JPH05152179A - シリコンウエハの製造方法 - Google Patents

シリコンウエハの製造方法

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JPH05152179A
JPH05152179A JP31719391A JP31719391A JPH05152179A JP H05152179 A JPH05152179 A JP H05152179A JP 31719391 A JP31719391 A JP 31719391A JP 31719391 A JP31719391 A JP 31719391A JP H05152179 A JPH05152179 A JP H05152179A
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silicon wafer
wafer
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orientation
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誠司 栗原
Kazuhiro Morishima
和宏 森島
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ヘイズの発生がなく、デバイス特性の良好なシ
リコンウェハを製造できる方法を提供する。 【構成】ＣＺ法により製造した結晶方位（１００）のシ
リコン単結晶インゴットをスライス用カーボンに接着
し、結晶方位（１００）に対して０．２〜０．８゜傾け
てスライスし、この面方位を維持したままミラーポリッ
シングまで行い、水素含有還元性ガス雰囲気中でアニー
ルする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェハの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェハは以下のような方
法により製造されていた。ＣＺ法により製造された結晶
方位（１００）のシリコン単結晶インゴットをスライス
用カーボンに接着し、（１００）面に対して傾き角度
（方位ずれ）を０．２゜以内にしてスライサーにセット
してスライスし、ミラーポリッシングまで行ってミラー
ウェハを作製した後、還元性ガス雰囲気中でアニールし
ていた。還元性ガス雰囲気中でのアニールは、ウェハの
酸化誘起積層欠陥の発生を少なくするために行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法において、
ミラーウェハを還元性雰囲気でアニールすると、アニー
ル後に虹色をしたヘイズが発生する。虹色をしたヘイズ
は、オングストロームオーダでのウェハ表面の面荒れに
よるものである。このヘイズは、デバイス特性を劣化さ
せるため、シリコンウェハとしてはヘイズのないものが
望まれている。
【０００４】本発明は前記問題点を解決するためになさ
れたものであり、デバイス特性の良好なシリコンウェハ
を製造できる方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用】本発明のシリコン
ウェハの製造方法は、ウェハ面を結晶方位（１００）に
対して０．２〜２．０゜傾けてスライスしたシリコンウ
ェハを還元性雰囲気でアニールすることを特徴とするも
のである。
【０００６】本発明において、ウェハ面の結晶方位（１
００）面に対する傾き方向は任意の方向でさしつかえな
い。ウェハ面の結晶方位（１００）面に対する傾き角度
を０．２〜２．０゜としたのは、０．２゜未満ではヘイ
ズが発生し、２．０゜を超えるとデバイス特性が劣化す
るためである。より好ましい傾き角度は０．２〜０．８
゜である。
【０００７】本発明において、還元性ガス雰囲気中での
アニールは、水素含有ガス雰囲気中、４００〜１３００
℃、５分〜１００時間の条件で行われる。ここで、水素
含有ガス雰囲気とは、１００％水素ガス雰囲気、又は水
素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲
気をいう。
【０００８】アニール温度が４００℃未満ではウェハの
酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることが
できない。アニール温度が１３００℃を超えると石英治
具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。よ
り好ましい温度範囲は、１０００〜１３００℃である。
【０００９】アニール時間が５分未満ではウェハの酸化
誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることができ
ない。１００時間を超えてアニールしても、効果の向上
は期待できない。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１１】ＣＺ法により製造した結晶方位（１００）
のシリコン単結晶インゴットをスライス用カーボンに接
着し、結晶方位（１００）に対して（１１０）方向に
０．２〜０．８゜傾けてスライスし、この面方位を維持
したままミラーポリッシングまで行った。
【００１２】比較のために、同一のインゴットを結晶方
位（１００）に対して０．２゜以内に傾けてスライス
し、この面方位を維持したままミラーポリッシングまで
行った。
【００１３】これら傾き角度を変えた２種のミラーポリ
ッシング済ウェハを、同一バッチでＨ2 １００％ガスの
雰囲気下において１２００℃で１０分間アニールした。
アニール後、ＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2との混合液でウェハ
を洗浄した後、暗室において１００００ルクス以上のラ
イトでウェハ表面を観察した。
【００１４】その結果、面方位を０．２〜０．８゜傾け
たものには何ら異常は認められなかったが、０．２゜以
内傾けたものには虹色をしたヘイズが認められた。
【００１５】なお、ウェハ面を（１００）方向に０．２
〜０．８゜傾けてスライス及びミラーポリッシングした
後、アニールしたものでも虹色をしたヘイズの発生はな
かった。一方、傾き角度が０．２゜以内のものは、アニ
ール温度が８００℃でも虹色をしたヘイズが発生し、更
にアニール時間が１秒でも虹色をしたヘイズが発生し
た。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の方法を用い
れば、ヘイズの発生がなく、デバイス特性の良好なシリ
コンウェハを製造できる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハ面を結晶方位（１００）に対して
    ０．２〜２．０゜傾けてスライスしたシリコンウェハを
    還元性ガス雰囲気中でアニールすることを特徴とするシ
    リコンウェハの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100327339B1 (ko) * 1999-09-21 2002-03-06 윤종용 어닐링을 수반한 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 반도체 소자의 제조방법
WO2002039496A1 (fr) * 2000-11-09 2002-05-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de fabrication de plaquette recuite et plaquette recuite
US6776841B2 (en) 2001-10-30 2004-08-17 Hynix Semiconductor Inc. Method for fabricating a semiconductor epitaxial wafer having doped carbon and a semiconductor epitaxial wafer
JP2011216780A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハ、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法、及び貼り合わせｓｏｉウェーハ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100327339B1 (ko) * 1999-09-21 2002-03-06 윤종용 어닐링을 수반한 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 반도체 소자의 제조방법
WO2002039496A1 (fr) * 2000-11-09 2002-05-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de fabrication de plaquette recuite et plaquette recuite
JP2002151519A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
US6645834B2 (en) 2000-11-09 2003-11-11 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for manufacturing annealed wafer and annealed wafer
US6776841B2 (en) 2001-10-30 2004-08-17 Hynix Semiconductor Inc. Method for fabricating a semiconductor epitaxial wafer having doped carbon and a semiconductor epitaxial wafer
JP2011216780A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハ、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法、及び貼り合わせｓｏｉウェーハ

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