JPH05163989A - 触媒劣化判別装置 - Google Patents
触媒劣化判別装置Info
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Abstract
って空燃比フィードバック制御と触媒劣化の判別とを行
う際に、空燃比センサ自体の劣化による出力特性の変化
があっても正確に触媒劣化の有無を判定する。 【構成】 上流側O2 センサの出力VOMの軌跡長LV
OMと、VOMと基準電圧とで囲まれる面積AVOM及
び、下流側O2 センサの出力VOSの軌跡長LVOSと
VOSと基準電圧とで囲まれる面積AVOSとを求め、
軌跡長比LVOS/LVOMと面積比AVOS/AVO
Mの値とを用いて触媒劣化を判別する(図15)。
Description
ータの上流側の排気通路に設けられた空燃比センサ出力
に基づき機関の空燃比を理論空燃比に制御するととも
に、少なくとも触媒コンバータの下流側の排気通路に設
けられた空燃比センサ出力に基づき触媒コンバータの劣
化判別を行う内燃機関の触媒劣化判別装置に関する。
サ(O2 センサ)を設け、このセンサ出力により空燃比
を理論空燃比にフィードバック制御することにより、排
気系に設けられた触媒コンバータの浄化能力を有効活用
してエミッション特性を改善する技術は良く知られてい
る。また、最近では、上流側のO2 センサの特性の経時
変化等を精度良く補償するために、触媒コンバータの下
流にもO2 センサを設けて、フィードバック制御に利用
する、所謂、ダブルO2 センサシステムも開発されてい
る(特開昭61−286550号参照)。
タが劣化すると排気中のHC,CO,NOx等の成分の
浄化能力が低下するので、触媒コンバータの劣化を検出
することが必要になり、種々の触媒劣化判別方法、装置
が提案されている。例えば、触媒が劣化してくると、空
燃比フィードバック中の下流側O2 センサ出力の反転周
期(理論空燃比相当値を上下する(または横切る)周
期)が短くなってくるので、下流側O2 センサの出力の
反転周期(あるいは理論空燃比相当値を横切る反転回
数)と上流側O2 センサの出力の反転周期(あるいは理
論空燃比相当値を横切る反転回数)の比を求めて、この
比により触媒の劣化を判別したり、同様に、触媒の劣化
に伴い、下流側O2センサの出力振幅が大きくなるの
で、この振幅の大小にて触媒の劣化を判別している(特
開昭61−286550号公報参照)。
空燃比の制御中心が未だ理論空燃比に到達していない、
もしくは理論空燃比より大きくずれた場合には、下流側
O2 センサの出力は大きくは反転せず、リッチ側もしく
はリーン側で小さな振幅で振れていることがある。この
場合には、たとえ三元触媒が劣化していても、下流側O
2 センサの反転周期(もしくは反転回数)は大きくなら
ず、また、振幅は大きくならないので、触媒劣化は判別
できないという問題があった。他方、三元触媒が劣化し
ていなくとも、下流側O2 センサの出力振幅は十分大き
くなる場合があり、この場合には出力振幅のみの触媒劣
化判別は誤判定を招くという問題があった。
願平3−263892号において、空燃比センサ出力の
軌跡長を用いて触媒の劣化を判定することをすでに提案
している。図16は触媒上流側と下流側の空燃比センサ
の出力波形を示している。図16(A)は上流側O2 セ
ンサの出力VOMの変化を示し、フィードバック制御中
においては、上流側O2 センサ出力はリーン側出力とリ
ッチ側出力との間で交互に変化している。また、図16
(B)〜(G)は下流側O2 センサの出力VOSを示
し、(C)〜(E)は触媒が劣化した場合、(B),
(F),(G)は触媒が劣化していない、例えば新品触
媒の場合である。また(B),(C)は制御空燃比中心
が略理論空燃比にある場合を示し、(D)〜(G)は例
えば上流側O2 センサが影響を受けやすい特定気筒の燃
料噴射弁の特性にずれが生じた場合等のように上流側O
2 センサ出力に基づくフィードバックによる空燃比制御
中心が理論空燃比から大きくずれた場合を示す。
(B),(F),(G))、下流側O2 センサ出力の軌
跡長さLVOSは三元触媒が劣化している場合(図16
(C)〜(E))に較べて小さくなっていることがわか
る。従って下流側O2 センサの出力LVOSと上流側O
2 センサ出力LVOMとの比LVOS/LVOMは触媒
が劣化するにつれて大きくなる。
装置は、上記LVOS/LVOMの値が所定値より大き
くなった場合に触媒が劣化したと判断するものである。
力の軌跡長のみで触媒劣化を判定するとO2 センサ自体
の劣化状態によって誤判定が生じる場合がある。図17
はO2 センサ自体の劣化によるセンサ出力の変化を示し
ている。図17(A)はO2 センサが劣化していない場
合のセンサ出力、図17(B),(B′)はO2 センサ
が劣化した場合の同一条件下での出力を示す。O2 セン
サが劣化するとセンサ出力の振幅(最大値と最小値との
差)が小さくなってくるため、これに伴って同一条件下
での出力軌跡長さもO2 センサ劣化と共に小さくなる傾
向を示す。
態では触媒が劣化しても軌跡長さLVOSの増加は比較
的小さくパラメータLVOS/LVOMは触媒が劣化し
ていない場合より大きくなるものの触媒劣化と判断され
る程までは増加しない場合がある。また、逆に上流側O
2 センサが劣化した場合軌跡長さLVOMが小さくなる
ため、パラメータLVOS/LVOMは増大し、触媒が
劣化していないにもかかわらず触媒劣化と判定されてし
まう場合がある。
の変化(図17)は、一般的に触媒劣化による下流側O
2 センサ出力軌跡長さの変化(図16(C)〜(E))
に較べて小さい。従って、LVOS/LVOMが所定の
基準値より大きくなった場合に触媒が劣化したと判定す
る方法をとると、この判定基準値の前後で誤判定が生じ
やすくなる。
センサ(O2 センサ)システムにおいてO2 センサの劣
化の有無にかかわらず正確に触媒の劣化を検出できる信
頼性の高い触媒劣化判定装置を提供することを目的とし
ている。
めの手段は図1に示される。即ち、内燃機関の排気通路
に設けられたO2 ストレージ効果を有する三元触媒の上
流側の排気通路には、機関の空燃比を検出する上流側空
燃比センサが設けられ、また、三元触媒の下流側の排気
通路には、機関の空燃比を検出する下流側空燃比センサ
が設けられる。空燃比フィードバック手段は、少なくと
も上流側空燃比センサ出力VOMに基づき、機関の空燃
比を理論空燃比になるようフィードバック制御する。
比フィードバック中、第一の軌跡長演算手段と第2の軌
跡長演算手段とは、それぞれ所定期間内での上流側空燃
比センサの出力VOMの軌跡長LVOMと下流側空燃比
センサの出力VOSの軌跡長LVOSとを演算し、第一
の面積演算手段と第二の面積演算手段とは、それぞれ所
定期間内での上流側空燃比センサ出力VOMと基準出力
値とで囲まれる面積AVOM、及び下流側空燃比センサ
出力VOSと基準出力値として囲まれる面積AVOSを
演算する。触媒劣化判定手段は、上記2つの軌跡長の比
LVOS/LVOMと、上記2つの面積の比AVOS/
AVOMとを用いて三元触媒の劣化の有無を判定する。
される。図2,図3は触媒劣化の有無、及び上流側と下
流側空燃比センサの劣化の有無による各空燃比センサの
出力変化とそれに伴う軌跡長比LVOS/LVOMと面
積比AVOS/AVOMの変化を示している。
を、図3は触媒が劣化した場合をそれぞれ示し、各セン
サ出力波形欄の○を付したものはセンサが劣化していな
い場合を×を付したものは劣化した場合のセンサ出力波
形をそれぞれ示している。図2,図3からわかるように
上流側センサ出力は触媒劣化の有無にかかわらず上流側
センサが劣化していない場合には(図2,(1),
(2)及び図3,(5),(6))、軌跡長LVOM、
面積AVOM(図の斜線部)は共に大きく、上流側セン
サが劣化すると(図2,(3),(4)及び図3,
(7),(8))LVOM,AVOMは共に小さくな
る。また、下流側センサ出力について見ると、軌跡長L
VOSは触媒が劣化していない場合はセンサ劣化の有無
にかかわらず小さいが(図2(1)〜(4))、触媒が
劣化した場合センサ非劣化時には大きく(図3,
(5),(7))、センサ劣化時には中程度(図3
(6),(8))となる。
劣化していない場合センサ非劣化時には大きく(図2
(1),(3)),センサ劣化時には中程度(図2,
(2),(4))となり、触媒が劣化した場合、センサ
非劣化時で大きく(図3,(5),(7))、センサ劣
化時には小さく(図3,(6),(8))なる。従って
軌跡長比LVOS/LVOMと面積比AVOS/AVO
Mの値は触媒と上流側及び下流側空燃比センサの劣化の
有無の組合せに応じて図2,図3の右側の欄に示した大
きさをとる。
/LVOMのみで判定しようとすると、図2,(3)の
場合と図3(6)の場合では触媒劣化の有無が相違する
にもかかわらずLVOS/LVOMはいずれも中程度と
判定されるためこの領域では触媒劣化の有無を正確に検
出することはできない。しかし、この場合も面積比AV
OS/AVOMに着目すれば、触媒が劣化していない場
合(図2,(3))はAVOS/AVOMは中程度以上
に(非常に大きく)なり、触媒が劣化した場合(図3,
(6))はAVOS/AVOMは小さくなるため触媒劣
化の有無を正確に検出することができる。
空燃比センサ出力軌跡長比LVOS/LVOMと面積比
AVOS/AVOMとを用いて図2、図3の関係に基づ
いて触媒劣化の有無を判定するものである。
置の一実施例を示す全体概略図である。図4において、
機関本体1の吸気通路2にはエアフローメータ3が設け
られている。エアフローメータ3は吸入空気量を直接計
測するものであって、たとえばポテンショメータを内蔵
して吸入空気量に比例したアナログ電圧の出力信号を発
生する。この出力信号は制御回路10のマルチプレクサ
内蔵A/D変換器101に入力されている。ディストリ
ビュータ4には、その軸がたとえばクランク角に換算し
て720°毎に基準位置検出用パルス信号を発生するク
ランク角センサ5およびクランク角に換算して30°毎
に基準位置検出用パルス信号を発生するクランク角セン
サ6が設けられている。これらクランク角センサ5,6
のパルス信号は制御回路10の入出力インターフェイス
102に供給され、このうちクランク角センサ6の出力
はCPU103の割込み端子に供給される。
給系から加圧燃料を吸気ポートへ供給するための燃料噴
射弁7が設けられている。また、機関本体1のシリンダ
ブロックのウォータジャケット8には、冷却水の温度を
検出するための水温センサ9が設けられている。水温セ
ンサ9は冷却水の温度THWに応じたアナログ電圧の電
気信号を発生する。この出力もA/D変換器101に供
給されている。
は、排気ガス中の3つの有害成分HC,CO,NOxを
同時に浄化する三元触媒を収容する触媒コンバータ12
が設けられている。排気マニホールド11には、すなわ
ち触媒コンバータ12の上流側には第1のO2 センサ1
3が設けられ、触媒コンバータ12の下流側の排気管1
4には第2のO2 センサ15が設けられている。O2 セ
ンサ13,15は排気ガス中の酸素成分濃度に応じた電
気信号を発生する。すなわち、O2 センサ13,15は
空燃比が理論空燃比に対してリーン側かリッチ側かに応
じて、異なる出力電圧を制御回路10のA/D変換器1
01に発生する。制御回路10は、たとえばマイクロコ
ンピュータとして構成され、A/D変換器101、入出
力インターフェイス102、CPU103の外に、RA
M104、ROM105、バックアップRAM106、
クロック発生回路107等が設けられている。
は、スロットル弁16が全閉か否かを示す信号LLを発
生するアイドルスイッチ17が設けられている。このア
イドル状態出力信号LLは制御回路10の入出力インタ
ーフェイス102に供給される。18は2次空気導入吸
気弁であって、減速時あるいはアイドル時に2次空気を
排気管11に供給して、HC,COエミッションを低減
するためのものである。
化した場合に付勢されるアラームである。さらに、制御
回路10において、ダウンカウンタ108、フリップフ
ロップ109、および駆動回路110は燃料噴射弁7を
制御するためのものである。すなわち、後述のルーチン
において、燃料噴射量TAUが演算されると、燃料噴射
量TAUがダウンカウンタ108にプリセットされると
共にフリップフロップ109もセットされる。この結
果、駆動回路110が燃料噴射弁7の付勢を開始する。
他方、ダウンカウンタ108がクロック信号(図示せ
ず)を計数して最後にその出力端子が“1”レベルとな
ったときに、フリップフロップ109がセットされて駆
動回路110は燃料噴射弁7の付勢を停止する。つま
り、上述の燃料噴射量TAUだけ燃料噴射弁7は付勢さ
れ、従って、燃料噴射量TAUに応じた量の燃料が機関
本体1の燃焼室に送り込まれることになる。
D変換器101のA/D変換終了後、入出力インターフ
ェイス102がクランク角センサ6のパルス信号を受信
した時、等である。エアフローセンサ3の吸入空気量デ
ータQおよび冷却水温データTHWは所定時間もしくは
所定クランク角毎に実行されるA/D変換ルーチンによ
って取込まれてRAM105の所定領域に格納される。
つまり、RAM105におけるデータQおよびTHWは
所定時間毎に更新されている。また、回転速度データN
e はクランク角センサ6の30°CA毎の割込みによっ
て演算されてRAM105の所定領域に格納される。
る。図5、図6は上流側O2 センサ13の出力にもとづ
いて空燃比補正係数FAFを演算する空燃比フィードバ
ック制御ルーチンであって、所定時間たとえば4ms毎に
実行する。ステップ501では、上流側O2 センサ13
による空燃比の閉ループ(フィードバック)条件が成立
しているか否かを判別する。たとえば、冷却水温が所定
値以下の時、機関始動中、始動後増量中、暖機増量中、
パワー増量中、触媒過熱防止のための燃料噴射量増量
中、上流側O2 センサ13の出力信号が一度も反転して
いない時、燃料カット中等はいずれも閉ループ条件が不
成立であり、その他の場合が閉ループ条件成立である。
閉ループ条件が不成立のときには、ステップ525に進
み、空燃比フィードバックフラグXMFBを“0”と
し、ステップ526に進む。なお、空燃比補正係数FA
Fを1.0としてもよい。他方、閉ループ条件成立の場
合はステップ502に進む。
3の出力VOMをA/D変換して取込み、ステップ50
3にてVOMが比較電圧VR1以下か否かにより、空燃比
がリッチかリーンかを判別する。比較電圧VR1は、通常
O2 センサ出力の振幅中心の電圧をとり、本実施例では
VR1=0.45Vである。ステップ503で空燃比が
(VOM≦VR1)であれば、ステップ504にてディレ
イカウンタCDLYが正か否かを判別し、CDLY>0
であればステップ505にてCDLYを0とし、ステッ
プ506に進む。ステップ506では、ディレイカウン
タCDLYを1減算し、ステップ507,508にてデ
ィレイカウンタCDLYを最小値TDLでガードする。
この場合、ディレイカウンタCDLYが最小値TDLに
到達したときにはステップ509にて空燃比フラグF1
を“0”(リーン)とする。なお、最小値TDLは上流
側O2 センサ13の出力においてリッチからリーンへの
変化があってもリッチ状態であるとの判断を保持するた
めのリーン遅延状態であって、負の値で定義される。他
方、リッチ(VOM>VR1)であれば、ステップ510
にてディレイカウンタCDLYが負か否かを判別し、C
DLY<0であればステップ511にてCDLYを0と
し、ステップ512に進む。ステップ512ではディレ
イカウンタCDLYを1加算し、ステップ513,51
4にてディレイカウンタCDLYを最大値TDRでガー
ドする。この場合、ディレイカウンタCDLYが最大値
TDRに到達したときにはステップ515にて空燃比フ
ラグF1を“1”(リッチ)とする。なお、最大値TD
Rは上流側O2 センサ13の出力においてリーンからリ
ッチへの変化があってもリーン状態であるとの判断を保
持するためのリッチ遅延状態であって、正の値で定義さ
れる。
F1の符号が反転したか否か、すなわち遅延処理後の空
燃比が反転したか否かを判別する。空燃比が反転してい
れば、ステップ517にて、空燃比フラグF1の値によ
り、リッチからリーンへの反転か、リーンからリッチへ
の反転かを判別する。リッチからリーンへの反転であれ
ば、ステップ518にて、FAF←FAF+RSRとス
キップ的に増大させ、逆に、リーンからリッチへの反転
であれば、ステップ519にて、FAF←FAF−RS
Lとスキップ的に減少させる。つまり、スキップ処理を
行う。
号が反転していなければ、ステップ520,521,5
22にて積分処理を行う。つまり、ステップ520に
て、F1=“1”か否かを判別し、F1=“0”(リー
ン)であればステップ521にてFAF←FAF+KI
Rとし、他方、F1=“1”(リッチ)であればステッ
プ522にてFAF←FAF−KILとする。ここで、
積分定数KIR,KILはスキップ量RSR,RSLに
比して十分小さく設定してあり、KIR(KIL)<R
SR(RSL)である。従って、ステップ521はリー
ン状態(F1=“0”)で燃料噴射量を徐々に増大さ
せ、ステップ522はリッチ状態(F1=“1”)で燃
料噴射量を徐々に減少させる。
3,524,526,527にて演算された空燃比補正
係数FAFは最小値たとえば0.8にてガードされ、ま
た、最大値たとえば1.2にてガードされる。これによ
り、何らかの原因で空燃比補正係数FAFが大きくなり
過ぎ、もしくは小さくなり過ぎた場合に、その値で機関
の空燃比を制御してオーバリッチ、オーバリーンになる
のを防ぐ。
クフラグXMFBを“1”とし、上述のごとく演算され
たFAFをRAM105に格納して、ステップ526に
てこのループは終了する。次に、本発明を上流側O2 セ
ンサ13の出力V1 及び下流側O2 センサ15の出力V
2 の両方を用いて空燃比フィードバック制御を行うダブ
ルO2 センサシステムに適用した場合について説明す
る。
動作を補足説明するタイミング図である。上流側O2 セ
ンサ13の出力VOMにより図7(A)に示すごとくリ
ッチ、リーン判別の空燃比信号A/Fが得られると、デ
ィレイカウンタCDLYは、図7(B)に示すごとく、
リッチ状態でカウンタアップされ、リーン状態でカウン
トダウンされる。この結果、図7(C)に示すごとく、
遅延処理された空燃比信号A/F′(フラグF1に相
当)が形成される。たとえば、時刻t1 にて空燃比信号
A/F′がリーンからリッチに変化しても、遅延処理さ
れた空燃比信号A/F′はリッチ遅延時間TDRだけリ
ーンに保持された後に時刻t2 にてリッチに変化する。
時刻t3 にて空燃比信号A/Fがリッチからリーンに変
化しても、遅延処理された空燃比信号A/F′はリーン
遅延時間(−TDL)相当だけリッチに保持された後に
時刻t4 にてリーンに変化する。しかし空燃比信号A/
F′が時刻t5,t6,t7 のごとくリッチ遅延時間TDR
より短い期間で反転すると、ディレイカウンタCDLY
が最大値TDRに到達するのに時間を要し、この結果、
時刻t8 にて遅延処理後の空燃比信号A/F′が反転さ
れる。つまり、遅延処理後の空燃比信号A/F′は遅延
処理前の空燃比信号A/Fに比べて安定となる。このよ
うに遅延処理後の安定した空燃比信号A/F′にもとづ
いて図7(D)に示す空燃比補正係数FAFが得られ
る。
空燃比フィードバック制御について説明する。第2の空
燃比フィードバック制御としては、第1の空燃比フィー
ドバック制御定数としてのスキップ量RSR,RSL、
積分定数KIR,KIL、遅延時間TDR,TDL、も
しくは上流側O2 センサ13の出力VOMの比較電圧V
R1を可変にするシステムと、第2の空燃比補正係数FA
F2を導入するシステムとがある。
くすると、制御空燃比をリッチ側に移行でき、また、リ
ーンスキップ量RSLを小さくしても制御空燃比をリッ
チ側に移行でき、他方、リーンスキップ量RSLを大き
くすると、制御空燃比をリーン側に移行でき、また、リ
ッチスキップ量RSRを小さくしても制御空燃比をリー
ン側に移行できる。したがって、下流側O2 センサ15
の出力に応じてリッチスキップ量RSRを補正すること
により空燃比が制御できる。また、リッチ積分定数KI
Rを大きくすると、制御空燃比をリッチ側に移行でき、
また、リーン積分定数KILを小さくしても制御空燃比
をリッチ側に移行でき、他方、リーン積分定数KILを
大きくすると、制御空燃比をリーン側に移行でき、ま
た、リッチ積分定数KIRを小さくしても制御空燃比を
リーン側に移行できる。従って、下流側O2 センサ15
の出力に応じてリッチ積分定数KIRおよびリーン積分
定数KILを補正することにより空燃比を制御できる。
リッチ遅延時間TDRを大きくもしくはリーン遅延時間
(−TDL)を小さく設定すれば、制御空燃比はリッチ
側に移行でき、逆に、リーン遅延時間(−TDL)を大
きくもしくはリッチ遅延時間(TDR)を小さく設定す
れば、制御空燃比はリーン側に移行できる。つまり、下
流側O2 センサ15の出力VOSに応じて遅延時間TD
R,TDLを補正することにより空燃比が制御できる。
さらにまた、比較電圧VR1を大きくすると制御空燃比を
リッチ側に移行でき、また、比較電圧VR1を小さくする
と制御空燃比をリーン側に移行できる。従って、下流側
O2 センサ15の出力VOSに応じて比較電圧VR1を補
正することにより空燃比が制御できる。
比較電圧を下流側O2 センサによって可変とすることは
それぞれに長所がある。たとえば、遅延時間を可変とす
ることにより非常に微妙な空燃比の調整が可能であり、
また、スキップ量を可変とすることにより遅延時間のよ
うに空燃比のフィードバック周期を長くすることなくレ
スポンスの良い制御が可能である。従って、これら可変
量は当然2つ以上組み合わされて用いられ得る。
てのスキップ量を可変にしたダブルO2 センサシステム
について説明する。図8、図9は下流側O2 センサ15
の出力VOSにもとづく第2の空燃比フィードバック制
御ルーチンであって、所定時間たとえば512ms毎に実
行される。ステップ801〜806では、下流側O2 セ
ンサ15によって閉ループ条件か否かを判別する。たと
えば、上流側O2 センサ13による閉ループ条件の不成
立(ステップ801)に加えて、冷却水温THWが所定
値(たとえば70℃)以下のとき(ステップ802)、
スロットル弁16が全閉(LL=“1”)のとき(ステ
ップ803)、回転速度Ne 、車速、アイドルスイッチ
17の信号LL、冷却水温THW等にもとづいて2次空
気が導入されているとき(ステップ804)、軽負荷の
とき(Q/Ne <X1 )(ステップ805)、下流側O
2 センサ15が活性化していないとき(ステップ80
6)、等が閉ループ条件が不成立であり、その他の場合
が閉ループ条件成立である。閉ループ条件不成立であれ
ば、ステップ819に進み、空燃比フィードバックフラ
グXSFBをリセットし(“0”)、閉ループ条件成立
であればステップ808に進み、空燃比フィードバック
フラグXSFBをセットする(“1”)。
説明する。ステップ809は、下流側O2 センサ15の
出力VOSをA/D変換して取り込み、ステップ810
にてVOSが比較電圧VR2(たとえばVR2=0.55
V)以下か否かを判別する、つまり、空燃比がリッチか
リーンかを判別する。なお、比較電圧VR2は触媒コンバ
ータ12の上流、下流で生ガスの影響による出力特性が
異なることおよび劣化速度が異なること等を考慮して上
流側O2 センサ13の出力の比較電圧VR1より高く設定
されているが、この設定は任意でもよい。この結果、V
OS≦VR2(リーン)であればステップ811、81
2,813に進み、VOS>VR2(リッチ)であればス
テップ814,815,816に進む。すなわち、ステ
ップ811では、RSR←RSR+ΔRS(一定値)と
し、つまり、リッチスキップ量RSRを増大させて空燃
比をリッチ側に移行させ、ステップ812,813で
は、RSRを最大値MAX(=7.5%)にてガード
し、他方、ステップ814にてRSR←RSR−ΔRS
とし、つまり、リッチスキップ量RSRを減少させて空
燃比をリーン側に移行させ、ステップ815,816に
てRSRを最小値MIN(=2.5%)にてガードす
る。なお、最小値MINは過渡追従性がそこなわれない
レベルの値であり、また、最大値MAXは空燃比変動に
よりドライバビリティの悪化が発生しないレベルの値で
ある。
SLを、 RSL←10%−RSR とする。つまり、RSR+RSL=10%とする。ステ
ップ818では、スキップ量RSR,RSLをRAM1
05に格納する。そして、ステップ820に進む。
定クランク角たとえば360°CAに実行される。ステ
ップ1001では、RAM105より吸入空気量データ
Q及び回転速度データNe を読出して基本噴射量TAU
P(TAUPは理論空燃比を得る噴射時間)を演算す
る。たとえばTAUP←α・Q/Ne (αは定数)とす
る。ステップ1002では、最終噴射量TAUを、TA
U←TAUP・FAF・β+γにより演算する。なお、
β,γは他の運転状態パラメータによって定まる補正量
である。次いで、ステップ1003にて、噴射量TAU
をダウンカウンタ108にセットすると共にフリップフ
ロップ109をセットして燃料噴射を開始させる。そし
て、ステップ1004にてこのルーチンを終了する。
する時間が経過すると、ダウンカウンタ108の出力信
号によってフリップフロップ109がリセットされて燃
料噴射は終了する。図11〜図14は触媒劣化判別ルー
チンであって、所定時間たとえば4ms毎に実行される。
ステップ1101では、空燃比フィードバックフラグX
MFBにより上流側O2 センサ13の出力VOMにより
空燃比フィードバック制御中(XMFB=“1”)か否
かを判別し、ステップ1102では、リーンモニタによ
り上流側O2 センサ13の出力VOMがリーン側に所定
期間以上張り付いているか否かを判別し、ステップ11
03では、リッチモニタにより上流側O2 センサ13の
出力VOMがリッチ側に所定期間以上張り付いているか
否かを判別し、ステップ1104では、空燃比フィード
バックフラグXSFBにより下流側O2 センサ13の出
力VOSによる空燃比フィードバック制御中(XSFB
=“1”)か否かを判別する。
OMによる空燃比フィードバック制御中(XMFB=
“1”)であって、該出力VOMがリーン側もしくはリ
ッチ側に張り付いてなく、かつ下流側O2 センサ15の
出力VOSによる空燃比フィードバック制御中(XSF
B=“1”)のときのみ、ステップ1105以降に進
み、触媒劣化判別を行う。
たのは、たとえ上流側O2 センサ13の出力VOMによ
る空燃比フィードバック制御が行われても、上流側O2
センサ13の出力VOMがリーン側かリッチ側かに片寄
っていると、後述の基準値となる積分値LVOMやAV
OMが有効的に得られないからであり、つまり、上流側
O2 センサ13の出力VOMは図16(A)に示すよう
な場合にのみ触媒劣化判別を行うようにする。
3の出力VOMの軌跡長LVOMi と面積AVOMi と
を演算する。ここでLVOMi , AVOMi は以下の式
で定義する。 LVOMi =LVOMi-1 +|VOMi −VOMi-1 | AVOMi =AVOMi-1 +|VOMi −VR1| ここで添字iは今回ルーチン実行時の値を、i−1は前
回実行時の値を示す(図14参照)。なお、図14で
は、説明のため、センサ出力の変化に対して、出力のサ
ンプリングタイミング間隔がかなり長く取られている。
また、更に正確に軌跡長さを検出するよう、時間の経過
を加味して軌跡長さを算出してもよい。』次いでステッ
プ1106では同様に下流側O2 センサ出力VOSの軌
跡長LVOSi と面積AVOSi とを以下の式により演
算する LVOSi =LVOSi-1 +|VOSi −VOSi-1 | AVOSi =AVOSi-1 +|VOSi −VR2| 次いでステップ1107では次回の実行に備え、LVO
Mi-1 ,AVOMi-1 ,LVOSi-1 ,AVOSi-1 ,
VOMi-1 ,VOSi-1 の各値を更新する。
をカウントアップし、ステップ1110ではCTIME
の値が所定値Coを越えたか否かを判定する。ここでC
oは、たとえば、上流側O2 センサ13の出力反転回数
40回分、すなわち、本実施例では約20秒に相当する
ルーチン繰返し数であるが、カウンタCTIMEにより
上記時間を計数する代わりに直接上流側O2 センサ13
の出力反転回数を数えて反転回数が40回を越えたか否
かを判定するようにしても良い。
定された場合にはステップ1111に進み、下流側O2
センサ15出力VOSと上流側O2 センサ13出力VO
Sの軌跡長比LVOSi /LVOMi 及び面積比AVO
Si /AVOMi を求める。次いでステップ1112で
はこのLVOSi /LVOMi とAVOSi /AVOM
i の値を基に触媒劣化の有無を判定する。
回路10のROM104に格納した図15(A)又は
(B)に示すマップを用いて行う。つまり、図15
(A)のマップでは軌跡長比LVOSi /LVOMi が
線Aと線Bとで決まる所定範囲内にあるときに面積比A
VOSi /AVOMi が所定値より大きければ触媒劣化
なし、所定値より小さければ触媒劣化と判定する。な
お、図15(B)に示したマップを用い、軌跡長比LV
OSi /LVOMi と面積比AVOSi /AVOMi と
が斜線部で示した領域に入るか否かを判断することで触
媒劣化を判定しても良い。
触媒が劣化したと判定される領域を示す。また、図15
(A),(B)の(1)〜(8)の符号は図2,図3の
(1)〜(8)に示す状態に対応する領域である。前述
のようにLVOSi /LVOMi が中程度の大きさの場
合((3),(6))にも面積比AVOSi /AVOM
i の大きさを判定することにより触媒劣化の有無を正確
に判別することができる。なお、図15に示したLVO
Si /LVOMi とAVOSi /AVOMi のしきい値
A,B,Cは実際には使用する触媒や空燃比センサの種
類に応じて設定されるため、図15には概略傾向を示し
ている。
れた場合にはステップ1114に進みアラームフラグA
LMをリセット(“0”)するが、触媒劣化ありと判定
された場合ステップ1113でALMをセットし
(“1”)、ステップ1115でアラーム19を付勢す
る。また、ステップ1116では修理点検用のデータと
してアラームフラグALMをバックアップRAM106
に格納しておく。以上のステップを終了した後、ステッ
プ1117では次回の触媒劣化判別に備え、CTIM
E,VOMi ,VOSi 等のパラメータを全てクリアし
てステップ1118にてルーチンを終了する。
おいて、第1の空燃比フィードバック制御は4ms毎に、
また、第2の空燃比フィードバック制御は512ms毎に
行われるのは、空燃比フィードバック制御は応答性の良
い上流側O2 センサによる制御を主として行い、応答性
の悪い下流側O2 センサによる制御を従にして行うため
である。
おいて、上流側O2 センサによる空燃比フィードバック
制御における他の制御定数、たとえば遅延時間、積分定
数、等を下流側O2 センサの出力により補正するダブル
O2 センサシステムにも、また、第2の空燃比補正係数
を導入するダブルO2 センサシステムにも本発明を適用
し得る。また、ステップ量、遅延時間、積分定数のうち
の2つを同時に制御することにより制御性を向上でき
る。さらにスキップ量RSR,RSLのうちの一方を固
定し他方のみを可変とすることも、遅延時間TDR,T
DLのうちの一方を固定し他方のみを可変とすること
も、あるいはリッチ積分定数KIR、リーン積分定数K
ILの一方を固定し他方を可変とすることも可能であ
る。
センサ出力および下流側O2 センサ出力により空燃比を
理論空燃比にフィードバックするダブルO2 センサシス
テムを示したが、本願は、少なくとも上流側O2 センサ
出力により空燃比を理論空燃比にフィードバックしてい
るものにも適用できる。また、吸入空気量センサとし
て、エアフローメータの代わりに、カルマン渦センサ、
ヒートワイヤセンサ等を用いることもできる。
よび機関の回転速度に応じて燃料噴射量を演算している
が、吸入空気圧および機関の回転速度、もしくはスロッ
トル弁開度および機関の回転速度に応じて燃料噴射量を
演算してもよい。また、上述の実施例では、燃料噴射弁
により吸気系への燃料噴射量を制御する内燃機関を示し
たが、キャブレタ式内燃機関にも本発明を適用し得る。
たとえば、エレクトリック・エア・コントロールバルブ
(EACV)により機関の吸入空気量を調整して空燃比
を制御するもの、エレクトリック・ブリード・エア・コ
ントロールバルブによりキャブレタのエアブリード量を
調整してメイン系通路およびスロー系通路への大気の導
入により空燃比を制御するもの、機関の排気系へ送り込
まれる2次空気量を調整するもの、等に本発明を適用し
得る。この場合には、図10のステップ1001におけ
る基本噴射量TAUP相当の基本燃料噴射量がキャブレ
タ自身によって決定され、すなわち、吸入空気量に応じ
て吸気管負圧と機関の回転速度に応じて決定され、ステ
ップ1002にて最終燃料噴射量TAUに相当する供給
空気量が演算される。
としてO2 センサを用いたが、COセンサ、リーンミク
スチャセンサ等を用いることもできる。特に、上流側空
燃比センサとしてTiO2 センサを用いると、制御応答
性が向上し、下流側空燃比センサの出力による過補正が
防止できる。さらに、上述の実施例はマイクロコンピュ
ータすなわちディジタル回路によって構成されている
が、アナログ回路により構成することもできる。
下流側空燃比センサとの出力から触媒の劣化有無を判断
する場合に、空燃比センサ自体の劣化によりセンサ出力
特性が変化した場合でも正確に触媒劣化の有無を判別で
きるので触媒交換を迅速にしてエミッションの悪化を防
止することができる。
サと下流側空燃比センサ出力のセンサ自体の劣化による
出力変化を示す図である。
施例を示す全体概略図である。
チャートである。
チャートである。
グ図である。
チャートである。
チャートである。
ーチャートである。
フローチャートである。
フローチャートである。
フローチャートである。
る図である。
比センサ出力VOSの変化を示す図である。
す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 内燃機関の排気通路に設けられた、O2
ストレージ効果を有する三元触媒と、 該三元触媒の上流側の排気通路に設けられ、前記機関の
空燃比を検出する上流側空燃比センサと、 前記三元触媒の下流側の排気通路に設けられ、前記機関
の空燃比を検出する下流側空燃比センサと、 前記上流側空燃比センサの出力に基づき前記機関の空燃
比を理論空燃比にフィードバック制御する空燃比フィー
ドバック制御手段と、 前記フィードバック制御実行中の所定期間内での前記上
流側空燃比センサの出力軌跡長さと前記下流側空燃比セ
ンサの出力軌跡長さとをそれぞれ演算する第一と第2の
軌跡長演算手段と、 前記フィードバック制御実行中の所定期間内での前記上
流側空燃比センサ出力と基準値とで囲まれる面積と、前
記下流側空燃比センサ出力と基準値とで囲まれる面積と
をそれぞれ演算する第一と第二の面積演算手段と、 前記第一の軌跡長演算手段の算出した軌跡長と前記第一
の軌跡長演算手段の算出した軌跡長との比と、前記第二
の面積演算出段の算出した面積と前記第一の面積演算出
段の算出した面積との比とを用いて前記三元触媒の劣化
を検出する触媒劣化判定手段とを備えた触媒劣化判別装
置。
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