JPH05166904A - パターン検査装置 - Google Patents
パターン検査装置Info
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- JPH05166904A JPH05166904A JP33103891A JP33103891A JPH05166904A JP H05166904 A JPH05166904 A JP H05166904A JP 33103891 A JP33103891 A JP 33103891A JP 33103891 A JP33103891 A JP 33103891A JP H05166904 A JPH05166904 A JP H05166904A
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- JP
- Japan
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- measured
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- undulation
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はパターン検査装置に関し、高さ、明
るさ、及びうねりの情報を計測するパターン検査装置を
提供することを目的としている。 【構成】 レーザ光を走査、集光し、予め所定のパター
ンが形成された測定対象物の表面上を照射する光照射手
段と、該光照射手段によって該測定対象物に照射された
該レーザ光の反射光を検出する光検出手段と、該光検出
手段によって検出された反射光に基づいて該測定対象物
の高さ、及び明るさを計測する計測手段と、該計測手段
によって計測された該測定対象物の高さ情報に基づいて
該測定対象物の表面位置におけるうねり量を演算するう
ねり演算手段とを備えるように構成する。
るさ、及びうねりの情報を計測するパターン検査装置を
提供することを目的としている。 【構成】 レーザ光を走査、集光し、予め所定のパター
ンが形成された測定対象物の表面上を照射する光照射手
段と、該光照射手段によって該測定対象物に照射された
該レーザ光の反射光を検出する光検出手段と、該光検出
手段によって検出された反射光に基づいて該測定対象物
の高さ、及び明るさを計測する計測手段と、該計測手段
によって計測された該測定対象物の高さ情報に基づいて
該測定対象物の表面位置におけるうねり量を演算するう
ねり演算手段とを備えるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン検査装置に係
り、詳しくは、例えば、プリント配線板のパターン検査
の分野に用いて好適な、配線パターンの良否を検査する
パターン検査装置に関する。近年、電子機器の高密度化
に伴い、例えば、プリント配線板の配線パターン等も数
十μｍ〜数μｍの幅と厚みとなってきており、高密度化
されてきていることから、これらの外観検査は、検査の
信頼度、検査速度の面から従来の目視による検査では不
可能となってきており、このようなプリント配線板にお
ける配線パターンの検査のため、パターン検査装置が数
多く開発されている。
り、詳しくは、例えば、プリント配線板のパターン検査
の分野に用いて好適な、配線パターンの良否を検査する
パターン検査装置に関する。近年、電子機器の高密度化
に伴い、例えば、プリント配線板の配線パターン等も数
十μｍ〜数μｍの幅と厚みとなってきており、高密度化
されてきていることから、これらの外観検査は、検査の
信頼度、検査速度の面から従来の目視による検査では不
可能となってきており、このようなプリント配線板にお
ける配線パターンの検査のため、パターン検査装置が数
多く開発されている。
【０００２】これは、例えば、プリント配線板の製造工
程における配線パターンの欠けや断線、短絡等の不具合
を検出することにより製品の信頼度、及び品質を高める
ものであり、このようなパターン検査装置では、測定対
象物に対して非接触で、かつ高速に自動検査することが
要求される。
程における配線パターンの欠けや断線、短絡等の不具合
を検出することにより製品の信頼度、及び品質を高める
ものであり、このようなパターン検査装置では、測定対
象物に対して非接触で、かつ高速に自動検査することが
要求される。
【０００３】
【従来の技術】従来のこの種のパターン検査装置として
は、例えば、図７，８に示すようなものがある。このパ
ターン検査装置は、大別して、光照射手段１、光検出手
段２、測定対象物保持手段３から構成されている。
は、例えば、図７，８に示すようなものがある。このパ
ターン検査装置は、大別して、光照射手段１、光検出手
段２、測定対象物保持手段３から構成されている。
【０００４】光照射手段１は、光源４、光走査手段５、
光走査レンズ６から、光検出手段２は、結像レンズ７、
三次元光センサ８、信号処理回路９、制御ＣＰＵ（Cent
ralProcessing Unit ）１０から、測定対象物保持手段
３は、Ｚステージ１１、ＸＹステージ１２、Ｚステージ
コントローラ１３、ＸＹステージコントローラ１４から
構成されている。なお、１５は測定対象物である。
光走査レンズ６から、光検出手段２は、結像レンズ７、
三次元光センサ８、信号処理回路９、制御ＣＰＵ（Cent
ralProcessing Unit ）１０から、測定対象物保持手段
３は、Ｚステージ１１、ＸＹステージ１２、Ｚステージ
コントローラ１３、ＸＹステージコントローラ１４から
構成されている。なお、１５は測定対象物である。
【０００５】図８は図７の要部構成を示す斜視図であ
る。図８に示すように、光照射手段１をなす光源４は、
レーザ銃１６、ビームエクスパンダ１７、ミラー１８，
１９からなり、光走査手段５はポリゴンスキャナミラー
２０から、また、光走査レンズ６はスキャンレンズ２
１、反射ミラー２２から構成されている。
る。図８に示すように、光照射手段１をなす光源４は、
レーザ銃１６、ビームエクスパンダ１７、ミラー１８，
１９からなり、光走査手段５はポリゴンスキャナミラー
２０から、また、光走査レンズ６はスキャンレンズ２
１、反射ミラー２２から構成されている。
【０００６】光検出手段２をなす信号処理回路９は、２
個の増幅器２３，２４、高さ演算回路２５、明るさ演算
回路２６、画像メモリ２７，２８から構成されている。
以上の構成において、レーザ銃１６から照射されたコリ
メートレーザ光がビームエクスパンダ１７によって所定
の径に拡大され、ミラー１８，１９を介してポリゴンス
キャナミラー２０、スキャンレンズ（例えば、ｆθレン
ズ）２１、反射ミラー２２により測定対象物１５上で結
像・走査される。
個の増幅器２３，２４、高さ演算回路２５、明るさ演算
回路２６、画像メモリ２７，２８から構成されている。
以上の構成において、レーザ銃１６から照射されたコリ
メートレーザ光がビームエクスパンダ１７によって所定
の径に拡大され、ミラー１８，１９を介してポリゴンス
キャナミラー２０、スキャンレンズ（例えば、ｆθレン
ズ）２１、反射ミラー２２により測定対象物１５上で結
像・走査される。
【０００７】測定対象物１５に照射されたレーザ光の像
は、測定対象物１５の斜め上方位置に設置された、光点
位置検出装置（以下、ＰＳＤという）８により検出され
る。ここで、測定対象物１５の高さ、及び明るさに応じ
てＰＳＤ８からの出力は変化し、例えば、明るさについ
ては、一般的に、銅等の金属で構成される配線パターン
は正反射性を有するため明るく、樹脂等で構成される基
板は拡散反射性を有するため暗い。
は、測定対象物１５の斜め上方位置に設置された、光点
位置検出装置（以下、ＰＳＤという）８により検出され
る。ここで、測定対象物１５の高さ、及び明るさに応じ
てＰＳＤ８からの出力は変化し、例えば、明るさについ
ては、一般的に、銅等の金属で構成される配線パターン
は正反射性を有するため明るく、樹脂等で構成される基
板は拡散反射性を有するため暗い。
【０００８】そこで、ＰＳＤ８から得られる明るさ出力
を適当な閾値で二値化することにより、パターン信号の
二次元画像が得られ、この得られた二次元画像に対して
所定の画像処理が施されることにより配線パターンの欠
けや断線、短絡等の欠陥検査が行われる。また、高さに
ついては、測定対象物１５の斜め上方位置に設置された
ＰＳＤ８により、三角測量法の原理によって測定対象物
１５の高さに応じて、ＰＳＤ８上でのレーザビームの結
像位置が変化することによって高さ情報が得られ、高さ
情報により配線パターンの厚みについての情報が得られ
る。
を適当な閾値で二値化することにより、パターン信号の
二次元画像が得られ、この得られた二次元画像に対して
所定の画像処理が施されることにより配線パターンの欠
けや断線、短絡等の欠陥検査が行われる。また、高さに
ついては、測定対象物１５の斜め上方位置に設置された
ＰＳＤ８により、三角測量法の原理によって測定対象物
１５の高さに応じて、ＰＳＤ８上でのレーザビームの結
像位置が変化することによって高さ情報が得られ、高さ
情報により配線パターンの厚みについての情報が得られ
る。
【０００９】したがって、信号処理回路９ではＰＳＤ８
からの２信号Ａ，Ｂに基づいて高さ信号Ｈ＝α（（Ａ−
Ｂ）／（Ａ＋Ｂ））と、明るさ信号Ｉ＝β（Ａ＋Ｂ）と
が算出される。これによって、プリント配線板のパター
ンの欠け、突起、断線、くぼみ等が数μｍの精度で計測
される。
からの２信号Ａ，Ｂに基づいて高さ信号Ｈ＝α（（Ａ−
Ｂ）／（Ａ＋Ｂ））と、明るさ信号Ｉ＝β（Ａ＋Ｂ）と
が算出される。これによって、プリント配線板のパター
ンの欠け、突起、断線、くぼみ等が数μｍの精度で計測
される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のパターン検査装置にあっては、測定対象物が
平であることを前提として考えていたため、以下に述べ
るような問題点があった。すなわち、例えば、図９
（ａ）に示すように、プリント配線板にうねりがあり、
この基板うねりとパターン配線とを走査した場合、ＰＳ
Ｄ８での高さ、及び明るさ計測結果は、図９（ｂ）に示
すようなものとなり、この高さ、及び明るさの計測結果
の両方を用いることで、うねりによる高さ変化（明るさ
は暗い）であるか、また、配線パターンによる高さ変化
（明るさは明るい）であるかが判定可能であるが、基材
のうねり情報については何等計測することができないと
いう問題点があった。
うな従来のパターン検査装置にあっては、測定対象物が
平であることを前提として考えていたため、以下に述べ
るような問題点があった。すなわち、例えば、図９
（ａ）に示すように、プリント配線板にうねりがあり、
この基板うねりとパターン配線とを走査した場合、ＰＳ
Ｄ８での高さ、及び明るさ計測結果は、図９（ｂ）に示
すようなものとなり、この高さ、及び明るさの計測結果
の両方を用いることで、うねりによる高さ変化（明るさ
は暗い）であるか、また、配線パターンによる高さ変化
（明るさは明るい）であるかが判定可能であるが、基材
のうねり情報については何等計測することができないと
いう問題点があった。
【００１１】また、図１０（ａ）に示すように、配線パ
ターン下にくぼみがあり、配線パターンがうねっている
場合、高さ、及び明るさ計測による得られた信号を所定
のスライスレベルで二値化した場合、本来、配線パター
ンは所定の幅（Ｗ1 ）、及び厚みを有しているので、正
常であると判断されるべきであるが、共にＷ1 より細い
幅、Ｗ2 、及びＷ3 と計測され、欠陥として判断されて
しまう。
ターン下にくぼみがあり、配線パターンがうねっている
場合、高さ、及び明るさ計測による得られた信号を所定
のスライスレベルで二値化した場合、本来、配線パター
ンは所定の幅（Ｗ1 ）、及び厚みを有しているので、正
常であると判断されるべきであるが、共にＷ1 より細い
幅、Ｗ2 、及びＷ3 と計測され、欠陥として判断されて
しまう。
【００１２】［目的］そこで本発明は、高さ、明るさ、
及びうねりの情報を計測するパターン検査装置を提供す
ることを目的としている。
及びうねりの情報を計測するパターン検査装置を提供す
ることを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によるパターン検
査装置は上記目的達成のため、レーザ光を走査、集光
し、予め所定のパターンが形成された測定対象物の表面
上を照射する光照射手段と、該光照射手段によって該測
定対象物に照射された該レーザ光の反射光を検出する光
検出手段と、該光検出手段によって検出された反射光に
基づいて該測定対象物の高さ、及び明るさを計測する計
測手段と、該計測手段によって計測された該測定対象物
の高さ情報に基づいて該測定対象物の表面位置における
うねり量を演算するうねり演算手段とを備えるように構
成している。
査装置は上記目的達成のため、レーザ光を走査、集光
し、予め所定のパターンが形成された測定対象物の表面
上を照射する光照射手段と、該光照射手段によって該測
定対象物に照射された該レーザ光の反射光を検出する光
検出手段と、該光検出手段によって検出された反射光に
基づいて該測定対象物の高さ、及び明るさを計測する計
測手段と、該計測手段によって計測された該測定対象物
の高さ情報に基づいて該測定対象物の表面位置における
うねり量を演算するうねり演算手段とを備えるように構
成している。
【００１４】なお、この場合、うねり演算手段は、計測
手段によって得られた高さ情報を画像データとして扱
い、該画像データに対して複数方向に一次微分を施すこ
とによりうねり量を演算することが有効である。
手段によって得られた高さ情報を画像データとして扱
い、該画像データに対して複数方向に一次微分を施すこ
とによりうねり量を演算することが有効である。
【００１５】
【作用】本発明では、計測手段により光検出手段で検出
された反射光に基づいて測定対象物の高さ、及び明るさ
が計測され、うねり演算手段により計測手段によって計
測された測定対象物の高さ情報に基づいて測定対象物の
表面位置におけるうねり量が演算される。
された反射光に基づいて測定対象物の高さ、及び明るさ
が計測され、うねり演算手段により計測手段によって計
測された測定対象物の高さ情報に基づいて測定対象物の
表面位置におけるうねり量が演算される。
【００１６】すなわち、パターン検査時に、測定情報と
して高さ、明るさ、及びうねりの３つの情報が得られ
る。
して高さ、明るさ、及びうねりの３つの情報が得られ
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１，２は本発明に係るパターン検査装置の一実施例を示
す図であり、図１は本実施例の要部構成を示す斜視図、
及びブロック図、図２は図１のうねり演算回路の構成を
示すブロック図である。
１，２は本発明に係るパターン検査装置の一実施例を示
す図であり、図１は本実施例の要部構成を示す斜視図、
及びブロック図、図２は図１のうねり演算回路の構成を
示すブロック図である。
【００１８】まず、構成を説明する。なお、図１におい
て、図８に示した従来例に付された番号と同一番号は同
一部分を示す。図１中、３０はうねり演算手段であるう
なり演算回路、３１，３２は画像メモリ、３３はうねり
・エッジ判定回路である。
て、図８に示した従来例に付された番号と同一番号は同
一部分を示す。図１中、３０はうねり演算手段であるう
なり演算回路、３１，３２は画像メモリ、３３はうねり
・エッジ判定回路である。
【００１９】うねり演算回路３０は、図２に示すよう
に、遅延回路３４〜３７、微分回路３８，３９から構成
されており、高さ演算回路２５の計算によりデジタル値
となった値から遅延回路３４〜３７、及び微分回路３
８．３９を用いて、Ｘ方向、及びＹ方向の一次微分を計
算し、それぞれ画像メモリ３１，３２に格納するもので
ある。
に、遅延回路３４〜３７、微分回路３８，３９から構成
されており、高さ演算回路２５の計算によりデジタル値
となった値から遅延回路３４〜３７、及び微分回路３
８．３９を用いて、Ｘ方向、及びＹ方向の一次微分を計
算し、それぞれ画像メモリ３１，３２に格納するもので
ある。
【００２０】ここで、高さの一次微分値とうねりとの関
係を図３に示す。高さ微分値とうねり量とは比例関係で
あるため、微分値Ｈ’にＡ，Ｂ（Ａ＜Ｂ）という２つの
スライスレベルを設けると、−Ａ＜Ｈ’＜Ａという領域
（以下、第１領域という）と、−Ｂ＜Ｈ’＜−Ａ、か
つ、Ａ＜Ｈ’＜Ｂという領域（以下、第２領域という）
と、Ｈ’＜−Ｂ、かつ、Ｂ＜Ｈ’という領域（以下、第
３領域という）との３つの領域に分割される。
係を図３に示す。高さ微分値とうねり量とは比例関係で
あるため、微分値Ｈ’にＡ，Ｂ（Ａ＜Ｂ）という２つの
スライスレベルを設けると、−Ａ＜Ｈ’＜Ａという領域
（以下、第１領域という）と、−Ｂ＜Ｈ’＜−Ａ、か
つ、Ａ＜Ｈ’＜Ｂという領域（以下、第２領域という）
と、Ｈ’＜−Ｂ、かつ、Ｂ＜Ｈ’という領域（以下、第
３領域という）との３つの領域に分割される。
【００２１】ここで、第１領域は平坦部であることを、
第２領域はうねり領域であることを示し、一次微分値が
うねり量に相当する。第３領域は垂直に近いパターンエ
ッジに相当する領域であり、一次微分値がスライスレベ
ルＢを越えた場合、エッジにより生じたものであると判
断する。次に作用を説明する。
第２領域はうねり領域であることを示し、一次微分値が
うねり量に相当する。第３領域は垂直に近いパターンエ
ッジに相当する領域であり、一次微分値がスライスレベ
ルＢを越えた場合、エッジにより生じたものであると判
断する。次に作用を説明する。
【００２２】図４に示すように、うねり等のある測定対
象物１５が測定される場合、従来例と同様に、まず、測
定対象物１５にコリメートレーザ光が照射され、測定対
象物１５により反射した反射光が信号処理回路９内の高
さ演算回路２５、及び明るさ演算回路２６により高さ
Ｈ、及び明るさＩが求められ、画像メモリ２７，２８に
格納される。
象物１５が測定される場合、従来例と同様に、まず、測
定対象物１５にコリメートレーザ光が照射され、測定対
象物１５により反射した反射光が信号処理回路９内の高
さ演算回路２５、及び明るさ演算回路２６により高さ
Ｈ、及び明るさＩが求められ、画像メモリ２７，２８に
格納される。
【００２３】そして、高さ演算回路２５の出力はうねり
演算回路３０に入力され、前述したように、画像メモリ
３１，３２にうねり情報が格納され、うねり・エッジ判
定回路３３によってうねり、もしくはエッジの判定が行
われる。これを図４〜６に基づいて詳しく説明する。図
４は、欠陥基板の例を示す斜視図、図５，６は本実施例
の動作例を説明するための図であり、各種の場合におけ
る高さ演算出力とうねり量演算出力との結果を示す。
演算回路３０に入力され、前述したように、画像メモリ
３１，３２にうねり情報が格納され、うねり・エッジ判
定回路３３によってうねり、もしくはエッジの判定が行
われる。これを図４〜６に基づいて詳しく説明する。図
４は、欠陥基板の例を示す斜視図、図５，６は本実施例
の動作例を説明するための図であり、各種の場合におけ
る高さ演算出力とうねり量演算出力との結果を示す。
【００２４】なお、図５，６中の〜は、図４中の
〜部分を走査した結果である。のように平坦な基材
上に配線パターンが形成された場合、Ｘ方向の一次微分
の結果はパターンエッジで、大きな値を取り、その他の
箇所では０となる。のようにＹ方向のうねりにより、
基材位置が高くなって場合でも、Ｘ方向の一次微分の結
果はと合致する。
〜部分を走査した結果である。のように平坦な基材
上に配線パターンが形成された場合、Ｘ方向の一次微分
の結果はパターンエッジで、大きな値を取り、その他の
箇所では０となる。のようにＹ方向のうねりにより、
基材位置が高くなって場合でも、Ｘ方向の一次微分の結
果はと合致する。
【００２５】のようなパターン・うねりの混在の場合
は、うねり量の計測、及びパターンエッジの検出が可能
である。のように、パターン・くぼみが混在していて
もと同様に、うねり量の計測、及びパターンエッジの
検出が可能である。のようにＹ方向に高さの変化が生
じないパターン上では、Ｙ方向の一次微分の結果は０と
なる。これは基材部分でも同様である。
は、うねり量の計測、及びパターンエッジの検出が可能
である。のように、パターン・くぼみが混在していて
もと同様に、うねり量の計測、及びパターンエッジの
検出が可能である。のようにＹ方向に高さの変化が生
じないパターン上では、Ｙ方向の一次微分の結果は０と
なる。これは基材部分でも同様である。
【００２６】のように基材部にうねりが生じている場
合は、うねり量が計測できる。のようなパターン断線
部では、Ｙ方向の一次微分の結果はエッジ領域の値を示
す。のように、Ｙ方向にうねりが生じ、かつ、断線が
ある場合でもうねり、及び断線の分別が可能である。
合は、うねり量が計測できる。のようなパターン断線
部では、Ｙ方向の一次微分の結果はエッジ領域の値を示
す。のように、Ｙ方向にうねりが生じ、かつ、断線が
ある場合でもうねり、及び断線の分別が可能である。
【００２７】このように本実施例では、プリント配線板
の配線パターンの厚み、及びうねり情報が高精度に計測
でき、従来よりも検査の信頼性を高めることができる。
の配線パターンの厚み、及びうねり情報が高精度に計測
でき、従来よりも検査の信頼性を高めることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明では、計測手段によって光検出手
段で検出した反射光に基づいて測定対象物の高さ、及び
明るさを計測でき、うねり演算手段によって計測手段に
より計測した測定対象物の高さ情報に基づいて測定対象
物の表面位置におけるうねり量を演算できる。
段で検出した反射光に基づいて測定対象物の高さ、及び
明るさを計測でき、うねり演算手段によって計測手段に
より計測した測定対象物の高さ情報に基づいて測定対象
物の表面位置におけるうねり量を演算できる。
【００２９】したがって、パターン検査時に、測定情報
として高さ、明るさ、及びうねりの３つの情報を得るこ
とができる。
として高さ、明るさ、及びうねりの３つの情報を得るこ
とができる。
【図１】本実施例の要部構成を示す斜視図、及びブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】図１のうねり演算回路の構成を示すブロック図
である。
である。
【図３】うねり演算回路の動作例を説明するための図で
ある。
ある。
【図４】欠陥基板の例を示す斜視図である。
【図５】本実施例の動作例を説明するための図である。
【図６】本実施例の動作例を説明するための図である。
【図７】従来例の全体構成を示すブロック図である。
【図８】従来例の要部構成を示す斜視図である。
【図９】従来例の問題点を説明するための図である。
【図１０】従来例の問題点を説明するための図である。
１ 光照射手段 ２ 光検出手段 ３ 測定対象物保持手段 ４ 光源 ５ 光走査手段 ６ 光走査レンズ ７ 結像レンズ ８ ＰＳＤ ９ 信号処理回路 １０ 制御ＣＰＵ １１ Ｚステージ １２ ＸＹステージ １３ Ｚステージコントローラ １４ ＸＹステージコントローラ １５ 測定対象物 １６ レーザ銃 １７ ビームエクスパンダ １８，１９ ミラー ２０ ポリゴンスキャナミラー ２１ スキャンレンズ ２２ 反射ミラー ２３，２４ 増幅器 ２５ 高さ演算回路 ２６ 明るさ演算回路 ２７，２８ 画像メモリ ３０ うねり演算回路（うねり演算手段） ３１，３２ 画像メモリ ３３ うねり・エッジ判定回路
Claims (2)
- 【請求項１】レーザ光を走査、集光し、予め所定のパタ
ーンが形成された測定対象物の表面上を照射する光照射
手段と、 該光照射手段によって該測定対象物に照射された該レー
ザ光の反射光を検出する光検出手段と、 該光検出手段によって検出された反射光に基づいて該測
定対象物の高さ、及び明るさを計測する計測手段と、 該計測手段によって計測された該測定対象物の高さ情報
に基づいて該測定対象物の表面位置におけるうねり量を
演算するうねり演算手段と、 を備えることを特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項２】前記うねり演算手段は、前記計測手段によ
って得られた高さ情報を画像データとして扱い、該画像
データに対して複数方向に一次微分を施すことによりう
ねり量を演算することを特徴とする請求項１記載のパタ
ーン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33103891A JPH05166904A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | パターン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33103891A JPH05166904A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | パターン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166904A true JPH05166904A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18239143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33103891A Withdrawn JPH05166904A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | パターン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166904A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997032183A1 (fr) * | 1996-02-27 | 1997-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de controle d'aspect de pieces electroniques |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP33103891A patent/JPH05166904A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997032183A1 (fr) * | 1996-02-27 | 1997-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de controle d'aspect de pieces electroniques |
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