JPH05173141A - 液晶配向膜作成方法 - Google Patents
液晶配向膜作成方法Info
- Publication number
- JPH05173141A JPH05173141A JP35510591A JP35510591A JPH05173141A JP H05173141 A JPH05173141 A JP H05173141A JP 35510591 A JP35510591 A JP 35510591A JP 35510591 A JP35510591 A JP 35510591A JP H05173141 A JPH05173141 A JP H05173141A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- vapor
- glass substrate
- liquid crystal
- deposition source
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 斜方蒸着法によりガラス基板に配向膜を形成
する場合に、得られる配向膜の厚さを均一にする。 【構成】 蒸着源１の上方にガラス基板６を配設し、そ
のガラス基板６に液晶配向膜を斜方蒸着する場合に、ガ
ラス基板６を ０．００５ ≦ θ／Ｌ ≦０．０３ （式中、θは蒸着源を中心とする立体角、Ｌは蒸着源と
ガラス基板との距離を表す）を満足する位置に配設す
る。
する場合に、得られる配向膜の厚さを均一にする。 【構成】 蒸着源１の上方にガラス基板６を配設し、そ
のガラス基板６に液晶配向膜を斜方蒸着する場合に、ガ
ラス基板６を ０．００５ ≦ θ／Ｌ ≦０．０３ （式中、θは蒸着源を中心とする立体角、Ｌは蒸着源と
ガラス基板との距離を表す）を満足する位置に配設す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス基板に均一な
厚さの斜方蒸着膜を形成する液晶配向膜作成方法に関す
る。
厚さの斜方蒸着膜を形成する液晶配向膜作成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイの作成に際し、液晶物
質を単にガラス基板間に挟んだだけではその液晶物質を
所定の方向に一様に分子配列させることは難しい。そこ
で、一般に、ガラス基板に配向膜を設け、液晶分子の配
向を規制することが行われている。
質を単にガラス基板間に挟んだだけではその液晶物質を
所定の方向に一様に分子配列させることは難しい。そこ
で、一般に、ガラス基板に配向膜を設け、液晶分子の配
向を規制することが行われている。
【０００３】液晶分子の配向の安定性は、このような配
向膜から受ける配向規制力の度合いと密接に関係する。
このため、ガラス基板には配向膜を均一に形成すること
が必要とされる。
向膜から受ける配向規制力の度合いと密接に関係する。
このため、ガラス基板には配向膜を均一に形成すること
が必要とされる。
【０００４】配向膜の主要な作成方法の一つに斜方蒸着
法がある。斜方蒸着法は金属、酸化物、フッ化物などの
無機物質を蒸着源とし、基板に対して斜めから蒸着する
ものである。この場合、蒸着角（ガラス基板の法線に対
する蒸着方向）、蒸着速度、真空度、蒸着源の種類など
の蒸着条件によって液晶分子の配向形態が変化する。そ
こで、従来よりこれらの蒸着条件を種々変化させて配向
膜を作成することが提案されている。たとえば、蒸着源
として一酸化珪素を使用する場合、一様な配向膜を得る
ための蒸着角として、通常６０°もしくは８０°、また
はそれらを組み合わせた角度が選択される。
法がある。斜方蒸着法は金属、酸化物、フッ化物などの
無機物質を蒸着源とし、基板に対して斜めから蒸着する
ものである。この場合、蒸着角（ガラス基板の法線に対
する蒸着方向）、蒸着速度、真空度、蒸着源の種類など
の蒸着条件によって液晶分子の配向形態が変化する。そ
こで、従来よりこれらの蒸着条件を種々変化させて配向
膜を作成することが提案されている。たとえば、蒸着源
として一酸化珪素を使用する場合、一様な配向膜を得る
ための蒸着角として、通常６０°もしくは８０°、また
はそれらを組み合わせた角度が選択される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、蒸着角
等の蒸着条件を変化させることにより液晶分子の配向形
態を変化させることはできても、ガラス基板の全面に均
一な厚さで配向膜を形成することは困難であり、そのた
めに液晶ディスプレイに表示むらが発生することなどが
問題となっていた。
等の蒸着条件を変化させることにより液晶分子の配向形
態を変化させることはできても、ガラス基板の全面に均
一な厚さで配向膜を形成することは困難であり、そのた
めに液晶ディスプレイに表示むらが発生することなどが
問題となっていた。
【０００６】この発明は、このような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、ガラス基板に均一な厚さ
の斜方蒸着膜を作成できるようにすることを目的として
いる。
解決しようとするものであり、ガラス基板に均一な厚さ
の斜方蒸着膜を作成できるようにすることを目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を実現するために、蒸着源の上方にガラス基板を配設
し、該ガラス基板に液晶配向膜を斜方蒸着する液晶配向
膜作成方法において、該ガラス基板を ０．００５ ≦ θ／Ｌ ≦０．０３ （式中、θは蒸着源を中心とする立体角、Ｌは蒸着源と
ガラス基板との距離を表す）を満足する位置に配設する
ことを特徴とする液晶配向膜作成方法を提供する。
を実現するために、蒸着源の上方にガラス基板を配設
し、該ガラス基板に液晶配向膜を斜方蒸着する液晶配向
膜作成方法において、該ガラス基板を ０．００５ ≦ θ／Ｌ ≦０．０３ （式中、θは蒸着源を中心とする立体角、Ｌは蒸着源と
ガラス基板との距離を表す）を満足する位置に配設する
ことを特徴とする液晶配向膜作成方法を提供する。
【０００８】このように、この発明の方法は、斜方蒸着
法によりガラス基板に配向膜を形成する場合に、ガラス
基板の配設位置を蒸着源に対する距離Ｌと立体角θの関
係において一定範囲内にすることを特徴としている。こ
の場合、個々の距離Ｌと立体角θは、当該の配向膜の形
成に必要とされる蒸着源の種類や蒸着角等の蒸着条件に
応じて適宜定められるが、通常距離Ｌは２０〜６０ｃｍ
とし、立体角θは３０°以内とすることが好ましい。な
お、ガラス基板の配設位置を上記の範囲とする限り、ガ
ラス基板は複数枚配設することができる。
法によりガラス基板に配向膜を形成する場合に、ガラス
基板の配設位置を蒸着源に対する距離Ｌと立体角θの関
係において一定範囲内にすることを特徴としている。こ
の場合、個々の距離Ｌと立体角θは、当該の配向膜の形
成に必要とされる蒸着源の種類や蒸着角等の蒸着条件に
応じて適宜定められるが、通常距離Ｌは２０〜６０ｃｍ
とし、立体角θは３０°以内とすることが好ましい。な
お、ガラス基板の配設位置を上記の範囲とする限り、ガ
ラス基板は複数枚配設することができる。
【０００９】またこの発明の方法においては、ガラス基
板の配設位置を上記の範囲とする限り、蒸着角、蒸着源
の種類等の蒸着条件は従来の斜方蒸着法と同様にするこ
とができる。たとえば、蒸着源としては、一酸化珪素、
フッ化カルシウムなどを使用することができる。
板の配設位置を上記の範囲とする限り、蒸着角、蒸着源
の種類等の蒸着条件は従来の斜方蒸着法と同様にするこ
とができる。たとえば、蒸着源としては、一酸化珪素、
フッ化カルシウムなどを使用することができる。
【００１０】
【作用】この発明によれば、斜方蒸着法によりガラス基
板に配向膜を形成する場合に、ガラス基板を ０．００５ ≦ θ／Ｌ ≦０．０３ （式中、θは蒸着源を中心とする立体角、Ｌは蒸着源と
ガラス基板との距離を表す）を満足する位置に配設する
ので、所定の配向膜をガラス基板の全面にわたって均一
な厚さに形成することが可能となる。
板に配向膜を形成する場合に、ガラス基板を ０．００５ ≦ θ／Ｌ ≦０．０３ （式中、θは蒸着源を中心とする立体角、Ｌは蒸着源と
ガラス基板との距離を表す）を満足する位置に配設する
ので、所定の配向膜をガラス基板の全面にわたって均一
な厚さに形成することが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の方法を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１は、この発明の実施例の説明図であ
る。
る。
【００１３】この実施例においては、一酸化珪素１を蒸
着源とし、この蒸着源となる一酸化珪素１を直径１ｍｍ
の小穴２の開いた蓋付タンタルボート３に入れ、真空蒸
着器４の中に設置した。なお、このタンタルボート３は
真空蒸着器４の外部に設けた制御系５により抵抗加熱で
きるようにした。
着源とし、この蒸着源となる一酸化珪素１を直径１ｍｍ
の小穴２の開いた蓋付タンタルボート３に入れ、真空蒸
着器４の中に設置した。なお、このタンタルボート３は
真空蒸着器４の外部に設けた制御系５により抵抗加熱で
きるようにした。
【００１４】真空蒸着器４内でタンタルボート３の上方
には、１００ｍｍ×１５０ｍｍのガラス基板６を蒸着源
に対して８５°傾け、タンタルボート３からの距離Ｌが
４００ｍｍの位置に配設した。この場合ガラス基板６
は、その全体が、タンタルボート３に開けた小穴２を中
心とする立体角θについて２０°以内にあった。
には、１００ｍｍ×１５０ｍｍのガラス基板６を蒸着源
に対して８５°傾け、タンタルボート３からの距離Ｌが
４００ｍｍの位置に配設した。この場合ガラス基板６
は、その全体が、タンタルボート３に開けた小穴２を中
心とする立体角θについて２０°以内にあった。
【００１５】また、真空蒸着器４内には膜厚計７を設置
した。
した。
【００１６】このような真空蒸着器４内でタンタルボー
ト３を加熱し、ガラス基板６に一酸化珪素薄膜からなる
斜方蒸着膜を形成したところ、この蒸着膜の膜厚の幅は
±３０％以内に収まっていた。
ト３を加熱し、ガラス基板６に一酸化珪素薄膜からなる
斜方蒸着膜を形成したところ、この蒸着膜の膜厚の幅は
±３０％以内に収まっていた。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、ガラス基板に均一な
厚さの斜方蒸着膜を作成することが可能となる。
厚さの斜方蒸着膜を作成することが可能となる。
【図１】この発明の実施例の説明図である。
１ 一酸化珪素（蒸着源） ２ 小穴 ３ タンタルボート ４ 真空蒸着器 ５ 制御系 ６ ガラス基板 ７ 膜厚計 θ 蒸着源を中心とする立体角 Ｌ 蒸着源とガラス基板との距離
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松居 恵理子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 片岡 延江 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 宮下 真由美 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 蒸着源の上方にガラス基板を配設し、該
ガラス基板に液晶配向膜を斜方蒸着する液晶配向膜作成
方法において、該ガラス基板を ０．００５ ≦ θ／Ｌ ≦０．０３ （式中、θは蒸着源を中心とする立体角、Ｌは蒸着源と
ガラス基板との距離を表す）を満足する位置に配設する
ことを特徴とする液晶配向膜作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35510591A JPH05173141A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 液晶配向膜作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35510591A JPH05173141A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 液晶配向膜作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05173141A true JPH05173141A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18441970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35510591A Pending JPH05173141A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 液晶配向膜作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05173141A (ja) |
-
1991
- 1991-12-19 JP JP35510591A patent/JPH05173141A/ja active Pending
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