JPH05156933A - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents

内燃機関の排気浄化装置

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JPH05156933A
JPH05156933A JP3317895A JP31789591A JPH05156933A JP H05156933 A JPH05156933 A JP H05156933A JP 3317895 A JP3317895 A JP 3317895A JP 31789591 A JP31789591 A JP 31789591A JP H05156933 A JPH05156933 A JP H05156933A
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temperature
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桂二 河本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低排温運転状態でのSOF(重質のHC)の
低減効果と、低排温状態から加速状態に移行した場合の
SOFの離脱による白煙発生防止との双方を達成する。 【構成】 吸着能力の高い第1触媒7を排気通路の上流
側に、吸着能力の低い第2触媒9を同下流側にそれぞれ
配置し、低排温状態では上流側の第1触媒7に排気を通
過させることによって、ミスト状のSOFを効率よく吸
着することができる。低排温から高排温へ移行する加速
時には、まず上流側の第1触媒7をバイパスする第1触
媒バイパス通路15に排気を流して下流側の第2触媒9
に排気を通過させることで、第2触媒9を触媒活性化温
度まで高め、その後上流側の第1触媒7にも排気を流す
ことで第1触媒7に吸着していたSOFを徐々に蒸発,
離脱させ、下流側の第2触媒9でこの蒸発,離脱したS
OFを酸化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、機関に接続される排
気通路に、排気中に含まれる排気微粒子を酸化除去する
触媒が設けられた内燃機関の排気浄化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の内燃機関の排気浄化装置、特にデ
ィーゼル機関の排気浄化装置としては、例えばSAE9
00600に発表されているように、酸化触媒を用いた
フロースルータイプのものがある。これは、白金,パラ
ジウムなどの触媒金属を、アルミナなどを成分とするウ
ォッシュコートに含ませ、これをセラミック製または金
属製のハニカム構造の担体に担持させたものである。
【0003】このような従来装置は、触媒活性化温度を
下回る低排温状態では、排気微粒子に含まれるミスト状
のSOF(重質のHC)をウォッシュコート層に物理的
に吸着させることにより、また触媒活性化温度以上の高
排温状態では、吸着したSOFが蒸発した後の気相のS
OF及びHC,COを酸化させることにより、排気の浄
化を行うものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の排気浄化装置は、触媒がある程度のSOFの吸着
能力を備えていないと、特に市街地走行状態の大半を占
める低排温運転状態でのSOFの低減効果が充分に得ら
れない。
【0005】ところが、このような低排温運転状態での
SOFの低減効果を高めるために、SOFの吸着能力の
高い触媒を用いた場合には、SOFの大半がミスト状で
あるような低排温での運転状態が続いた後に、加速状態
に移行して排気温度が上昇し排気流量が増大すると、触
媒に吸着していたSOFの大半が蒸発した後、触媒で酸
化しきれずに離脱(ブローオフ)し、白煙を生じるとい
う問題がある。
【0006】このため、触媒のSOFの吸着能力の設定
は難しく、低排温運転状態でのSOFの低減効果と、低
排温運転状態から加速状態に移行した場合のSOFの離
脱による白煙発生防止との双方を達成するのは極めて困
難なものとなっている。
【0007】そこで、この発明は、低排温運転状態での
排気微粒子(SOF)の低減効果と、低排温運転状態か
ら加速状態に移行した場合の排気微粒子(SOF)の離
脱による白煙発生防止との双方を達成することを目的と
している。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
にこの発明は、機関本体に接続される排気通路に設けら
れ排気微粒子の吸着能力が比較的高い第1触媒と、この
第1触媒より下流側の排気通路に設けられ排気微粒子の
吸着能力が比較的低い第2触媒と、前記第1触媒の上流
側の排気通路及び、第1触媒と第2触媒との間の排気通
路相互を連通する第1触媒バイパス通路と、この第1触
媒バイパス通路及び前記第1触媒のそれぞれを通過する
排気流量を制御する第1触媒排気流量制御手段と、排気
温度を検出する排気温度検出手段と、機関の加速状態を
検出する加速状態検出手段と、前記排気温度検出手段及
び加速状態検出手段の各検出信号に応じて前記第1触媒
排気流量制御手段を制御する制御手段とを有する構成と
してある。
【0009】また、この発明は、機関本体に接続される
排気通路に設けられ排気微粒子の吸着能力が比較的高い
第1触媒と、この第1触媒より下流側の排気通路に設け
られ排気微粒子の吸着能力が比較的低い第2触媒と、前
記第1触媒の上流側の排気通路及び、第1触媒と第2触
媒との間の排気通路相互を連通する第1触媒バイパス通
路と、この第1触媒バイパス通路及び前記第1触媒のそ
れぞれを通過する排気流量を制御する第1触媒排気流量
制御手段と、前記第1触媒と第2触媒との間の排気通路
に連通し大気に開放される第2触媒バイパス通路と、こ
の第2触媒バイパス通路及び前記第2触媒のそれぞれを
通過する排気流量を制御する第2触媒排気流量制御手段
と、排気温度を検出する排気温度検出手段と、機関の加
速状態を検出する加速状態検出手段と、前記排気温度検
出手段及び加速状態検出手段の各検出信号に応じて前記
第1触媒排気流量制御手段を制御するとともに排気温度
検出手段の検出信号に応じて第2触媒排気流量制御手段
を制御する制御手段とを有する構成としてもよい。
【0010】さらに、この発明は、機関本体に接続され
る排気通路に設けられ排気微粒子の吸着能力が比較的高
い第1触媒と、この第1触媒より下流側の排気通路に設
けられ排気微粒子の吸着能力が比較的低い第2触媒と、
前記第1触媒の上流側の排気通路及び、第1触媒と第2
触媒との間の排気通路相互を連通する第1触媒バイパス
通路と、この第1触媒バイパス通路及び前記第1触媒の
それぞれを通過する排気流量を制御する第1触媒排気流
量制御手段と、前記第1触媒に付着した排気微粒子を燃
焼除去して第1触媒の再生を行う再生手段と、排気温度
を検出する排気温度検出手段と、機関の加速状態を検出
する加速状態検出手段と、前記排気温度検出手段及び加
速状態検出手段の各検出信号及び、前記再生手段の動作
状態に応じて前記第1触媒排気流量制御手段を制御する
制御手段とを有する構成としてもよい。
【0011】
【作用】このような構成の排気浄化装置によれば、排気
温度検出手段が検出する排気温度が低排温状態では、第
1触媒バイパス通路への排気の流量を減少させて第1触
媒への排気の流量を増大させるように第1触媒排気流量
制御手段を制御し、これにより排気微粒子の吸着能力が
比較的高い第1触媒によって排気微粒子が効率よく吸着
される。また、加速状態検出手段が検出する機関の加速
度合いが所定値以上となった場合には、第1触媒への排
気の流量を減少させて第1触媒バイパス通路への排気の
流量を増大させるよう第1触媒排気流量制御手段を制御
し、これにより第1触媒バイパス通路に流出した排気は
第2触媒に流入する。その後、排気温度が上昇し所定値
を超えると、第1触媒バイパス通路への排気の流量を減
少させて第1触媒への排気の流量を増大させるように第
1触媒排気流量制御手段を制御し、これにより第1触媒
に吸着していた排気微粒子は主に蒸発,離脱し、離脱し
た排気微粒子は第2触媒にて酸化除去される。
【0012】また、この発明は、排気温度検出手段が検
出する排気温度が、第2触媒の高温劣化温度より高いと
き、または第2触媒の活性化温度より低いときには、第
2触媒への排気の流量を減少させて第2触媒バイパス通
路への排気の流量を増大させるよう第2触媒排気流量制
御手段を制御する。
【0013】さらに、この発明は、再生手段が動作して
第1触媒が再生中の場合には、第1触媒への排気の流量
を減少させて第1触媒バイパス通路への排気の流量を増
大させるよう第1触媒排気流量制御手段を制御する。
【0014】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づき説明
する。
【0015】図1は、この発明の第1実施例を示す排気
浄化装置の全体構成図である。内燃機関であるディーゼ
ル機関の機関本体1には、吸気通路3及び排気通路5が
それぞれ接続されている。排気通路5には、上流側に第
1触媒7が、下流側に第2触媒9が、相互に直列に設け
られている。第1触媒7は、白金,パラジウムなどの触
媒金属を含ませる、アルミナなどを成分とするウォッシ
ュコート量を、少なくとも触媒容量1リットル当たり1
00グラム以上として、排気微粒子に含まれるSOFの
吸着能力を高めてある。一方、第2触媒9は、ウォッシ
ュコート量を触媒容量1リットル当たり50グラム以下
としてSOFの吸着能力を低くしてある。触媒の吸着能
力は、ウォッシュコート量だけでなく、ウォッシュコー
トの細孔径や比表面積などにも左右されるため、これら
の諸元を変えることにより、第1触媒7及び第2触媒9
の吸着能力を設定してもよい。
【0016】第1触媒7の上流側の上流排気通路11
と、第1触媒7と第2触媒9とを接続する接続排気通路
13とは、第1触媒7をバイパスする第1触媒バイパス
通路15により連通している。上流排気通路11と第1
触媒バイパス通路15との接続部より下流側の上流排気
通路11には、第1触媒7へ流入する排気流量を制御す
る機能を持つ第1触媒制御弁17が設けられ、第1触媒
バイパス通路15には、第1触媒バイパス通路15を流
れる排気流量を制御する第1触媒バイパス制御弁19が
設けられている。第1触媒制御弁17及び第1触媒バイ
パス制御弁19は、第1触媒排気流量制御手段を構成し
ている。
【0017】上流排気通路11と第1触媒バイパス通路
15との接続部より上流側の上流排気通路11には排気
温度を検出する排温センサ21が設けられ、第2触媒9
の排気入口部近傍には、ここでの排気温度を検出するこ
とによって第2触媒9の温度を間接的に検出する触媒温
度センサ23が設けられている。排温センサ21及び触
媒温度センサ23は、排気温度検出手段を構成してい
る。排温センサ21及び触媒温度センサ23の各検出信
号Tex及びTcat は、マイクロコンピュータなどから構
成される制御回路25に入力される。機関本体1には機
関回転数を検出する回転数センサ27及び、冷却水温度
を検出する水温センサ29がそれぞれ設けられ、これら
検出信号N及びTw も制御回路25に入力される。さら
に、図示しないアクセルペダルあるいは燃料噴射ポンプ
のコントロールラックには、アクセル開度センサ31が
設けられ、このアクセル開度センサ31の検出信号A
acc も制御回路25に入力される。
【0018】制御回路25は、これらの各入力信号に基
づいて前記第1触媒制御弁17及び第1触媒バイパス制
御弁19の開度制御を行い、第1触媒7に流入する排気
流量及び第1触媒バイパス通路15を通過する排気流量
を、それぞれ制御する。
【0019】制御回路25は、図2の制御ブロック図に
示すように、入出力ポート33,CPU35,ROM3
7及びRAM39を備えている。入出力ポート33は、
排温センサ21,触媒温度センサ23,回転数センサ2
7,水温センサ29及びアクセル開度センサ31からの
各検出信号の入力を受ける。CPU35は、ROM37
に記憶されたプログラムに従って、入出力ポート33か
らの情報と、ROM37に格納されている図3,図4及
び図5に示すようなマップデータとに基づいて各種演算
を行い、第1触媒制御弁17及び第1触媒バイパス制御
弁19を開閉制御するための制御量を入出力ポート33
にセットする。入出力ポート33は、CPU35から出
力されたデータに基づき、第1触媒制御弁17及び第1
触媒バイパス制御弁19の制御を行う。RAM39は、
CPU35の演算処理に関連したデータを一次退避する
ために使われる。
【0020】図3のマップは、機関回転数Nと軸トルク
(アクセル開度センサ31の検出値Aacc に相当)とか
ら決定される、第1触媒7に吸着しているSOFが離脱
するブローオフの防止領域Bを示しており、ブローオフ
の防止領域Bであるかどうかの判定に使用する。ブロー
オフは、触媒に排気微粒子がある程度堆積している状態
で、機関運転条件が低回転低負荷状態から加速して触媒
を通過する排気が高温高速に変わった場合に生じる。触
媒による排気微粒子の捕集過程において、機関がある回
転数及び負荷で排気微粒子の触媒への吸着量と離脱量と
がバランスしている点があるが、この点を図3の領域B
の境界線が表しており、この境界線よりも低回転低負荷
側の領域Bからの加速でブローオフが発生することにな
る。したがって、この領域Bがブローオフの防止領域B
を示すことになる。
【0021】図4のマップは、機関回転数Nと軸トルク
とから決定される、アクセル開度センサ31からの検出
信号Aacc に基づき演算されるアクセル開加速度Aの基
準値A0 を示しており、実際のアクセル開加速度Aが基
準値A0 より大きいかどうかの判定に使用する。このア
クセル開加速度Aの基準値A0 は、機関回転数N及び軸
トルクがともに小さいほど、つまり低回転低負荷程大き
く設定してある。これは、低回転低負荷のように排気が
低温低流速の状態から僅かに加速したところで、まだ吸
着量>離脱量の状態のままであり、ブローオフの防止は
必要ないと考えられるからである。また、アクセル開加
速度Aの基準値A0 は、吸着された排気微粒子量が多い
ほど小さく設定した方がよい。
【0022】図5のマップは、第1触媒制御弁17が全
閉状態から開状態に移行する開度変化率及び、第1触媒
バイパス制御弁19が全開状態から閉状態に移行する開
度変化率を、排気温度Texまたは機関回転数Nに関連し
た基準値として示したものである。この各開度変化率
は、排気温度Texまたは機関回転数Nが高まるにつれて
小さくなるように設定してあるが、これは、高排温(高
流量)の排気を一気に第1触媒7へ通してしまうと、第
1触媒7からSOFが急激にブローオフしてしまい、第
2触媒9が活性化していても、浄化しきれない虞がある
ため、高回転・高排温ほど徐々に第1触媒7へ排気を流
す必要があるからである。
【0023】次に、図6に示すROM37に記憶された
プログラムを示すフローチャートに基づき、上記実施例
の作用を説明する。
【0024】まず、排温センサ21,触媒温度センサ2
3,回転数センサ27,水温センサ29及びアクセル開
度センサ31から検出される検出信号Tex,Tcat ,N
及びAacc を読み込む(ステップS1)。次に、第1触
媒7を排気がバイパスする状態、つまり第1触媒制御弁
17が閉状態でかつ第1触媒バイパス制御弁19が開状
態を示すバイパスフラグFがオフかどうかを判断する
(ステップS2)。ここで、バイパスフラグFがオフ、
すなわちバイパス状態でなく、第1触媒制御弁17が開
状態でかつ第1触媒バイパス制御弁19が閉状態で排気
が第1触媒7に流入している場合には、まず、運転履歴
によって間接的に第1触媒7への排気微粒子の堆積量を
推定し、その値が所定値以上であるかどうか判断する
(ステップS3)。堆積量が所定値以上である場合に
は、前記ステップS1で読み込んだ機関回転数N及びア
クセル開度Aacc に基づき、図3のマップと照らし合わ
せて、ブローオフ防止領域Bであるかどうか、つまり第
1触媒7に排気微粒子(ミスト状のSOF)がある程度
堆積した状態で、第1触媒7における排気微粒子の吸着
と離脱とがバランスしている運転条件より低回転低負荷
側のブローオフが発生しやすい運転条件かどうかを判断
する(ステップS4)。
【0025】ここで、ブローオフ防止領域Bである場合
には、次のステップS5で、アクセル開度センサ31の
検出値Aacc から演算したアクセル開加速度Aが、図4
のマップの基準値A0 より大きいかどうか、つまり機関
の加速度合いが所定値を超えているかどうかを判断す
る。演算したアクセル開加速度Aが基準値A0 より大き
い場合には、バイパスフラグFをオンにするとともに、
第1触媒制御弁17を全閉に第1触媒バイパス制御弁1
9を全開にして(ステップS6)、排気の全てをを第1
触媒バイパス通路15に流す。第1触媒バイパス通路1
5に流れた排気は、第2触媒9に導入され、ここで排気
微粒子が吸着される。所定値を超えた加速状態では、排
気温度も急激に上昇し、このような排気が第2触媒9を
通過することで、第2触媒9の温度は上昇する。
【0026】さらに、次のステップS7で触媒センサ2
3で検出された第2触媒9の温度Tcat が、第2触媒9
の活性化温度T1 を超えたかどうかを判断し、超えてい
る場合には、バイパスフラグFをオフにするとともに、
今まで全開していた第1触媒バイパス制御弁19を閉じ
気味にする一方、今まで全閉していた第1触媒制御弁1
7を開き気味にする(ステップS8)。これにより、排
気は今まで第1触媒バイパス通路15のみを流れていた
ものが、第1触媒7側に主に流れるよう切替わる。排気
が第1触媒7側に流れることで、第1触媒7に吸着して
いたミスト状のSOFが蒸発,離脱し、この蒸発,離脱
したSOFは活性化温度に達している第2触媒9で、第
2触媒9に吸着しているSOFとともに酸化する。この
ため、ミスト状のSOFが第1触媒7に吸着された状態
で加速状態に移行し、このSOFが蒸発,離脱しても、
大気中に放出されることはないので、白煙の発生は回避
される。
【0027】このとき、第1触媒バイパス制御弁19の
全開状態から閉状態への弁開度の変化率及び、第1触媒
制御弁17の全閉状態から開状態への弁開度の変化率
は、図5のように排気温度Texまたは機関回転数Nが高
まるにつれて小さくなるように設定してあるので、高
温,高回転域での高温高圧の排気が第1触媒7に急激に
導入されるのが回避され、この結果第1触媒7に吸着さ
れているSOFの急激な離脱などが抑制される。
【0028】また、前記ステップS2で、バイパスフラ
グFがオン、すなわち第1触媒バイパス通路15が開状
態で、第1触媒制御弁17が閉状態のときには、排温セ
ンサ21が検出した排気温度Texが所定値T2 より低い
かどうかを判断する(ステップS9)。ここで、排気温
度Texが所定値T2 より低いときには、前記ステップS
8に進んで第1触媒制御弁17を開き、第1触媒バイパ
ス制御弁19を閉じる。これにより低温の排気は、主と
して第1触媒7に導入されて、ミスト状のSOFが吸着
能力の高い第1触媒7に吸着され、特に市街地走行状態
の大半を占める低排温運転状態でのSOFの低減効果が
充分得られる。逆に、排気温度Te が所定値T2 以上の
ときには、前記ステップS7に進んで第2触媒9の温度
cat の判断を行う。
【0029】図7及び図8は、前記第1実施例における
第1触媒7の吸着能力を高くし、第2触媒9の吸着能力
を低くするための変形例を示している。
【0030】図7の第2実施例は、第1触媒7の触媒担
体断面積すなわち排気通過面積を相対的に大きく、逆に
第2触媒9の触媒担体断面積すなわち排気通過面積を相
対的に小さくしたものである。このようにすることで、
第1触媒7を通過する排気流速が遅くなって第1触媒7
の吸着能力が高まり、一方第2触媒9を通過する排気流
速が速くなって第2触媒9の吸着能力が低いものとな
る。
【0031】図8の第3実施例は、第1触媒7の触媒担
体の単位断面積当たりの排気の通路を形成するセル数を
相対的に多く、逆に第2触媒9の触媒担体の単位断面積
当たりのセル数を相対的に少なくしたものである。これ
により、第1触媒7の吸着面積が大きくなって第1触媒
7の吸着能力が高まり、一方第2触媒9の吸着面積は小
さくなって第2触媒9の吸着能力が低いものとなる。
【0032】上記第2,第3各実施例ともに、その他の
構成及び作用は、前記第1実施例と同様である。
【0033】図9は、この発明の第4実施例を示してい
る。この実施例は、図1の第1実施例の構成に、接続排
気通路13に連通し大気に開放される第2触媒バイパス
通路41と、この第2触媒バイパス通路41に設けられ
第2触媒バイパス通路41を流れる排気流量を制御する
第2触媒バイパス制御弁43と、第2触媒9の排気入口
部付近に設けられ第2触媒9を流れる排気流量を制御す
る第2触媒制御弁45とを加えたものである。第2触媒
バイパス制御弁43及び第2触媒制御弁45は、第2触
媒排気流量制御手段を構成している。第2触媒バイパス
制御弁43及び第2触媒制御弁45は、ともに制御回路
25から指令信号を受けて開閉制御されるが、ROM3
7に記憶されるその制御プログラムは、排温センサ21
が検出した排気温度Texに応じて、排気を第2触媒9に
流すか、あるいは第2触媒バイパス通路41に流すかの
どちらかとなるようにしてある。
【0034】図10は、上記第4実施例の第1実施例に
対する追加構成の制御プログラムのフローチャートであ
る。まず、バイパスフラグFがオフかどうかが判断され
(ステップS11)、バイパスフラグFがオフ、すなわ
ち第1触媒制御弁17が開状態でかつ第1触媒バイパス
制御弁19が閉状態で、排気が第1触媒7をバイパスせ
ず第1触媒7に流入している場合には、排温センサ21
が検出した排気温度Texが第2触媒9の高温劣化の虞が
ある温度T3 (約600〜700℃)を超えているかど
うかが判断され(ステップS12)、超えている場合に
は第2触媒制御弁45を全閉に、第2触媒バイパス制御
弁43を全開にする(ステップS13)。これにより、
高温の排気は第2触媒バイパス通路41に流れ、第2触
媒9には導入されないので、第2触媒9の高温劣化によ
る触媒性能の低下は防止される。このとき、高温の排気
が第1触媒7を通過するが、第1触媒7は吸着能力を高
めるためアルミナなどを成分とするウォッシュコート量
を多くしてあるので、高温劣化に対して強く、したがっ
て高温劣化による触媒性能の低下を最小限に止めること
ができる。
【0035】また、前記ステップS12で、排気温度T
exが温度T3 以下のときには、排気温度Texが第2触媒
9の活性化温度T4 (約200〜250℃)と比較され
(ステップS14)、ここで排気温度Texが活性化温度
4 より低い場合には、前記ステップS13に進んで低
温排気を第2触媒9に流さないようにする。これによ
り、低温排気が流入することによる第2触媒9への排気
微粒子の堆積を防止でき、加速時におけるSOFの離脱
による白煙の発生だけでなく、煤の離脱による黒煙の発
生も防止できる。前記ステップS14で、排気温度Tex
が活性化温度T4 以上のとき、つまり排気温度Texが、
4 ≦Tex≦T3 の範囲にあるときには、排気温度は第
2触媒9にとって適正範囲にあることになるので、第2
触媒バイパス制御弁43を全閉に、第2触媒制御弁45
を全開にして(ステップS15)、排気を第2触媒9に
流入させる。
【0036】図11は、この発明の第5実施例を示して
いる。この実施例は、前記図1の第1実施例の構成に次
の点を追加したものである。
【0037】第1触媒7の排気入口側端部には、第1触
媒7に吸着された排気微粒子の主に煤(カーボン)成分
を燃焼除去して第1触媒7の再生を行う再生手段として
のヒータ47及び、第1触媒7の温度を検出する第1触
媒温度センサ49が設けられている。ヒータ47は、ヒ
ータ制御回路51により通電制御され、バッテリ53か
ら電力の供給を受ける。第1触媒温度センサ49の検出
信号は制御回路25に入力され、ヒータ制御回路51は
制御回路25からの指令信号によって動作してヒータ4
7の制御を行う。また、この場合、制御回路25のRO
M37には、機関の運転履歴によって間接的に第1触媒
7への排気微粒子の堆積量を推定して、第1触媒7が再
生時期にあるかどうかを判断するプログラムが記憶され
ている。図12は、この再生プログラムの制御動作を示
すフローチャートである。まず、第1触媒7が再生中か
どうかが判断され(ステップS31)、再生中でない場
合には、運転履歴に基づき第1触媒7への排気微粒子の
堆積量が間接的に検出されて再生時期が判断される(ス
テップS32)。ここで、検出された堆積量が所定値以
上となり再生時期となった場合には、ヒータ47を通電
制御し、これと同時に第1触媒バイパス制御弁19を全
開する一方、第1触媒制御弁17を所定量閉じて(ステ
ップS33)、第1触媒7を通過する排気流量を制御す
る。第1触媒7を通過する排気流量を所定に制御するこ
とで、燃焼に必要な最小限のガス量が確保されて、SO
Fと同時に付着する煤の燃焼除去が効率よくなされ、ヒ
ータ47の加熱に要する電力量が無駄なく適正なものと
なる。また、第1触媒7の再生中にも、排気は第1触媒
バイパス通路15を経て第2触媒9を通過するので、再
生中であっても排気の浄化は継続して行われる。
【0038】前記ステップS31で再生中であると判断
された場合には、再生開始時での排気微粒子の推定堆積
量、ヒータ47の通電時間及び、第1触媒温度センサ4
9の検出温度から、再生終了かどうかが判断される(ス
テップS34)。再生終了の場合には、ヒータ47の通
電を終了し、これと同時に第1触媒バイパス制御弁19
を全閉する一方、第1触媒制御弁17を全開して(ステ
ップS35)、排気を第1触媒7に流入させる。
【0039】なお、図7及び図8に示した第1触媒7,
第2触媒9の吸着能力を変化させる変形例は、図9及び
図11の実施例にも適用できる。図9の第4実施例に図
7の変形例を適用した場合には、第2触媒9の担体断面
積が小さいことから高回転高負荷状態で排圧上昇をもた
らす虞があるが、このような場合には第2触媒9に対し
排気をバイパスすることで、排圧上昇を防止できる。
【0040】
【発明の効果】以上説明してきたようにこの発明によれ
ば、排気微粒子に対する吸着能力の高い第1触媒を排気
通路の上流側に、吸着能力の低い第2触媒を同下流側に
それぞれ配置し、低排温状態では上流側の第1触媒に排
気を通過させることによって、ミスト状のSOFを効率
よく吸着することができる。低排温から高排温へ移行す
る加速運転時には、まず上流側の第1触媒をバイパスす
る第1触媒バイパス通路に排気を流して下流側の第2触
媒に排気を通過させることで、第2触媒を触媒活性化温
度まで高め、その後上流側の第1触媒にも排気を流すこ
とで第1触媒に吸着していたSOFを徐々に蒸発、離脱
させ、この蒸発、離脱したSOFは下流側の第2触媒で
酸化させるので、第1触媒に吸着していたSOFが加速
運転により離脱しても、白煙の発生を防止することがで
きる。
【0041】また、この発明は、下流側の第2触媒をバ
イパスする第2触媒バイパス通路を設け、排気温度が、
第2触媒の高温劣化温度より高いとき、または第2触媒
の活性化温度より低いときには、第2触媒への排気の流
量を減少させて第2触媒バイパス通路への排気の流量を
増大させるようにしたので、第2触媒の高温劣化及び、
第2触媒への排気微粒子の堆積を防止することができ、
第2触媒の触媒性能の低下を防止することができる。
【0042】さらに、この発明は、第1触媒に、吸着し
た排気微粒子を燃焼除去する再生手段を設け、この再生
手段が動作して第1触媒が再生中の場合には、第1触媒
への排気の流量を減少させて第1触媒バイパス通路への
排気の流量を増大させるようにしたので、第1触媒を通
過する排気流量を所定に制御することで、燃焼に必要な
最小限のガス量が確保されて排気微粒子の燃焼除去が効
率よくなされ、再生手段を動作させるためのエネルギ量
を無駄なく適正なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施例を示す排気浄化装置の全
体構成図である。
【図2】図1の排気浄化装置の制御ブロック図である
【図3】機関回転数と軸トルクとにより決定されるブロ
ーオフ防止領域のマップである。
【図4】機関回転数と軸トルクとにより決定されるアク
セル開加速度のマップである。
【図5】排気温度または機関回転数に対する弁開度変化
率の絶対値を示す説明図である。
【図6】図1の制御回路による制御動作を示すフローチ
ャートである。
【図7】この発明の第2実施例を示す排気浄化装置の全
体構成図である。
【図8】この発明の第3実施例を示す排気浄化装置の全
体構成図である。
【図9】この発明の第4実施例を示す排気浄化装置の全
体構成図である。
【図10】図9の制御回路による制御動作を示すフロー
チャートである。
【図11】この発明の第5実施例を示す排気浄化装置の
全体構成図である。
【図12】図11の制御回路による制御動作を示すフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
1 機関本体 5 排気通路 7 第1触媒 9 第2触媒 15 第1触媒バイパス通路 17 第1触媒制御弁(第1触媒排気流量制御手段) 19 第1触媒バイパス制御弁(第1触媒排気流量制御
手段) 21 排温センサ(排気温度検出手段) 23 触媒温度センサ(排気温度検出手段) 25 制御回路(制御手段) 31 アクセル開度センサ(加速状態検出手段) 41 第2触媒バイパス通路 43 第2触媒バイパス制御弁(第2触媒排気流量制御
手段) 45 第2触媒制御弁(第2触媒排気流量制御手段) 47 ヒータ(再生手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 F01N 3/24 E 9150−3G L 9150−3G R 9150−3G

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 機関本体に接続される排気通路に設けら
    れ排気微粒子の吸着能力が比較的高い第1触媒と、この
    第1触媒より下流側の排気通路に設けられ排気微粒子の
    吸着能力が比較的低い第2触媒と、前記第1触媒の上流
    側の排気通路及び、第1触媒と第2触媒との間の排気通
    路相互を連通する第1触媒バイパス通路と、この第1触
    媒バイパス通路及び前記第1触媒のそれぞれを通過する
    排気流量を制御する第1触媒排気流量制御手段と、排気
    温度を検出する排気温度検出手段と、機関の加速状態を
    検出する加速状態検出手段と、前記排気温度検出手段及
    び加速状態検出手段の各検出信号に応じて前記第1触媒
    排気流量制御手段を制御する制御手段とを有することを
    特徴とする内燃機関の排気浄化装置。
  2. 【請求項2】 機関本体に接続される排気通路に設けら
    れ排気微粒子の吸着能力が比較的高い第1触媒と、この
    第1触媒より下流側の排気通路に設けられ排気微粒子の
    吸着能力が比較的低い第2触媒と、前記第1触媒の上流
    側の排気通路及び、第1触媒と第2触媒との間の排気通
    路相互を連通する第1触媒バイパス通路と、この第1触
    媒バイパス通路及び前記第1触媒のそれぞれを通過する
    排気流量を制御する第1触媒排気流量制御手段と、前記
    第1触媒と第2触媒との間の排気通路に連通し大気に開
    放される第2触媒バイパス通路と、この第2触媒バイパ
    ス通路及び前記第2触媒のそれぞれを通過する排気流量
    を制御する第2触媒排気流量制御手段と、排気温度を検
    出する排気温度検出手段と、機関の加速状態を検出する
    加速状態検出手段と、前記排気温度検出手段及び加速状
    態検出手段の各検出信号に応じて前記第1触媒排気流量
    制御手段を制御するとともに排気温度検出手段の検出信
    号に応じて第2触媒排気流量制御手段を制御する制御手
    段とを有することを特徴とする内燃機関の排気浄化装
    置。
  3. 【請求項3】 機関本体に接続される排気通路に設けら
    れ排気微粒子の吸着能力が比較的高い第1触媒と、この
    第1触媒より下流側の排気通路に設けられ排気微粒子の
    吸着能力が比較的低い第2触媒と、前記第1触媒の上流
    側の排気通路及び、第1触媒と第2触媒との間の排気通
    路相互を連通する第1触媒バイパス通路と、この第1触
    媒バイパス通路及び前記第1触媒のそれぞれを通過する
    排気流量を制御する第1触媒排気流量制御手段と、前記
    第1触媒に付着した排気微粒子を燃焼除去して第1触媒
    の再生を行う再生手段と、排気温度を検出する排気温度
    検出手段と、機関の加速状態を検出する加速状態検出手
    段と、前記排気温度検出手段及び加速状態検出手段の各
    検出信号及び、前記再生手段の動作状態に応じて前記第
    1触媒排気流量制御手段を制御する制御手段とを有する
    ことを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1493483A1 (en) * 2003-07-02 2005-01-05 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Exhaust purification device of internal combustion engine
JP2009162133A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Toyota Motor Corp 内燃機関の排気浄化装置
JP2009228644A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Nissan Motor Co Ltd 排ガス浄化制御装置及び排ガス浄化制御方法
CN112610314A (zh) * 2020-12-21 2021-04-06 广西玉柴机器股份有限公司 一种天然气发动机催化器高效温度管理方法及系统

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