３に生じたキャリアのうち、正孔が増倍領
域にドリフトし、さらに電子−正孔対を生じ、それらの
キャリアもまた、増倍されるというなだれ現象となっ
て、入射光の信号が増幅されて光電流の信号として観察
される。また、エッチングによって露呈したＰＮ接合は
バンドギャップの広いＩｎＰに形成されたものであるこ
とと、表面は表面保護膜９で保護されていることから表
面リーク電流は小さく、暗電流も小さい。
と全く同様に機能し、アノード電極１１，カソード電極
１２間に逆方向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５
でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入射した光によ
って光吸収層３に生じたキャリアのうち、正孔が増倍領
域にドリフトし、さらに電子−正孔対を生じ、それらの
キャリアもまた、増倍されるというなだれ現象となっ
て、入射光の信号が増幅されて光電流の信号として観察
される。また、エッチングによって露呈したＰＮ接合は
バンドギャップの広いＩｎＰに形成されたものであるこ
とと、表面は表面保護膜９で保護されていることから表
面リーク電流は小さく、暗電流も小さい。
【００３２】このような本実施例においては、エピ成長
の段階で、大きなキャリア濃度ＮB を有するともに薄い
膜厚ＷB を有するようＩｎＰ増倍層５を形成し、ＮB Ｗ
B 積が所望の値になるよう予め決定しておき、その後、
連続エピ成長により窓層３２を形成し、受光領域１３を
取り囲む形で窓層３２と少なくともＩｎＰ増倍層５の一
部の深さまで化学エッチングして従来の拡散領域に相当
する領域を形成したので、エピ成長でＮB ＷB を決定で
き、制御性良くＮB を大きくでき、ＧＢ積を向上するこ
とができる。また増倍層５の厚さＷB の製造上のばらつ
きも小さくでき、歩留も向上できる。
の段階で、大きなキャリア濃度ＮB を有するともに薄い
膜厚ＷB を有するようＩｎＰ増倍層５を形成し、ＮB Ｗ
B 積が所望の値になるよう予め決定しておき、その後、
連続エピ成長により窓層３２を形成し、受光領域１３を
取り囲む形で窓層３２と少なくともＩｎＰ増倍層５の一
部の深さまで化学エッチングして従来の拡散領域に相当
する領域を形成したので、エピ成長でＮB ＷB を決定で
き、制御性良くＮB を大きくでき、ＧＢ積を向上するこ
とができる。また増倍層５の厚さＷB の製造上のばらつ
きも小さくでき、歩留も向上できる。
【００３３】なお、上記第１の実施例では、該窓層３２
の主面から、少なくとも前記増倍層５に達するように化
学エッチングされた領域５０において、エッチング後の
エッチング面とパイルアップ防止層４までのエッチング
残り厚みｔ1 が０＜ｔ1 ＜ＷB なる関係を満たすよう
に、例えばエッチング時間の制御などの方法でエッチン
グが実施していたが、さらに、エッチング制御性を向上
させるために、増倍層５中にエッチングストッパ層を設
けてもよい。即ち、図２は本発明の第２の実施例による
半導体受光装置の断面構成を示しており、図中、図１と
同一符号は同一または相当部分で、３０は増倍層５の上
に連続的にエピ成長された、ＩｎＰとのエッチングの選
択性のある、例えばＩｎＧａＡｓＰよりなるエッチング
ストッパ層であり、厚さはエッチングの選択性を失わな
い最小の厚みを有する。３１はエッチングストッパ層３
０上に連続エピ成長された第２のＩｎＰ増倍層、３２は
第２のＩｎＰ増倍層３１上に連続エピ成長されたｐ+ −
ＩｎＰ窓層、５０は化学エッチングされてエッチングス
トッパ層３０が露呈された領域、９は従来と同様、表面
保護膜である。増倍層５，第２の増倍層３１の厚さの合
計値と各々のキャリア濃度は、第１の実施例として図１
に示したものの、増倍層５の厚さとキャリア濃度と同程
度であり、エッチングストッパ層３０の厚さは数１０〜
数１００オングストローム程度と非常に薄く、この層で
の電界降下は無視できる。
の主面から、少なくとも前記増倍層５に達するように化
学エッチングされた領域５０において、エッチング後の
エッチング面とパイルアップ防止層４までのエッチング
残り厚みｔ1 が０＜ｔ1 ＜ＷB なる関係を満たすよう
に、例えばエッチング時間の制御などの方法でエッチン
グが実施していたが、さらに、エッチング制御性を向上
させるために、増倍層５中にエッチングストッパ層を設
けてもよい。即ち、図２は本発明の第２の実施例による
半導体受光装置の断面構成を示しており、図中、図１と
同一符号は同一または相当部分で、３０は増倍層５の上
に連続的にエピ成長された、ＩｎＰとのエッチングの選
択性のある、例えばＩｎＧａＡｓＰよりなるエッチング
ストッパ層であり、厚さはエッチングの選択性を失わな
い最小の厚みを有する。３１はエッチングストッパ層３
０上に連続エピ成長された第２のＩｎＰ増倍層、３２は
第２のＩｎＰ増倍層３１上に連続エピ成長されたｐ+ −
ＩｎＰ窓層、５０は化学エッチングされてエッチングス
トッパ層３０が露呈された領域、９は従来と同様、表面
保護膜である。増倍層５，第２の増倍層３１の厚さの合
計値と各々のキャリア濃度は、第１の実施例として図１
に示したものの、増倍層５の厚さとキャリア濃度と同程
度であり、エッチングストッパ層３０の厚さは数１０〜
数１００オングストローム程度と非常に薄く、この層で
の電界降下は無視できる。
【００３４】以下、図２に示した本発明の第２の実施例
の装置の動作について説明する。従来のものと全く同様
機能し、アノード電極１１，カソード電極１２間に逆方
向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５及び増倍層３
１でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入射した光に
よって光吸収層３に生じたキャリアのうち、正孔が増倍
領域にドリフトし、さらに電子−正孔対を生じ、それら
のキャリアもまた増倍されるというなだれ現象となっ
て、入射光の信号が増幅されて光電流の信号として観察
される。また、エッチングによって露呈したＰＮ接合は
バンドギャップの広いＩｎＰに形成されたものであるこ
とと、表面は表面保護膜９で保護されていることから表
面リーク電流は小さく、暗電流も小さい。
の装置の動作について説明する。従来のものと全く同様
機能し、アノード電極１１，カソード電極１２間に逆方
向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５及び増倍層３
１でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入射した光に
よって光吸収層３に生じたキャリアのうち、正孔が増倍
領域にドリフトし、さらに電子−正孔対を生じ、それら
のキャリアもまた増倍されるというなだれ現象となっ
て、入射光の信号が増幅されて光電流の信号として観察
される。また、エッチングによって露呈したＰＮ接合は
バンドギャップの広いＩｎＰに形成されたものであるこ
とと、表面は表面保護膜９で保護されていることから表
面リーク電流は小さく、暗電流も小さい。
【００３５】このような本実施例においては、エピ成長
の段階で大きなキャリア濃度ＮB を有し、薄い膜厚ＷB
を有するよう増倍層を形成して、ＮB ＷB 積が所望の値
になるよう予め決定しておき、その後、従来の拡散領域
に相当する領域をエピ成長と化学エッチングによって形
成し、さらに化学エッチング時にエッチング自身の制御
性も向上できるよう、増倍層内にエッチングストッパ層
を設けたので、エピ成長でＮB ＷB を決定でき、制御性
良くＮB を大きくでき、ＧＢ積を向上できる。また、エ
ッチング自体の制御性も向上でき、上記第１の実施例に
比しさらに歩留を向上できる。
の段階で大きなキャリア濃度ＮB を有し、薄い膜厚ＷB
を有するよう増倍層を形成して、ＮB ＷB 積が所望の値
になるよう予め決定しておき、その後、従来の拡散領域
に相当する領域をエピ成長と化学エッチングによって形
成し、さらに化学エッチング時にエッチング自身の制御
性も向上できるよう、増倍層内にエッチングストッパ層
を設けたので、エピ成長でＮB ＷB を決定でき、制御性
良くＮB を大きくでき、ＧＢ積を向上できる。また、エ
ッチング自体の制御性も向上でき、上記第１の実施例に
比しさらに歩留を向上できる。
【００３６】なお、上記第２の実施例では、化学エッチ
ングはｐ+ −ＩｎＰ窓層をエピ成長で形成した後、エッ
チングストッパ層３０が露呈するまで行っていたが、化
学エッチングを行う前に、表面に露出した領域のＰＮ接
合部分が傾斜接合になるように、ガードリング領域を設
けた後、化学エッチングを行うようにしてもよい。以
下、これを本発明の第３の実施例の半導体受光装置とし
て図３に示す。図３において、図２と同一符号は同一ま
たは相当部分を示し、３４は従来のものと同じく、Ｂｅ
等のイオン注入などの方法で、窓層３２の主面より、少
なくとも深さが窓層３２よりも深くなるように、接合が
傾斜接合になるように形成された、第２の導電型のガー
ドリング領域である。
ングはｐ+ −ＩｎＰ窓層をエピ成長で形成した後、エッ
チングストッパ層３０が露呈するまで行っていたが、化
学エッチングを行う前に、表面に露出した領域のＰＮ接
合部分が傾斜接合になるように、ガードリング領域を設
けた後、化学エッチングを行うようにしてもよい。以
下、これを本発明の第３の実施例の半導体受光装置とし
て図３に示す。図３において、図２と同一符号は同一ま
たは相当部分を示し、３４は従来のものと同じく、Ｂｅ
等のイオン注入などの方法で、窓層３２の主面より、少
なくとも深さが窓層３２よりも深くなるように、接合が
傾斜接合になるように形成された、第２の導電型のガー
ドリング領域である。
【００３７】以下、動作について説明する。従来のもの
と全く同様機能し、アノード電極１１，カソード電極１
２間に逆方向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５及
び増倍層３１でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入
射した光によって光吸収層３に生じたキャリアのうち、
正孔が増倍領域にドリフトし、さらに電子−正孔対を生
じ、それらのキャリアもまた増倍されるというなだれ現
象となって、入射光の信号が増幅されて光電流の信号と
して観察される。また、エッチングによって露呈したＰ
Ｎ接合はバンドギャップの広いＩｎＰに形成されたもの
であることと、表面は表面保護膜９で保護されているこ
とから表面リーク電流は小さく、暗電流も小さい。さら
にガードリング領域３４を設けてあるため、電界集中に
よるエッジブレークダウンも生じにくい。
と全く同様機能し、アノード電極１１，カソード電極１
２間に逆方向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５及
び増倍層３１でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入
射した光によって光吸収層３に生じたキャリアのうち、
正孔が増倍領域にドリフトし、さらに電子−正孔対を生
じ、それらのキャリアもまた増倍されるというなだれ現
象となって、入射光の信号が増幅されて光電流の信号と
して観察される。また、エッチングによって露呈したＰ
Ｎ接合はバンドギャップの広いＩｎＰに形成されたもの
であることと、表面は表面保護膜９で保護されているこ
とから表面リーク電流は小さく、暗電流も小さい。さら
にガードリング領域３４を設けてあるため、電界集中に
よるエッジブレークダウンも生じにくい。
【００３８】よってこのような本実施例においては、上
記実施例の効果に加え、ガードリング領域３４を設け、
エッチングで露出したＰＮ接合部を傾斜接合としている
ため、この部分での電界集中によるエッジブレークダウ
ンが抑えることができ、さらに歩留を向上できる。
記実施例の効果に加え、ガードリング領域３４を設け、
エッチングで露出したＰＮ接合部を傾斜接合としている
ため、この部分での電界集中によるエッジブレークダウ
ンが抑えることができ、さらに歩留を向上できる。
【００３９】なお、上記第３の実施例では化学エッチン
グを行った後、表面保護膜９を形成したが、この化学エ
ッチング部分を選択的にエピ成長して埋め込むようにし
てもよい。以下、これを本発明の第４の実施例として図
４を用いて説明する。図中、図３と同一符号は同一また
は相当部分を示し、３３はｐ+ −ＩｎＰ窓層３２をエピ
成長して形成した後、化学エッチングによってエッチン
グストッパ層３０が露呈するよう、エッチングを行った
領域にのみ選択的に設けられた、キャリア濃度が１×１
０15cm-3程度の低いｎ- −ＩｎＰ埋め込み層、３４はし
かる後に従来のものと同様な方法で形成された傾斜接合
を有するｐ+ −ＩｎＰガードリング領域、９は表面に施
された表面保護層である。
グを行った後、表面保護膜９を形成したが、この化学エ
ッチング部分を選択的にエピ成長して埋め込むようにし
てもよい。以下、これを本発明の第４の実施例として図
４を用いて説明する。図中、図３と同一符号は同一また
は相当部分を示し、３３はｐ+ −ＩｎＰ窓層３２をエピ
成長して形成した後、化学エッチングによってエッチン
グストッパ層３０が露呈するよう、エッチングを行った
領域にのみ選択的に設けられた、キャリア濃度が１×１
０15cm-3程度の低いｎ- −ＩｎＰ埋め込み層、３４はし
かる後に従来のものと同様な方法で形成された傾斜接合
を有するｐ+ −ＩｎＰガードリング領域、９は表面に施
された表面保護層である。
【００４０】以下、図４の装置の動作について説明す
る。従来のものと全く同様機能し、アノード電極１１，
カソード電極１２間に逆方向バイアスを印加すれば、や
がて増倍層５及び増倍層３１でなだれ増倍が生じ、受光
領域１３から入射した光によって光吸収層３に生じたキ
ャリアのうち、正孔が増倍領域にドリフトし、さらに電
子−正孔対を生じ、それらのキャリアもまた増倍される
というなだれ現象となって、入射光の信号が増幅されて
光電流の信号として観察される。また、埋め込み成長
後、表面に露呈したＰＮ接合はバンドギャップの広いＩ
ｎＰに形成されたものであることと、表面は表面保護膜
９で保護されていることから、表面リーク電流は小さ
く、暗電流も小さい。さらにガードリング領域３４を設
けてあるため、電界集中によるエッジブレークダウンも
生じにくい。また、埋め込み層３３を形成してあるた
め、表面の平坦性が向上し、配線のカバレッジや写真製
版時のパターン幅の安定性のようなプロセス上の制御性
も向上できる。
る。従来のものと全く同様機能し、アノード電極１１，
カソード電極１２間に逆方向バイアスを印加すれば、や
がて増倍層５及び増倍層３１でなだれ増倍が生じ、受光
領域１３から入射した光によって光吸収層３に生じたキ
ャリアのうち、正孔が増倍領域にドリフトし、さらに電
子−正孔対を生じ、それらのキャリアもまた増倍される
というなだれ現象となって、入射光の信号が増幅されて
光電流の信号として観察される。また、埋め込み成長
後、表面に露呈したＰＮ接合はバンドギャップの広いＩ
ｎＰに形成されたものであることと、表面は表面保護膜
９で保護されていることから、表面リーク電流は小さ
く、暗電流も小さい。さらにガードリング領域３４を設
けてあるため、電界集中によるエッジブレークダウンも
生じにくい。また、埋め込み層３３を形成してあるた
め、表面の平坦性が向上し、配線のカバレッジや写真製
版時のパターン幅の安定性のようなプロセス上の制御性
も向上できる。
【００４１】このような本実施例においては、上記の実
施例の効果に加え、さらに、エッチング部をエピ層で選
択的に埋め込むようにしているため、表面の平坦性を向
上でき、配線や写真製版等の工程でプロセス上の制御性
を向上できる。また、ガードリング領域も形成してある
ため、エッジブレークダウンを抑えることができ、さら
に歩留を向上できる。
施例の効果に加え、さらに、エッチング部をエピ層で選
択的に埋め込むようにしているため、表面の平坦性を向
上でき、配線や写真製版等の工程でプロセス上の制御性
を向上できる。また、ガードリング領域も形成してある
ため、エッジブレークダウンを抑えることができ、さら
に歩留を向上できる。
【００４２】なお、以上に示した第１ないし第４の実施
例においては、ｎ+ −ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッ
ファ層２を介してエピタキシャル成長されたｎ- −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３を設けた例について示したが、光吸
収層３はＩｎＰ基板１上に直接設けるようにしてもよ
い。
例においては、ｎ+ −ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッ
ファ層２を介してエピタキシャル成長されたｎ- −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３を設けた例について示したが、光吸
収層３はＩｎＰ基板１上に直接設けるようにしてもよ
い。
【００４３】また、以上に示した第１ないし第４の実施
例においては、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３上に単層
からなるｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層４を介
してエピタキシャル成長されたｎ−ＩｎＰ増倍層５を設
けた例について示したが、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイルア
ップ防止層４は複数層からなるものであってよい。
例においては、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３上に単層
からなるｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層４を介
してエピタキシャル成長されたｎ−ＩｎＰ増倍層５を設
けた例について示したが、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイルア
ップ防止層４は複数層からなるものであってよい。
【００４４】またさらには、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイル
アップ防止層４を省略してｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層
３上に直接ｎ−ＩｎＰ増倍層５を設けるようにしてもよ
い。
アップ防止層４を省略してｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層
３上に直接ｎ−ＩｎＰ増倍層５を設けるようにしてもよ
い。
【００４５】また、以上に示した第２ないし第４の実施
例においては、ｎ−ＩｎＰ増倍層５上に連続的にエピタ
キシャル成長したｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなるエッチン
グストッパ層３０を設けた例について示したが、このエ
ッチングストッパ層３０はｎ−ＩｎＧａＡｓ、もしくは
ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓ等、ＩｎＰと化学エッチングに対
するエッチング速度が大きく異なり、かつ、ＩｎＰと格
子定数の合う材料からなるものあれば何でもよい。
例においては、ｎ−ＩｎＰ増倍層５上に連続的にエピタ
キシャル成長したｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなるエッチン
グストッパ層３０を設けた例について示したが、このエ
ッチングストッパ層３０はｎ−ＩｎＧａＡｓ、もしくは
ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓ等、ＩｎＰと化学エッチングに対
するエッチング速度が大きく異なり、かつ、ＩｎＰと格
子定数の合う材料からなるものあれば何でもよい。
【００４６】また、以上に示した第１ないし第４の実施
例においては、窓層３２をｐ+ −ＩｎＰから構成した例
について示したが、これはｐ+ −ＩｎＧａＡｌＡｓから
構成してもよい。
例においては、窓層３２をｐ+ −ＩｎＰから構成した例
について示したが、これはｐ+ −ＩｎＧａＡｌＡｓから
構成してもよい。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、エピ
成長の段階で、大きなキャリア濃度ＮB を有するともに
薄い膜厚ＷB を有するよう増倍層を形成し、ＮB ＷB 積
が所望の値になるよう予め決定しておき、その後、従来
の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチング
によって形成するため、キャリア濃度ＮB の高い増倍層
をエピ成長で厚さＷB の制御性良く形成することがで
き、ＧＢ積，歩留を向上できる効果がある。
成長の段階で、大きなキャリア濃度ＮB を有するともに
薄い膜厚ＷB を有するよう増倍層を形成し、ＮB ＷB 積
が所望の値になるよう予め決定しておき、その後、従来
の拡散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチング
によって形成するため、キャリア濃度ＮB の高い増倍層
をエピ成長で厚さＷB の制御性良く形成することがで
き、ＧＢ積，歩留を向上できる効果がある。
【００４８】また、この発明によれば、さらに増倍層中
にエッチングストッパ層を設けたので、化学エッチング
時にエッチングの制御性を向上でき、さらに歩留を向上
できる効果がある。
にエッチングストッパ層を設けたので、化学エッチング
時にエッチングの制御性を向上でき、さらに歩留を向上
できる効果がある。
【００４９】また、この発明によれば、さらに従来の拡
散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチングによ
って形成した後、表面に露出したＰＮ接合部分が傾斜接
合のＰＮ接合となるようにしたため、エッチングで露出
したＰＮ接合部分での電界集中によるエッジブレークダ
ウンを抑えることができ、さらに歩留を向上できる効果
がある。
散領域に相当する領域をエピ成長と化学エッチングによ
って形成した後、表面に露出したＰＮ接合部分が傾斜接
合のＰＮ接合となるようにしたため、エッチングで露出
したＰＮ接合部分での電界集中によるエッジブレークダ
ウンを抑えることができ、さらに歩留を向上できる効果
がある。
【００５０】また、この発明によれば、エピ成長の段階
で大きなキャリア濃度ＮB を有し、薄い膜厚ＷB を有す
る増倍層を形成して、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう
予め決定したのち、拡散領域に相当する領域をエピ成長
と化学エッチングによって形成し、その後、さらにエッ
チング部のみを選択的にエピ成長して埋め込んだ後、表
面に露出したＰＮ接合部が傾斜接合となるよう、リング
状のガードリング領域を少なくとも増倍層に接する深さ
で形成したので、上述のＧＢ積の向上、エッジブレーク
ダウンの抑制による歩留の向上の効果に加え、さらにエ
ッチング部をエピ層で選択的に埋め込んだことにより、
表面の平坦性を向上でき、配線や写真製版等の工程でプ
ロセス上の制御性を向上できる効果がある。
で大きなキャリア濃度ＮB を有し、薄い膜厚ＷB を有す
る増倍層を形成して、ＮB ＷB 積が所望の値になるよう
予め決定したのち、拡散領域に相当する領域をエピ成長
と化学エッチングによって形成し、その後、さらにエッ
チング部のみを選択的にエピ成長して埋め込んだ後、表
面に露出したＰＮ接合部が傾斜接合となるよう、リング
状のガードリング領域を少なくとも増倍層に接する深さ
で形成したので、上述のＧＢ積の向上、エッジブレーク
ダウンの抑制による歩留の向上の効果に加え、さらにエ
ッチング部をエピ層で選択的に埋め込んだことにより、
表面の平坦性を向上でき、配線や写真製版等の工程でプ
ロセス上の制御性を向上できる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体受光装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例による半導体受光装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例による半導体受光装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例による半導体受光装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来のＡＰＤの断面図である。
【図６】ＰＮ接合からの位置と電界強度を示す図であ
る。
る。
１ ｎ+ −ＩｎＰ基板 ２ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ３ ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ４ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層 ５ ｎ−ＩｎＰ増倍層 ６ ｎ- −ＩｎＰガードリング層 ７ ｐ+ −ＩｎＰ拡散領域 ８ ｐ+ −ＩｎＰガードリング領域 ９ 表面保護膜 １０ コンタクトホール １１ アノード電極 １２ カソード電極 １３ 受光領域 ３０ ＩｎＧａＡｓＰエッチングストッパ層 ３１ ｎ−ＩｎＰ増倍層 ３２ ｐ+ −ＩｎＰ窓層 ３３ ｎ- −ＩｎＰ埋め込み層 ３４ ｐ+ −ＩｎＰガードリング領域 ５０ 化学エッチング領域
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の導電型を有するＩｎＰ基板と、 該ＩｎＰ基板上に直接、もしくは第１の導電型を有する
ＩｎＰバッファ層を介してエピタキシャル成長された第
１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ光吸収層と、 該光吸収層上に直接、もしくは第１の導電型を有する単
層、もしくは複数よりなるＩｎＧａＡｓＰパイルアップ
防止層を介してエピタキシャル成長された、なだれ増倍
機能を有する第１の導電型を有するＩｎＰ増倍層と、 該増倍層上に連続的にエピタキシャル成長された第２の
導電型を有するＩｎＰ、もしくはＩｎＧａＡｌＡｓから
なる窓層と、 受光領域を取り囲む形で前記窓層と少なくともＩｎＰ増
倍層の一部の深さまでエッチングされた領域とを備えた
ことを特徴とする半導体受光装置。 - 【請求項２】 第１の導電型を有するＩｎＰ基板と、 該ＩｎＰ基板上に直接、もしくは第１の導電型を有する
ＩｎＰバッファ層を介してエピタキシャル成長された第
１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ光吸収層と、 該光吸収層上に直接、もしくは第１の導電型を有する単
層、もしくは複数層よりなるＩｎＧａＡｓＰパイルアッ
プ防止層を介してエピタキシャル成長された、なだれ増
倍機能を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍
層と、 該第１のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピタキシャル成長
された第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓＰ、もしくは
ＩｎＧａＡｓ、もしくはＩｎＧａＡｌＡｓ、もしくはＩ
ｎＰと化学エッチングに対するエッチング速度が大きく
異なりＩｎＰと格子定数の合う材料からなるエッチング
ストッパ層と、 該エッチングストッパ層上に連続的にエピタキシャル成
長された、なだれ増倍機能を有する第１の導電型を有す
る第２のＩｎＰ増倍層と、 該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピタキシャル成長
された第２の導電型を有するＩｎＰ、もしくはＩｎＧａ
ＡｌＡｓからなる窓層と、 受光領域を取り囲む形で、前記窓層と少なくとも前記第
２のＩｎＰ増倍層までエッチングされ、前記エッチング
ストッパ層が露呈された領域とを備えたことを特徴とす
る半導体受光装置。 - 【請求項３】 第１の導電型を有するＩｎＰ基板と、 該ＩｎＰ基板上に直接、もしくは第１の導電型を有する
ＩｎＰバッファ層を介してエピタキシャル成長された第
１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ光吸収層と、 該光吸収層上に直接、もしくは第１の導電型を有する単
層、もしくは複数層からなるＩｎＧａＡｓＰパイルアッ
プ防止層を介してエピタキシャル成長された、なだれ増
倍機能を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍
層と、 該第１のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピタキシャル成長
された第１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ、もしくはＩ
ｎＧａＡｓＰ、もしくはＩｎＧａＡｌＡｓ、もしくはＩ
ｎＰと化学エッチングに対するエッチング速度が大きく
異なりＩｎＰと格子定数の合う材料からなるエッチング
ストッパ層と、 該エッチングストッパ層上に連続的にエピタキシャル成
長された、なだれ増倍機能を有する第１の導電型を有す
る第２のＩｎＰ増倍層と、 該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピタキシャル成長
された第２の導電型を有するＩｎＰ、もしくはＩｎＧａ
ＡｌＡｓからなる窓層と、 受光領域を取り囲む形で、前記窓層と少なくとも第２の
ＩｎＰ増倍層までエッチングされ、前記エッチングスト
ッパ層が露呈された領域と、 該エッチングされた領域に露呈した、前記第２の導電型
を有する窓層と前記第２の増倍層との界面部に形成され
た、エッジブレークダウンの防止機能を有する第２の導
電型を有するガードリング領域とを備えたことを特徴と
する導体受光装置。 - 【請求項４】 第１の導電型を有するＩｎＰ基板と、 該ＩｎＰ基板上に直接、もしくは第１の導電型を有する
ＩｎＰバッファ層を介してエピタキシャル成長された第
１の導電型を有するＩｎＧａＡｓ光吸収層と、 該光吸収層上に直接、もしくは第１の導電型を有する単
層、もしくは複数層からなるＩｎＧａＡｓＰパイルアッ
プ防止層を介してエピタキシャル成長された、なだれ増
倍機能を有する第１の導電型を有する第１のＩｎＰ増倍
層と、 該第１のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピタキシャル成長
された第１の導電型を有するＩｎＧａＡ ｓＰ、もしく
はＩｎＧａＡｓ、もしくはＩｎＧａＡｌＡｓ、もしくは
ＩｎＰと化学エッチングに対するエッチング速度が大き
く異なりＩｎＰと格子定数の合う材料からなるエッチン
グストッパ層と、 該エッチングストッパ層上に連続的にエピタキシャル成
長された、なだれ増倍機能を有する第１の導電型を有す
る第２のＩｎＰ増倍層と、 該第２のＩｎＰ増倍層上に連続的にエピタキシャル成長
された第２の導電型を有するＩｎＰ、もしくはＩｎＧａ
ＡｌＡｓからなる窓層と、 受光領域を取り囲む形で、前記窓層と、少なくとも前記
第２のＩｎＰ増倍層までエッチングされ、前記エッチン
グストッパ層が露呈された領域上にエピタキシャル成長
により埋め込まれた第１の導電型を有するＩｎＰ埋め込
み層と、 受光領域を取り囲み、窓層と前記埋め込み層の境界部の
みに環状に形成され、少なくとも前記窓層よりも深い、
エッジブレークダウンの防止機能を有する第２の導電型
を有するガードリング領域とを備えたことを特徴とする
半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3355835A JPH05175541A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3355835A JPH05175541A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175541A true JPH05175541A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18445984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3355835A Pending JPH05175541A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175541A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295216A (ja) * | 1995-02-02 | 2006-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子およびｐｉｎ型受光素子の製造方法 |
| WO2006123410A1 (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | アバランシェフォトダイオード |
| JP2009164456A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3355835A patent/JPH05175541A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295216A (ja) * | 1995-02-02 | 2006-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子およびｐｉｎ型受光素子の製造方法 |
| WO2006123410A1 (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | アバランシェフォトダイオード |
| US8698268B2 (en) | 2005-05-18 | 2014-04-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche photodiode and method for manufacturing the avalanche photodiode |
| JP2009164456A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
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