JPH05152248A - アルミニウム系配線材料の埋込み方法 - Google Patents
アルミニウム系配線材料の埋込み方法Info
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- JPH05152248A JPH05152248A JP30963391A JP30963391A JPH05152248A JP H05152248 A JPH05152248 A JP H05152248A JP 30963391 A JP30963391 A JP 30963391A JP 30963391 A JP30963391 A JP 30963391A JP H05152248 A JPH05152248 A JP H05152248A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線用接続膜側にＡｌと反応し易い膜を被着
させ、高温スパッタによるＡｌ系膜の埋込みを確実にし
て、信頼性の高い配線を得んとするものである。 【構成】 シリコン基板２１上の絶縁膜２２にコンタク
トホールを開口し、Ｔｉスパッタ粒子を基板に略垂直に
入射させて、コンタクトホール側壁に良好な膜厚のＴｉ
膜２３を被着させる。Ｔｉスパッタ粒子の入射方向の制
御手段は、スノコ状のコリメータを用い、斜め方向から
のスパッタ粒子を阻止し、略垂直方向のスパッタ粒子の
みを基板側へ通過させる。このようにして、コンタクト
ホール側壁にＴｉ膜２３を所定膜厚以上の厚さに被着す
ることにより、後工程のＡｌ高温スパッタによるＡｌ系
膜の埋込み特性が向上する。
させ、高温スパッタによるＡｌ系膜の埋込みを確実にし
て、信頼性の高い配線を得んとするものである。 【構成】 シリコン基板２１上の絶縁膜２２にコンタク
トホールを開口し、Ｔｉスパッタ粒子を基板に略垂直に
入射させて、コンタクトホール側壁に良好な膜厚のＴｉ
膜２３を被着させる。Ｔｉスパッタ粒子の入射方向の制
御手段は、スノコ状のコリメータを用い、斜め方向から
のスパッタ粒子を阻止し、略垂直方向のスパッタ粒子の
みを基板側へ通過させる。このようにして、コンタクト
ホール側壁にＴｉ膜２３を所定膜厚以上の厚さに被着す
ることにより、後工程のＡｌ高温スパッタによるＡｌ系
膜の埋込み特性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、アルミニウム系配線
材料の埋込み方法に関し、更に詳しくは、高温スパッタ
法を用いたアルミニウム配線の形成方法に係わる。
材料の埋込み方法に関し、更に詳しくは、高温スパッタ
法を用いたアルミニウム配線の形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】デバイスの高集積化に伴い、半導体プロ
セスの寸法ルールは微細化し、その内部配線プロセスに
おいては、狭くて深い（アスペクト比の高い）コンタク
トホール，スルーホール等の接続孔を配線材料で埋め込
むことが重要な課題になっている。しかし、従来のスパ
ッタ法によるＡｌ系金属の成膜では、Ａｌ系金属のスパ
ッタ粒子が配線用接続孔の側壁の影になって接続孔内部
に入射しずらくなるシャドウイング効果のため、接続孔
内でのＡｌ系金属のガバレッジが悪くなり、接続孔底部
近くでの断線や接続不良が発生し易くなっている。図５
は、半導体基板１上に形成した絶縁膜２にコンタクトホ
ール３を開設し、このコンタクトホール３へのＡｌ合金
膜４の埋め込みをスパッタ法で行なった状態を示すもの
であり、Ａｌ合金膜４のカバレッジの低下がコンタクト
ホール３の底部で見られる。そのため、このような配線
用接続孔内部を配線材料で埋め込むプロセス技術が必要
不可欠になってきている。
セスの寸法ルールは微細化し、その内部配線プロセスに
おいては、狭くて深い（アスペクト比の高い）コンタク
トホール，スルーホール等の接続孔を配線材料で埋め込
むことが重要な課題になっている。しかし、従来のスパ
ッタ法によるＡｌ系金属の成膜では、Ａｌ系金属のスパ
ッタ粒子が配線用接続孔の側壁の影になって接続孔内部
に入射しずらくなるシャドウイング効果のため、接続孔
内でのＡｌ系金属のガバレッジが悪くなり、接続孔底部
近くでの断線や接続不良が発生し易くなっている。図５
は、半導体基板１上に形成した絶縁膜２にコンタクトホ
ール３を開設し、このコンタクトホール３へのＡｌ合金
膜４の埋め込みをスパッタ法で行なった状態を示すもの
であり、Ａｌ合金膜４のカバレッジの低下がコンタクト
ホール３の底部で見られる。そのため、このような配線
用接続孔内部を配線材料で埋め込むプロセス技術が必要
不可欠になってきている。
【０００３】このような問題の解決手段としては、より
量産レベルでの実用化に近い技術として、基板を高温で
加熱しながらＡｌ合金をスパッタ成膜する高温スパッタ
法が検討されている。この方法は、Ａｌ合金を約４００
℃以上融点以下まで加熱して、軟化したＡｌ合金を接続
孔内に流れ込ませるようにしたものである。そして、こ
のようなＡｌ合金の流動の仕方は、下地表面の材料によ
って大きく変わることが知られている。具体的には、下
地がＡｌと反応し易いチタン（Ｔｉ）のような物質の場
合には、Ａｌは下地と反応しながら表面全体の拡がり易
い（濡れが良い）のに対し、下地がＳｉＯ2，ＴｉＯＮ
のようにＡｌと反応しにくい物質の場合には、Ａｌは下
地表面で小さく丸まってしまう。そして、接続孔側壁部
分での濡れの善し悪しが、Ａｌ系配線材料の接続孔埋込
み特性に大きく影響を与える。即ち、濡れが良い場合に
は、接続孔側壁に沿ってＡｌが接続孔側壁表面の材料と
反応しながら拡がって孔内に入っていくのに対し、濡れ
が悪い場合には、接続孔上部でＡｌが丸まってしまい、
孔内に入らない（図６）。なお、図６中５は下地膜であ
り、ＴｉＯＮ膜，ＳｉＯ2膜などのＡｌと反応しにくい
膜を示している。上記した報告は、第４０回集積回路シ
ンポジウム予稿集第１９頁に記載されている。
量産レベルでの実用化に近い技術として、基板を高温で
加熱しながらＡｌ合金をスパッタ成膜する高温スパッタ
法が検討されている。この方法は、Ａｌ合金を約４００
℃以上融点以下まで加熱して、軟化したＡｌ合金を接続
孔内に流れ込ませるようにしたものである。そして、こ
のようなＡｌ合金の流動の仕方は、下地表面の材料によ
って大きく変わることが知られている。具体的には、下
地がＡｌと反応し易いチタン（Ｔｉ）のような物質の場
合には、Ａｌは下地と反応しながら表面全体の拡がり易
い（濡れが良い）のに対し、下地がＳｉＯ2，ＴｉＯＮ
のようにＡｌと反応しにくい物質の場合には、Ａｌは下
地表面で小さく丸まってしまう。そして、接続孔側壁部
分での濡れの善し悪しが、Ａｌ系配線材料の接続孔埋込
み特性に大きく影響を与える。即ち、濡れが良い場合に
は、接続孔側壁に沿ってＡｌが接続孔側壁表面の材料と
反応しながら拡がって孔内に入っていくのに対し、濡れ
が悪い場合には、接続孔上部でＡｌが丸まってしまい、
孔内に入らない（図６）。なお、図６中５は下地膜であ
り、ＴｉＯＮ膜，ＳｉＯ2膜などのＡｌと反応しにくい
膜を示している。上記した報告は、第４０回集積回路シ
ンポジウム予稿集第１９頁に記載されている。
【０００４】そして、実際に同一形状の接続孔に、同一
条件（下記）でＡｌ−１％Ｓｉを高温スパッタ成膜して
も、下地（接続孔側壁表面）がＴｉの場合に埋まり、Ｓ
ｉＯ2の場合には埋まらない場合のあることが確認され
ている。
条件（下記）でＡｌ−１％Ｓｉを高温スパッタ成膜して
も、下地（接続孔側壁表面）がＴｉの場合に埋まり、Ｓ
ｉＯ2の場合には埋まらない場合のあることが確認され
ている。
【０００５】 （Ａｌ−１％Ｓｉの高温スパッタ条件例） ○プロセスガス Ａｒ＝１００SCCM ○圧力…０．４Ｐａ ○成膜パワー…１０ｋＷ ○基板加熱温度…５００℃ ○成膜速度…０．６μｍ／分
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、高温スパ
ッタ法を用いてＡｌ系配線材料を接続孔に埋め込む際
に、接続孔側壁にＴｉ等のＡｌと反応し易い物質を付着
させることによって、良好な埋込み特性が得られるが、
この側壁に形成させるＡｌとの濡れ改善材料には、ある
程度の厚さが必要であることが明らかになっている。
ッタ法を用いてＡｌ系配線材料を接続孔に埋め込む際
に、接続孔側壁にＴｉ等のＡｌと反応し易い物質を付着
させることによって、良好な埋込み特性が得られるが、
この側壁に形成させるＡｌとの濡れ改善材料には、ある
程度の厚さが必要であることが明らかになっている。
【０００７】例えば、上記した条件で高温スパッタを行
なった場合、非常にアスペクト比の高い接続孔（ホール
径０．２５μｍ，深さ０．８μｍ，アスペクト比３．
２）について、下にバリアメタルとしてのＴｉを５０ｎ
ｍ成膜すると、Ａｌが接続孔の途中までしか入っていな
いが、Ｔｉを１００ｎｍ成膜した場合にはＡｌが孔の底
まで入り、接続孔内を完全に埋め込んでいる。
なった場合、非常にアスペクト比の高い接続孔（ホール
径０．２５μｍ，深さ０．８μｍ，アスペクト比３．
２）について、下にバリアメタルとしてのＴｉを５０ｎ
ｍ成膜すると、Ａｌが接続孔の途中までしか入っていな
いが、Ｔｉを１００ｎｍ成膜した場合にはＡｌが孔の底
まで入り、接続孔内を完全に埋め込んでいる。
【０００８】これは，接続孔のアスペクト比が高いため
に、Ｔｉ自体がシャドウイング効果によって孔内に入り
にくくなり、側壁の途中までしかＡｌの漏れの改善に必
要な厚さまでＴｉ膜が形成されなかったためであると考
えられる。なお、図７は、アスペクト比が小さい場合を
示したものであり、Ｔｉ６のカバレッジの悪化は見られ
ないが、図８，図９に示すように、接続孔のアスペクト
比が高くなると、Ｔｉ６の膜厚はおろかカバレッジが悪
化し、それに伴ないＡｌ合金膜４のカバレッジが悪化す
る問題がある。即ち、下地バリアメタルとしてのＴｉの
カバレッジが，高温スパッタＡｌ合金の埋込み特性を、
アスペクト比の高い接続孔の場合に制限していると言え
る。
に、Ｔｉ自体がシャドウイング効果によって孔内に入り
にくくなり、側壁の途中までしかＡｌの漏れの改善に必
要な厚さまでＴｉ膜が形成されなかったためであると考
えられる。なお、図７は、アスペクト比が小さい場合を
示したものであり、Ｔｉ６のカバレッジの悪化は見られ
ないが、図８，図９に示すように、接続孔のアスペクト
比が高くなると、Ｔｉ６の膜厚はおろかカバレッジが悪
化し、それに伴ないＡｌ合金膜４のカバレッジが悪化す
る問題がある。即ち、下地バリアメタルとしてのＴｉの
カバレッジが，高温スパッタＡｌ合金の埋込み特性を、
アスペクト比の高い接続孔の場合に制限していると言え
る。
【０００９】ところが、Ｔｉを下地膜に用いる場合、そ
の融点が１６８０℃と高いため、高温スパッタによるカ
バレッジの改善は望めないという問題がある。
の融点が１６８０℃と高いため、高温スパッタによるカ
バレッジの改善は望めないという問題がある。
【００１０】本発明は、このような従来の問題点に着目
して創案されたものであって、アスペクト比の高い接続
孔に対しても確実にＡｌ系配線材料の埋込みを可能にす
るＡｌ系配線材料の埋込み方法を得んとするものであ
る。
して創案されたものであって、アスペクト比の高い接続
孔に対しても確実にＡｌ系配線材料の埋込みを可能にす
るＡｌ系配線材料の埋込み方法を得んとするものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、半導
体基板上に形成した絶縁膜に配線用接続孔を開設し、該
接続孔内アルミニウム系配線材料を高温スパッタ法によ
り堆積させるアルミニウム系配線材料の埋込み方法にお
いて、前記配線用接続孔を開設した後、少なくとも該接
続孔内面に、前記半導体基板に対して略垂直方向からス
パッタ粒子を入射させるように制御したスパッタ法を用
いて、Ａｌと反応し易い高融点金属膜を被着させ、その
後前記配線用接続孔を高温スパッタ法によりアルミニウ
ム系配線材料で埋め込むことを、その解決方法としてい
る。
体基板上に形成した絶縁膜に配線用接続孔を開設し、該
接続孔内アルミニウム系配線材料を高温スパッタ法によ
り堆積させるアルミニウム系配線材料の埋込み方法にお
いて、前記配線用接続孔を開設した後、少なくとも該接
続孔内面に、前記半導体基板に対して略垂直方向からス
パッタ粒子を入射させるように制御したスパッタ法を用
いて、Ａｌと反応し易い高融点金属膜を被着させ、その
後前記配線用接続孔を高温スパッタ法によりアルミニウ
ム系配線材料で埋め込むことを、その解決方法としてい
る。
【００１２】
【作用】半導体基板に対して、略垂直方向からスパッタ
粒子を入射させることにより、配線用接続孔の内側面及
び底面に、Ａｌと反応し易い高融点金属系膜を所定の膜
厚以上となるように、確実に被着させることが可能とな
る。そして、このように、Ａｌと反応し易い高融点金属
系膜をカバレッジ良く被着することにより、配線用接続
孔内はその後の高温スパッタによるＡｌ系配線材料との
濡れ性が良くなり、Ａｌ系配線材料を確実に埋め込むこ
とが可能となる。
粒子を入射させることにより、配線用接続孔の内側面及
び底面に、Ａｌと反応し易い高融点金属系膜を所定の膜
厚以上となるように、確実に被着させることが可能とな
る。そして、このように、Ａｌと反応し易い高融点金属
系膜をカバレッジ良く被着することにより、配線用接続
孔内はその後の高温スパッタによるＡｌ系配線材料との
濡れ性が良くなり、Ａｌ系配線材料を確実に埋め込むこ
とが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明に係るアルミニウム系配線材料
の埋込み方法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明
する。
の埋込み方法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明
する。
【００１４】先ず、本実施例に用いたＴｉスパッタ装置
を図２〜図４を用いて説明する。図２は、マルチチャン
バ処理装置の１つのチャンバをなす枚葉式のスパッタ装
置の説明図である。図中１０はスパッタ装置のチャンバ
であり、このチャンバ１０内に対向して配置されるＴｉ
ターゲット１１と半導体基板であるウエハ１２の間にコ
リメータ１３を配設している。また、このチャンバ１０
内には、アルゴンＡｒを導入し、ＤＣ電源１４，ヒータ
ーブロック１５，クライオポンプ１６が適宜設けられて
いる。
を図２〜図４を用いて説明する。図２は、マルチチャン
バ処理装置の１つのチャンバをなす枚葉式のスパッタ装
置の説明図である。図中１０はスパッタ装置のチャンバ
であり、このチャンバ１０内に対向して配置されるＴｉ
ターゲット１１と半導体基板であるウエハ１２の間にコ
リメータ１３を配設している。また、このチャンバ１０
内には、アルゴンＡｒを導入し、ＤＣ電源１４，ヒータ
ーブロック１５，クライオポンプ１６が適宜設けられて
いる。
【００１５】上記コリメータ１３は、ウエハ１２に対す
るスパッタ粒子を略垂直方向から入射させるように制御
する手段であり、図３及び図４に示すように、方向制御
板１３ｂを網目状に構成したものであって、方向制御板
１３ｂで囲まれた空隙１３ａをＴｉスパッタ粒子１７が
通過するようになっている。このとき、斜め方向から入
射するＴｉスパッタ粒子１７は、図４に示すように、方
向制御板１３ｂで阻止され、略垂直方向の入射成分だけ
が、通過し得るようになっている。また、本実施例で
は、コリメータ１３のセルの大きさを、空隙１３ａの径
に対する方向制御板１３ｂの長さ（深さ）の比を１．７
３に設定し、Ｔｉスパッタ粒子のウエハ１２への入射方
向を±３０°以内とした。なお、同比を５．６７にすれ
ば入射方向は、±１０°以内となる。
るスパッタ粒子を略垂直方向から入射させるように制御
する手段であり、図３及び図４に示すように、方向制御
板１３ｂを網目状に構成したものであって、方向制御板
１３ｂで囲まれた空隙１３ａをＴｉスパッタ粒子１７が
通過するようになっている。このとき、斜め方向から入
射するＴｉスパッタ粒子１７は、図４に示すように、方
向制御板１３ｂで阻止され、略垂直方向の入射成分だけ
が、通過し得るようになっている。また、本実施例で
は、コリメータ１３のセルの大きさを、空隙１３ａの径
に対する方向制御板１３ｂの長さ（深さ）の比を１．７
３に設定し、Ｔｉスパッタ粒子のウエハ１２への入射方
向を±３０°以内とした。なお、同比を５．６７にすれ
ば入射方向は、±１０°以内となる。
【００１６】（実施例１）図１（Ａ）に示すように、シ
リコン基板２１上にＳｉＯ2で成る絶縁膜２２を形成
し、この絶縁膜２２に配設用接続孔であるコンタクトホ
ールを形成し、上記スパッタ装置を用いて、Ｔｉ膜２３
の形成を行なう。
リコン基板２１上にＳｉＯ2で成る絶縁膜２２を形成
し、この絶縁膜２２に配設用接続孔であるコンタクトホ
ールを形成し、上記スパッタ装置を用いて、Ｔｉ膜２３
の形成を行なう。
【００１７】このＴｉ膜２３の成膜条件は、例えば、以
下に示す通りである。
下に示す通りである。
【００１８】 ○プロセスガス アルゴン（Ａｒ）…１００SCCM ○スパッタ圧力…０．４Ｐａ ○成膜パワー…４ｋＷ ○基板加熱温度…１５０℃ ○成膜速度…０．０３〜０．１μｍ／分 この場合、Ｔｉ膜２３の膜厚は、コンタクトホール側壁
に５ｎｍ以上となるようにする。例えば、図１（Ａ）に
示す形状のコンタクトホールに対して、本実施例のよう
に、セル比が１．７３のコリメータ１３を用いると、約
６０ｎｍの成膜（絶縁膜２２表面上）が必要であった。
このようにして得るられたＴｉ膜２３は、同図（Ａ）に
示すように、コンタクトホール底部に到るまで、良好に
被着することが可能となった。なお、用いるコリメータ
１３のセル比が高い程、成膜速度は遅くなる。
に５ｎｍ以上となるようにする。例えば、図１（Ａ）に
示す形状のコンタクトホールに対して、本実施例のよう
に、セル比が１．７３のコリメータ１３を用いると、約
６０ｎｍの成膜（絶縁膜２２表面上）が必要であった。
このようにして得るられたＴｉ膜２３は、同図（Ａ）に
示すように、コンタクトホール底部に到るまで、良好に
被着することが可能となった。なお、用いるコリメータ
１３のセル比が高い程、成膜速度は遅くなる。
【００１９】また、Ｔｉスパッタ粒子が基板に到達する
までに、Ａｒと衝突して散乱する（基板への入射方向が
乱れる）効果を抑えるために、スパッタ圧力はなるべく
低く設定するのが望ましい。
までに、Ａｒと衝突して散乱する（基板への入射方向が
乱れる）効果を抑えるために、スパッタ圧力はなるべく
低く設定するのが望ましい。
【００２０】この後、真空を破らずに連続して他のチャ
ンバで、Ａｌ−１％Ｓｉ合金を、例えば以下に示す条件
で高温スパッタすることにより、図１（Ｂ）に示すよう
に、Ａｌ−１％ＳｉでなるＡｌ膜（Ａｌ合金膜）２４の
埋込みが達成された。
ンバで、Ａｌ−１％Ｓｉ合金を、例えば以下に示す条件
で高温スパッタすることにより、図１（Ｂ）に示すよう
に、Ａｌ−１％ＳｉでなるＡｌ膜（Ａｌ合金膜）２４の
埋込みが達成された。
【００２１】 （Ａｌ−１％Ｓｉの高温スパッタ条件例） ○プロセスガス Ａｒ…１００SCCM ○スパッタ圧力…０．４Ｐａ ○成膜パワー…１０ｋＷ ○基板加熱温度…５００℃ ○成膜速度…０．６μｍ／分 なお、このＡｌ−１％Ｓｉの高温スパッタにおいては、
コリメータ１３は不要である。
コリメータ１３は不要である。
【００２２】（実施例２）本実施例は、上記実施例１で
用いたＡｌと反応し易い高融点金属系膜としてのＴｉ膜
２３に代えてＴｉＮ（酸素を殆ど含まない）膜を形成し
たものである。本実施例においても、上記実施例と同様
ＴｉＮ膜のスパッタにおいてコリメータを用いた。
用いたＡｌと反応し易い高融点金属系膜としてのＴｉ膜
２３に代えてＴｉＮ（酸素を殆ど含まない）膜を形成し
たものである。本実施例においても、上記実施例と同様
ＴｉＮ膜のスパッタにおいてコリメータを用いた。
【００２３】以下に、ＴｉＮのスパッタ条件を示す。
【００２４】 ○プロセスガス Ａｒ／Ｎ2＝４０／７０SCCM ○スパッタ圧力…０．４Ｐａ ○成膜パワー…５ｋＷ ○基板加熱温度…１５０℃ ○成膜速度…０．０１〜０．０４μｍ／分 なお、Ａｌ膜の高温スパッタ成膜条件は、上記実施例１
と同様とした。
と同様とした。
【００２５】本実施例においても、ＴｉＮ膜をコンタク
トホール側壁に良好に被着することが達成された。
トホール側壁に良好に被着することが達成された。
【００２６】以上、実施例について説明したが、本発明
は、これら実施例に限定されるものではなく、各種の配
線用接続孔に適用可能であり、成膜条件も適宜変更可能
である。
は、これら実施例に限定されるものではなく、各種の配
線用接続孔に適用可能であり、成膜条件も適宜変更可能
である。
【００２７】また、上記両実施例においては、スパッタ
粒子の入射方向を制御する手段としてコリメータを用い
たが、これに限定されるものではない。
粒子の入射方向を制御する手段としてコリメータを用い
たが、これに限定されるものではない。
【００２８】さらに、Ａｌと反応し易い高融点金属系膜
も、上記実施例で用いた材料を用いてもよい。
も、上記実施例で用いた材料を用いてもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、配線用接続孔側壁にＡｌと反応し易い膜（濡
れ性改善層）を厚く被着させることが可能となり、その
結果、高アスペクト比の配線用接続孔でも、高温スパッ
タ法でＡｌ系配線材料を確実に埋め込むことが可能とな
る。このため、信頼性の高い配線の形成が達成される効
果がある。
によれば、配線用接続孔側壁にＡｌと反応し易い膜（濡
れ性改善層）を厚く被着させることが可能となり、その
結果、高アスペクト比の配線用接続孔でも、高温スパッ
タ法でＡｌ系配線材料を確実に埋め込むことが可能とな
る。このため、信頼性の高い配線の形成が達成される効
果がある。
【図１】（Ａ），（Ｂ）は本発明の実施例１の工程を示
す断面図。
す断面図。
【図２】実施例で用いたスパッタ装置の説明図。
【図３】実施例に用いたコリメータの平面図。
【図４】実施例に用いたコリメータの断面図。
【図５】従来例の断面図。
【図６】従来例の断面図。
【図７】従来例の断面図。
【図８】従来例の断面図。
【図９】従来例の断面図。
１３…コリメータ、２１…シリコン基板、２２…絶縁
膜、２３…Ｔｉ膜、２４…Ａｌ膜。
膜、２３…Ｔｉ膜、２４…Ａｌ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｃ 7353−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成した絶縁膜に配線用
接続孔を開設し、該接続孔内アルミニウム系配線材料を
高温スパッタ法により堆積させるアルミニウム系配線材
料の埋込み方法において、 前記配線用接続孔を開設した後、少なくとも該接続孔内
面に、前記半導体基板に対して略垂直方向からスパッタ
粒子を入射させるように制御したスパッタ法を用いて、
Ａｌと反応し易い高融点金属膜を被着させ、その後前記
配線用接続孔を高温スパッタ法によりアルミニウム系配
線材料で埋め込むことを特徴とするアルミニウム系配線
材料の埋込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30963391A JPH05152248A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アルミニウム系配線材料の埋込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30963391A JPH05152248A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アルミニウム系配線材料の埋込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152248A true JPH05152248A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=17995388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30963391A Pending JPH05152248A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | アルミニウム系配線材料の埋込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152248A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161813A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5961793A (en) * | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
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