JPH05166409A - 銅導体組成物 - Google Patents

銅導体組成物

Info

Publication number
JPH05166409A
JPH05166409A JP3352347A JP35234791A JPH05166409A JP H05166409 A JPH05166409 A JP H05166409A JP 3352347 A JP3352347 A JP 3352347A JP 35234791 A JP35234791 A JP 35234791A JP H05166409 A JPH05166409 A JP H05166409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
flake
particles
flake copper
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3352347A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3507084B2 (ja
Inventor
E Taylor Barry
バリー・イ・テイラー
Motohiko Tsuchiya
元彦 土屋
Chie Okabe
千恵 岡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DuPont Japan Ltd
Original Assignee
DuPont Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DuPont Japan Ltd filed Critical DuPont Japan Ltd
Priority to JP35234791A priority Critical patent/JP3507084B2/ja
Priority to EP92121111A priority patent/EP0546560A1/en
Priority to KR1019920024054A priority patent/KR930012181A/ko
Priority to CN92114433A priority patent/CN1075378A/zh
Priority to TW081110311A priority patent/TW245801B/zh
Publication of JPH05166409A publication Critical patent/JPH05166409A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3507084B2 publication Critical patent/JP3507084B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49883Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/016Additives defined by their aspect ratio
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】銅導体組成物の焼結密度,半田濡れ性を改善し
スルーホールクラックの発生を抑制することである。 【構成】少なくとも5重量%のフレーク銅を包含する微
細分割された金属粒子を、樹脂を含有する有機媒体中に
分散させたことを特徴とする銅導体組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、銅導体組成物、特に半
導体素子の実装基板として用いられるアルミナ複合系低
温焼成基板上または積層セラミックに導体を形成するた
めの銅導体組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、銅導体組成物はハイブリッドマイ
クロ回路および抵抗ネットワークのために種々の受動及
び能動装置を相互接続する手段として広く使用されてい
る。
【0003】一般的目的導体組成物としての使用では、
ある性能属性例えば導電性,半田濡れ性,他の回路成分
との共存性および広範な条件下での処理性が要求され
る。
【0004】銅導体組成物は金属粉末および無機バイン
ダから構成され、金属粉末としては銅粉末,酸化銅粉末
が最も広く採用され、この金属粉末と無機バインダとを
微細分割された形態で有機媒体に分散させている。
【0005】銅粉末については、導電性を低下すること
なく銅の焼結および焼成された銅膜のち密さ、基板また
は抵抗体層への接着性および半田濡れ性を得るために粒
子サイズ,粒子形状が非常に重要である。このため、最
大寸法が1μm〜10μm、そして平均粒子サイズが少
なくとも1μmの球形の銅金属粒子が使用されていた。
銅導体組成物は、空気中で加熱された場合の銅金属の反
応性の故に、銅導体組成物は一般に非酸化性雰囲気例え
ば窒素中で焼成される。焼成は一般的に500°〜10
00℃で実施される。
【0006】近年益々、小型化,高密度配線化,高密度
実装化がハイブリッドマイクロ回路に要求され、そのた
めに導体パターン層を複数層形成し、それぞれの層を接
続するためにスルーホール内壁に導体層を形成するスル
ーホール印刷法が広く採用されている。したがって、銅
導体組成物には、スルーホール内壁に印刷したときにも
接着性が高く安定した導電層を形成できることが求めら
れる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の球形に近い
形状の銅粉末を使用した銅導体組成物においては、低温
焼成温度で充分に焼結させ、並びに絶縁基板または抵抗
体層のどちらにも充分に接着させ、且つ、半田濡れ性に
優れた焼成導体層を形成するために銅金属粒子のサイズ
をできる限り小さくすることが望ましい。しかし、その
反面、銅粉末の粒子を小さくした場合、基板上に印刷さ
れた銅導体組成物は、比較的低温(120°C)で乾燥
し500℃〜1000℃で焼成した時、導電網状体を形
成する粒子群が焼結収縮することによって印刷,焼成さ
れた導体層にクラックが生じ易い欠点がある。もちろ
ん、大きい粒子サイズの銅粉末を用いた場合、焼結後の
銅膜の密度が粗くなったり、更には半田濡れ性,印刷特
性が劣る。
【0008】そこで、本発明は上記の点に鑑み、高導電
性,接着性の点で最も導体の要求特性を満たす材料であ
る銅導体組成物の上記焼結密度,半田濡れ性を改善し、
並びにスルーホールクラックの発生を抑制することがで
きる銅導体組成物を提供しようとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的は、少なくとも
5重量%のフレーク銅を包含する微細分割された金属粒
子を、樹脂を含有する有機媒体中に分散させたことを特
徴とする銅導体組成物によって達成される。
【0010】以下本発明の銅導体組成物についてさらに
詳細に説明する。
【0011】本発明の金属粒子は銅の粒子である。この
銅の中に不純物が存在すると、導電性を低下し銅の焼結
および銅膜の半田濡れ性を妨害することがあるので、銅
上に酸化膜が少なく高純度であることが重要である。こ
れが特に重要であるのは、本発明の組成物では、非常に
優れた半田濡れ性に加えて、銅の融点(1083℃)よ
りもかなり低い、比較的低温の焼成温度(500−10
00℃)において、銅粒子の最大導電性および焼結を得
る必要があるからである。
【0012】銅金属粒子には非フレーク状またはフレー
ク状のものがある。非フレーク状粉末は不規則形状であ
ってもまたは球形であってもよい。本発明で用いられる
フレーク状の銅金属粒子とは、式:((L+W)/2)
(1/T)で表わされるアスペクト比が2.5〜100
である金属粉末を意味している。ここで、L、Wおよび
Tは、図3に示すようにフレーク状銅金属粒子の3次元
座標における寸法である。
【0013】非フレーク状の銅金属粉末に関しては、実
質的に全ての粒子サイズが10μm以下であることが好
ましい。その理由は、10μm以上の粒子は、スクリー
ンがつまるために印刷が良好でない傾向を生じるからで
ある。しかし5重量%オーダーの程度の大きな粒子は、
許容されることがほとんどである。したがって、上述の
“実質的に全ての”とは、少なくとも約95重量%であ
ることを意味する。
【0014】フレーク状の銅金属粉末すなわち銅フレー
クは、導電網状態を形成する粒子間の空隙がその組成物
の焼結密度に大きく影響することに鑑みて選択する。す
なわち、組成物の焼結膜における粒子間の空隙は、銅フ
レークの配合量,主な粒子の大きさ(塊のない個々の粒
子の大きさ)、塊の形状と構造,密度,金属表面の化学
的現象により決定されるもので、更にはアスペクト比も
空隙に対しての重要なファクターとなるのである。
【0015】本発明において用いるフレーク銅のアスペ
クト比は、粒子間の空隙を考慮して2.5〜100と規
定される。
【0016】本発明において用いられているフレーク銅
の平均粒子サイズ(Fisher Sub-Sieve Sizer ASTM B330
-82 (以下Fisher法という)またはSEM写真観察によ
る粒子サイズ)は、平均粒子直径が1〜10μmである
ことが好ましい。これ以上の平均粒子直径のフレーク銅
を使用した場合、ペースト化できなくなるか、もしくは
ペースト化できてもスクリーン印刷において例えば通常
一般的に使用されている150〜400メッシュのスク
リーンを使用した場合印刷スクリーンの目づまりが生ず
る。
【0017】フレーク銅の厚みに関しては、粒子間の空
隙を考慮して決定された最適なアスペクト比が2.5〜
100であることにより、約0.1〜0.4μmの範囲
内が好ましい。なお、フレーク銅の外形、断面形状、サ
イズ分布等については特に制限はない。
【0018】フレーク銅の量は、銅金属粒子全体の重量
を100重量%としたとき少なくとも5重量%以上であ
る。スルーホールクラック発生の抑制、良好な半田濡れ
性および焼成された銅膜の密度の3特性を同時に満た
し、且つ銅導体本来の高導電性、接着性の優れた要求特
性を満たすためである。もちろん、所望によって銅金属
粒子の全てをフレーク銅とすることもできる。
【0019】本発明の銅金属粒子の表面部分の銅は酸化
銅となっていても良い。
【0020】本発明の組成物は上記銅金属粒子とは別
に、銅、鉄、ニッケル、コバルト、亜鉛およびマンガン
等の遷移金属の酸化物粒子を含有してもよい。これら金
属酸化物の粒子の含有量は、金属粒子1重量部に対し
0.15重量部までである。
【0021】本発明において使用する無機結合剤は、ガ
ラスおよびその他の上記の金属酸化物を含む無機結合材
料からなるもので、いくつかの機能を果たす。結合剤の
一次的機能は、基材への化学的または機械的結合を与え
ることである。
【0022】無機結合剤の量は、通常、固体分(銅導体
組成物の有機媒体を除く成分)の0〜20重量%、そし
て好ましくは1〜10重量%である。
【0023】上記の無機物粒子は、機械的混合によって
有機液体媒体(ビヒクル)と混合して例えばスクリーン
印刷、描画、およびディップ法に適当なコンシステンシ
ーおよびレオロジーを有するペースト状組成物とする。
このペースト状組成物は通常の方法で通常の基材上に厚
膜として塗布される。
【0024】それが乾燥および焼成の間にきれいに蒸発
し去る限りはすべての不活性液体をビヒクル中に使用す
ることができる。濃厚化剤および/または安定剤および
/またはその他の一般的添加剤を加えたかまたは加えて
いない種々の有機液体をビヒクルとして使用することが
できる。使用しうる有機液体の例には脂肪族アルコー
ル、そのようなアルコールのエステル例えばアセテート
およびプロピオネート、テルペン例えば松根油、テルピ
ネオールその他、樹脂例えば低級アルコールのポリメタ
クリレートの溶液および溶媒例えば松根油中のエチルセ
ルロースの溶液およびエチレングリコールモノアセテー
トのモノブチルエーテルがある。好ましいビヒクルはエ
チルセルロースおよび2,2,4−トリメチルペンタン
ジオール−1,3−モノイソブチレートに基づくもので
ある。ビヒクルには基材への適用後の迅速な乾燥を促進
させるための揮発性液体を含有させてもよい。
【0025】理論的には有機媒体中には樹脂を全く存在
させないことが望ましい。しかしながら、実際問題とし
て、分散物中に適当なレオロジー性を生成させてそれを
前述のような方法によって塗布したときに満足に適用で
きるようにするためには、有機媒体は適当な重量の樹脂
を含有していなくてはならない。
【0026】分散物である本発明の組成物において、ビ
ヒクルの固体分に対する比率はかなり変動させることが
でき、そして、分散物の適用される方法および使用され
るビヒクルの種類に依存する。通常、良好な被覆の達成
のためには、本発明のペースト状組成物は、相補的に2
0〜95%固体分および80〜5%ビヒクルを含有す
る。
【0027】本発明の組成物の処方においては、有機媒
体の量を最小限としまた前記のように有機媒体中の高分
子量物質の量を最小限とすることが好ましい。この両者
に対する理由は有機媒体を完全に蒸発させることであ
る。有機媒体の蒸発に対して利用できる酸素量は、勿
論、非酸化性雰囲気中で銅を焼成させることが必要であ
るために非常に限定される。従って、この組成物の処方
においてはできるだけ少量の樹脂を使用してレオロジー
を調整して所望の塗布時の粘度を生じさせる。すなわ
ち、粘度を減少させ、かつ有機媒体の蒸発を強くするこ
との両方のために、有機媒体中の樹脂の量を固体分の重
量又は使用する樹脂の種類に応じて決定することが好ま
しい。本発明の組成物は、その有利な特性に悪影響を与
えないその他の物質の添加によって修正することができ
ることは当然である。そのような処方は当技術分野で行
なわれるている。
【0028】本発明の銅導体組成物は、基材例えばアル
ミナセラミックに、通常はスクリーン印刷法によって適
用する。湿潤時厚さは約10〜80μm、好ましくは2
5〜60μmとする。本発明の組成物は自動プリンター
またはハンドプリンターを使用して通常の方法で基材上
に印刷することができる。好ましくは150〜400メ
ッシュスクリーンを使用する自動スクリーンステンシル
技術を使用する。印刷されたパターンを次いで200℃
以下例えば120〜150℃で約5〜15分間乾燥させ
た後に焼成する。無機結合剤と微細分割銅粒子の両方の
焼結を実施するための焼成は好ましくは約300℃での
有機物質の燃焼および600℃までの加熱による厚膜の
緊密化を可能にする温度プロファイルを使用して還元ま
たは不活性雰囲気下にベルト炉中で実施される。次い
で、過焼結、要求されない中間温度での化学反応または
急速すぎる冷却によって生じることがある基材破損を阻
止するために、制御された冷却サイクルを実施する。全
体の焼成工程は、ピーク焼成温度に達するまでの20〜
25分、焼成温度での約10分、および冷却における約
20〜25分の約1時間にわたるのが好ましい。ある場
合には30分の短い全サイクル時間を使用しうる。
【0029】
【実施例】銅金属粒子として直径1μmの球形銅81.
58重量%と、酸化銅粒子3.05重量%と、ホウケイ
酸鉛系の非晶質系ガラスの無機結合剤3.92重量%と
を、エチルセルロースとターピネオールとの混合物のビ
ヒクル11.45重量%に分散させて、導体組成物試料
Aを調製した。
【0030】試料Aにおいて、直径1μmの球形銅の代
わりに、直径1μmの球形銅と直径5μmの球形銅の
1:1混合物を用いたものを試料Bとした。
【0031】試料Aにおいて、直径1μmの球形銅の代
わりに、直径5μmの球形銅を用いたものを試料Cとし
た。
【0032】銅金属粒子成分として、1.7μmのフレ
ーク銅10重量%と直径1μmの球形銅90重量%の混
合物を用いたものを試料Dとした。
【0033】試料Dにおいて、直径1μmの球形銅の代
わりに直径1μmの球形銅と直径5μmの球形銅の1:
1混合物を用いたものを試料Eとした。
【0034】試料Dにおいて、直径1μmの球形銅の代
わりに、直径5μmの球形銅を用いたものを試料Fとし
た。
【0035】銅金属粒子成分として、1.7μmのフレ
ーク銅20重量%と直径1μmの球形銅と直径5μmの
球形銅の1:1混合物80重量%を用いたものを試料G
とした。
【0036】銅金属粒子成分として、1.7μmのフレ
ーク銅30重量%と直径1μmの球形銅70重量%の混
合物を用いたものを試料Hとした。
【0037】銅金属粒子成分として、1.7μmのフレ
ーク銅50重量%と直径1μmの球形銅50重量%の混
合物を用いたものを試料Iとした。
【0038】試料Iにおいて、1.7μmのフレーク銅
の代わりに3.9μmのフレーク銅を用いたものを試料
Jとした。
【0039】試料Iにおいて、1.7μmのフレーク銅
の代わりに2.3μmのフレーク銅を用いたものを試料
Kとした。
【0040】銅金属粒子成分として、1.7μmのフレ
ーク銅70重量%と直径1μmの球形銅30重量%の混
合物を用いたものを試料Lとした。
【0041】銅金属粒子成分として、1.7μmのフレ
ーク銅のみを用いたものを試料Mとした。
【0042】試料Mにおいて、1.7μmのフレーク銅
の代わりに3.9μmのフレーク銅を用いたものを試料
Nとした。
【0043】試料Mにおいて、1.7μmのフレーク銅
の代わりに2.3μmのフレーク銅を用いたものを試料
Pとした。
【0044】表1に、これら試料A〜Pの銅金属粒子の
内容をまとめて示す。
【0045】なお、ここで1.7μmのフレーク銅と
は、Fisher法による平均粒子直径が1.7μmのもので
ありSEM写真観察によれば5μmのものである。その
アスペクト比は5〜30である。3.9μmのフレーク
銅とは、Fisher法による平均粒子直径が3.9μmのも
のでありSEM写真観察によれば8μmのものである。
そのアスペクト比は2.5〜7である。2.3μmのフ
レーク銅とは、Fisher法による平均粒子直径が2.3μ
mのものでありSEM写真観察によれば10μmのもの
である。そのアスペクト比は2.5〜10である。
【0046】無機結合剤として使用したガラスの組成
は、PbOが69重量%、CdOが9重量%、SiO2
が9重量%およびB2 3 が13重量%である。
【0047】このようにして調製した導体組成物試料A
〜Pについて、スルーホールクラックの発生抑制度,半
田濡れ性及び上記焼成ペーストのSEMによる断面を次
のように評価,観察した。
【0048】スルーホールクラックの発生抑制度は、ス
ルーホールの簡易実験方法により評価した。この簡易実
験方法は、厚膜ペーストのスルーホール印刷を簡便にシ
ミュレーションするもので、実際のスルーホールクラッ
クの出具合を予測することができる。すなわち、実際に
は図1のようにスルーホールを有する基板10の両面から
厚膜ペースト11を印刷しこれを焼成する。この場合、ス
ルーホールの内壁の印刷膜の重なり部分にクラックが発
生しやすい。そこで、本簡易実験では、図2のように基
板20上にペースト膜21が重なるように印刷し焼成して、
その重なり部分のクラックの発生状況を観察して、実際
のスルーホールクラックの出具合を予測するのである。
具体的方法は次の通りである。 1)スコッチテープを約1ミリメートルの間隔で、アル
ミナ基板上に平行に貼る 。2)その間にペーストをスクレーパーにて、印刷す
る。 3)テープを剥がし、120℃で乾燥する。 4)乾燥した印刷ペーストに対して0.5ミリメートル
ずらして、同様にテープを用いて印刷をする。 5)テープを剥がし、120℃で乾燥する。 6)窒素雰囲気中600℃で焼成する。 7)焼成パーツのクラックの出具合を観察する。
【0049】なお、テープの枚数を変えることにより、
ペーストの印刷膜厚をコントロールすることができる。
【0050】スルーホールクラックの発生抑制の評価基
準は次の通りである。
【0051】 テープ枚数 テープ枚数 評価基準 1枚 クラック無し 2枚 クラック無し 1(良い) クラック無し 小クラック有り 2 クラック無し クラック有り 3 小クラック有り 4 クラック有り 5(悪い) 半田濡れ性の試験方法を次に示す。 1)アルミナ基板上に銅ペーストをスクリーン印刷す
る。 2)120℃で10分間乾燥する。 3)窒素雰囲気中600℃で焼成する。 4)焼成パーツ上に、マイルドアクティブタイプのフラ
ックス(アルファメタル社α611)を滴下し、その上
に 63Sn/37Pb 半田の2mmφの半田ボール
をのせる。 5)100〜150℃のホットプレート上で上記サンプ
ルを1分間プレヒートした後、すぐに240℃ホットプ
レート上で15秒間リフローさせる。 6)さめたら、半田ボールの広がり率を下式に従って求
める。 (広がり率)={(リフロー後のボール直径)−(リフ
ロー前のボール直径(この場合は2mm)}/(リフロ
ー前のボール直径)× 100(%) 広がり率が大きい程、半田ぬれ性は良い。
【0052】SEM観察は、次の方法で行なった。 1)アルミナ基板上に銅ペーストをスクリーン印刷す
る。 2)120℃で10分間乾燥する。 3)窒素雰囲気中600℃で焼成する。 4)焼成パーツを割り、断面をSEMで観察する。
【0053】スルーホールクラックの発生抑制評価につ
いての試験結果を表2に示し、また半田濡れ性の結果を
表3に、更に焼成後形成された銅膜の密度についてSE
Mで観察した結果を表4並びに添付した断面写真(図4
乃至図14)に示す。
【0054】
【表1】
【0055】
【表2】
【0056】
【表3】
【0057】
【表4】 これらの結果から明らかなごとく、焼結密度,半田濡れ
性及びスルーホールクラックの抑制とも、本実施例のも
のが比較例として挙げた従来の非フレーク状の銅金属粉
末だけのものに比べ優れていることがわかる。かかる効
果は、フレーク銅が乾燥時にあっても高密度であるた
め、焼結収縮による密度の変化が少ないことに起因する
ところが大きい。
【0058】次に、非フレーク銅粉末とフレーク銅粉末
との混合物における非フレーク銅粉末の粒子サイズの大
きさの変化による効果の違いを述べる。試料A、Bおよ
びC、また試料D、EおよびFを比較すると、非フレー
ク銅粉末の粒子サイズが小さい試料は、クラック発生抑
制効果は小さいものの、半田濡れ性および密度の点では
粒子サイズの大きいものよりも優れている。
【0059】また、フレーク銅粉末の重量%を増加した
場合の上記3特性への影響について述べる。クラック発
生抑制効果については、概してフレーク銅粉末の割合が
大きい方が好ましい結果が得られるが、フレーク銅粉末
の割合が10重量%のものでも組み合わせる非フレーク
銅粉末のサイズを選ぶことにより好ましい結果を得るこ
とができる。半田濡れ性についても、概してフレーク銅
粉末の割合が大きい方が好ましい結果が得られる。密度
については、フレーク銅粉末の割合が10重量%以上で
あればいずれの試料でも好ましい結果を示した。
【0060】なお、本発明の銅導体組成物の導電性は、
従来の銅導体組成と比べほぼ同様の良好なものであっ
た。
【0061】
【発明の効果】以上のように、本発明の銅導体組成物
は、高導電性など銅導体組成物本来の特長を備えなが
ら、焼結密度,半田濡れ性が改善され、並びにスルーホ
ールクラックの発生も抑制することができるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】導体組成物を印刷したスルーホール部分の断面
図である。
【図2】実施例で行ったスルーホールクラック発生抑制
効果の簡易試験方法を説明するための図である。
【図3】フレーク銅のアスペクト比の算出方法を説明す
るための図である。
【図4】実施例で調製した試料Aについての粒子構造を
示すSEM写真図である。
【図5】実施例で調製した試料Bについての粒子構造を
示すSEM写真図である。
【図6】実施例で調製した試料Cについての粒子構造を
示すSEM写真図である。
【図7】実施例で調製した試料Dについての粒子構造を
示すSEM写真図である。
【図8】実施例で調製した試料Eについての粒子構造を
示すSEM写真図である。
【図9】実施例で調製した試料Fについての粒子構造を
示すSEM写真図である。
【図10】実施例で調製した試料Gについての粒子構造
を示すSEM写真図である。
【図11】実施例で調製した試料Hについての粒子構造
を示すSEM写真図である。
【図12】実施例で調製した試料Iについての粒子構造
を示すSEM写真図である。
【図13】実施例で調製した試料Lについての粒子構造
を示すSEM写真図である。
【図14】実施例で調製した試料Mについての粒子構造
を示すSEM写真図である。
【符号の説明】
10…基板、11…ペースト、20…基板、21…ペースト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡部 千恵 神奈川県横浜市港北区新吉田町4997 デュ ポン ジャパン 中央技術研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも5重量%のフレーク銅を包含す
    る微細分割された金属粒子を、樹脂を含有する有機媒体
    中に分散させたことを特徴とする銅導体組成物。
  2. 【請求項2】前記金属粒子がフレーク銅と、非フレーク
    状銅金属粉末との混合物であることを特徴とする請求項
    1に記載の組成物。
  3. 【請求項3】 フレーク銅が、1〜10μmの平均粒子
    直径および0.1〜0.4μmの厚みを有しアスペクト
    比が2.5〜100であることを特徴とする請求項1又
    は2に記載の組成物。
  4. 【請求項4】 無機結合剤の微細分割粒子をも含有する
    ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1に記載
    の組成物。
JP35234791A 1991-12-13 1991-12-13 銅導体組成物 Expired - Fee Related JP3507084B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35234791A JP3507084B2 (ja) 1991-12-13 1991-12-13 銅導体組成物
EP92121111A EP0546560A1 (en) 1991-12-13 1992-12-11 Thick film copper paste composition
KR1019920024054A KR930012181A (ko) 1991-12-13 1992-12-12 후막 구리 페이스트 조성물
CN92114433A CN1075378A (zh) 1991-12-13 1992-12-12 厚膜铜浆组合物
TW081110311A TW245801B (ja) 1991-12-13 1992-12-23

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35234791A JP3507084B2 (ja) 1991-12-13 1991-12-13 銅導体組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05166409A true JPH05166409A (ja) 1993-07-02
JP3507084B2 JP3507084B2 (ja) 2004-03-15

Family

ID=18423439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35234791A Expired - Fee Related JP3507084B2 (ja) 1991-12-13 1991-12-13 銅導体組成物

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0546560A1 (ja)
JP (1) JP3507084B2 (ja)
KR (1) KR930012181A (ja)
CN (1) CN1075378A (ja)
TW (1) TW245801B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015518523A (ja) * 2012-05-04 2015-07-02 アー.ベー.ミクロエレクトロニクゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング アルミニウムからなる金属化基板の製造方法
JP2016139488A (ja) * 2015-01-26 2016-08-04 田中貴金属工業株式会社 ビア電極用導電性ペースト組成物

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU709581B2 (en) * 1995-06-06 1999-09-02 Orchid Biosciences, Inc. Electrokinetic pumping
JP4146119B2 (ja) * 2001-12-04 2008-09-03 Jfeミネラル株式会社 導電ペースト用銅合金粉
DE102005043242A1 (de) * 2005-09-09 2007-03-15 Basf Ag Dispersion zum Aufbringen einer Metallschicht
US8419981B2 (en) * 2010-11-15 2013-04-16 Cheil Industries, Inc. Conductive paste composition and electrode prepared using the same
US9676969B2 (en) 2011-08-03 2017-06-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composition set, conductive substrate and method of producing the same, and conductive adhesive composition
KR101411012B1 (ko) * 2011-11-25 2014-06-24 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 전극 및 태양전지
CN103310870A (zh) * 2012-03-12 2013-09-18 深圳市圣龙特电子有限公司 一种硅太阳能电池电极用无铅铜浆及其制备方法
EP2706538A3 (en) 2012-09-10 2014-04-23 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Low firing temperature copper composition
JP7256260B2 (ja) * 2018-09-07 2023-04-11 フエロ コーポレーション 窒化ケイ素及び他の基板用の導電性厚膜ペースト
CN111761050B (zh) * 2019-04-01 2022-06-03 广州力及热管理科技有限公司 以金属浆料制作毛细结构的方法
US11222878B2 (en) 2019-04-30 2022-01-11 Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Electronic power module

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2286160A1 (fr) * 1974-09-30 1976-04-23 Eaton Manford Nouveau materiau resilient conducteur de l'electricite sous pression
US4247594A (en) * 1979-04-30 1981-01-27 Marshall & Pike Enterprises Inc. Electrically conductive resinous composition
US4884754A (en) * 1989-01-03 1989-12-05 Gte Products Corporation Process for producing fine copper flakes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015518523A (ja) * 2012-05-04 2015-07-02 アー.ベー.ミクロエレクトロニクゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング アルミニウムからなる金属化基板の製造方法
JP2016139488A (ja) * 2015-01-26 2016-08-04 田中貴金属工業株式会社 ビア電極用導電性ペースト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
TW245801B (ja) 1995-04-21
EP0546560A1 (en) 1993-06-16
JP3507084B2 (ja) 2004-03-15
KR930012181A (ko) 1993-07-20
CN1075378A (zh) 1993-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0350365B2 (ja)
JP3507084B2 (ja) 銅導体組成物
JPH0443436B2 (ja)
CN101309874A (zh) 无铅和无镉的导电铜厚膜膏
JPH07500450A (ja) 熱サイクル接着性およびエージング接着性の高い銀に富む導電体組成物
JPH01128488A (ja) 厚膜銅導体インキ
KR101264964B1 (ko) 내산화성 물질로 표면이 코팅된 도전성 구리 분말 및 그 제조방법
JPS62104878A (ja) 磁製化金属基板用の銅含有導電塗料
JPH0534312B2 (ja)
JP2008108716A (ja) 低温焼成用導電性ペースト組成物
JP6869531B2 (ja) 導電性ペースト、窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法
JP2004228094A (ja) 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物
JP6487700B2 (ja) ビア電極用導電性ペースト組成物
JP2018152218A (ja) 導電性ペースト、チップ電子部品及びその製造方法
WO2020040138A1 (ja) 導電性ペースト
JP6623920B2 (ja) 導電性組成物及び端子電極の製造方法
JP2754733B2 (ja) 厚膜用組成物
JPH0945130A (ja) 導体ペースト組成物
JP7256260B2 (ja) 窒化ケイ素及び他の基板用の導電性厚膜ペースト
JP3150932B2 (ja) セラミック多層回路基板用導電ペースト
JP7132591B2 (ja) 導電性ペースト及び焼成体
JP3420278B2 (ja) 銅導体組成物
JP2009187695A (ja) ディスプレイ用導体ペースト組成物
JP2941002B2 (ja) 導体組成物
JP2002231049A (ja) 導電性ペースト

Legal Events

Date Code Title Description
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20031218

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees