JPH05172510A - 表面形状測定方法 - Google Patents
表面形状測定方法Info
- Publication number
- JPH05172510A JPH05172510A JP35551691A JP35551691A JPH05172510A JP H05172510 A JPH05172510 A JP H05172510A JP 35551691 A JP35551691 A JP 35551691A JP 35551691 A JP35551691 A JP 35551691A JP H05172510 A JPH05172510 A JP H05172510A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 探針形状の影響を排除し、凸部や凹部の形状
や寸法を正確に測定することが可能な表面形状測定方法
を提供する。 【構成】 本発明が対象とするのは、走査型トンネル顕
微鏡（ＳＴＭ）やタリステップ、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）等、探針の動きにより表面形状を測定する方法であ
る。測定に際しては、先ず、通常の測定と同様、被測定
サンプル表面を探針で走査し、探針の動きにより表面像
を得る。次いで、得られた表面像に沿って予め実測した
探針形状でトレースし、各座標での最低値をストアす
る。
や寸法を正確に測定することが可能な表面形状測定方法
を提供する。 【構成】 本発明が対象とするのは、走査型トンネル顕
微鏡（ＳＴＭ）やタリステップ、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）等、探針の動きにより表面形状を測定する方法であ
る。測定に際しては、先ず、通常の測定と同様、被測定
サンプル表面を探針で走査し、探針の動きにより表面像
を得る。次いで、得られた表面像に沿って予め実測した
探針形状でトレースし、各座標での最低値をストアす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
等のように探針の走査によって表面形状を測定する表面
形状測定方法に関するものであり、特に、実際の表面形
状に即した表面像を得るためのデータの補正方法に関す
るものである。
等のように探針の走査によって表面形状を測定する表面
形状測定方法に関するものであり、特に、実際の表面形
状に即した表面像を得るためのデータの補正方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、光ディスクや半導体集積回路の
分野においては、サブミクロンから原子レベルに至る領
域での３次元的な微細加工やプロセスの評価技術が重要
性を増しており、より高分解能な観察手段が必要になっ
ている。このような状況から、走査型トンネル電流顕微
鏡（ＳＴＭ）に代表されるような、探針がサンプル表面
をスキャンし、この探針の動きによって表面形状を測定
する方法が開発されている。
分野においては、サブミクロンから原子レベルに至る領
域での３次元的な微細加工やプロセスの評価技術が重要
性を増しており、より高分解能な観察手段が必要になっ
ている。このような状況から、走査型トンネル電流顕微
鏡（ＳＴＭ）に代表されるような、探針がサンプル表面
をスキャンし、この探針の動きによって表面形状を測定
する方法が開発されている。
【０００３】前記ＳＴＭでは、サンプルを破損すること
なく３次元観察が可能であり、サンプル表面原子の配列
や電子状態を反映した像が得られることから、微細形状
測定や微細加工への応用が期待されている。
なく３次元観察が可能であり、サンプル表面原子の配列
や電子状態を反映した像が得られることから、微細形状
測定や微細加工への応用が期待されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
に探針の動きによって表面形状を測定する方法では、探
針の形状が測定結果に大きく影響し、探針の形状によっ
てサンプルの真の表面形状と測定された表面像とが異な
ってしまうという問題がある。例えば、ＳＴＭの場合、
図８Ａに示すように、探針１０１の曲率半径Ｒや頂角θ
が溝１０２の幅に比べて大きいときには、図８Ｂに示す
ように、観察像ＩＭは真の表面形状とは全く異なる形状
に測定される。また、図９Ａに示すように、探針１０１
の曲率半径Ｒや頂角θが溝１０２の幅に比べて十分に小
さい場合でも、図９Ｂに示すように、前記曲率半径Ｒや
頂角θに応じて凸部は幅広，凹部は幅狭となり、観察像
ＩＭの溝幅Ｗ2 は実際の値Ｗ1 とは異なった値となる。
さらに、図１０Ａに示すように、探針の対象性が悪い
と、図１０Ｂに示すように、得られるＳＴＭ像ＩＭも対
象性の悪いものとなる。
に探針の動きによって表面形状を測定する方法では、探
針の形状が測定結果に大きく影響し、探針の形状によっ
てサンプルの真の表面形状と測定された表面像とが異な
ってしまうという問題がある。例えば、ＳＴＭの場合、
図８Ａに示すように、探針１０１の曲率半径Ｒや頂角θ
が溝１０２の幅に比べて大きいときには、図８Ｂに示す
ように、観察像ＩＭは真の表面形状とは全く異なる形状
に測定される。また、図９Ａに示すように、探針１０１
の曲率半径Ｒや頂角θが溝１０２の幅に比べて十分に小
さい場合でも、図９Ｂに示すように、前記曲率半径Ｒや
頂角θに応じて凸部は幅広，凹部は幅狭となり、観察像
ＩＭの溝幅Ｗ2 は実際の値Ｗ1 とは異なった値となる。
さらに、図１０Ａに示すように、探針の対象性が悪い
と、図１０Ｂに示すように、得られるＳＴＭ像ＩＭも対
象性の悪いものとなる。
【０００５】これは、ＳＴＭに限らず、探針を用いて表
面形状を測定する方法全般に言えることであって、探針
の形状による影響を排除し、真の表面形状を求めること
ができるデータ処理方法が必要とされている。そこで本
発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであ
って、凸部や凹部の幅や形状を正確に測定することが可
能な表面形状測定方法を提供することを目的とする。
面形状を測定する方法全般に言えることであって、探針
の形状による影響を排除し、真の表面形状を求めること
ができるデータ処理方法が必要とされている。そこで本
発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであ
って、凸部や凹部の幅や形状を正確に測定することが可
能な表面形状測定方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の表面形状測定方法は、被測定サンプル表
面を探針で走査し、該探針の動きにより表面像を得た
後、得られた表面像上を予め実測した探針形状でトレー
スし、該探針形状が描く軌跡の最低値より真の表面像を
求めることを特徴とするものである。
めに、本発明の表面形状測定方法は、被測定サンプル表
面を探針で走査し、該探針の動きにより表面像を得た
後、得られた表面像上を予め実測した探針形状でトレー
スし、該探針形状が描く軌跡の最低値より真の表面像を
求めることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】探針を走査することによって測定される表面像
は、探針の曲率半径等の影響を受け、寸法や形状が真の
値とは異なる。これに対して、得られた表面像上を予め
実測した探針形状でトレースし、該探針形状が描く軌跡
の最低値をストアすると、前記探針の形状分だけ高さデ
ータが浸食されたことになり、探針の形状による影響が
排除され、真の表面形状が求められる。
は、探針の曲率半径等の影響を受け、寸法や形状が真の
値とは異なる。これに対して、得られた表面像上を予め
実測した探針形状でトレースし、該探針形状が描く軌跡
の最低値をストアすると、前記探針の形状分だけ高さデ
ータが浸食されたことになり、探針の形状による影響が
排除され、真の表面形状が求められる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明をＳＴＭに適用した実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【０００９】ＳＴＭは、サンプル表面と探針間のトンネ
ル電流が一定（実際にはサンプルと探針の距離ｄが一
定）になるように、探針をＸＹＺ方向に独立に制御可能
なピエゾアクチュエータでスキャンし、ＸＹＺ方向のス
キャン量によって３次元計測を行うものである。
ル電流が一定（実際にはサンプルと探針の距離ｄが一
定）になるように、探針をＸＹＺ方向に独立に制御可能
なピエゾアクチュエータでスキャンし、ＸＹＺ方向のス
キャン量によって３次元計測を行うものである。
【００１０】ＳＴＭの基本構造を図１に示す。すなわ
ち、ＳＴＭは、Ｘ軸ピエゾ１ａ、Ｙ軸ピエゾ１ｂ及びＺ
軸ピエゾ１ｃからなりＸＹＺ方向に独立に制御可能なピ
エゾアクチュエータ１に、トンネル電流検出用の探針２
を取付けてなるものである。一方、サンプル３は、前記
探針２と対向して試料台に取付けられる。そして、サン
プル３にはバイアス電源４が接続され、数十ｍＶから１
Ｖ程度のバイアス電圧で１ｎＡ程度のトンネル電流を検
出するように探針２とサンプル３間の距離ｄが設定され
る。
ち、ＳＴＭは、Ｘ軸ピエゾ１ａ、Ｙ軸ピエゾ１ｂ及びＺ
軸ピエゾ１ｃからなりＸＹＺ方向に独立に制御可能なピ
エゾアクチュエータ１に、トンネル電流検出用の探針２
を取付けてなるものである。一方、サンプル３は、前記
探針２と対向して試料台に取付けられる。そして、サン
プル３にはバイアス電源４が接続され、数十ｍＶから１
Ｖ程度のバイアス電圧で１ｎＡ程度のトンネル電流を検
出するように探針２とサンプル３間の距離ｄが設定され
る。
【００１１】ＳＴＭ像を観察する場合には、トンネル電
流が一定になるように探針２とサンプル３間の距離ｄを
サーボ回路５を介して制御しながら、サンプル３表面に
平行なＸＹ面を前記ピエゾアクチュエータ１で走査す
る。このとき、ＸＹ面の個々の画素におけるＺ軸アクチ
ュエータ駆動信号（電圧）をコンピュータ６によって変
位量に換算して画像化すれば、モニター画面７上にトポ
グラフ像を得ることができる。
流が一定になるように探針２とサンプル３間の距離ｄを
サーボ回路５を介して制御しながら、サンプル３表面に
平行なＸＹ面を前記ピエゾアクチュエータ１で走査す
る。このとき、ＸＹ面の個々の画素におけるＺ軸アクチ
ュエータ駆動信号（電圧）をコンピュータ６によって変
位量に換算して画像化すれば、モニター画面７上にトポ
グラフ像を得ることができる。
【００１２】ここで、上述のＳＴＭにおいて、先端形状
が曲率半径Ｒなる探針２を用いて走査した場合のＳＴＭ
像について考える。図２は、段差部を有するサンプル３
の真の表面形状（図中線ＲＳ）並びに先端形状が曲率半
径Ｒなる探針２を用いて走査したＳＴＭ像（図中線Ｉ
Ｍ）を示すものである。なお、以下の図面でも同様であ
るが、図２において、探針２は便宜上半径Ｒなる円で表
している。また、探針２とサンプル３間の距離ｄは、非
常に小さな値であるので、ここでは無視した。
が曲率半径Ｒなる探針２を用いて走査した場合のＳＴＭ
像について考える。図２は、段差部を有するサンプル３
の真の表面形状（図中線ＲＳ）並びに先端形状が曲率半
径Ｒなる探針２を用いて走査したＳＴＭ像（図中線Ｉ
Ｍ）を示すものである。なお、以下の図面でも同様であ
るが、図２において、探針２は便宜上半径Ｒなる円で表
している。また、探針２とサンプル３間の距離ｄは、非
常に小さな値であるので、ここでは無視した。
【００１３】いま、図中左方から探針２を走査したとす
る。すると、先ず、図中Ａ点に至るまでは探針２の先端
位置（最低位置）でトンネリング（トンネル電流が流れ
るの意。）する。次に、探針２が点Ａに達すると、サン
プル３表面のトンネリング位置は変わらず、探針２上の
トンネリング位置のみが変わっていく。すなわち、探針
２上のトンネリング位置は、斜面ＡＣの傾斜角度αに応
じて、先端位置から角度αだけ移動した位置に移行して
いく。したがって、この間、探針２の軌跡（ＳＴＭ像Ｉ
Ｍ）は、点Ａを中心として半径Ｒなる円弧を描くことに
なる。
る。すると、先ず、図中Ａ点に至るまでは探針２の先端
位置（最低位置）でトンネリング（トンネル電流が流れ
るの意。）する。次に、探針２が点Ａに達すると、サン
プル３表面のトンネリング位置は変わらず、探針２上の
トンネリング位置のみが変わっていく。すなわち、探針
２上のトンネリング位置は、斜面ＡＣの傾斜角度αに応
じて、先端位置から角度αだけ移動した位置に移行して
いく。したがって、この間、探針２の軌跡（ＳＴＭ像Ｉ
Ｍ）は、点Ａを中心として半径Ｒなる円弧を描くことに
なる。
【００１４】さらに、斜面ＡＣ上では、探針２の先端位
置から角度αだけズレた位置がサンプル３表面との最短
距離になり、したがって探針２上のトンネリング位置は
前記角度αだけズレた位置から変わらず、サンプル３表
面上のトンネリング位置が変わっていく。
置から角度αだけズレた位置がサンプル３表面との最短
距離になり、したがって探針２上のトンネリング位置は
前記角度αだけズレた位置から変わらず、サンプル３表
面上のトンネリング位置が変わっていく。
【００１５】次いで、探針２が点Ｂに達すると、探針２
上におけるトンネリング位置が、先端位置から角度αだ
け移動した位置から、先端位置へとジャンプする。すな
わち、サンプル３表面上のトンネリング位置が、点Ｂか
ら点Ｄへと瞬時に移行する。これは、探針２の先端位置
がサンプル３の段差部底面に近づくからである。そし
て、Ｄ点より右側では、前記探針２上の先端位置をトン
ネリング位置として、サンプル３上のトンネリング位置
が底面に沿って移動する。
上におけるトンネリング位置が、先端位置から角度αだ
け移動した位置から、先端位置へとジャンプする。すな
わち、サンプル３表面上のトンネリング位置が、点Ｂか
ら点Ｄへと瞬時に移行する。これは、探針２の先端位置
がサンプル３の段差部底面に近づくからである。そし
て、Ｄ点より右側では、前記探針２上の先端位置をトン
ネリング位置として、サンプル３上のトンネリング位置
が底面に沿って移動する。
【００１６】上述のようにして測定されるＳＴＭ像ＩＭ
は、前記点Ａにおける探針２上のトンネリング位置の変
化、及び点Ｂから点Ｃへのトンネリング位置のジャンプ
に由来して、実際の形状ＲＳとは異なった形状となる。
具体的には、凸部の角部は探針２の半径Ｒだけ丸みを帯
びた像となり、その結果凸部の幅は２Δｒ（Δｒ＝Ｒta
nα／２）だけ広がって測定される。凹部の幅は、逆に
２Δｒ（Δｒ＝Ｒ tanα／２）だけ狭まって測定され
る。このようなＳＴＭ像ＩＭは、サンプル３表面の段差
部を半径Ｒの球が転がるモデルによって容易に理解され
る。
は、前記点Ａにおける探針２上のトンネリング位置の変
化、及び点Ｂから点Ｃへのトンネリング位置のジャンプ
に由来して、実際の形状ＲＳとは異なった形状となる。
具体的には、凸部の角部は探針２の半径Ｒだけ丸みを帯
びた像となり、その結果凸部の幅は２Δｒ（Δｒ＝Ｒta
nα／２）だけ広がって測定される。凹部の幅は、逆に
２Δｒ（Δｒ＝Ｒ tanα／２）だけ狭まって測定され
る。このようなＳＴＭ像ＩＭは、サンプル３表面の段差
部を半径Ｒの球が転がるモデルによって容易に理解され
る。
【００１７】このように、ＳＴＭによって測定される表
面像は、実際の表面形状とは形状、寸法等が異なり、そ
のままでは測定の信頼性に乏しい。そこで、本実施例に
おいては、前記ＳＴＭ像ＩＭに補正を加え、実際の表面
形状ＲＳに即した補正像を得た。
面像は、実際の表面形状とは形状、寸法等が異なり、そ
のままでは測定の信頼性に乏しい。そこで、本実施例に
おいては、前記ＳＴＭ像ＩＭに補正を加え、実際の表面
形状ＲＳに即した補正像を得た。
【００１８】以下、この補正方法について説明する。前
記ＳＴＭ像ＩＭに補正を加えるには、先ず、使用した探
針２の先端形状を正確に測定する。例えば、走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）等によって先端形状を観察し、使用し
た探針２の先端半径Ｒを正確に測定する。
記ＳＴＭ像ＩＭに補正を加えるには、先ず、使用した探
針２の先端形状を正確に測定する。例えば、走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）等によって先端形状を観察し、使用し
た探針２の先端半径Ｒを正確に測定する。
【００１９】次いで、図３に示すように、測定したＳＴ
Ｍ像ＩＭを円の中心とし、先に測定した先端半径Ｒに対
応した円（半径Ｒの円）を転がし、そのときの各座標
（ＸＹ座標）における最低値（Ｚ座標の最低値）をスト
アする。言い換えれば、測定したＳＴＭ像ＩＭを半径Ｒ
の円によって浸食した値を求める。
Ｍ像ＩＭを円の中心とし、先に測定した先端半径Ｒに対
応した円（半径Ｒの円）を転がし、そのときの各座標
（ＸＹ座標）における最低値（Ｚ座標の最低値）をスト
アする。言い換えれば、測定したＳＴＭ像ＩＭを半径Ｒ
の円によって浸食した値を求める。
【００２０】以上により、実際の表面形状ＲＳとほぼ同
一の補正像ＣＩが得られ、正確な溝幅や深さ分布が測定
できる。
一の補正像ＣＩが得られ、正確な溝幅や深さ分布が測定
できる。
【００２１】例えば、図４は、溝部を測定した場合の各
像を示すものである。先にも述べた通り、実際の表面形
状ＲＳに対してＳＴＭ像ＩＭでは溝の幅が拡大されてい
る。すなわち、実際の表面形状ＲＳでは、溝の底部の幅
がＬ1 であるのに対して、ＳＴＭ像ＩＭでは、斜面の傾
斜角度α及び探針２の先端半径Ｒに応じて両側がΔＬ
（＝Ｒ tanα／２）だけ拡大され、Ｌ2 （＝Ｌ1 ＋２Δ
Ｌ）なる値を示す。これに対して、補正像ＣＩでは、ほ
ぼ実際の表面形状ＲＳと同様の像が得られ、溝の幅Ｌ3
も実際の溝幅Ｌ1 と一致する値として測定される。
像を示すものである。先にも述べた通り、実際の表面形
状ＲＳに対してＳＴＭ像ＩＭでは溝の幅が拡大されてい
る。すなわち、実際の表面形状ＲＳでは、溝の底部の幅
がＬ1 であるのに対して、ＳＴＭ像ＩＭでは、斜面の傾
斜角度α及び探針２の先端半径Ｒに応じて両側がΔＬ
（＝Ｒ tanα／２）だけ拡大され、Ｌ2 （＝Ｌ1 ＋２Δ
Ｌ）なる値を示す。これに対して、補正像ＣＩでは、ほ
ぼ実際の表面形状ＲＳと同様の像が得られ、溝の幅Ｌ3
も実際の溝幅Ｌ1 と一致する値として測定される。
【００２２】凸部についても同様である。図５は凸部を
測定した場合の各像を示すものであり、溝部の場合とは
逆に、ＳＴＭ像ＩＭでは凸部の幅Ｄ1 が両側においてそ
れぞれΔＤ（＝Ｒ tanβ／２）だけ縮小され、Ｄ2 （＝
Ｄ1 −２ΔＤ）とされる。これに対して、補正像ＣＩで
測定される凸部の幅Ｄ3 は、実際の表面形状ＲＳにおけ
る幅Ｄ1 とほぼ等しいものとなる。
測定した場合の各像を示すものであり、溝部の場合とは
逆に、ＳＴＭ像ＩＭでは凸部の幅Ｄ1 が両側においてそ
れぞれΔＤ（＝Ｒ tanβ／２）だけ縮小され、Ｄ2 （＝
Ｄ1 −２ΔＤ）とされる。これに対して、補正像ＣＩで
測定される凸部の幅Ｄ3 は、実際の表面形状ＲＳにおけ
る幅Ｄ1 とほぼ等しいものとなる。
【００２３】以上、本発明を適用した実施例について説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。例えば、上述の実施例はＳＴＭを対象にした場合の
実施例であるが、探針がサンプル表面をスキャンする測
定方法であれば如何なる測定方法であっても適用可能で
ある。かかる測定方法を例示するならば、タリステッ
プ、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、マグネト・フォース・
マイクロスコープ（ＭＦＭ）等である。
明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。例えば、上述の実施例はＳＴＭを対象にした場合の
実施例であるが、探針がサンプル表面をスキャンする測
定方法であれば如何なる測定方法であっても適用可能で
ある。かかる測定方法を例示するならば、タリステッ
プ、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、マグネト・フォース・
マイクロスコープ（ＭＦＭ）等である。
【００２４】また、球による２次元の深さ分布も補正可
能であり、さらには探針の先端が円（球）以外の形状の
場合にも補正が可能である。例えば、図６に示すように
楕円形状の探針２１を使用した場合や、図７に示すよう
に左右の曲率半径Ｒ1 、Ｒ2 が異なる探針２２を使用し
た場合にも、同様の手法によって補正することが可能で
ある。
能であり、さらには探針の先端が円（球）以外の形状の
場合にも補正が可能である。例えば、図６に示すように
楕円形状の探針２１を使用した場合や、図７に示すよう
に左右の曲率半径Ｒ1 、Ｒ2 が異なる探針２２を使用し
た場合にも、同様の手法によって補正することが可能で
ある。
【００２５】さらに、正確な表面形状が判明している場
合には、ＳＴＭ像と実際の表面形状像とから、探針の曲
率半径や頂角θ等を算出することも可能である。
合には、ＳＴＭ像と実際の表面形状像とから、探針の曲
率半径や頂角θ等を算出することも可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、探針の形状による影響を排除することが
でき、凸部や凹部の幅や形状を正確に測定することが可
能である。したがって、例えば光ディスクのピット幅、
ピット長、デューティー比等を正確に把握することがで
き、その意義は非常に大きい。
明においては、探針の形状による影響を排除することが
でき、凸部や凹部の幅や形状を正確に測定することが可
能である。したがって、例えば光ディスクのピット幅、
ピット長、デューティー比等を正確に把握することがで
き、その意義は非常に大きい。
【図１】ＳＴＭの基本原理を説明するための模式図であ
る。
る。
【図２】測定されるＳＴＭ像を説明するための模式図で
ある。
ある。
【図３】補正像を説明するための模式図である。
【図４】溝部における実際の表面形状、ＳＴＭ像、補正
像を示す模式図である。
像を示す模式図である。
【図５】凸部における実際の表面形状、ＳＴＭ像、補正
像を示す模式図である。
像を示す模式図である。
【図６】探針が楕円形状である場合のＳＴＭ像を示す模
式図である。
式図である。
【図７】探針の左右の曲率半径が異なる場合のＳＴＭ像
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図８】探針の曲率半径が溝幅に比べて大きい場合のＳ
ＴＭ像を示す模式図である。
ＴＭ像を示す模式図である。
【図９】探針の曲率半径が溝幅に比べて小さい場合のＳ
ＴＭ像を示す模式図である。
ＴＭ像を示す模式図である。
【図１０】探針の形状の対称性が悪い場合のＳＴＭ像を
示す模式図である。
示す模式図である。
２・・・探針 ＲＳ・・・実際の表面形状 ＩＭ・・・ＳＴＭ像 ＣＩ・・・補正像
Claims (1)
- 【請求項１】 被測定サンプル表面を探針で走査し、該
探針の動きにより表面像を得た後、 得られた表面像上を予め実測した探針形状でトレース
し、該探針形状が描く軌跡の最低値より真の表面像を求
めることを特徴とする表面形状測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35551691A JPH05172510A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 表面形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35551691A JPH05172510A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 表面形状測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05172510A true JPH05172510A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=18444396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35551691A Withdrawn JPH05172510A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 表面形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05172510A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220108A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Natl Res Inst For Metals | Ｓｐｍ画像用の探針形状の決定方法と、これを用いた画 像補正法 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP35551691A patent/JPH05172510A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220108A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Natl Res Inst For Metals | Ｓｐｍ画像用の探針形状の決定方法と、これを用いた画 像補正法 |
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