JPH05150274A - 液晶デバイス及びその製造方法 - Google Patents
液晶デバイス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05150274A JPH05150274A JP31439591A JP31439591A JPH05150274A JP H05150274 A JPH05150274 A JP H05150274A JP 31439591 A JP31439591 A JP 31439591A JP 31439591 A JP31439591 A JP 31439591A JP H05150274 A JPH05150274 A JP H05150274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- ferroelectric
- liq
- crystal
- crystal device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】低い駆動電圧で速い立ち下がり時間と高いコン
トラスト比を示す動作モードが透過／散乱型の液晶デバ
イスを提供する 【構成】電極層を有する透明な一対の基板と、この基板
の電極層間に挟持された液晶含有層とから構成され、該
液晶含有層がカイラルスメクチックＣ相となる強誘電性
液晶と重合体との複合体で、動作モードが透過／散乱型
の液晶デバイス。
トラスト比を示す動作モードが透過／散乱型の液晶デバ
イスを提供する 【構成】電極層を有する透明な一対の基板と、この基板
の電極層間に挟持された液晶含有層とから構成され、該
液晶含有層がカイラルスメクチックＣ相となる強誘電性
液晶と重合体との複合体で、動作モードが透過／散乱型
の液晶デバイス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶デバイス及びその
製造方法に関する。さらに詳しくは大面積化が可能な、
光の透過／散乱を電気的に操作し得る液晶デバイス及び
その製造方法に関する。
製造方法に関する。さらに詳しくは大面積化が可能な、
光の透過／散乱を電気的に操作し得る液晶デバイス及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、カイラルスメクチックＣ相を示す
液晶、すなわち強誘電性液晶を表示材料に応用する研究
が盛んに行われている。その代表的なものであり、現在
の研究開発の主流を占めているのが１９８０年にＮ．
Ａ．ＣｌａｒｋとＳ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌにより提
案された表面安定化強誘電性液晶表示装置（以下ＳＳＦ
ＬＣＤと称する。）である。
液晶、すなわち強誘電性液晶を表示材料に応用する研究
が盛んに行われている。その代表的なものであり、現在
の研究開発の主流を占めているのが１９８０年にＮ．
Ａ．ＣｌａｒｋとＳ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌにより提
案された表面安定化強誘電性液晶表示装置（以下ＳＳＦ
ＬＣＤと称する。）である。
【０００３】しかしながら、ＳＳＦＬＣＤを実用に供す
るためには解決しなくてはならない課題が多くある。そ
のような課題の一つが明るさを犠牲にせず十分なコント
ラスト比を得るための方法または材料の開発である。そ
のためには暗状態での光の漏れを最小限にする必要があ
る。暗状態で光が漏れる原因としてスメクチック層がセ
ル中央部で折れ曲がったシェブロン構造やねじれ状態が
存在する。現時点においてＳＳＦＬＣＤが実用化に至ら
ない原因の一つがこのシェブロン構造であり、当初ＳＳ
ＦＬＣＤの概念が発表された頃には全く予想できなかっ
た構造である。このシェブロン構造を排除し、本来のブ
ックシェルフ構造または傾斜ブックシェルフ構造を実現
するための努力が、液晶材料の側面及び配向制御の側面
から活発になされている。しかしながら、強誘電性液晶
相において、これら分子の配向を制御することは非常に
困難であるというのが現状である。また、強誘電性液晶
化合物または組成物と熱可塑性樹脂とよりなる厚み１．
２μｍ程度の強誘電性複合薄膜については梶山らにより
提案されている。（特開昭６２−２６０８４１号公
報）。しかし、この複合膜の目的は室温付近で熱力学的
に安定な強誘電相を形成し得る強誘電性膜を製造するこ
とにあり、上述の問題は必ずしも解決されない。
るためには解決しなくてはならない課題が多くある。そ
のような課題の一つが明るさを犠牲にせず十分なコント
ラスト比を得るための方法または材料の開発である。そ
のためには暗状態での光の漏れを最小限にする必要があ
る。暗状態で光が漏れる原因としてスメクチック層がセ
ル中央部で折れ曲がったシェブロン構造やねじれ状態が
存在する。現時点においてＳＳＦＬＣＤが実用化に至ら
ない原因の一つがこのシェブロン構造であり、当初ＳＳ
ＦＬＣＤの概念が発表された頃には全く予想できなかっ
た構造である。このシェブロン構造を排除し、本来のブ
ックシェルフ構造または傾斜ブックシェルフ構造を実現
するための努力が、液晶材料の側面及び配向制御の側面
から活発になされている。しかしながら、強誘電性液晶
相において、これら分子の配向を制御することは非常に
困難であるというのが現状である。また、強誘電性液晶
化合物または組成物と熱可塑性樹脂とよりなる厚み１．
２μｍ程度の強誘電性複合薄膜については梶山らにより
提案されている。（特開昭６２−２６０８４１号公
報）。しかし、この複合膜の目的は室温付近で熱力学的
に安定な強誘電相を形成し得る強誘電性膜を製造するこ
とにあり、上述の問題は必ずしも解決されない。
【０００４】一方、強誘電性液晶を十分に厚いセルに封
入した場合、強誘電性液晶はカイラルスメクチックＣ
（以下Ｓｃ＊と称する。）相において、自発分極を打ち
消すために層毎に分子の方位角が少しずつ変化し、系全
体として螺旋構造を有するという性質がある。
入した場合、強誘電性液晶はカイラルスメクチックＣ
（以下Ｓｃ＊と称する。）相において、自発分極を打ち
消すために層毎に分子の方位角が少しずつ変化し、系全
体として螺旋構造を有するという性質がある。
【０００５】吉野らは水平配向処理を施した比較的厚い
セルに強誘電性液晶を封入し、このセルに電界を印加す
ると透過光量が変化する事を報告している〔ジャパニー
ズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）１７（１９７８）５
９７〕。これは、螺旋構造による光散乱が電圧印加によ
る螺旋構造の消失により無くなることに由来するもので
あるといわれている。吉野らは強誘電性液晶としてｐ−
デシル−オキシベンジリデン−ｐ’−アミノ−２−メチ
ルブチル−シンナメート〔ｐ−ｄｅｃｙｌ−ｏｘｙｂｅ
ｎｚｙｌｉｄｅｎｅ−ｐ’−ａｍｉｎｏ−２−ｍｅｔｈ
ｙｌｂｕｔｙｌ ｃｉｎｎａｍａｔｅ〕（以下ＤＯＢＡ
ＭＢＣと略す。）を用いて厚さが２５０μｍのセルでコ
ントラスト比約６０を達成している。ただし、この場合
は印加電圧が約１００Ｖと高いため、必ずしも実用的で
はない。またＤＯＢＡＭＢＣを用いた同様の検討でセル
厚３０μｍでコントラスト比約２０（３０Ｖ印加時）を
達成しているが、この場合、動作温度がＳｃ＊相を示す
温度範囲の下限に近いため、立ち上がり応答時間が著し
く増大している。
セルに強誘電性液晶を封入し、このセルに電界を印加す
ると透過光量が変化する事を報告している〔ジャパニー
ズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）１７（１９７８）５
９７〕。これは、螺旋構造による光散乱が電圧印加によ
る螺旋構造の消失により無くなることに由来するもので
あるといわれている。吉野らは強誘電性液晶としてｐ−
デシル−オキシベンジリデン−ｐ’−アミノ−２−メチ
ルブチル−シンナメート〔ｐ−ｄｅｃｙｌ−ｏｘｙｂｅ
ｎｚｙｌｉｄｅｎｅ−ｐ’−ａｍｉｎｏ−２−ｍｅｔｈ
ｙｌｂｕｔｙｌ ｃｉｎｎａｍａｔｅ〕（以下ＤＯＢＡ
ＭＢＣと略す。）を用いて厚さが２５０μｍのセルでコ
ントラスト比約６０を達成している。ただし、この場合
は印加電圧が約１００Ｖと高いため、必ずしも実用的で
はない。またＤＯＢＡＭＢＣを用いた同様の検討でセル
厚３０μｍでコントラスト比約２０（３０Ｖ印加時）を
達成しているが、この場合、動作温度がＳｃ＊相を示す
温度範囲の下限に近いため、立ち上がり応答時間が著し
く増大している。
【０００６】しかし、上記のような動作モードが透過／
散乱型の液晶デバイスを用いた表示装置では種々の問題
点はあるものの、偏光板が不要であり、明るい画面の実
現が期待できる。また強誘電性液晶を利用した表示装置
としてよく研究されている上述の表面安定化型強誘電性
液晶表示装置と異なり、分子配向が完全である必要はな
い。このため、より簡便に大面積に成し得るセルを作成
することができる。
散乱型の液晶デバイスを用いた表示装置では種々の問題
点はあるものの、偏光板が不要であり、明るい画面の実
現が期待できる。また強誘電性液晶を利用した表示装置
としてよく研究されている上述の表面安定化型強誘電性
液晶表示装置と異なり、分子配向が完全である必要はな
い。このため、より簡便に大面積に成し得るセルを作成
することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
透過／散乱型の液晶デバイスは、電圧無印加時の光散乱
を大きくしてコントラスト比を上げるためにはセル厚を
大きくする必要があり、結果として高い駆動電圧が必要
である。また、Ｓｃ＊相温度範囲内で温度を下げると、
コントラスト比が向上するが、この場合は立ち上がり応
答時間が増大するという問題点がある。応答時間につい
ては印加電圧を大きくすることで立ち上がり応答時間を
短くすることができるが、この場合は立ち下がり応答時
間が増大する。液晶デバイスとしての機能は立ち上がり
または立ち下がり応答時間の長い方に規制されるので依
然として問題は解消されない。
透過／散乱型の液晶デバイスは、電圧無印加時の光散乱
を大きくしてコントラスト比を上げるためにはセル厚を
大きくする必要があり、結果として高い駆動電圧が必要
である。また、Ｓｃ＊相温度範囲内で温度を下げると、
コントラスト比が向上するが、この場合は立ち上がり応
答時間が増大するという問題点がある。応答時間につい
ては印加電圧を大きくすることで立ち上がり応答時間を
短くすることができるが、この場合は立ち下がり応答時
間が増大する。液晶デバイスとしての機能は立ち上がり
または立ち下がり応答時間の長い方に規制されるので依
然として問題は解消されない。
【０００８】本発明の目的は、強誘電性液晶の螺旋構造
の変化（以下ヘリカル変歪効果と称する。）を利用した
動作モードが透過／散乱型の液晶デバイスにおいて、強
誘電性液晶と適当な化合物を複合化することにより、強
誘電性液晶を単独で用いた場合に比べて、その特性を向
上させることである。すなわち、Ｓｃ＊相を有する液晶
含有複合膜の透過／散乱現象を利用し、より低い駆動電
圧で、より速い立ち下がり時間と、より高いコントラス
ト比を示す新規な液晶デバイスとその製造法を提供する
ことにある。
の変化（以下ヘリカル変歪効果と称する。）を利用した
動作モードが透過／散乱型の液晶デバイスにおいて、強
誘電性液晶と適当な化合物を複合化することにより、強
誘電性液晶を単独で用いた場合に比べて、その特性を向
上させることである。すなわち、Ｓｃ＊相を有する液晶
含有複合膜の透過／散乱現象を利用し、より低い駆動電
圧で、より速い立ち下がり時間と、より高いコントラス
ト比を示す新規な液晶デバイスとその製造法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、電極層を有す
る少なくとも一方が透明な一対の基板と、この基板の電
極層間に挟持された液晶含有層とから構成され、該液晶
含有層がカイラルスメクチックＣ相となる液晶６０〜９
８重量％及び重合体４０〜２％重量からなる複合体で、
動作モードが透過／散乱型であることを特徴とする液晶
デバイスを提供することにある。本発明は良好なヘリカ
ル変歪特性を示す強誘電性液晶組成物について研究の結
果、強誘電性液晶に重合体を混合することにより混合前
よりも諸物性が改良される系を見いだし、達成されたも
のである。
る少なくとも一方が透明な一対の基板と、この基板の電
極層間に挟持された液晶含有層とから構成され、該液晶
含有層がカイラルスメクチックＣ相となる液晶６０〜９
８重量％及び重合体４０〜２％重量からなる複合体で、
動作モードが透過／散乱型であることを特徴とする液晶
デバイスを提供することにある。本発明は良好なヘリカ
ル変歪特性を示す強誘電性液晶組成物について研究の結
果、強誘電性液晶に重合体を混合することにより混合前
よりも諸物性が改良される系を見いだし、達成されたも
のである。
【００１０】本発明で使用される液晶としては強誘電性
Ｓｃ＊液晶となる化合物、組成物であれば特に限定され
ず使用することができる。強誘電性Ｓｃ* 液晶となる化
合物としては、アゾメチン系、シッフ塩基系、アゾおよ
びアゾキシ系、ビフェニル系、アロマティックエステル
系、フェニルピリミジン系化合物等の強誘電性Ｓｃ＊液
晶を示す化合物単独または二種以上の混合物が挙げられ
る。また強誘電性Ｓｃ＊液晶となる組成物としては前記
化合物に改良剤を加えた強誘電性Ｓｃ＊液晶を示す組成
物やスメクチック液晶化合物を母体液晶としてこれにカ
イラル化合物を加えて強誘電性Ｓｃ＊液晶を示す組成物
としたもの等が挙げられる。
Ｓｃ＊液晶となる化合物、組成物であれば特に限定され
ず使用することができる。強誘電性Ｓｃ* 液晶となる化
合物としては、アゾメチン系、シッフ塩基系、アゾおよ
びアゾキシ系、ビフェニル系、アロマティックエステル
系、フェニルピリミジン系化合物等の強誘電性Ｓｃ＊液
晶を示す化合物単独または二種以上の混合物が挙げられ
る。また強誘電性Ｓｃ＊液晶となる組成物としては前記
化合物に改良剤を加えた強誘電性Ｓｃ＊液晶を示す組成
物やスメクチック液晶化合物を母体液晶としてこれにカ
イラル化合物を加えて強誘電性Ｓｃ＊液晶を示す組成物
としたもの等が挙げられる。
【００１１】具体的には例えば特開昭６２−２６０８４
１号公報に例示されているアゾメチン系強誘電性Ｓｃ*
液晶化合物および組成物、特開平３−１２４８７号公報
等に例示されているフェニルピリミジン系の強誘電性Ｓ
ｃ* 液晶化合物およびそれらを含む液晶組成物、特開平
３−８３９４９号公報に例示されている光学活性なビフ
ェニル系の強誘電性Ｓｃ* 液晶化合物およびそれを含む
液晶組成物、特開昭５９−９８０５１号および同６０−
１９９８６５号公報に例示されているシッフ塩基系の強
誘電性Ｓｃ* 液晶化合物およびそれを含む組成物、特開
昭６１−１８３２５６号公報に例示されているアゾキシ
系強誘電性Ｓｃ* 液晶化合物およびそれを含む組成物、
特開平２−１６７２５１号公報に例示されているアロマ
チックエステル系の強誘電性液晶化合物およびそれを含
む組成物、特開平３−２０７７９０号公報に例示されて
いるスメクチック液晶を示すフェニルピリミジン系化合
物、フェニルピリジン系化合物、ビフェニル化合物また
はアロマティックエステル系化合物を母体液晶とし、こ
れにカイラル化合物を加えた強誘電性Ｓｃ* 液晶組成
物、特開平３−６２８８５号公報に例示されているスメ
クティック液晶化合物にアロマティックエステル系カイ
ラル化合物を添加した強誘電性Ｓｃ* 液晶組成物等が例
示される。
１号公報に例示されているアゾメチン系強誘電性Ｓｃ*
液晶化合物および組成物、特開平３−１２４８７号公報
等に例示されているフェニルピリミジン系の強誘電性Ｓ
ｃ* 液晶化合物およびそれらを含む液晶組成物、特開平
３−８３９４９号公報に例示されている光学活性なビフ
ェニル系の強誘電性Ｓｃ* 液晶化合物およびそれを含む
液晶組成物、特開昭５９−９８０５１号および同６０−
１９９８６５号公報に例示されているシッフ塩基系の強
誘電性Ｓｃ* 液晶化合物およびそれを含む組成物、特開
昭６１−１８３２５６号公報に例示されているアゾキシ
系強誘電性Ｓｃ* 液晶化合物およびそれを含む組成物、
特開平２−１６７２５１号公報に例示されているアロマ
チックエステル系の強誘電性液晶化合物およびそれを含
む組成物、特開平３−２０７７９０号公報に例示されて
いるスメクチック液晶を示すフェニルピリミジン系化合
物、フェニルピリジン系化合物、ビフェニル化合物また
はアロマティックエステル系化合物を母体液晶とし、こ
れにカイラル化合物を加えた強誘電性Ｓｃ* 液晶組成
物、特開平３−６２８８５号公報に例示されているスメ
クティック液晶化合物にアロマティックエステル系カイ
ラル化合物を添加した強誘電性Ｓｃ* 液晶組成物等が例
示される。
【００１２】上記の液晶と複合化する重合体としては特
に限定なく使用できる。好適な重合体としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリブチレン等のポリオレフ
ィン類、、ポリスチレン等のポリ芳香族ビニル類、ポリ
酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リメチルアクリレート等のポリアクリル酸エステル類、
ポリメチルメタクリレート等のポリメタクリル酸エステ
ル類、ポリアクリロニトリル、ポリメチルビニルエーテ
ル等のポリビニルエーテル類、ポリビニルケトン類、ポ
リプロピレンオキシド、ポリエチレンオキシド等のポリ
アルキレンオキシド類、ポリカーボネート類、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等の
ポリエステル類、ナイロン４、ナイロン６、ナイロン
６，６、ナイロン６，１２等のポリアミド類、ポリビニ
ルアルコール、ポリブタジェン、ポリイソプレン等のジ
エン系ポリマー、ポリウレタン系ポリマー、シリコーン
樹脂及びゴム、天然ゴム、メチルセルロースやエチルセ
ルロース等の変性セルロース類、エポキシ樹脂などが挙
げられる。これら重合体は共重合体であってもよく、ま
た単独で、または適宜混合して使用することも可能であ
る。
に限定なく使用できる。好適な重合体としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリブチレン等のポリオレフ
ィン類、、ポリスチレン等のポリ芳香族ビニル類、ポリ
酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リメチルアクリレート等のポリアクリル酸エステル類、
ポリメチルメタクリレート等のポリメタクリル酸エステ
ル類、ポリアクリロニトリル、ポリメチルビニルエーテ
ル等のポリビニルエーテル類、ポリビニルケトン類、ポ
リプロピレンオキシド、ポリエチレンオキシド等のポリ
アルキレンオキシド類、ポリカーボネート類、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等の
ポリエステル類、ナイロン４、ナイロン６、ナイロン
６，６、ナイロン６，１２等のポリアミド類、ポリビニ
ルアルコール、ポリブタジェン、ポリイソプレン等のジ
エン系ポリマー、ポリウレタン系ポリマー、シリコーン
樹脂及びゴム、天然ゴム、メチルセルロースやエチルセ
ルロース等の変性セルロース類、エポキシ樹脂などが挙
げられる。これら重合体は共重合体であってもよく、ま
た単独で、または適宜混合して使用することも可能であ
る。
【００１３】本発明で使用するＳｃ＊相を示す液晶およ
び重合体が液晶含有層に占める比率は、液晶含有層がヘ
リカル変歪効果を示す限りは特に限定されないが、通常
液晶が６０〜９８重量％、重合体が４０〜２重量％であ
り、より好ましくは液晶が７０〜９５重量％、重合体が
３０〜５重量％である。Ｓｃ＊相を有する液晶の比率が
６０重量％未満であると、液晶含有層が良好なヘリカル
変歪効果を示さず、一方、また９８重量％より多いと、
複合化による効果が顕著でない。なお、上記のデバイス
において、使用温度における液晶含有層の微細構造は液
晶性化合物または組成物がＳｃ＊相を示す限りは均一な
状態、液晶中に重合体が分散している状態、または重合
体をマトリックスとし、液晶が分散している状態のどれ
でもよい。
び重合体が液晶含有層に占める比率は、液晶含有層がヘ
リカル変歪効果を示す限りは特に限定されないが、通常
液晶が６０〜９８重量％、重合体が４０〜２重量％であ
り、より好ましくは液晶が７０〜９５重量％、重合体が
３０〜５重量％である。Ｓｃ＊相を有する液晶の比率が
６０重量％未満であると、液晶含有層が良好なヘリカル
変歪効果を示さず、一方、また９８重量％より多いと、
複合化による効果が顕著でない。なお、上記のデバイス
において、使用温度における液晶含有層の微細構造は液
晶性化合物または組成物がＳｃ＊相を示す限りは均一な
状態、液晶中に重合体が分散している状態、または重合
体をマトリックスとし、液晶が分散している状態のどれ
でもよい。
【００１４】本発明の液晶デバイスの製法について特に
限定されないが、好ましい一例として、液晶と重合体を
所定量混合し、加熱して混合液とする工程、及び得られ
た混合液を電極層を有する少なくとも一方が透明な一対
の基板間に封入する工程を含む方法を挙げることができ
る。具体的には、先ず強誘電性液晶と重合体を所定量容
器にとり、加熱攪拌し、混合液（溶融）状態とする。こ
の混合液は均一の溶液状態でもよいし、また分散液の状
態であってもよい。次いで、インジウム・スズ・オキサ
イド（ＩＴＯ）等の透明電極層を有する透明基板（ガラ
ス等）２枚を、スペーサーを介して、張り合わせて作成
したセルに、上述の混合液を毛細管現象を利用して封入
することによりデバイスを作製することができる。
限定されないが、好ましい一例として、液晶と重合体を
所定量混合し、加熱して混合液とする工程、及び得られ
た混合液を電極層を有する少なくとも一方が透明な一対
の基板間に封入する工程を含む方法を挙げることができ
る。具体的には、先ず強誘電性液晶と重合体を所定量容
器にとり、加熱攪拌し、混合液（溶融）状態とする。こ
の混合液は均一の溶液状態でもよいし、また分散液の状
態であってもよい。次いで、インジウム・スズ・オキサ
イド（ＩＴＯ）等の透明電極層を有する透明基板（ガラ
ス等）２枚を、スペーサーを介して、張り合わせて作成
したセルに、上述の混合液を毛細管現象を利用して封入
することによりデバイスを作製することができる。
【００１５】本発明において、液晶含有層の厚みは動作
モードとして液晶の螺旋構造の生成、消失による透過／
散乱型を利用するものであるため、少なくとも液晶が螺
旋構造をとるに必要な厚みにする。厚み範囲については
用いる複合体の種類により異なるため一義的には限定で
きないので、試行錯誤法により応答時間、コントラス
ト、動作電圧等を考慮して適当な厚みを選択すればよ
い。
モードとして液晶の螺旋構造の生成、消失による透過／
散乱型を利用するものであるため、少なくとも液晶が螺
旋構造をとるに必要な厚みにする。厚み範囲については
用いる複合体の種類により異なるため一義的には限定で
きないので、試行錯誤法により応答時間、コントラス
ト、動作電圧等を考慮して適当な厚みを選択すればよ
い。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。なお、実施例中「部」
は「重量部」を意味する。
れらに限定されるものではない。なお、実施例中「部」
は「重量部」を意味する。
【００１７】実施例１ 強誘電性Ｓｃ＊液晶としてＤＯＢＡＭＢＣを用いた。Ｄ
ＯＢＡＭＢＣ８３．６部とポリスチレン（数平均分子量
５０５０）粉末１６．４部をステンレス製の容器に計り
とり、約１５０℃に加熱しながら撹拌し、均一な溶液状
とした。これをポリイミドフィルム（商品名：カプトン
デュポン社製、厚み２６μｍ）をスペーサとした２枚
のＩＴＯ透明電極付きガラス基板間に毛細管現象を利用
して封入した。得られた液晶デバイスの電気光学応答特
性の評価は測定温度７０℃で下記の方法で測定した。
ＯＢＡＭＢＣ８３．６部とポリスチレン（数平均分子量
５０５０）粉末１６．４部をステンレス製の容器に計り
とり、約１５０℃に加熱しながら撹拌し、均一な溶液状
とした。これをポリイミドフィルム（商品名：カプトン
デュポン社製、厚み２６μｍ）をスペーサとした２枚
のＩＴＯ透明電極付きガラス基板間に毛細管現象を利用
して封入した。得られた液晶デバイスの電気光学応答特
性の評価は測定温度７０℃で下記の方法で測定した。
【００１８】図１のブロック図で示す装置を使用して以
下の要領で評価した。任意波形発生器１にて矩形波（最
低電圧０Ｖ、最高電圧５０Ｖ）を発生させ、増幅器２を
介して液晶デバイス３の電極間に電圧を印加、すなわ
ち、液晶デバイス３に直流電圧を印加（ＯＮ）、または
遮断（ＯＦＦ）した。一方、Ｈｅ−Ｎｅレーザー４から
の波長６３２．８ｎｍの光を液晶デバイス３に照射し、
その透過光量変化をフォトダイオード５で検出し、増幅
器６を経てオシロスコープ７で出力した。オシロスコー
プ７の出力波形、すなわち図２に示す電圧の変化より立
ち上がり及び立ち下がり応答時間ならびにコントラスト
比を求めた。図２について説明すると、Ｖ100 はデバイ
スを置かない時の透過光量、ＶONは電圧印加（ＯＮ）時
の定常透過光量、ＶOFF は無印加（ＯＦＦ）時の定常透
過光量、ΔＶはＶON−ＶOFF 、τR はＯＮ時より透過光
量の差がΔＶの９０％になるまでの時間（立ち上がり応
答時間）、τD はＯＦＦ時より透過光量の差がΔＶの１
０％になるまでの時間（立ち下がり応答時間）である。
またコントラスト比は下式で求めた。 コントラスト比＝透過率（ＯＮ）／透過率（ＯＦＦ） ここで透過率（ＯＮ）はΔＶON／Ｖ100 （％）、透過率
（ＯＦＦ）はΔＶOFF ／Ｖ100 （％）である。得られた
液晶デバイスの評価結果を表１に示す。
下の要領で評価した。任意波形発生器１にて矩形波（最
低電圧０Ｖ、最高電圧５０Ｖ）を発生させ、増幅器２を
介して液晶デバイス３の電極間に電圧を印加、すなわ
ち、液晶デバイス３に直流電圧を印加（ＯＮ）、または
遮断（ＯＦＦ）した。一方、Ｈｅ−Ｎｅレーザー４から
の波長６３２．８ｎｍの光を液晶デバイス３に照射し、
その透過光量変化をフォトダイオード５で検出し、増幅
器６を経てオシロスコープ７で出力した。オシロスコー
プ７の出力波形、すなわち図２に示す電圧の変化より立
ち上がり及び立ち下がり応答時間ならびにコントラスト
比を求めた。図２について説明すると、Ｖ100 はデバイ
スを置かない時の透過光量、ＶONは電圧印加（ＯＮ）時
の定常透過光量、ＶOFF は無印加（ＯＦＦ）時の定常透
過光量、ΔＶはＶON−ＶOFF 、τR はＯＮ時より透過光
量の差がΔＶの９０％になるまでの時間（立ち上がり応
答時間）、τD はＯＦＦ時より透過光量の差がΔＶの１
０％になるまでの時間（立ち下がり応答時間）である。
またコントラスト比は下式で求めた。 コントラスト比＝透過率（ＯＮ）／透過率（ＯＦＦ） ここで透過率（ＯＮ）はΔＶON／Ｖ100 （％）、透過率
（ＯＦＦ）はΔＶOFF ／Ｖ100 （％）である。得られた
液晶デバイスの評価結果を表１に示す。
【００１９】実施例２ ＤＯＢＡＭＢＣ９０．９部とポリスチレン（数平均分子
量９０００）粉末９．１部をステンレス製の容器に計り
とり、約１５０℃に加熱しながら撹拌し均一な溶液とし
た。この溶液を用いて実施例１と同様にして液晶デバイ
スを作成し評価した。得られた液晶デバイスの評価結果
を表１に示す。
量９０００）粉末９．１部をステンレス製の容器に計り
とり、約１５０℃に加熱しながら撹拌し均一な溶液とし
た。この溶液を用いて実施例１と同様にして液晶デバイ
スを作成し評価した。得られた液晶デバイスの評価結果
を表１に示す。
【００２０】実施例３ ＤＯＢＡＭＢＣ８３．８部とエポキシ樹脂（商品名スミ
エポキシＥＳＡ０１７、住友化学工業（株）製）１６．
２部をステンレス製の容器に計りとり、約１５０℃に加
熱しながら撹拌し均一な溶液し、この溶液を用いて実施
例１と同様に液晶デバイスを作成し評価した。得られた
液晶デバイスの評価結果を表１に示す。
エポキシＥＳＡ０１７、住友化学工業（株）製）１６．
２部をステンレス製の容器に計りとり、約１５０℃に加
熱しながら撹拌し均一な溶液し、この溶液を用いて実施
例１と同様に液晶デバイスを作成し評価した。得られた
液晶デバイスの評価結果を表１に示す。
【００２１】比較例１ ＤＯＢＡＭＢＣ１００％を使用する以外は実施例１と同
様にして液晶デバイスを作成し評価した。得られた液晶
デバイスの評価結果を表１に示す。
様にして液晶デバイスを作成し評価した。得られた液晶
デバイスの評価結果を表１に示す。
【００２２】比較例２ ＤＯＢＡＭＢＣ５０．０部とエポキシ樹脂（商品名スミ
エポキシＥＳＡ０１７、住友化学工業（株）製）５０．
０部をステンレス製の容器に計りとり、約１５０℃に加
熱しながら撹拌し均一な溶液とした。この溶液を用いて
実施例１と同様にして液晶デバイスを作成し評価した。
得られた液晶デバイスの評価結果を表１に示す。
エポキシＥＳＡ０１７、住友化学工業（株）製）５０．
０部をステンレス製の容器に計りとり、約１５０℃に加
熱しながら撹拌し均一な溶液とした。この溶液を用いて
実施例１と同様にして液晶デバイスを作成し評価した。
得られた液晶デバイスの評価結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明の液晶デバイスは光の透過／散乱
を電気的に操作し得るものであり、より簡便に、低い駆
動電圧で速い立ち下がり時間と高いコントラスト比を示
す透過／散乱型の、調光ガラスや表示装置等に使用する
液晶デバイスを提供することができ、その工業的価値は
大きい。
を電気的に操作し得るものであり、より簡便に、低い駆
動電圧で速い立ち下がり時間と高いコントラスト比を示
す透過／散乱型の、調光ガラスや表示装置等に使用する
液晶デバイスを提供することができ、その工業的価値は
大きい。
【図１】液晶デバイスの評価装置のブロック図である。
【図２】液晶デバイスの評価における透過光量（縦軸）
と時間（横軸）との関係を示す図である。
と時間（横軸）との関係を示す図である。
【符号の説明】 １．任意波形発生器 ３．液晶デバイス ４、Ｈｅ−Ｎｅレーザー ５．フォトダイオード ７．オシロスコープ
Claims (2)
- 【請求項１】電極層を有する少なくとも一方が透明な一
対の基板と、この基板の電極層間に挟持された液晶含有
層とから構成され、該液晶含有層がカイラルスメクチッ
クＣ相となる強誘電性液晶６０〜９８重量％及び重合体
４０〜２重量％からなる複合体で、動作モードが透過／
散乱型であることを特徴とする液晶デバイス。 - 【請求項２】強誘電性液晶と重合体を所定量混合し、加
熱して混合液とする工程、及び得られた混合液を電極層
を有する少なくとも一方が透明な一対の基板間に封入す
る工程を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶デバ
イスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31439591A JP3185287B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 液晶デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31439591A JP3185287B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 液晶デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05150274A true JPH05150274A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3185287B2 JP3185287B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=18052834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31439591A Expired - Fee Related JP3185287B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 液晶デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185287B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100349056C (zh) * | 2003-12-30 | 2007-11-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 有铁电液晶定向层的透反型共平面开关模式液晶显示器 |
| WO2019125004A1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 액정셀 |
| WO2019125005A1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 액정셀 |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31439591A patent/JP3185287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100349056C (zh) * | 2003-12-30 | 2007-11-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 有铁电液晶定向层的透反型共平面开关模式液晶显示器 |
| WO2019125004A1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 액정셀 |
| WO2019125005A1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 액정셀 |
| KR20190076364A (ko) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 주식회사 엘지화학 | 액정셀 |
| CN111465896A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-07-28 | 株式会社Lg化学 | 液晶单元 |
| CN111465892A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-07-28 | 株式会社Lg化学 | 液晶单元 |
| EP3731006A4 (en) * | 2017-12-22 | 2020-12-09 | Lg Chem, Ltd. | LIQUID CRYSTAL CELL |
| US11131897B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-09-28 | Lg Chem, Ltd. | Liquid crystal cell |
| US11175558B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-11-16 | Lg Chem, Ltd. | Liquid crystal cell |
| CN111465896B (zh) * | 2017-12-22 | 2023-01-24 | 株式会社Lg化学 | 液晶单元 |
| CN111465892B (zh) * | 2017-12-22 | 2023-02-17 | 株式会社Lg化学 | 液晶单元 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3185287B2 (ja) | 2001-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5417883A (en) | Process for controlling layer spacing in mixtures of smectic liquid crystal compounds | |
| JP4817586B2 (ja) | アクティブマトリックス液晶デバイスおよびスメクチック液晶混合物 | |
| TW200808944A (en) | Liquid crystalline medium and liquid crystal display | |
| JPH05271658A (ja) | 反強誘電性液晶組成物 | |
| EP0637622B1 (en) | Liquid crystal device | |
| JP3771619B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3185287B2 (ja) | 液晶デバイス及びその製造方法 | |
| KR100241670B1 (ko) | 스멕틱 액정 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100673805B1 (ko) | 스멕틱 액정 고콘트라스트 스위칭 또는 디스플레이 장치 | |
| JP4728479B2 (ja) | 単安定強誘電性アクティブマトリクスディスプレイ | |
| JP2692815B2 (ja) | 液晶組成物及びこれを含む液晶素子 | |
| TWI230831B (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device | |
| JP3416374B2 (ja) | 液晶の配向処理方法、液晶素子の製造方法、及び液晶素子 | |
| JPH0588186A (ja) | 液晶配向制御膜とそれを用いた液晶素子 | |
| JPH1088139A (ja) | 液晶素子及びその製造方法 | |
| JPS62172089A (ja) | カイラルスメクチツク液晶組成物 | |
| JP3079762B2 (ja) | 強誘電性液晶組成物および液晶表示素子 | |
| JP3854750B2 (ja) | 液晶組成物 | |
| JPS63146985A (ja) | カイラルスメクチツク液晶組成物 | |
| JPH11160712A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0836182A (ja) | 液晶素子及びそれを用いた液晶装置 | |
| JP3102332B2 (ja) | 反強誘電性液晶組成物 | |
| JPS6381193A (ja) | 液晶組成物 | |
| JPS62172090A (ja) | カイラルスメクチツク液晶組成物 | |
| JPH10293290A (ja) | 液晶装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |