JPH05174705A - 撮像管用透明導電膜の製造方法 - Google Patents
撮像管用透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH05174705A JPH05174705A JP35597691A JP35597691A JPH05174705A JP H05174705 A JPH05174705 A JP H05174705A JP 35597691 A JP35597691 A JP 35597691A JP 35597691 A JP35597691 A JP 35597691A JP H05174705 A JPH05174705 A JP H05174705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- film
- foreign matter
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 阻止型ターゲットを使用した撮像管製造で歩
留りを左右する大きな不良に白きずの画面欠陥がある。
ターゲット形成は，ガラス基板上に透明導電膜を形成
し，この上にブロッキング膜と光導電膜を形成する。白
きずの原因は，ガラス基板，ネサ膜及びブロッキング膜
への付着異物を主体とした凹凸欠陥である。これらの欠
陥は，撮像管動作でターゲットに印加する電圧を高くす
ると欠陥部への電界集中がありターゲットが破壊して白
きずとなる。この欠陥除去を図るものである。 【構成】 撮像管用ターゲットを形成するガラス基板上
に形成したＩＴＯネサ膜表面をＮ2ガス使用の高周波イ
オンエッチングと，Ｎ2とＯ2を混合したガス使用の高周
波イオンエッチングを併用してイオンエッチングをする
工程を経る撮像管用透明導電膜の製造方法。
留りを左右する大きな不良に白きずの画面欠陥がある。
ターゲット形成は，ガラス基板上に透明導電膜を形成
し，この上にブロッキング膜と光導電膜を形成する。白
きずの原因は，ガラス基板，ネサ膜及びブロッキング膜
への付着異物を主体とした凹凸欠陥である。これらの欠
陥は，撮像管動作でターゲットに印加する電圧を高くす
ると欠陥部への電界集中がありターゲットが破壊して白
きずとなる。この欠陥除去を図るものである。 【構成】 撮像管用ターゲットを形成するガラス基板上
に形成したＩＴＯネサ膜表面をＮ2ガス使用の高周波イ
オンエッチングと，Ｎ2とＯ2を混合したガス使用の高周
波イオンエッチングを併用してイオンエッチングをする
工程を経る撮像管用透明導電膜の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は撮像管に使用する透明導
電膜の改良に関するものである。
電膜の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】阻止型ターゲットを使用した撮像管製造
で歩留りを左右する大きな不良に白きずの画面欠陥があ
る。ターゲット形成は，ガラス基板上に透明導電膜（以
下ネサ膜と呼ぶ）を形成し，この上にブロッキング膜と
光導電膜を形成する。白きずの原因は，ガラス基板，ネ
サ膜及びブロッキング膜への付着異物を主体とした凹凸
欠陥である。これらの欠陥は，撮像管動作でターゲット
に印加する電圧を高くすると欠陥部への電界集中があり
ターゲットが破壊して白きずとなる。この欠陥除去の一
つの手段として，ネサ膜に高周波イオンエッチングをす
る方法でネサ膜表面の均一化を図るものである。
で歩留りを左右する大きな不良に白きずの画面欠陥があ
る。ターゲット形成は，ガラス基板上に透明導電膜（以
下ネサ膜と呼ぶ）を形成し，この上にブロッキング膜と
光導電膜を形成する。白きずの原因は，ガラス基板，ネ
サ膜及びブロッキング膜への付着異物を主体とした凹凸
欠陥である。これらの欠陥は，撮像管動作でターゲット
に印加する電圧を高くすると欠陥部への電界集中があり
ターゲットが破壊して白きずとなる。この欠陥除去の一
つの手段として，ネサ膜に高周波イオンエッチングをす
る方法でネサ膜表面の均一化を図るものである。
【０００３】従来のＩＴＯネサ膜を形成する工程は，洗
浄したガラス基板に高周波スパッタ装置を使用して，ネ
サ膜を蒸着してこのネサ膜を洗浄していた。この工程で
のネサ膜への付着異物対策は，高周波スパッタの放電ガ
ス圧力，スパッタ出力の最適化を図ることと，高周波装
置内部の清掃と使用治工具の洗浄が主であった。この工
程は，撮像管の動作でターゲットへ印加する電圧が１０
０Ｖ以下の低い条件の時には，白きず不良の発生を防止
することができた。しかし近年，撮像管の感度を得る目
的から印加電圧を数百ボルトと高くする必要がある。こ
の高圧印加で従来問題とならなかった約３ミクロン以下
の微細異物が白きず発生の原因となってきている。現実
に約０．２ミクロン程度の異物が原因となる。この微細
異物は，従来の方法では除去することが大変困難な内容
である。この改善の一つとして，ガラス基板にＩＴＯネ
サ膜を形成した後に洗浄する作業を止めて，高周波イオ
ンエッチングをする方法を実施してきた。このイオンエ
ッチングは，付着異物のエッチング効果を調査して放電
ガスにＯ2を混入すると効果がある点から，Ｎ2とＯ2ガ
スの混合ガスを使用してきた。この方法は，ターゲット
に数百Ｖを印加した時に発生する白きずが，ネサ膜洗浄
の方法に比較して大幅に改善された。
浄したガラス基板に高周波スパッタ装置を使用して，ネ
サ膜を蒸着してこのネサ膜を洗浄していた。この工程で
のネサ膜への付着異物対策は，高周波スパッタの放電ガ
ス圧力，スパッタ出力の最適化を図ることと，高周波装
置内部の清掃と使用治工具の洗浄が主であった。この工
程は，撮像管の動作でターゲットへ印加する電圧が１０
０Ｖ以下の低い条件の時には，白きず不良の発生を防止
することができた。しかし近年，撮像管の感度を得る目
的から印加電圧を数百ボルトと高くする必要がある。こ
の高圧印加で従来問題とならなかった約３ミクロン以下
の微細異物が白きず発生の原因となってきている。現実
に約０．２ミクロン程度の異物が原因となる。この微細
異物は，従来の方法では除去することが大変困難な内容
である。この改善の一つとして，ガラス基板にＩＴＯネ
サ膜を形成した後に洗浄する作業を止めて，高周波イオ
ンエッチングをする方法を実施してきた。このイオンエ
ッチングは，付着異物のエッチング効果を調査して放電
ガスにＯ2を混入すると効果がある点から，Ｎ2とＯ2ガ
スの混合ガスを使用してきた。この方法は，ターゲット
に数百Ｖを印加した時に発生する白きずが，ネサ膜洗浄
の方法に比較して大幅に改善された。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし撮像管を長時間
動作すると，微細な白きず発生がある場合が確認され
た。この原因を調査すると，Ｎ2とＯ2の混合ガス使用で
イオンエッチングしたＩＴＯネサ膜表面は，数百倍の顕
微鏡観察では均一にエッチングされているが，一万倍以
上に拡大すると凹面が均一にできていることがわかっ
た。この微細な凹面が長時間動作で白きずの原因になっ
てくる。この問題が残っている。
動作すると，微細な白きず発生がある場合が確認され
た。この原因を調査すると，Ｎ2とＯ2の混合ガス使用で
イオンエッチングしたＩＴＯネサ膜表面は，数百倍の顕
微鏡観察では均一にエッチングされているが，一万倍以
上に拡大すると凹面が均一にできていることがわかっ
た。この微細な凹面が長時間動作で白きずの原因になっ
てくる。この問題が残っている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は，この問題点を
解決するために，高周波イオンエッチングの放電ガスと
ＩＴＯネサ表面の調査をして，２種類のガスを併用して
改善を図るものである。すなわち，Ｎ2ガス単体とＮ2と
Ｏ2混合ガスの２種類のガスを併用して，ネサ膜をイオ
ンエッチングする。
解決するために，高周波イオンエッチングの放電ガスと
ＩＴＯネサ表面の調査をして，２種類のガスを併用して
改善を図るものである。すなわち，Ｎ2ガス単体とＮ2と
Ｏ2混合ガスの２種類のガスを併用して，ネサ膜をイオ
ンエッチングする。
【０００６】
【作用】Ｎ2ガス放電でイオンエッチングしたＩＴＯネ
サ膜表面は滑らかで凹面が出難い。しかしネサ膜に異物
があるとこの部分のネサが残る場合が多い。Ｎ2にＯ2ガ
スを混合すると，前記の通り，異物除去の効果は大きい
が，ネサ表面に凹面が発生する。以上からＮ2ガス単体
とＮ2とＯ2混合ガスの２種類のガスを併用して，ネサ膜
をイオンエッチングして，表面の異物除去と凹面の修正
を図り問題を解決する。
サ膜表面は滑らかで凹面が出難い。しかしネサ膜に異物
があるとこの部分のネサが残る場合が多い。Ｎ2にＯ2ガ
スを混合すると，前記の通り，異物除去の効果は大きい
が，ネサ表面に凹面が発生する。以上からＮ2ガス単体
とＮ2とＯ2混合ガスの２種類のガスを併用して，ネサ膜
をイオンエッチングして，表面の異物除去と凹面の修正
を図り問題を解決する。
【０００７】
【実施例】以下この発明の一実施例を図により説明す
る。図１はガラス基板１にＩＴＯネサ膜２を形成した断
面概略図である。３はネサ膜形成時に発生する異物であ
る。ここでＩＴＯネサ膜は撮像管として必要な厚さ約８
００±４００オングストロームに対し１０倍以上の厚さ
に形成する。このネサ膜を最初にＯ2ガスを３％〜１０
％混合したＮ2ガスを使用して高周波イオンエッチング
を実施する。エッチング時間は装置で異なるが４〜６時
間実施する。このエッチングで図２のようにネサ膜は薄
くなりこれによって，異物３は除去される。しかし，エ
ッチングした表面は４の荒れが出来る。次に高周波装置
内のガスを抜き，Ｎ2ガスに変更する。このＮ2ガスの放
電でイオンエッチングをさらに２〜３時間実施する。こ
のエッチングで図３のようにネサ膜表面の荒れ４を滑ら
かに修正する。この結果ネサ膜の厚さは必要とする厚さ
に近づき，その表面は異物のない滑らかな表面となる。
本実施例では，初期にＮ2とＯ2混合ガス使用のエッチン
グをして次にＮ2ガス単体のエッチングを追加する例を
記したが，初期Ｎ2とＯ2混合ガスで強くエッチングする
と凹面が荒くなりＮ2ガスエッチングでは凹面の修正が
弱くなる場合がある。ＩＴＯネサ膜形成条件でもエッチ
ングのレベルが変化することから，２種類のガスで短時
間交代にエッチングする方法もある。この組み合せは，
実験調査で決定して行く。また，本実施例では，Ｎ2ガ
スとＮ2とＯ2混合ガスを主体に記してあるが，イオンエ
ッチングガスとしては，他にＡｒガス又はＡｒ，Ｏ2混
合ガス等も考えられる。但しＡｒガスを使用するとＩＴ
Ｏネサ膜内にＡｒが残り，撮像管真空度を保持するため
には途中加熱処理が必要になる。
る。図１はガラス基板１にＩＴＯネサ膜２を形成した断
面概略図である。３はネサ膜形成時に発生する異物であ
る。ここでＩＴＯネサ膜は撮像管として必要な厚さ約８
００±４００オングストロームに対し１０倍以上の厚さ
に形成する。このネサ膜を最初にＯ2ガスを３％〜１０
％混合したＮ2ガスを使用して高周波イオンエッチング
を実施する。エッチング時間は装置で異なるが４〜６時
間実施する。このエッチングで図２のようにネサ膜は薄
くなりこれによって，異物３は除去される。しかし，エ
ッチングした表面は４の荒れが出来る。次に高周波装置
内のガスを抜き，Ｎ2ガスに変更する。このＮ2ガスの放
電でイオンエッチングをさらに２〜３時間実施する。こ
のエッチングで図３のようにネサ膜表面の荒れ４を滑ら
かに修正する。この結果ネサ膜の厚さは必要とする厚さ
に近づき，その表面は異物のない滑らかな表面となる。
本実施例では，初期にＮ2とＯ2混合ガス使用のエッチン
グをして次にＮ2ガス単体のエッチングを追加する例を
記したが，初期Ｎ2とＯ2混合ガスで強くエッチングする
と凹面が荒くなりＮ2ガスエッチングでは凹面の修正が
弱くなる場合がある。ＩＴＯネサ膜形成条件でもエッチ
ングのレベルが変化することから，２種類のガスで短時
間交代にエッチングする方法もある。この組み合せは，
実験調査で決定して行く。また，本実施例では，Ｎ2ガ
スとＮ2とＯ2混合ガスを主体に記してあるが，イオンエ
ッチングガスとしては，他にＡｒガス又はＡｒ，Ｏ2混
合ガス等も考えられる。但しＡｒガスを使用するとＩＴ
Ｏネサ膜内にＡｒが残り，撮像管真空度を保持するため
には途中加熱処理が必要になる。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば，高圧動作で使用する阻
止型ターゲットの撮像管の白きず画面欠陥不良原因の一
つであるネサ膜の異物除去に大きな効果があり，撮像管
歩留りの改善が可能である。また本方式は，従来の低電
圧で使用する撮像管製造方法が使用できて，特殊な設備
の導入等の設備投資が不要という経済的な利点もある。
止型ターゲットの撮像管の白きず画面欠陥不良原因の一
つであるネサ膜の異物除去に大きな効果があり，撮像管
歩留りの改善が可能である。また本方式は，従来の低電
圧で使用する撮像管製造方法が使用できて，特殊な設備
の導入等の設備投資が不要という経済的な利点もある。
図１ ネサ膜形成後の説明断面図。 図２ 本発明によるＮ2，Ｏ2混合ガスイオンエッチング後の説
明断面図。 図３ 本発明実施後の説明断面図。 １ ガラス基板 ２ ＩＴＯネサ膜 ３ ネサ膜の異物 ４ ネサ膜荒れ部
明断面図。 図３ 本発明実施後の説明断面図。 １ ガラス基板 ２ ＩＴＯネサ膜 ３ ネサ膜の異物 ４ ネサ膜荒れ部
Claims (1)
- 【請求項１】 撮像管用ターゲットを形成するガラス基
板上に形成した透明導電膜表面をＮ2ガス使用の高周波
イオンエッチングとＮ2にＯ2を混合したガス使用の高周
波イオンエッチングを併用してイオンエッチングをする
工程を経ることを特徴とする撮像管用透明導電膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35597691A JPH05174705A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 撮像管用透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35597691A JPH05174705A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 撮像管用透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174705A true JPH05174705A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18446694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35597691A Pending JPH05174705A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 撮像管用透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05174705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100584A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光導電素子及びこれを用いた撮像デバイス、並びに導電膜付き基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP35597691A patent/JPH05174705A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100584A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光導電素子及びこれを用いた撮像デバイス、並びに導電膜付き基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2574094B2 (ja) | エッチング方法 | |
| KR20020040825A (ko) | 플라즈마를 이용한 프로세스장치용의 석영유리지그 | |
| KR20060012021A (ko) | 석영 유리 표면을 마감하는 방법 및 그 방법에 의해 제조된컴포넌트 | |
| US5144147A (en) | Ion implantation apparatus and method of cleaning the same | |
| JPH09266186A (ja) | 気相エッチング工程を含む半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される半導体単結晶鏡面ウエーハ | |
| JPH05174705A (ja) | 撮像管用透明導電膜の製造方法 | |
| KR100382585B1 (ko) | 서셉터 및 표면 처리 방법 | |
| RU2764486C1 (ru) | Способ улучшения характеристик интегрально-оптической схемы (варианты) | |
| US3982976A (en) | Method of evaluating the cleanliness of silicon wafers | |
| JPS58101429A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH11274143A (ja) | ドライエッチング方法及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH10144231A (ja) | 撮像管用面板の製造方法 | |
| JP3716854B2 (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| JPH05174723A (ja) | 撮像管面板 | |
| JPH0286127A (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| JPS59117227A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| JPH10321533A (ja) | ウェーハの製造方法、及び半導体装置 | |
| CN1815281A (zh) | 降低光学薄膜接触角的方法 | |
| JP4923723B2 (ja) | 集光されたイオンビームによる薄膜の加工方法 | |
| KR950006975B1 (ko) | 폴리머 제거방법 | |
| US6875698B2 (en) | Dry etching method | |
| JPH1083984A (ja) | Ｉｔｏのパターニング方法 | |
| JPS6065426A (ja) | 撮像管用面板の透明導電膜の製造方法 | |
| KR20040019871A (ko) | 비대칭적 에지 프로파일을 가진 반도체 웨이퍼 및 그제조방법 | |
| JPH05160078A (ja) | ドライエッチング方法 |