JPH05160231A - ボンデイングワイヤ検査装置 - Google Patents

ボンデイングワイヤ検査装置

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objective lens
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健二 菅原
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Abstract

(57)【要約】 【目的】小型化及び試料(検査対象物)に対するゴミ等
の悪影響を与える可能性を小さくすることができると共
に、検査精度の向上を図る。 【構成】半導体チップ1のパッドとリードフレーム3の
リード4とにボンデイングされたワイヤ5を検査するボ
ンデイングワイヤ検査装置において、試料6の像を取り
込む対物レンズ群24と、対物レンズ群24で取り込ん
だ像を結像する結像レンズ群40、42と、この結像レ
ンズ群40、42で結像された像を撮像するカメラ4
1、44とをオプトヘッド23に設け、かつ前記対物レ
ンズ群24をZ方向にZ駆動用モータ29で駆動する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのパッド
とリードフレームのリード間にワイヤがボンデイングさ
れた試料のワイヤボンデイング検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図15乃至図18に示すように、半導体
チップ1のパッド2とリードフレーム3のリード4間に
ワイヤ5がボンデイングされた試料6の従来の検査装置
は、図19に示すような構造となっている。なお、図1
5乃至図18において、7は半導体チップ1をリードフ
レーム3に接着したペーストのはみ出し部を示す。図1
9に示すように、検査台10に載置された試料6の上方
には垂直照明手段11が配設され、垂直照明手段11は
光学系12の下部に取り付けられている。また光学系1
2の上部には、照明された試料6の像が光学系12で結
像された映像信号を出力するCCD(光電変換素子)と
駆動部とからなるCCDカメラ13が取り付けられ、C
CDカメラ13の映像信号は画像処理演算装置14で処
理されてワイヤ形状の認識及びワイヤ5のボンデイング
位置を計測するようになっている。前記垂直照明手段1
1及びCCDカメラ13が取り付けられた光学系12は
XYテーブル15に取り付けられている。また垂直照明
手段11内には、CCDカメラ13の下方にハーフミラ
ー16が配設され、ハーフミラー16の側方にはコンデ
ンサレンズ17及び電球18が配設されている。なお、
この種のボンデイングワイヤ検査装置として、例えば特
開平2ー129942号公報、特開平3ー76137号
公報等が挙げられる。
【0003】そこで、垂直照明手段11をオンとする
と、垂直照明手段11の照明は、電球18の照射光がコ
ンデンサレンズ17及びハーフミラー16を通して試料
6に垂直に照射される。従って、XYテーブル14を駆
動してCCDカメラ13を検査対象部分の上方に位置さ
せ、CCDカメラ13で捕らえた微小検査対象部分の映
像信号を画像処理演算装置14を用いてノイズ除去、検
査部分のエッジ強調、映像の拡大又は縮小等をして、微
小検査対象部分の映像を見え易くするための改善(復
元)作業を行った後、検査測定を行う。このように、微
小検査対象部分を光学的に結像させて検査する場合、光
学系12の倍率を高くし(2/3インチCCDカメラを
使用時は2〜3倍)ている。
【0004】なお、上記公開公報には開示されていない
が、従来、検査対象物の検査部分の焦点合わせを行う場
合は、垂直照明手段11、光学系12及びCCDカメラ
13を有するオプトヘッド全体をZ駆動用モータでZ方
向に上下動させていた。例えば、図17及び図18に示
す点Cのワイヤ高さを測定する場合には、始めにオプト
ヘッド全体を上下動させて半導体チップ1の表面に焦点
を合わせ、その点を基準にしてオプトヘッド全体を上下
動させてワイヤ5の点Cに焦点を合わせる。そして、前
記半導体チップ1の表面の基準値よりオプトヘッドが移
動した量でワイヤ5の点Cの高さを求めていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、重量
物であるオプトヘッド全体を上下動させるので、装置全
体が大型化する。また大きな物を移動させるので、その
分ゴミ等が落下し易い。即ち、極度にゴミ等の汚れを嫌
う半導体業界においては、製品加工中の検査とはいえ、
製品の上方にある可動物はできる限り少ない方が好まし
い。また検査精度の点からも可動物は小さい方が好まし
い。
【0006】本発明の目的は、小型化及び試料(検査対
象物)に対するゴミ等の悪影響を与える可能性を小さく
することができると共に、検査精度の向上が図れるボン
デイングワイヤ検査装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、半導体チップのパッドとリードフレ
ームのリードとにボンデイングされたワイヤを検査する
ボンデイングワイヤ検査装置において、検査対象物の像
を取り込む対物レンズ群と、この対物レンズ群で取り込
んだ像を結像する結像レンズ群と、この結像レンズ群で
結像された像を撮像するカメラとをオプトヘッドに設
け、かつ前記対物レンズ群をZ方向にZ駆動用モータで
駆動するように構成したことを特徴とする。
【0008】
【作用】Z駆動用モータを駆動して対物レンズ群を上下
動させて焦点合わせを行う。この時、基準の測定点から
検査点までの対物レンズ群の移動量、即ちZ駆動用モー
タの回転位置によって、例えばワイヤ高さが検出でき
る。このように、対物レンズ群のみを上下動させて合焦
させるので、駆動部が小型化できる。また上下動させる
可動物は小さくて軽いので、試料に対するゴミ等の悪影
響を与える可能性を小さくすることができ、また軽いも
のを移動させるので、検査精度の向上が図れる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図6によ
り説明する。なお、図15乃至図18と同じ部材は、同
一符号を付し、その詳細な説明は省略する。図1に示す
ように、X駆動用モータ20及びY駆動用モータ21に
よってXY方向に駆動されるXYテーブル22上には、
オプトヘッド23が固定されている。オプトヘッド23
は、検査台10の表面に対向して配設された対物レンズ
群24を有する。対物レンズ群24は、図1及び図2に
示すように、リニアスライダ25に固定されており、リ
ニアスライダ25はオプトヘッド23に固定されたリニ
アゲージ26に上下動可能に設けられている。また対物
レンズ群24はローラ支持板27に固定されており、ロ
ーラ支持板27にはローラ28が回転自在に支承されて
いる。またオプトヘッド23にはZ駆動用モータ29が
固定されており、Z駆動用モータ29の出力軸にはカム
30が固定されている。そして、前記ローラ28がカム
30に圧接するように、ローラ支持板27はスプリング
31で下方に付勢されている。
【0010】前記対物レンズ群24の上方には光を分岐
するためのハーフプリズム35が配設され、ハーフプリ
ズム35の上方には照明用レンズ群36が配設されてい
る。また照明用レンズ群36の上方には拡散板37が配
設され、更に拡散板37の上方には垂直用照明38が配
設されている。また前記ハーフプリズム35の右方には
ハーフプリズム39が配設され、ハーフプリズム39の
上方には低倍率用結像レンズ群40が配設されている。
そして、低倍率用結像レンズ群40の上方には低倍用カ
メラ41が配設されている。また前記ハーフプリズム3
9の右方には高倍率用結像レンズ群42が配設され、高
倍率用結像レンズ群42の右方にはミラー43が配設さ
れている。そして、ミラー43の上方には高倍用カメラ
44が配設されている。
【0011】前記垂直用照明38の下方、ハーフプリズ
ム35とハーフプリズム39間及びハーフプリズム39
と高倍率用結像レンズ群42間には、それぞれ電動絞り
50、51、52が配設されており、これらの電動絞り
50、51、52はそれぞれ照明絞り駆動部53、低倍
絞り駆動部54、高倍絞り駆動部55で駆動され、電動
絞り50、51、52の開口径が変化させられる。ここ
で、電動絞り50、51、52は、例えばカメラの絞り
のようなもので、電動絞り50は検査対象に対する垂直
照明の照射角度を制御するものである。電動絞り51は
対物レンズ群24の開口径を調整、即ち、焦点深度を調
整するものである。また電動絞り52は低倍率及び高倍
率によって結像された明るさを等しくするものである。
【0012】前記対物レンズ群24の下方には、オプト
ヘッド23に取り付けられたリング状照明手段60が配
設されている。リング状照明手段60は、図3及び図4
に示すように、照明保持板61の開口部61aの周囲に
多数個のLED62がリング状に配設して取り付けられ
た高照射角度リング状照明器63と、この高照射角度リ
ング状照明器63より大径部分(外側)に多数個のLE
D64がリング状に配設して取り付けられた低照射角度
リング状照明器65とを有する。高照射角度リング状照
明器63及び低照射角度リング状照明器65の各LED
62、64は、それぞれCCDカメラ22の光軸中心の
方向に向かっており、高照射角度リング状照明器63の
水平面に対する傾斜角は約30〜55度、低照射角度リ
ング状照明器65の水平面に対する傾斜角は約5〜15
度となっている。前記照明保持板61上には支柱66を
介して取付け板67が載置され、照明保持板61は支柱
66に挿入されたねじ68によって取付け板67に固定
されている。また支柱66にはスペーサ69が挿入さ
れ、スペーサ69と取付け板67間には遮光板70及び
カバー71が配設されている。なお、図3において、L
ED62、64は左側及び右側のみ図示した。また図4
において、LED62、64を点線で示し、一部省略し
て図示した。
【0013】前記高照射角度リング状照明器63及び低
照射角度リング状照明器65の各LED62、64は、
図5に示す照明切り換え回路によって点灯させられる。
各LED62、64は、一端が抵抗80を介してプログ
ラマル定電圧回路81、82に接続され、他端がトラン
ジスタ83のコレクタに接続されている。トランジスタ
83のエミッタはアースされ、トランジスタ83のベー
スはラッチ用レジスタ群84を介してシフトレジスタ群
85に接続されている。前記ラッチ用レジスタ群84に
はロード信号86が入力され、前記シフトレジスタ群8
5にはハイ・ロウ(H・L)の入力信号87が入力さ
れ、シフトレジスタ群85の各シフトレジスタにはクロ
ック信号88が入力される。
【0014】図6に示すように、前記低倍用カメラ41
及び高倍用カメラ44は、結像された像を電気信号に変
換して画像処理部90に送り、画像処理部90で処理さ
れた画像はモニタ91に表示されると共に、メモリ92
を有したメインコントローラ93に送られる。またメイ
ンコントローラ93の信号によって画像処理部90が作
動する。前記X駆動用モータ20、Y駆動用モータ21
及びZ駆動用モータ29はメインコントローラ93によ
って制御されると共に、X駆動用モータ20、Y駆動用
モータ21及びZ駆動用モータ29の位置信号はメイン
コントローラ93に送られる。また前記照明絞り駆動部
53、低倍絞り駆動部54、高倍絞り駆動部55、垂直
用照明38、高照射角度リング状照明器63及び低照射
角度リング状照明器65はメインコントローラ93によ
って制御される。
【0015】次に図7乃至図18を参照しながら動作に
ついて説明する。検査実行に入る前に次の内容のオプト
ヘッド情報を予めメモリ92に入力し記憶させる。先
ず、検査対象と同種のサンプルを用意し、パッド2、リ
ード4の位置を算出するためのアライメント点及びアラ
イメント画像をメモリ92に記憶させる。この時、各電
動絞り50、51、52の開口径、Z駆動用モータ29
の位置もメモリ92に記憶させ、検査実行時に利用す
る。前記アライメント点は、図15に示すように、一般
に例えば半導体チップ1側の2a、2bの2点、リード
4側の4a、4bの2点、計4点用いる。
【0016】先ず、検査対象物である試料6の半導体チ
ップ1側のアライメント点2a、2b及びリード4側の
アライメント点4a、4bの検査について述べる。アラ
イメント点2a、2b、4a、4bの検査時には、アラ
イメント点2a、2b及び4a、4bの位置補正を高精
度で安定化させるため、リング状照明手段60の照明を
オフにし、垂直用照明38のみをオンとし、明視野にす
る。また高倍用カメラ44を用い、電動絞り51の開口
径は小さくし、電動絞り50の開口径は小さめにし、焦
点深度を大きくする。
【0017】そこで、検査台10に検査対象物である試
料6が位置決めされると、予めメモリ92に記憶されて
いる半導体チップ1側のアライメント点2aの座標によ
ってXYテーブル22が移動して対物レンズ群24の中
心がアライメント点2a付近の上方に位置して試料6の
アライメント点2aを探し出す。またその時対物レンズ
群24により取り込まれるアライメント点2aの像の焦
点が合うようにZ駆動用モータ29を記憶位置まで駆動
して対物レンズ群24を上下動させる。即ち、Z駆動用
モータ29を駆動させると、カム30によってローラ2
8、ローラ支持板27を介して対物レンズ群24が上下
動させられる。また垂直用照明38の光は、拡散板3
7、電動絞り50、照明用レンズ群36、ハーフプリズ
ム35及び対物レンズ群24を通ってアライメント点2
a付近に照射される。アライメント点2a付近の像は対
物レンズ群24、ハーフプリズム35、電動絞り51、
ハーフプリズム39、高倍率用結像レンズ群42及びミ
ラー43を通って高倍用カメラ44で撮影した像は画像
処理部90で処理され、モニタ91に映し出されると共
に、メインコントローラ93によってメモリ92に記憶
される。他のアライメント点2b、4a、4bも同様に
検出される。そこで、これらの検出されたアライメント
点2a、2b、4a、4bの位置座標によりメモリ92
に記憶されている各パッド2及び各リード4の位置座標
はメインコントローラ93によって修正される。
【0018】なお、アライメント点2a、2b及び4
a、4bの検査時の電動絞り50、51、52の条件、
垂直照明38の強弱、Z駆動用モータ29の回転位置
(対物レンズ群24の位置)等は、設定時のものを使用
する。
【0019】通常、半導体チップ1の高さ方向のバラッ
キは、半導体チップ1とリードフレーム3間にペースト
7が存在するために、約20〜30μm位あり、半導体
チップ1の表面は水平方向に対し僅かな傾きを持ってい
る。この高さ方向のずれを検出するため、予め入力して
いる半導体チップ1上の3点、例えば2a、2c、2b
へXYテーブル22を駆動させて対物レンズ群24を移
動させ、またZ駆動用モータ29を駆動させて対物レン
ズ群24を上下動させて自動的に焦点合わせを行う。そ
して、その時の高さの値(Z駆動用モータ29の回転位
置)をメインコントローラ93に記憶させる。
【0020】前記自動焦点合わせ法については、種々の
方法があるが、本実施例においてはパターンマッチング
法とヒストグラム法とを組み合わせて行った。これは、
電動絞り51の開口径を大きくして焦点深度を浅くし、
予め記憶されているZ駆動用モータ29の回転位置より
対物レンズ群24を±50μm移動させながらパターン
マッチングのマッチング値とその時の画像のヒストグラ
ムを用いてその最大値を合焦点とした。
【0021】このようにして検出した半導体チップ1表
面の3点の高さのバラッキと半導体チップ1のサイズよ
り、ボール5aが存在する位置での合焦点(Z駆動用モ
ータ29の回転位置)が判るので、以下に述べるボール
5aの検査時には、ボール5aの存在する位置へXYテ
ーブル22及びZ駆動用モータ29を駆動して対物レン
ズ群24を位置させてボール5aの検査を行う。
【0022】次に試料6のボール5a、クレセント5
b、ワイヤ5高さが検査される。今、1例としてワイヤ
5Aに対するボール5a、クレセント5b及びワイヤ5
Aの検査について説明する。
【0023】ボール5aの検査の時は、XYテーブル2
2を駆動して対物レンズ群24の中心を位置修正したボ
ール5aの位置に一致させる。そして、ボール形状及び
その材質(金鏡面)から垂直用照明38を用い、明視野
にしてボール5aを暗く映し出し検査する。即ち、垂直
用照明38をオンとし、リング状照明手段60をオフに
する。また電動絞り50、51は小さめにする。電動絞
り50を絞って開口径を小さくすると、垂直照明38の
光は平行になり、試料6に垂直に照射される。また電動
絞り50を開いて開口径を大きくすると、垂直照明38
の光は試料6に斜めに照射される。即ち、電動絞り50
の開口径を変えることにより、試料6の映り具合が変わ
る。垂直用照明38の光は、前記したように拡散板3
7、電動絞り52、照明用レンズ群36、ハーフプリズ
ム35、対物レンズ群24を通って図7に示すようにボ
ール部5aに垂直に照射される。ボール部5aの周辺の
パッド2は、一般に蒸着アルミであり、垂直照明38を
用いて明視野で検査する場合には、その表面状態からの
乱反射が多く、またボール部5aの表面はAu鏡面状態
で、その形状からも乱反射が少ない。これにより、ボー
ル部5aはその周辺より暗く(黒く)映し出され、ボー
ル部5aの形状が対物レンズ群24、ハーフプリズム3
5、電動絞り51、ハーフプリズム39、電動絞り5
2、高倍率用結像レンズ群42及びミラー43を通って
高倍用カメラ44に鮮明に映し出される。ボール5a形
状の検査には、一般に用いられている画像処理技法で黒
い塊を探し出し、その面積、重心位置の割り出し及び半
径の測定を行う。
【0024】上記実施例は垂直照明38を用いた位置に
してボール5aを暗く映し出し、また電動絞り51の開
口径を大きくして深焦点深度にして検査を行った。この
ため、図8に示すようにワイヤ5Aの存在する部分及び
パッド2のエッジが図9(a)に示すように暗く映し出
され、正しいボール径を検出できない。また図9(b)
に示すようにワイヤ影95が映し出されたり、更に図9
(c)に示すようにパッド2からはずれたボール5a部
分の欠け96が映し出されない。
【0025】次にボール5aのみを正しく映し出す方法
について説明する。垂直照明38及びリング状照明手段
60の高照射角度リング状照明器63をオフとし、低照
射角度リング状照明器65のみをオンとする。即ち、暗
視野にしてボール5aを明るく映し出し検査する。また
電動絞り51の開口径を大きくし、浅焦点深度を用い
る。
【0026】図10に示すように、低照射角度リング状
照明器65で約5〜15度の角度よりボール5aを照明
すると、半導体チップ1上はほぼ鏡面状態のため直接反
射光しかなく、半導体チップ1表面の反射光は対物レン
ズ群24に入光しなく暗く映し出される。しかし、ボー
ル5a部分で直接反射光は多く対物レンズ群24に入光
するので、ボール5a部分は明るく映し出される。また
電動絞り51の開口径を大きくして浅焦点深度とし、Z
駆動用モータ29を駆動して焦点距離を半導体チップ1
表面に合わせることで、ワイヤ5Aからの反射光が少な
いために図11に示すようにワイヤ5Aは結像しなく、
ボール5aのみが明るく映し出される。即ち、ボール5
aに対し暗視野照明を与えることにより、半導体チップ
1表面より突出しているボール5a以外のパッド2、パ
ターン等の全てを暗くすることができるので、ボール5
aだけが明るく映し出される。また電動絞り51の開口
径を大きくして浅焦点深度で結像させることにより、ボ
ール5a上にあるワイヤ5Aの影を消すことができる。
また低照射角度リング状照明器65のLEDによる単色
光で照明するため、焦点深度を10〜20μm程度まで
浅くすることができる。このボール5a形状を画像処理
によって検査する。これにより、ボール径が正しく検査
できる。またボール5aの剥がれ、浮き等の検出は従来
不可能とされていたが、このような不良状態はボール5
aのエッジがぼけて映し出されるため、簡単に見つけ出
すことができる。
【0027】次にクレセント5bの検査について説明す
る。この場合は、XYテーブル22を駆動して対物レン
ズ群24の中心を位置修正したクレセント5bの位置に
一致させる。そして、クレセント5bの検査はボール5
aの検査と同様に明視野、即ち垂直用照明38をオンに
して行うが、半導体チップ1側に比べてリード4表面で
は凹凸が大きく、クレセント5b以外も暗く映ってしま
うため、電動絞り50を大きくして図12に示すように
垂直用照明38の照射角度も入れる。また必要に応じて
リング状照明手段60の高照射角度リング状照明器63
をオンとし、低照射角度リング状照明器65はオフとす
る。垂直照明手段30の電球34による垂直照明で照明
した場合、クレセント5bはリード4より乱反射が少な
いので、クレセント5bは暗く映し出される。しかし、
リード4には凹凸があるので、垂直用照明38ではリー
ド4の明るさにむらが発生する。そこで、リング状照明
手段60の高照射角度リング状照明器63で約30〜5
5度の方向よりクレセント5bを照明すると、前記した
垂直照明によるリード4の明るさのむらがなくなる。
【0028】しかしながら、矢印A方向(検査するクレ
セントがボンデイングされたリード4側)からの高照射
角度リング状照明器63による照明は、クレセント5b
の一部を明るくしてしまい、正しいクレセント5b形状
が映し出されない。そこで、矢印A方向からのLED6
2のみをオフ、即ち図4に示すLED群62Aをオフと
する。これは、図5に示す照明切り換え回路において、
シフトレジスタ群85の各シフトレジスタをクロック信
号88で順次切り換え、その度にハイ(オン)又はロウ
(オフ)の入力信号87を入れ、シフトレジスタ群85
に入力されたハイ入力信号87のシフトレジスタ群85
をラッチ用レジスタ群84に入れてロード信号86を入
力することにより、矢印A方向のLED群62Aをオフ
とすることができる。この操作は、検査測定する検査対
象によってどのLED62をオフとするかは、予め図示
しない制御回路にプログラムしておく。これにより、ク
レセント5bが前記ボール5a検査時と同様に、対物レ
ンズ群24、ハーフプリズム35、電動絞り51、ハー
フプリズム39、電動絞り52、高倍率用結像レンズ群
42、ミラー43を通って高倍用カメラ44に鮮明に映
し出される。
【0029】最後にワイヤ5Aの存在、直線性また高さ
検査について説明する。前記のようにボール5a及びク
レセント5bが確認された後にワイヤ5Aの存在、直線
性の検査が行われる。この検査は、ボール5aとクレセ
ント5b間に存在する明るい線を画像処理部90で処理
して行う。また垂直用照明38及びリング状照明手段6
0の高照射角度リング状照明器63をオフとし、低照射
角度リング状照明器65のみをオンとし電動絞り51を
小さめにして行う。垂直用照明38をオンとすると、ワ
イヤ5Aよりもその周辺(半導体チップ1、リード4、
ペースト7)の反射光が低倍用カメラ41に入り、周辺
が明るくなり、ワイヤ5Aが明るく見えなくなる。これ
は、ワイヤ5表面がAu鏡面状態のためである。ワイヤ
5周辺には明るい所、暗い所などさまざまなので、ワイ
ヤ5を検査する場合は、この周辺を全て暗くし、ワイヤ
5のみを明るくすることが検査精度を高めるためにも必
要である。また高照射角度リング状照明器63のLED
62の入射角は約45度と大きいので、やはりワイヤ5
A以外の反射光が多くなる。ワイヤ5Aのみを明るく映
し出すためには、実験の結果、約5〜15度の入射角の
照明が最適であった。このように入射角が小さいと、ワ
イヤ5A以外での直接反射光は非常に少なくなる。
【0030】しかしながら、低角度の低照射角度リング
状照明器65のLED64でワイヤ5Aを照らした場
合、ペースト7でワイヤ5Aの一部が見えなくなる。そ
こで、矢印A方向(検査するワイヤ5Aがボンデイング
されたリード4側)のLED群64Aを前記したクレセ
ント5bの検査方法で説明したと同様な操作によって消
すと、ワイヤ5Aが低倍用カメラ41によって鮮明に映
し出される。画像処理部90では、前記のように既にボ
ール5a、クレセント5bの位置は判っているため、そ
の位置から明るい線を追跡してワイヤ5Aの存在と直線
性を検査する。
【0031】次にワイヤ5Aの高さを検査する。電動絞
り51を開き低倍用カメラ41で検査される。電動絞り
51を開くと、焦点深度が浅くなるため、対物レンズ群
24の焦点が半導体チップ1に合っている場合には対物
レンズ群24よりハーフプリズム35、電動絞り51、
ハーフプリズム39及び低倍率用結像レンズ群40を通
して低倍用カメラ41に取り入れられて画像処理部90
で画像処理されたワイヤ5Aの画像は図13のようにな
る。また対物レンズ群24の焦点をリード4に合わせる
と、ワイヤ5Aの画像は図14のようななる。即ち、ワ
イヤ5Aはぼけて幅が変化する。そこで、前記した検査
によって確認したボール5aとクレセント5bを結ぶ線
5c(ワイヤの存在)に直角な幅、即ちぼけ幅(B1
2 、B3 ・・・)をメインコントローラ93で測定す
る。実験の結果、ぼけ幅とワイヤ5Aの高さとには、数
1で示すような一定の関係がある。
【数1】 求める高さ=K×(高さを求める点のぼけ
幅−ワイヤ幅) ここで、求める高さとは、現在のZ駆動用モータ29の
回転位置から算出される対物レンズ群24の焦点位置か
らのものである。また数1でKは比例定数である。
【0032】そこで、ぼけ幅をメインコントローラ93
で測定することにより、容易にワイヤ5Aの任意の点の
高さが測定できる。しかし、ぼけ幅が大きくなると、ぼ
け画像とその周囲との明暗の差が小さくなり、認識する
ことが困難になることがある。この時は、Z駆動用モー
タ29を駆動して対物レンズ群24の位置を現在の半導
体チップ1側よりリード4側に焦点位置を移動させるこ
とで、リード4側焦点位置を中心としたぼけ画像を取り
込む。この組み合わせによって認識精度が高くなる。と
いうのは、焦点付近の画像はコントランストが大きく、
周囲との差(ぼけ画像のエッジ)を探しやすいからであ
る。
【0033】このように、Z駆動用モータ29を駆動し
て対物レンズ群24を上下動させて焦点合わせを行うの
で、駆動部が小型化できる。また上下動させる可動物は
小さくて軽いので、試料に対するゴミ等の悪影響を与え
る可能性を小さくすることができ、また軽いものを移動
させるので、検査精度の向上が図れる。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、Z駆動用モータを駆動
して対物レンズ群を上下動させて焦点合わせを行うの
で、駆動部が小型化できる。また上下動させる可動物は
小さくて軽いので、試料に対するゴミ等の悪影響を与え
る可能性を小さくすることができ、また軽いものを移動
させるので、検査精度の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるボンデイングワイヤ検
査装置の構成を示す断面図である。
【図2】図1の対物レンズ群のZ方向駆動構造の斜視図
である。
【図3】図1のリング状照明手段の断面図である。
【図4】図3のリング状照明手段の配置説明図である。
【図5】照明切り換え回路のブロック図である。
【図6】図1のボンデイングワイヤ検査装置の制御回路
ブロック図である。
【図7】ボンデイングワイヤ検査方法の1実施例を示す
説明図である。
【図8】図7の場合における不具合を示す説明図であ
る。
【図9】(a)(b)(c)は図8の場合の映像の説明
図である。
【図10】ボンデイングワイヤ検査方法の他の実施例を
示す説明図である。
【図11】図10の方法によって検出されたボール形状
の説明図である。
【図12】クレセントの検査方法の説明図である。
【図13】ワイヤ高さの検査方法で、半導体チップに焦
点を合わせた説明図である。
【図14】ワイヤ高さの検査方法で、リードに焦点を合
わせた説明図である。
【図15】ワイヤボンデイングされた半導体装置の平面
図である。
【図16】図15の正面図である。
【図17】ボンデイングワイヤの拡大正面説明図であ
る。
【図18】図17の平面図である。
【図19】従来のボンデイングワイヤ検査装置の構成図
である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 パッド 3 リードフレーム 4 リード 5 ワイヤ 6 試料(検査対象物) 23 オプトヘッド 24 対物レンズ群 29 Z駆動用モータ 30 カム 40 低倍率用結像レンズ 41 低倍率用カメラ 42 高倍率用結像レンズ 44 高倍率用カメラ
【手続補正書】
【提出日】平成4年12月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】前記対物レンズ群24の下方には、オプト
ヘッド23に取り付けられたリング状照明手段60が配
設されている。リング状照明手段60は、図3及び図4
に示すように、照明保持板61の開口部61aの周囲に
多数個のLED62がリング状に配設して取り付けられ
た高照射角度リング状照明器63と、この高照射角度リ
ング状照明器63より大径部分(外側)に多数個のLE
D64がリング状に配設して取り付けられた低照射角度
リング状照明器65とを有する。高照射角度リング状照
明器63及び低照射角度リング状照明器65の各LED
62、64は、それぞれ垂直用照明38の光軸中心の方
向に向かっており、高照射角度リング状照明器63の水
平面に対する傾斜角は約30〜55度、低照射角度リン
グ状照明器65の水平面に対する傾斜角は約5〜15度
となっている。前記照明保持板61上には支柱66を介
して取付け板67が載置され、照明保持板61は支柱6
6に挿入されたねじ68によって取付け板67に固定さ
れている。また支柱66にはスペーサ69が挿入され、
スペーサ69と取付け板67間には遮光板70及びカバ
ー71が配設されている。なお、図3において、LED
62、64は左側及び右側のみ図示した。また図4にお
いて、LED62、64を点線で示し、一部省略して図
示した。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】なお、アライメント点2a、2b及び4
a、4bの検査時の電動絞り50、51、52の開口
、垂直照明38の強弱、Z駆動用モータ29の回転位
置(対物レンズ群24の位置)等は、設定時のものを使
用する。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】次にクレセント5bの検査について説明す
る。この場合は、XYテーブル22を駆動して対物レン
ズ群24の中心を位置修正したクレセント5bの位置に
一致させる。そして、クレセント5bの検査はボール5
aの検査と同様に明視野、即ち垂直用照明38をオンに
して行うが、半導体チップ1側に比べてリード4表面で
は凹凸が大きく、クレセント5b以外も暗く映ってしま
うため、電動絞り50を大きくして図12に示すように
垂直用照明38の照射角度も入れる。また必要に応じて
リング状照明手段60の高照射角度リング状照明器63
をオンとし、低照射角度リング状照明器65はオフとす
る。垂直用照明38で照明した場合、クレセント5bは
リード4より乱反射が少ないので、クレセント5bは暗
く映し出される。しかし、リード4には凹凸があるの
で、垂直用照明38ではリード4の明るさにむらが発生
する。そこで、リング状照明手段60の高照射角度リン
グ状照明器63で約30〜55度の方向よりクレセント
5bを照明すると、前記した垂直照明によるリード4の
明るさのむらがなくなる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年1月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】次に試料6のボール5a、クレセント5
b、ワイヤ5が検査される。今、1例としてワイヤ5A
に対するボール5a、クレセント5b及びワイヤ5Aの
検査について説明する。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正内容】
【0031】次にワイヤ5Aの高さを検査する。電動絞
り51を開き低倍用カメラ41で検査される。電動絞り
51を開くと、焦点深度が浅くなるため、対物レンズ群
24の焦点が半導体チップ1に合っている場合には対物
レンズ群24よりハーフプリズム35、電動絞り51、
ハーフプリズム39及び低倍率用結像レンズ群40を通
して低倍用カメラ41に取り入れられて画像処理部90
で画像処理されたワイヤ5Aの画像は図13のようにな
る。また対物レンズ群24の焦点をリード4に合わせる
と、ワイヤ5Aの画像は図14のようになる。即ち、ワ
イヤ5Aはぼけて幅が変化する。そこで、前記した検査
によって確認したボール5aとクレセント5bを結ぶ線
5c(ワイヤの存在)に直角な幅、即ちぼけ幅(B1
2 、B3 ・・・)をメインコントローラ93で測定す
る。実験の結果、ぼけ幅とワイヤ5Aの高さとには、数
1で示すような一定の関係がある。
【数1】 求める高さ=K×(高さを求める点のぼけ
幅−ワイヤ幅) ここで、求める高さとは、現在のZ駆動用モータ29の
回転位置から算出される対物レンズ群24の焦点位置か
らのものである。また数1でKは比例定数である。
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図13
【補正方法】変更
【補正内容】
【図13】
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図15
【補正方法】変更
【補正内容】
【図15】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップのパッドとリードフレーム
    のリードとにボンデイングされたワイヤを検査するボン
    デイングワイヤ検査装置において、検査対象物の像を取
    り込む対物レンズ群と、この対物レンズ群で取り込んだ
    像を結像する結像レンズ群と、この結像レンズ群で結像
    された像を撮像するカメラとをオプトヘッドに設け、か
    つ前記対物レンズ群をZ方向にZ駆動用モータで駆動す
    るように構成したことを特徴とするボンデイングワイヤ
    検査装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122048A (en) * 1994-08-26 2000-09-19 Pressco Technology Inc. Integral field lens illumination for video inspection
US5859924A (en) * 1996-07-12 1999-01-12 Robotic Vision Systems, Inc. Method and system for measuring object features
US5815018A (en) * 1996-07-16 1998-09-29 Systech Solutions, Inc. Pulse modulator circuit for an illuminator system
IE80676B1 (en) * 1996-08-02 1998-11-18 M V Research Limited A measurement system
US6075883A (en) * 1996-11-12 2000-06-13 Robotic Vision Systems, Inc. Method and system for imaging an object or pattern
US6040895A (en) * 1997-10-08 2000-03-21 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for controlled illumination of an object for improving identification of an object feature in an image of the object
US20010005264A1 (en) * 1999-05-05 2001-06-28 Slemon Charles S. Linked cameras and processors for imaging system
JP2002544524A (ja) 1999-05-14 2002-12-24 エムブイ・リサーチ・リミテッド マイクロビア検査システム
US20030086083A1 (en) * 2001-11-01 2003-05-08 Martin Ebert Optical metrology tool with dual camera path for simultaneous high and low magnification imaging
JP4365292B2 (ja) * 2004-09-02 2009-11-18 株式会社カイジョー ワイヤボンディングにおけるボール圧着厚の測定方法
JP2006177730A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Renesas Technology Corp 撮像検査装置および方法
US8054558B2 (en) * 2009-02-11 2011-11-08 Omniprobe, Inc. Multiple magnification optical system with single objective lens
JP5582932B2 (ja) * 2010-09-16 2014-09-03 日東電工株式会社 検査装置、および、配線回路基板の製造方法
CN111279462B (zh) * 2017-10-26 2023-07-14 株式会社新川 接合装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5030008A (en) * 1988-10-11 1991-07-09 Kla Instruments, Corporation Method and apparatus for the automated analysis of three-dimensional objects
JPH07111998B2 (ja) * 1989-08-18 1995-11-29 株式会社東芝 ワイヤボンディング検査装置

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