JPH05160150A - 有機電界スイッチング素子 - Google Patents
有機電界スイッチング素子Info
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- JPH05160150A JPH05160150A JP3324739A JP32473991A JPH05160150A JP H05160150 A JPH05160150 A JP H05160150A JP 3324739 A JP3324739 A JP 3324739A JP 32473991 A JP32473991 A JP 32473991A JP H05160150 A JPH05160150 A JP H05160150A
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- film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 固体素子化が容易な電界スイッチング素子を
得る。 【構成】 酸化還元電位の異なる分子膜１３ａ，１３ｂ
のヘテロ接合を利用し、この膜のヘテロ接合面に垂直方
向に、ヘテロ接合膜１３に電界を印加できるように、導
電性の上部電極１７および絶縁膜１４，１２をはさんだ
導電性の下部電極１１（電界印加電極と略す）を形成
し、また、ヘテロ接合面に沿った方向にはこの方向の流
れる電流を検出するためのソース電極１５、ドレイン電
極１６（電流検出電極と略す）を形成し、電界印加電極
に電圧を印加することにより、ヘテロ接合膜内に下部電
極１１あるいはソース電極１４側からキャリア（正孔・
電子）が注入でき、電流検出電極間の電流を制御できる
ように構成する。 【効果】 固体素子の一般的なキャリアである電子ある
いは正孔であるので、イオンに比べて動作速度が速い有
機電界スイッチング素子が得られる。
得る。 【構成】 酸化還元電位の異なる分子膜１３ａ，１３ｂ
のヘテロ接合を利用し、この膜のヘテロ接合面に垂直方
向に、ヘテロ接合膜１３に電界を印加できるように、導
電性の上部電極１７および絶縁膜１４，１２をはさんだ
導電性の下部電極１１（電界印加電極と略す）を形成
し、また、ヘテロ接合面に沿った方向にはこの方向の流
れる電流を検出するためのソース電極１５、ドレイン電
極１６（電流検出電極と略す）を形成し、電界印加電極
に電圧を印加することにより、ヘテロ接合膜内に下部電
極１１あるいはソース電極１４側からキャリア（正孔・
電子）が注入でき、電流検出電極間の電流を制御できる
ように構成する。 【効果】 固体素子の一般的なキャリアである電子ある
いは正孔であるので、イオンに比べて動作速度が速い有
機電界スイッチング素子が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電界によりスイッチ
ングできる素子に関し、特に固体素子化が容易で、しか
も多入力／１出力性という神経情報処理的機能を示す有
機電界スイッチング素子に関するものである。
ングできる素子に関し、特に固体素子化が容易で、しか
も多入力／１出力性という神経情報処理的機能を示す有
機電界スイッチング素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機膜に対し、ガスやイオンなどのドー
ピングによりソース電極およびドレイン電極間の導電性
を変化させてスイッチングを行わせる素子としては、導
電性高分子材料を用いた電界効果型トランジスタがあ
る。この場合、ドーピングは水溶液中や固体電解質を用
いて電気化学的に行うか、あるいは、酸化性のガス雰囲
気化でガス拡散によってドーピングする方法が一般的に
行われている。そして、導電性高分子材料では、このド
ーパントの量が数パーセント変化すると導電性がけた違
いに変わるので、このドーパントの量を電界により制御
することにより電界スイッチング素子が実現できる。
ピングによりソース電極およびドレイン電極間の導電性
を変化させてスイッチングを行わせる素子としては、導
電性高分子材料を用いた電界効果型トランジスタがあ
る。この場合、ドーピングは水溶液中や固体電解質を用
いて電気化学的に行うか、あるいは、酸化性のガス雰囲
気化でガス拡散によってドーピングする方法が一般的に
行われている。そして、導電性高分子材料では、このド
ーパントの量が数パーセント変化すると導電性がけた違
いに変わるので、このドーパントの量を電界により制御
することにより電界スイッチング素子が実現できる。
【０００３】図３は例えばエリザベス・ダブリュ・ポー
ル（ＥｌｉｚａｂｅｔｈＷ．Ｐｏｕｌ）、アントニオ・
ジェイ・リコー（Ａｎｔｏｎｉｏ Ｊ．Ｒｉｃｃｏ）及
びマーク・エスライトン（Ｍａｒｋ Ｓ．Ｗｒｉｇｈｔ
ｏｎ）らがジャーナル オブ フィジカル ケミストリ
ー（Ｊ．Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ），ｖ
ｏｌ．８９，ｐ．１４４１（１９８５）で報告した導電
性高分子材料へのキャリヤの電界注入を利用した従来の
有機電界スイッチング素子を示す構成図である。図にお
いて、１は導電性構成材料であるポリアニリン膜、２は
ソース電極、３はドレイン電極、４は硫酸水素ナトリウ
ム電解質溶液、５はある電解質溶液を内部に含み、電解
質溶液４中に浸漬された参照電極である。
ル（ＥｌｉｚａｂｅｔｈＷ．Ｐｏｕｌ）、アントニオ・
ジェイ・リコー（Ａｎｔｏｎｉｏ Ｊ．Ｒｉｃｃｏ）及
びマーク・エスライトン（Ｍａｒｋ Ｓ．Ｗｒｉｇｈｔ
ｏｎ）らがジャーナル オブ フィジカル ケミストリ
ー（Ｊ．Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ），ｖ
ｏｌ．８９，ｐ．１４４１（１９８５）で報告した導電
性高分子材料へのキャリヤの電界注入を利用した従来の
有機電界スイッチング素子を示す構成図である。図にお
いて、１は導電性構成材料であるポリアニリン膜、２は
ソース電極、３はドレイン電極、４は硫酸水素ナトリウ
ム電解質溶液、５はある電解質溶液を内部に含み、電解
質溶液４中に浸漬された参照電極である。
【０００４】次に動作について説明する。正のゲート電
極（０〜０．３Ｖ）を参照電極５および硫酸水素ナトリ
ウム電解質溶液４を介してポリアニリン膜１に印加する
と、ポリアニリン膜１が電気化学的に酸化され導電性が
変化し、そのときにソース電極２およびドレイン電極３
間の電圧をゆっくり掃引すると（０〜２００ｍＶ，１０
ｍＶ／ｓｅｃ）、これらの電極間に流れるドレイン電流
とゲート電圧間には電界効果型トランジスタのような特
性が得られる。
極（０〜０．３Ｖ）を参照電極５および硫酸水素ナトリ
ウム電解質溶液４を介してポリアニリン膜１に印加する
と、ポリアニリン膜１が電気化学的に酸化され導電性が
変化し、そのときにソース電極２およびドレイン電極３
間の電圧をゆっくり掃引すると（０〜２００ｍＶ，１０
ｍＶ／ｓｅｃ）、これらの電極間に流れるドレイン電流
とゲート電圧間には電界効果型トランジスタのような特
性が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の有機電界スイッ
チング素子は上記のように構成されているので、電気化
学的に導電性高分子材料を酸化還元することでキャリヤ
のドーピングを行い、その導電性の変化を利用してスイ
ッチングを行おうとした場合、電解質溶液や電解質溶液
を内部に含んだ参照電極を使用しなければならず、この
素子を固体素子化するのは困難であり、また、参照電極
は電解質溶液全体に同じ電位を与えてしまうので、複数
の参照電極を用いて導電性高分子材料の所定の複数の場
所のみに選択的にドーピングすることが困難で、多入力
を一出力に変換できないという問題点があった。
チング素子は上記のように構成されているので、電気化
学的に導電性高分子材料を酸化還元することでキャリヤ
のドーピングを行い、その導電性の変化を利用してスイ
ッチングを行おうとした場合、電解質溶液や電解質溶液
を内部に含んだ参照電極を使用しなければならず、この
素子を固体素子化するのは困難であり、また、参照電極
は電解質溶液全体に同じ電位を与えてしまうので、複数
の参照電極を用いて導電性高分子材料の所定の複数の場
所のみに選択的にドーピングすることが困難で、多入力
を一出力に変換できないという問題点があった。
【０００６】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、有機膜へのキャリヤのドーピング
が電解質溶液を用いないでできるため固体素子化が可能
になるとともに、入力電極を複数形成することにより、
局所的にドーピングができることにより、多入力／１出
力性という神経情報処理的機能を示す有機電界スイッチ
ング素子を提供することを目的とする。
めになされたもので、有機膜へのキャリヤのドーピング
が電解質溶液を用いないでできるため固体素子化が可能
になるとともに、入力電極を複数形成することにより、
局所的にドーピングができることにより、多入力／１出
力性という神経情報処理的機能を示す有機電界スイッチ
ング素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる有機電
界スイッチング素子は、下部電極と、この下部電極の上
に部分的に形成された第１の絶縁膜と、この第１の絶縁
膜の上に形成され、酸化還元電位の異なる複数の分子膜
から成るヘテロ接合膜と、このヘテロ接合膜の上に形成
された第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜を貫通して上
記ヘテロ接合膜の上に形成されたソース電極及びドレイ
ン電極と、上記第２の絶縁膜の上に形成された上部電極
とを備えたものである。
界スイッチング素子は、下部電極と、この下部電極の上
に部分的に形成された第１の絶縁膜と、この第１の絶縁
膜の上に形成され、酸化還元電位の異なる複数の分子膜
から成るヘテロ接合膜と、このヘテロ接合膜の上に形成
された第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜を貫通して上
記ヘテロ接合膜の上に形成されたソース電極及びドレイ
ン電極と、上記第２の絶縁膜の上に形成された上部電極
とを備えたものである。
【０００８】また、上部電極を複数個設けたものであ
る。
る。
【０００９】
【作用】この発明においては、酸化還元電位の違う複数
の分子膜から成るヘテロ接合膜の接合面に対して垂直方
向に絶縁膜を介して下部電極および上部電極を配置し、
これらの電極間に電圧を印加することにより、下部電極
あるいはソース電極側からヘテロ接合膜内にキャリヤ
（電子あるいは正孔）をドーピングするようにする。こ
れにより、キャリヤのドーピング速度が速く、また、ド
ーパントが電解質溶液を必要とするイオンではなく、固
体素子の一般的なキャリヤである電子あるいは正孔であ
るので、イオンに比べて動作速度が速く、しかも固体素
子として動作できる有機電界スイッチング素子ができ
る。この素子はシリコンなどの半導体上に容易に形成で
きることから多層構造により、素子の集積度を飛躍的に
増加させることができる。
の分子膜から成るヘテロ接合膜の接合面に対して垂直方
向に絶縁膜を介して下部電極および上部電極を配置し、
これらの電極間に電圧を印加することにより、下部電極
あるいはソース電極側からヘテロ接合膜内にキャリヤ
（電子あるいは正孔）をドーピングするようにする。こ
れにより、キャリヤのドーピング速度が速く、また、ド
ーパントが電解質溶液を必要とするイオンではなく、固
体素子の一般的なキャリヤである電子あるいは正孔であ
るので、イオンに比べて動作速度が速く、しかも固体素
子として動作できる有機電界スイッチング素子ができ
る。この素子はシリコンなどの半導体上に容易に形成で
きることから多層構造により、素子の集積度を飛躍的に
増加させることができる。
【００１０】また、上部電極を複数個配置する。これに
より、各上部電極に夫々印加される複数の入力信号でソ
ース電極及びドレイン電極間の導電性を制御することに
より、複数の入力信号を一つの出力信号に変換するとい
う神経情報処理（ニューラルネットワーク）に不可欠な
多入力／１出力機能を持たせることもできる。
より、各上部電極に夫々印加される複数の入力信号でソ
ース電極及びドレイン電極間の導電性を制御することに
より、複数の入力信号を一つの出力信号に変換するとい
う神経情報処理（ニューラルネットワーク）に不可欠な
多入力／１出力機能を持たせることもできる。
【００１１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はこの発明の一実施例を示すもの
で、図１（ａ）はその断面図、図１（ｂ）は上面図であ
る。図において、１１は金属などの導電性材料で形成さ
れた下部電極、１２は下部電極１の上に部分的に設けら
れた第１の絶縁膜、１３は下部電極１１および絶縁層１
２上に形成された酸化還元電位の異なる分子膜の接合を
持つヘテロ接合膜で、このヘテロ接合膜１３はある酸化
還元電位を持つ分子膜１３ａと、この分子膜１３ａと異
なる酸化還元電位を持つ分子膜１３ｂとから成る。１４
はヘテロ接合膜１３上に形成された第２の絶縁膜、１５
は絶縁膜１４を一部貫通してヘテロ接合膜１３上に設け
られた金属などの導電性材料で形成されたソース電極、
１６は絶縁膜１４を一部貫通してヘテロ接合膜１３上に
設けられた金属などの導電性材料で形成されたドレイン
電極、１７は絶縁膜１４上に形成された金属などの導電
性材料で形成された上部電極である。
ついて説明する。図１はこの発明の一実施例を示すもの
で、図１（ａ）はその断面図、図１（ｂ）は上面図であ
る。図において、１１は金属などの導電性材料で形成さ
れた下部電極、１２は下部電極１の上に部分的に設けら
れた第１の絶縁膜、１３は下部電極１１および絶縁層１
２上に形成された酸化還元電位の異なる分子膜の接合を
持つヘテロ接合膜で、このヘテロ接合膜１３はある酸化
還元電位を持つ分子膜１３ａと、この分子膜１３ａと異
なる酸化還元電位を持つ分子膜１３ｂとから成る。１４
はヘテロ接合膜１３上に形成された第２の絶縁膜、１５
は絶縁膜１４を一部貫通してヘテロ接合膜１３上に設け
られた金属などの導電性材料で形成されたソース電極、
１６は絶縁膜１４を一部貫通してヘテロ接合膜１３上に
設けられた金属などの導電性材料で形成されたドレイン
電極、１７は絶縁膜１４上に形成された金属などの導電
性材料で形成された上部電極である。
【００１２】次に、その製造方法について説明する。ま
ず、真空蒸着法により、基板（図示せず）上に下部電極
１１として例えばアルミニウム蒸着膜を５０〜１００ｎ
ｍ程度形成し、その上に絶縁膜１２として例えばＳｉＯ
2 膜を真空蒸着やスパッタ蒸着法で５０〜１００ｎｍ程
度形成した後半導体の微細加工技術を利用して部分的な
パターニングを行う。その上に、酸化還元電位を持つ分
子膜１３ａとして例えばヘマトポルフィリンＩＸ−ビス
（トリデカノイルエーテル）ルテニウムジフォス．フィ
ン鎖体臭素塩（ｈｅｍａｔｏｐｏｒｐｈｙｒｉｎ（Ｉ
Ｘ）−ｂｉｓ（ｔｒｉｄｅｃａｎｏｙｌｅｔｈｅｒ）Ｒ
ｕ（Ｐ（ＯＣＨ3）3）2 Ｂｒ：ＲｕＨＰ（ＰＨ）2 と略
す）を９層ラングミュアープロジェツト（Ｌａｎｇｍｕ
ｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ：ＬＢ）法で積層し、その上に
分子膜１３ａと異なる酸化還元電位を持つ分子膜１３ｂ
として例えば７，８ージメチルー３，１０ージノニルイ
ソアロキサジン（７，８−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−３，１０
−ｄｉｎｏｎｙｌ ｉｓｏａｌｌｏｘｉａｚｉｎｅ：Ｄ
ＮＩと略す）をＬＢ法で１０層積層してヘテロ接合膜１
３を形成する。この上に例えばアラキジン酸やステアリ
ン酸などの長鎖脂肪酸でできた絶縁膜１４をＬＢ法で数
１０層形成する。そして、この絶縁膜１４を部分的にエ
ッチングし、例えばアルミニウムの蒸着膜で絶縁膜１４
を貫通して分子膜１３ｂに接触するソース電極１５及び
ドレイン電極１６を形成すると共に上部電極１７を絶縁
膜１４上に形成する。
ず、真空蒸着法により、基板（図示せず）上に下部電極
１１として例えばアルミニウム蒸着膜を５０〜１００ｎ
ｍ程度形成し、その上に絶縁膜１２として例えばＳｉＯ
2 膜を真空蒸着やスパッタ蒸着法で５０〜１００ｎｍ程
度形成した後半導体の微細加工技術を利用して部分的な
パターニングを行う。その上に、酸化還元電位を持つ分
子膜１３ａとして例えばヘマトポルフィリンＩＸ−ビス
（トリデカノイルエーテル）ルテニウムジフォス．フィ
ン鎖体臭素塩（ｈｅｍａｔｏｐｏｒｐｈｙｒｉｎ（Ｉ
Ｘ）−ｂｉｓ（ｔｒｉｄｅｃａｎｏｙｌｅｔｈｅｒ）Ｒ
ｕ（Ｐ（ＯＣＨ3）3）2 Ｂｒ：ＲｕＨＰ（ＰＨ）2 と略
す）を９層ラングミュアープロジェツト（Ｌａｎｇｍｕ
ｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ：ＬＢ）法で積層し、その上に
分子膜１３ａと異なる酸化還元電位を持つ分子膜１３ｂ
として例えば７，８ージメチルー３，１０ージノニルイ
ソアロキサジン（７，８−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−３，１０
−ｄｉｎｏｎｙｌ ｉｓｏａｌｌｏｘｉａｚｉｎｅ：Ｄ
ＮＩと略す）をＬＢ法で１０層積層してヘテロ接合膜１
３を形成する。この上に例えばアラキジン酸やステアリ
ン酸などの長鎖脂肪酸でできた絶縁膜１４をＬＢ法で数
１０層形成する。そして、この絶縁膜１４を部分的にエ
ッチングし、例えばアルミニウムの蒸着膜で絶縁膜１４
を貫通して分子膜１３ｂに接触するソース電極１５及び
ドレイン電極１６を形成すると共に上部電極１７を絶縁
膜１４上に形成する。
【００１３】次に動作について説明する。上部電極１７
および下部電極１１間に電圧を印加しない状態でソース
電極１５およびドレイン電極１６間に電圧を印加する
と、ヘテロ接合膜１３内にはキャリアが少なく、ほぼ絶
縁膜１２，１４と同じレベルのリーク電流が観測され
る。次に上部電極１７および下部電極１１間に電圧を印
加した状態でソース電極１５およびドレイン電極１６間
に電圧を印加すると、下部電極１１あるいはソース電極
１５側からキャリアがドーピングされ、そのキャリアが
ヘテロ接合膜１３の接合面付近に蓄積し、その結果、キ
ャリアの数が多くなるのでソース電極１５およびドレイ
ン電極１６間の導電率が良くなり、ソース電極１５およ
びドレイン電極１６間に流れる電流が増加する。このキ
ャリア数は上部電極１７および下部電極１１間に印加さ
れる電圧すなわち電界強度に依存するので、この印加電
圧によりソース電極１５およびドレイン電極１６間の電
流値を制御することができる。
および下部電極１１間に電圧を印加しない状態でソース
電極１５およびドレイン電極１６間に電圧を印加する
と、ヘテロ接合膜１３内にはキャリアが少なく、ほぼ絶
縁膜１２，１４と同じレベルのリーク電流が観測され
る。次に上部電極１７および下部電極１１間に電圧を印
加した状態でソース電極１５およびドレイン電極１６間
に電圧を印加すると、下部電極１１あるいはソース電極
１５側からキャリアがドーピングされ、そのキャリアが
ヘテロ接合膜１３の接合面付近に蓄積し、その結果、キ
ャリアの数が多くなるのでソース電極１５およびドレイ
ン電極１６間の導電率が良くなり、ソース電極１５およ
びドレイン電極１６間に流れる電流が増加する。このキ
ャリア数は上部電極１７および下部電極１１間に印加さ
れる電圧すなわち電界強度に依存するので、この印加電
圧によりソース電極１５およびドレイン電極１６間の電
流値を制御することができる。
【００１４】実施例２．図２はこの発明の他の実施例を
示す上面図である。本実施例では上部電極がソース電
極、ドレイン電極に対して並列に複数個配列される。す
なわち、図２において、１７ａ〜１７ｄはソース電極１
５およびドレイン電極１６間に配置された複数の上部電
極である。複数の入力信号を電圧として夫々上部電極１
７ａ〜１７ｄに印加すると、これらの複数の入力電圧の
和に応じた電流がソース電極１５およびドレイン電極１
６間に流れ、複数の入力信号（電圧）を一つの出力信号
（電流）に変換できるニューラルネットワークの一つの
重要な構成要素である多入力／１出力性機能が得られ
る。また、ソース電極１５およびドレイン電極１６間の
距離、各上部電極１７ａ〜１７ｄ間の距離をサブミクロ
ン領域まで縮小すると、上部電極１７ａ〜１７ｄと下部
電極１１に電圧が印加される場合にキャリアが上部電極
１７ａ〜１７ｄの下のヘテロ接合膜１３にドーピングさ
れるようになるが、時間とともにキャリアがドーピング
される領域が上部電極１７ａ〜１７ｄの下部のヘテロ接
合膜１３の部分からしみだしにより広がることにより、
時間とともに多入力／１出力性変換特性が非線形な特性
に変化し、ニューラルネットワークの要素機能である学
習機能も得られる。
示す上面図である。本実施例では上部電極がソース電
極、ドレイン電極に対して並列に複数個配列される。す
なわち、図２において、１７ａ〜１７ｄはソース電極１
５およびドレイン電極１６間に配置された複数の上部電
極である。複数の入力信号を電圧として夫々上部電極１
７ａ〜１７ｄに印加すると、これらの複数の入力電圧の
和に応じた電流がソース電極１５およびドレイン電極１
６間に流れ、複数の入力信号（電圧）を一つの出力信号
（電流）に変換できるニューラルネットワークの一つの
重要な構成要素である多入力／１出力性機能が得られ
る。また、ソース電極１５およびドレイン電極１６間の
距離、各上部電極１７ａ〜１７ｄ間の距離をサブミクロ
ン領域まで縮小すると、上部電極１７ａ〜１７ｄと下部
電極１１に電圧が印加される場合にキャリアが上部電極
１７ａ〜１７ｄの下のヘテロ接合膜１３にドーピングさ
れるようになるが、時間とともにキャリアがドーピング
される領域が上部電極１７ａ〜１７ｄの下部のヘテロ接
合膜１３の部分からしみだしにより広がることにより、
時間とともに多入力／１出力性変換特性が非線形な特性
に変化し、ニューラルネットワークの要素機能である学
習機能も得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、下部
電極と、この下部電極の上に部分的に形成された第１の
絶縁膜と、この第１の絶縁膜の上に形成され、酸化還元
電位の異なる複数の分子膜から成るヘテロ接合膜と、こ
のヘテロ接合膜の上に形成された第２の絶縁膜と、この
第２の絶縁膜を貫通して上記ヘテロ接合膜の上に形成さ
れたソース電極及びドレイン電極と、上記第２の絶縁膜
の上に形成された上部電極とを備えたので、キャリアの
ドーピング速度が速く、また、ドーパントが電解質溶液
を必要とするイオンではなく、固体素子の一般的なキャ
リアである電子あるいは正孔であるため、イオンに比べ
て動作速度が速く、しかも固体素子として動作できる有
機電界スイッチング素子が得られ、この素子はシリコン
などの半導体上に容易に形成できることから多層構造に
より、素子の集積度を飛躍的に増加させることができる
という効果を奏する。
電極と、この下部電極の上に部分的に形成された第１の
絶縁膜と、この第１の絶縁膜の上に形成され、酸化還元
電位の異なる複数の分子膜から成るヘテロ接合膜と、こ
のヘテロ接合膜の上に形成された第２の絶縁膜と、この
第２の絶縁膜を貫通して上記ヘテロ接合膜の上に形成さ
れたソース電極及びドレイン電極と、上記第２の絶縁膜
の上に形成された上部電極とを備えたので、キャリアの
ドーピング速度が速く、また、ドーパントが電解質溶液
を必要とするイオンではなく、固体素子の一般的なキャ
リアである電子あるいは正孔であるため、イオンに比べ
て動作速度が速く、しかも固体素子として動作できる有
機電界スイッチング素子が得られ、この素子はシリコン
などの半導体上に容易に形成できることから多層構造に
より、素子の集積度を飛躍的に増加させることができる
という効果を奏する。
【００１６】また、上部電極を複数個配置したので、複
数の入力信号を一つの出力信号に変換するという神経情
報処理（ニューラルネットワーク）に不可欠な多入力／
１出力機能を得ることができると共に、ニューラルネッ
トワークの要素機能である学習機能も得られという効果
を奏する。
数の入力信号を一つの出力信号に変換するという神経情
報処理（ニューラルネットワーク）に不可欠な多入力／
１出力機能を得ることができると共に、ニューラルネッ
トワークの要素機能である学習機能も得られという効果
を奏する。
【図１】この発明による有機電界スイッチング素子の一
実施例を示す断面図及び上面図である。
実施例を示す断面図及び上面図である。
【図２】この発明による有機電界スイッチング素子の他
の実施例を示す上面図である。
の実施例を示す上面図である。
【図３】従来の有機電界スイッチング素子を示す断面構
造図である。
造図である。
１１ 下部電極 １２，１４ 絶縁膜 １３ ヘテロ接合膜 １３ａ，１３ｂ 分子膜 １５ ソース電極 １６ ドレイン電極 １７，１７ａ〜１７ｄ 上部電極
フロントページの続き (72)発明者 西川 智志 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 下部電極と、 この下部電極の上に部分的に形成された第１の絶縁膜
と、 この第１の絶縁膜の上に形成され、酸化還元電位の異な
る複数の分子膜から成るヘテロ接合膜と、 このヘテロ接合膜の上に形成された第２の絶縁膜と、 この第２の絶縁膜を貫通して上記ヘテロ接合膜の上に形
成されたソース電極及びドレイン電極と、 上記第２の絶縁膜の上に形成された上部電極とを備えた
ことを特徴とする有機電界スイッチング素子。 - 【請求項２】 上部電極を複数個設けた請求項１記載の
有機電界スイッチング素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3324739A JP3014519B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 有機電界スイッチング素子 |
| US07/963,139 US5349203A (en) | 1991-12-09 | 1992-10-19 | Organic electric-field switching device |
| DE69216061T DE69216061T2 (de) | 1991-12-09 | 1992-10-20 | Organische Feldeffekt-Schaltanordnung |
| EP92309581A EP0546665B1 (en) | 1991-12-09 | 1992-10-20 | Organic electric-field switching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3324739A JP3014519B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 有機電界スイッチング素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160150A true JPH05160150A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3014519B2 JP3014519B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=18169150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3324739A Expired - Fee Related JP3014519B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 有機電界スイッチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014519B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056871A (ja) * | 2002-07-22 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 能動素子並びにそれを有するｅｌ表示素子、液晶表示素子及び演算素子 |
| JP2006100632A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機半導体装置 |
| JP2007027326A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Niigata Univ | 有機電界効果トランジスタ |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP3324739A patent/JP3014519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056871A (ja) * | 2002-07-22 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 能動素子並びにそれを有するｅｌ表示素子、液晶表示素子及び演算素子 |
| JP2006100632A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機半導体装置 |
| JP2007027326A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Niigata Univ | 有機電界効果トランジスタ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3014519B2 (ja) | 2000-02-28 |
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