JPH11121407A - 半導体装置用基板及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11121407A JPH11121407A JP32399297A JP32399297A JPH11121407A JP H11121407 A JPH11121407 A JP H11121407A JP 32399297 A JP32399297 A JP 32399297A JP 32399297 A JP32399297 A JP 32399297A JP H11121407 A JPH11121407 A JP H11121407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon single
- angle
- semiconductor device
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温熱処理後においてもその処理を行ってい
ないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェーハと同等のヘイズ
・レベルを達成し得、かつカラー・ヘイズを生じない半
導体装置用基板を提供する。 【解決手段】 （１００）面に近似した主フラット面を
有するシリコン単結晶ウェーハであって、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜されている。
ないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェーハと同等のヘイズ
・レベルを達成し得、かつカラー・ヘイズを生じない半
導体装置用基板を提供する。 【解決手段】 （１００）面に近似した主フラット面を
有するシリコン単結晶ウェーハであって、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶ウ
ェーハからなる高集積の半導体装置用基板及びその製造
方法に関する。
ェーハからなる高集積の半導体装置用基板及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置用基板は、
（１００）面を主フラット面とするシリコン単結晶ウェ
ーハであり、＜０１−１＞方向又は＜０−１−１＞方向
に±１〜２°の角度で傾斜していることが許容されてお
り、又、表面改質（酸素不純物を外方拡散して無欠陥と
する）ため、水素ガス等の還元性ガス雰囲気又はアルゴ
ンガス等の不活性ガス雰囲気下での１０００℃以上の高
温熱処理が施されている。上記半導体装置用基板は、シ
リコン単結晶を＜１００＞方向に±１〜２°の角度のず
れを許容してチョクラルスキー（ＣＺ）法によって引き
上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを
引上軸に垂直にスライスして製造され、又、スライスさ
れたシリコン単結晶ウェーハを還元性ガスや不活性ガス
雰囲気において１０００℃以上の温度で熱処理して製造
されるものである。
（１００）面を主フラット面とするシリコン単結晶ウェ
ーハであり、＜０１−１＞方向又は＜０−１−１＞方向
に±１〜２°の角度で傾斜していることが許容されてお
り、又、表面改質（酸素不純物を外方拡散して無欠陥と
する）ため、水素ガス等の還元性ガス雰囲気又はアルゴ
ンガス等の不活性ガス雰囲気下での１０００℃以上の高
温熱処理が施されている。上記半導体装置用基板は、シ
リコン単結晶を＜１００＞方向に±１〜２°の角度のず
れを許容してチョクラルスキー（ＣＺ）法によって引き
上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを
引上軸に垂直にスライスして製造され、又、スライスさ
れたシリコン単結晶ウェーハを還元性ガスや不活性ガス
雰囲気において１０００℃以上の温度で熱処理して製造
されるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体製造用基板では、表面改質のための前記高温熱処
理を行うことにより、その表面の原子配列が変化するの
で、シリコン単結晶ウェーハ表面のマイクロラフネスが
高温熱処理を行わないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェー
ハと比較して良化するものの、ヘイズ・レベルが悪化し
てしまう不具合がある。ここで、ヘイズとは、斜光下目
視評価あるいはレーザー式ウェーハ表面検査装置による
評価において、入射光に対する散乱光の割合を意味し、
この値が上記熱処理ウェーハでは非熱処理のミラーＣＺ
ウェーハより高くなる。このヘイズ・レベルは、上述し
たようにシリコン単結晶ウェーハ表面における原子の再
配列に起因するものであり、当然、その結晶方向と密接
に関係する。そして、特に、＜１００＞方向に誤差なく
スライスされたシリコン単結晶ウェーハに対して前記高
温熱処理を施すと、その表面において原子の格子（原子
間距離）に依存した再配列が生じ、一定周期のテラス・
ステップ構造を有することとなり、その結果、カラー・
ヘイズが生じ、ひいては外観不良となる不具合がある。
そこで、本発明は、高温熱処理後においても高温熱処理
を行っていないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェーハと同
等のヘイズ・レベルを達成し得、かつカラー・ヘイズを
生じない半導体装置用基板及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
半導体製造用基板では、表面改質のための前記高温熱処
理を行うことにより、その表面の原子配列が変化するの
で、シリコン単結晶ウェーハ表面のマイクロラフネスが
高温熱処理を行わないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェー
ハと比較して良化するものの、ヘイズ・レベルが悪化し
てしまう不具合がある。ここで、ヘイズとは、斜光下目
視評価あるいはレーザー式ウェーハ表面検査装置による
評価において、入射光に対する散乱光の割合を意味し、
この値が上記熱処理ウェーハでは非熱処理のミラーＣＺ
ウェーハより高くなる。このヘイズ・レベルは、上述し
たようにシリコン単結晶ウェーハ表面における原子の再
配列に起因するものであり、当然、その結晶方向と密接
に関係する。そして、特に、＜１００＞方向に誤差なく
スライスされたシリコン単結晶ウェーハに対して前記高
温熱処理を施すと、その表面において原子の格子（原子
間距離）に依存した再配列が生じ、一定周期のテラス・
ステップ構造を有することとなり、その結果、カラー・
ヘイズが生じ、ひいては外観不良となる不具合がある。
そこで、本発明は、高温熱処理後においても高温熱処理
を行っていないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェーハと同
等のヘイズ・レベルを達成し得、かつカラー・ヘイズを
生じない半導体装置用基板及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の半導体装置用基板は、（１００）面
に近似した主フラット面を有するシリコン単結晶ウェー
ハであって、主フラット面が＜０１−１＞方向又は＜０
−１１＞方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞
方向又は＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の角度
で傾斜されていることを特徴とする。又、第２の半導体
装置用基板は、（１００）面に近似した主フラット面を
有するシリコン単結晶ウェーハであって、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜されていると共に、
還元性ガス、不活性ガス又はこれらの混合ガス雰囲気に
おける１０００℃以上の高温熱処理後のヘイズ・レベル
が０．５ｐｐｍ以下であり、かつカラー・ヘイズを有さ
ないことを特徴とする。一方、第１の半導体装置用基板
の製造方法は、シリコン単結晶を＜１００＞方向に引き
上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを
＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜させてスライスする
ことを特徴とする。第２の半導体装置用基板の製造方法
は、シリコン単結晶を＜０１−１＞方向又は＜０−１１
＞方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞方向又
は＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の角度で傾斜
させてほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成し、育成さ
れたシリコン単結晶インゴットを引上軸に垂直にスライ
スすることを特徴とする。第３の半導体装置用基板の製
造方法は、シリコン単結晶を＜１００＞方向に引き上げ
て育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを＜０
１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜０．０
８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に０．０
２〜０．０６°の角度で傾斜させてスライスし、しかる
後に還元性ガス、不活性ガス又はそれらの混合ガス雰囲
気において１０００℃以上の温度で熱処理することを特
徴とする。又、第４の半導体装置用基板の製造方法は、
シリコン単結晶を＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方
向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜
０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の角度で傾斜させ
てほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成し、育成された
シリコン単結晶インゴットを引上軸に垂直にスライス
し、しかる後に還元性ガス、不活性ガス又はそれらの混
合ガス雰囲気において１０００℃以上の温度で熱処理す
ることを特徴とする。
め、本発明の第１の半導体装置用基板は、（１００）面
に近似した主フラット面を有するシリコン単結晶ウェー
ハであって、主フラット面が＜０１−１＞方向又は＜０
−１１＞方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞
方向又は＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の角度
で傾斜されていることを特徴とする。又、第２の半導体
装置用基板は、（１００）面に近似した主フラット面を
有するシリコン単結晶ウェーハであって、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜されていると共に、
還元性ガス、不活性ガス又はこれらの混合ガス雰囲気に
おける１０００℃以上の高温熱処理後のヘイズ・レベル
が０．５ｐｐｍ以下であり、かつカラー・ヘイズを有さ
ないことを特徴とする。一方、第１の半導体装置用基板
の製造方法は、シリコン単結晶を＜１００＞方向に引き
上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを
＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜させてスライスする
ことを特徴とする。第２の半導体装置用基板の製造方法
は、シリコン単結晶を＜０１−１＞方向又は＜０−１１
＞方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞方向又
は＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の角度で傾斜
させてほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成し、育成さ
れたシリコン単結晶インゴットを引上軸に垂直にスライ
スすることを特徴とする。第３の半導体装置用基板の製
造方法は、シリコン単結晶を＜１００＞方向に引き上げ
て育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを＜０
１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜０．０
８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に０．０
２〜０．０６°の角度で傾斜させてスライスし、しかる
後に還元性ガス、不活性ガス又はそれらの混合ガス雰囲
気において１０００℃以上の温度で熱処理することを特
徴とする。又、第４の半導体装置用基板の製造方法は、
シリコン単結晶を＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方
向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜
０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の角度で傾斜させ
てほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成し、育成された
シリコン単結晶インゴットを引上軸に垂直にスライス
し、しかる後に還元性ガス、不活性ガス又はそれらの混
合ガス雰囲気において１０００℃以上の温度で熱処理す
ることを特徴とする。
【０００５】主フラット面の＜０１−１＞方向又は＜０
−１１＞方向への傾斜角度が０．０５°未満、＜０−１
−１＞方向又は＜０１１＞方向への傾斜角度が０．０２
°未満であると、カラー・ヘイズが発生する一方、＜０
１−１＞方向又は＜０−１１＞方向への傾斜角度が０．
０８°を超え、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向
への傾斜角度が０．０６°を超えると、高温熱処理後の
ヘイズ・レベルが高温熱処理を行わない非熱処理のミラ
ーＣＺウェーハより格段に高くなり、外観不良となる。
高温熱処理時の温度が１０００℃未満であると、シリコ
ン単結晶ウェーハの表面改質が行われない。又、高温熱
処理時間は、１〜３６０分が好ましい。又、ヘイズ・レ
ベルが５ｐｐｍを超えると、外観不良となる。好ましい
ヘイズ・レベルは、０．３ｐｐｍ以下である。
−１１＞方向への傾斜角度が０．０５°未満、＜０−１
−１＞方向又は＜０１１＞方向への傾斜角度が０．０２
°未満であると、カラー・ヘイズが発生する一方、＜０
１−１＞方向又は＜０−１１＞方向への傾斜角度が０．
０８°を超え、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向
への傾斜角度が０．０６°を超えると、高温熱処理後の
ヘイズ・レベルが高温熱処理を行わない非熱処理のミラ
ーＣＺウェーハより格段に高くなり、外観不良となる。
高温熱処理時の温度が１０００℃未満であると、シリコ
ン単結晶ウェーハの表面改質が行われない。又、高温熱
処理時間は、１〜３６０分が好ましい。又、ヘイズ・レ
ベルが５ｐｐｍを超えると、外観不良となる。好ましい
ヘイズ・レベルは、０．３ｐｐｍ以下である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的な実施例を参照して説明する。 実施例１ 先ず、ＣＺ法によりシリコン単結晶を＜１００＞方向に
引き上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴッ
トを、表１，表２に示すように、＜０１−１＞方向にＯ
ＦＦ角度Ｘ、＜０−１−１＞方向にＯＦＦ角度Ｙでスラ
イスし、主フラット面が（１００）面に近似した各種の
シリコン単結晶ウェーハを得た。次に、各シリコン単結
晶ウェーハに水素ガス雰囲気において１２００℃の温度
で１時間かけて熱処理（水素アニール）を施し、水素ア
ニール前後でのシリコン単結晶ウェーハ表面のヘイズ・
レベルをレーザー式表面検査装置によって測定したとこ
ろ、表１，表２に示すようになった。
て具体的な実施例を参照して説明する。 実施例１ 先ず、ＣＺ法によりシリコン単結晶を＜１００＞方向に
引き上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴッ
トを、表１，表２に示すように、＜０１−１＞方向にＯ
ＦＦ角度Ｘ、＜０−１−１＞方向にＯＦＦ角度Ｙでスラ
イスし、主フラット面が（１００）面に近似した各種の
シリコン単結晶ウェーハを得た。次に、各シリコン単結
晶ウェーハに水素ガス雰囲気において１２００℃の温度
で１時間かけて熱処理（水素アニール）を施し、水素ア
ニール前後でのシリコン単結晶ウェーハ表面のヘイズ・
レベルをレーザー式表面検査装置によって測定したとこ
ろ、表１，表２に示すようになった。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【表２】
【０００９】表１，表２から、Ｎｏ．１〜１１のよう
に、主フラット面が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞
方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞方向又は
＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°のＯＦＦ角度で
傾斜されていることにより、すなわち、主フラット面の
傾斜角度を図１に示す矩形状の４つの枠内に収めること
により、水素アニールの前後でヘイズ・レベルの変化が
ほとんどなく、かつ斜光下目視によるカラー・ヘイズも
確認されず、良好な表面状態を得られることがわかる。
これに対し、Ｎｏ．２７〜４９のように、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０８°
を超え、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に０．
０６°を超えたＯＦＦ角度で傾斜されていることによ
り、通常の水素アニール後のヘイズ・レベルと同等であ
り、水素アニール前のＣＺウェーハのレベルより悪化し
ていることがわかる。更に、Ｎｏ．１２〜２６のよう
に、主フラット面が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞
方向に０．０５°未満、＜０−１−１＞方向又は＜０１
１＞方向に０．０２°未満のＯＦＦ角度で傾斜されてい
ることにより、水素アニール後のレーザー式表面検査装
置による測定では、Ｎｏ．１〜１１と同等のヘイズ・レ
ベルであるものの、斜光下目視によりカラー・ヘイズが
確認されていることがわかる。
に、主フラット面が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞
方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−１＞方向又は
＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°のＯＦＦ角度で
傾斜されていることにより、すなわち、主フラット面の
傾斜角度を図１に示す矩形状の４つの枠内に収めること
により、水素アニールの前後でヘイズ・レベルの変化が
ほとんどなく、かつ斜光下目視によるカラー・ヘイズも
確認されず、良好な表面状態を得られることがわかる。
これに対し、Ｎｏ．２７〜４９のように、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０８°
を超え、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に０．
０６°を超えたＯＦＦ角度で傾斜されていることによ
り、通常の水素アニール後のヘイズ・レベルと同等であ
り、水素アニール前のＣＺウェーハのレベルより悪化し
ていることがわかる。更に、Ｎｏ．１２〜２６のよう
に、主フラット面が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞
方向に０．０５°未満、＜０−１−１＞方向又は＜０１
１＞方向に０．０２°未満のＯＦＦ角度で傾斜されてい
ることにより、水素アニール後のレーザー式表面検査装
置による測定では、Ｎｏ．１〜１１と同等のヘイズ・レ
ベルであるものの、斜光下目視によりカラー・ヘイズが
確認されていることがわかる。
【００１０】実施例２ 先ず、ＣＺ法によりシリコン単結晶を、＜０１−１＞方
向と＜０−１−１＞方向に、実施例１と同様に種々の角
度で傾斜させてほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成
し、育成されたシリコン単結晶インゴットを引上軸に垂
直にスライスし、主フラット面が（１００）面に近似し
た各種のインゴット単結晶ウェーハを得た。次に、各シ
リコン単結晶ウェーハにアルゴンガス雰囲気において１
２００℃の温度で１時間かけて熱処理（Ａｒアニール）
を施し、Ａｒアニール前後でのシリコン単結晶ウェーハ
表面をレーザー式表面検査装置によって測定し、かつ斜
光下目視評価したところ、実施例１と同結果となった。
向と＜０−１−１＞方向に、実施例１と同様に種々の角
度で傾斜させてほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成
し、育成されたシリコン単結晶インゴットを引上軸に垂
直にスライスし、主フラット面が（１００）面に近似し
た各種のインゴット単結晶ウェーハを得た。次に、各シ
リコン単結晶ウェーハにアルゴンガス雰囲気において１
２００℃の温度で１時間かけて熱処理（Ａｒアニール）
を施し、Ａｒアニール前後でのシリコン単結晶ウェーハ
表面をレーザー式表面検査装置によって測定し、かつ斜
光下目視評価したところ、実施例１と同結果となった。
【００１１】なお、スライスされたシリコン単結晶ウェ
ーハの高温熱処理時の雰囲気は、水素ガス又はアルゴン
ガスに限らず、水素とアルゴンの混合ガスとしてもよ
い。
ーハの高温熱処理時の雰囲気は、水素ガス又はアルゴン
ガスに限らず、水素とアルゴンの混合ガスとしてもよ
い。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の半
導体装置用基板及びその第１、第２の製造方法によれ
ば、原子間距離に依存したテラス・ステップ構造を生じ
させることなく、かつウェーハ表面での原子の再配列も
結晶軸方向へ促進させないので、高温熱処理後のシリコ
ン単結晶ウェーハ（半導体装置用基板）のヘイズ・レベ
ルを高温熱処理を行っていないＣＺ（ＭＬポリッシュ
ド）ウェーハと同等とすることができると共に、カラー
・ヘイズを生じないものとすることができる。又、第２
の半導体装置用基板及びその第３、第４の製造方法によ
れば、高温熱処理によって表面改質された半導体装置用
基板を、カラー・ヘイズを生ぜず、かつ高温熱処理を行
っていないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェーハと同等の
ヘイズ・レベルのものとすることができる。
導体装置用基板及びその第１、第２の製造方法によれ
ば、原子間距離に依存したテラス・ステップ構造を生じ
させることなく、かつウェーハ表面での原子の再配列も
結晶軸方向へ促進させないので、高温熱処理後のシリコ
ン単結晶ウェーハ（半導体装置用基板）のヘイズ・レベ
ルを高温熱処理を行っていないＣＺ（ＭＬポリッシュ
ド）ウェーハと同等とすることができると共に、カラー
・ヘイズを生じないものとすることができる。又、第２
の半導体装置用基板及びその第３、第４の製造方法によ
れば、高温熱処理によって表面改質された半導体装置用
基板を、カラー・ヘイズを生ぜず、かつ高温熱処理を行
っていないＣＺ（ＭＬポリッシュド）ウェーハと同等の
ヘイズ・レベルのものとすることができる。
【図１】本発明に係る半導体装置用基板の主フラット面
の傾斜角度範囲を示す説明図である。
の傾斜角度範囲を示す説明図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 半導体装置用基板及び
その製造方法
その製造方法
Claims (6)
- 【請求項１】 （１００）面に近似した主フラット面を
有するシリコン単結晶ウェーハであって、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜されていることを特
徴とする半導体装置用基板。 - 【請求項２】 （１００）面に近似した主フラット面を
有するシリコン単結晶ウェーハであって、主フラット面
が＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜されていると共に、
還元性ガス、不活性ガス又はこれらの混合ガス雰囲気に
おける１０００℃以上の高温熱処理後のヘイズ・レベル
が０．５ｐｐｍ以下であり、かつカラー・ヘイズを有さ
ないことを特徴とする半導体装置用基板。 - 【請求項３】 シリコン単結晶を＜１００＞方向に引き
上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを
＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜させてスライスする
ことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 - 【請求項４】 シリコン単結晶を＜０１−１＞方向又は
＜０−１１＞方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−
１＞方向又は＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の
角度で傾斜させてほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成
し、育成されたシリコン単結晶インゴットを引上軸に垂
直にスライスすることを特徴とする半導体装置用基板の
製造方法。 - 【請求項５】 シリコン単結晶を＜１００＞方向に引き
上げて育成し、育成されたシリコン単結晶インゴットを
＜０１−１＞方向又は＜０−１１＞方向に０．０５〜
０．０８°、＜０−１−１＞方向又は＜０１１＞方向に
０．０２〜０．０６°の角度で傾斜させてスライスし、
しかる後に還元性ガス、不活性ガス又はそれらの混合ガ
ス雰囲気において１０００℃以上の温度で熱処理するこ
とを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 - 【請求項６】 シリコン単結晶を＜０１−１＞方向又は
＜０−１１＞方向に０．０５〜０．０８°、＜０−１−
１＞方向又は＜０１１＞方向に０．０２〜０．０６°の
角度で傾斜させてほぼ＜１００＞方向に引き上げて育成
し、育成されたシリコン単結晶インゴットを引上軸に垂
直にスライスし、しかる後に還元性ガス、不活性ガス又
はそれらの混合ガス雰囲気において１０００℃以上の温
度で熱処理することを特徴とする半導体装置用基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32399297A JPH11121407A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | 半導体装置用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32399297A JPH11121407A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | 半導体装置用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121407A true JPH11121407A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=18160924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32399297A Pending JPH11121407A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | 半導体装置用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121407A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039496A1 (fr) * | 2000-11-09 | 2002-05-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication de plaquette recuite et plaquette recuite |
| JP2013254982A (ja) * | 2013-08-21 | 2013-12-19 | Tohoku Univ | 半導体基板および半導体装置 |
| CN113421823A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-09-21 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种控制氩退火片边缘Haze的工艺 |
-
1997
- 1997-10-09 JP JP32399297A patent/JPH11121407A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039496A1 (fr) * | 2000-11-09 | 2002-05-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication de plaquette recuite et plaquette recuite |
| JP2002151519A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ |
| US6645834B2 (en) | 2000-11-09 | 2003-11-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing annealed wafer and annealed wafer |
| JP2013254982A (ja) * | 2013-08-21 | 2013-12-19 | Tohoku Univ | 半導体基板および半導体装置 |
| CN113421823A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-09-21 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种控制氩退火片边缘Haze的工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0845945A (ja) | シリコンウェーハのイントリンシックゲッタリング処理法 | |
| JP2000044389A (ja) | エピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハ | |
| Ravi | The heterogeneous precipitation of silicon oxides in silicon | |
| JP2002353225A (ja) | 窒素ドープアニールウエーハの製造方法及び窒素ドープアニールウエーハ | |
| JP2018510492A (ja) | エピタキシャルにコーティングされた半導体ウェハとエピタキシャルにコーティングされた半導体ウェハの製造方法 | |
| JPWO2003009365A1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、および、シリコンエピタキシャルウェーハ | |
| JP2742247B2 (ja) | シリコン単結晶基板の製造方法および品質管理方法 | |
| JPH11121407A (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法 | |
| JP2002184779A (ja) | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ | |
| JP4465141B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| JPH1192283A (ja) | シリコンウエハ及びその製造方法 | |
| JPH06252154A (ja) | シリコンウェーハ | |
| JPH10144698A (ja) | シリコンウエーハ及びその製造方法 | |
| JP4603677B2 (ja) | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ | |
| KR20130109044A (ko) | 실리콘 웨이퍼 | |
| JP3827166B2 (ja) | 傾斜表面シリコンウエハの表面構造の形成方法 | |
| JP2725460B2 (ja) | エピタキシャルウェハーの製造方法 | |
| JP2009302140A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| JPS63198334A (ja) | 半導体シリコンウエ−ハの製造方法 | |
| JP2772183B2 (ja) | シリコンウェハの製造方法 | |
| JPH03133121A (ja) | 半導体デバイス用シリコン基板及びその製造方法 | |
| JPH05283350A (ja) | エピタキシャル半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH10233380A (ja) | シリコン単結晶の表面処理方法及びシリコン単結晶薄膜の製造方法 | |
| JP2002246396A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2002003295A (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |