JPH10293290A - 液晶装置 - Google Patents

液晶装置

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JPH10293290A
JPH10293290A JP11612097A JP11612097A JPH10293290A JP H10293290 A JPH10293290 A JP H10293290A JP 11612097 A JP11612097 A JP 11612097A JP 11612097 A JP11612097 A JP 11612097A JP H10293290 A JPH10293290 A JP H10293290A
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liquid crystal
independently
crystal device
smectic
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Application number
JP11612097A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Kitayama
宏之 北山
Hirokatsu Miyata
浩克 宮田
Katsuhiko Shinjo
克彦 新庄
Hirohide Munakata
博英 棟方
Tomoko Maruyama
朋子 丸山
Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた階調表示特性が得られるようにする。 【解決手段】 一対のガラス基板4,5間に、電界に対
して双安定性を有するカイラルスメクチック液晶13を
挟持した液晶素子1において、層の傾き角が画素内で分
布するようにカイラルスメクチック液晶13を配置する
ことにより、良好な部分反転が得られ、優れた階調表示
特性を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電性液晶、特
にカイラルスメクチック液晶等が基板間に注入された液
晶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、強誘電性液晶分子の屈折率異
方性を利用して偏向素子との組み合わせによって透過光
線を制御する方式の液晶表示素子が、クラーク(Clark)
及びラガーウオル(Lagerwall)らにより提案されている
(例えば、特開昭56−107216号公報、米国特許
第4367924号等)。
【0003】強誘電性液晶は、一般に特定の温度域にお
いて非らせん構造のカイラルスメクチックC相(SmC
* )、又はH相(SmH* )を有し、この状態におい
て、印加される電界に応答して第1の光学的安定状態と
第2の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印
加のないときはその状態を維持する性質、即ち双安定性
を有し、また、電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速、並びに記憶型の表示素子としての広い利用が
期待されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したカ
イラルスメクチック液晶を基板間に注入して表示動作を
行う液晶素子は実用化されているが、均一な駆動特性や
十分な階調表示を行うために必要な諸物性や配向状態に
ついて、まだ十分に解明されていない部分もあるため
に、実用上十分な階調表示特性が得られていなかった。
【0005】そこで、本発明は、良好な階調表示特性を
得ることができる液晶装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、夫々電極を有し互いに対向す
るように配置された一対の基板と、前記一対の基板間に
挟持された少なくとも2状態をとるカイラルスメクチッ
ク相を呈する液晶とを有する液晶素子と、前記電極によ
り前記液晶に対して電圧を印加し該液晶の分子の配列状
態を制御する駆動制御手段を備えた液晶装置において、
前記液晶のスメクチック液晶層の傾き角が、画素内で所
定の範囲で分布を持つように形成されており、前記スメ
クチック液晶層の傾き角の分布に応じて前記液晶のスイ
ッチングしきい値に分布が形成されており、前記駆動制
御手段は階調信号に応じて前記液晶に電圧を印加し、前
記液晶素子において中間調表示を行うことを特徴として
いる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る実施の形態について説明する。
【0008】図1は、本発明の実施の形態に係る液晶装
置である液晶素子を示す概略断面図である。この液晶素
子1は、偏光板2,3の間に対向して配置されたガラス
基板4,5を備えており、ガラス基板4,5には、それ
ぞれITOなどの透明電極6,7、及び配向制御膜8,
9が形成され、透明電極6,7と配向膜8,9の間に
は、必要に応じて透明電極6,7間のショート防止層と
して、Ta25 等の絶縁膜10,11が形成されてい
る。
【0009】同図に示す構造では、後述するように各ガ
ラス基板4,5における透明電極6,7は互いに交差
し、マトリクス電極構造を形成している。一方の透明電
極が走査電極となり、他方の透明電極が情報電極とな
り、その交差部が画素となる。
【0010】そして、配向制御膜8,9の間に、径が均
一な球状のスペーサ(粒子)12を散布し、更にスペー
サ(粒子)12の径以上にギャップが広がらないように
一対のガラス基板4,5を接合する接着性樹脂(図示省
略)を散布してガラス基板4,5を貼り付け、その周囲
をシール材(図示省略)によってシールして、配向制御
膜8,9間に電界印加に対して双安定性を有するカイラ
ルスメクチック相を呈する液晶13が注入されている。
【0011】配向制御膜8、9の少なくとも一方は、ラ
ビング等によって液晶13に対し一軸配向規制力を示す
配向制御膜である。具体的には、ポリイミド、ポリアミ
ド等の有機ポリマーをラビング処理した膜が用いられ
る。また、配向制御膜8、9のうち、一方を上述したよ
うに一軸配向処理が施されたものとして、他方をポリシ
ロキサン膜やシランカップリング処理し、ラビング等の
一軸処理は施されていない膜とすることもできる。
【0012】特に、液晶13として上記したようなカイ
ラルスメクチック相を示す液晶であって、高温でコレス
テリック相を示さず温度降下に従って、等方相、スメク
チックA相、カイラルスメクチック相の順に相転移する
ような液晶材料を用いる場合では、上記一方の配向制御
膜を一軸処理し、他方を一軸処理しないものとすること
が好ましい。
【0013】この液晶13は、液晶分子が非らせん配向
状態であって少なくとも2つの光学的安定状態を示す強
誘電性液晶であり、且つそのチルト角をΘとし、見かけ
のチルト角をθaとした場合に、Θ>θa>Θ/2の関
係を有することが好ましい。本発明の液晶装置では、上
述した図1に示すような素子構造において、好ましくは
液晶13に用いるカイラルスメクチック相を呈する組成
物の成分処方を調整し、スメクチック液晶層の傾き角
(以下、層傾き角と記す) を液晶素子1の少なくとも一
画素の面積の範囲内で所定の範囲、好ましくは、−6°
〜+6°程度の範囲内で分布させる。そして、液晶素子
1の一画素内における層傾き角の分布に応じてカイラル
スメクチック相を呈する液晶13の2状態間のスイッチ
ングを生じさせる電圧のしきい値に分布が形成され、こ
れを利用して中間調表示(階調表示)を行うものであ
る。
【0014】次に、上述したような液晶装置において階
調表示を行う具体的な手段の例について、図面を参照し
て以下に詳述する。
【0015】図2は、図1に示す液晶素子1におけるマ
トリックス電極の平面構造を模式的に説明する図であ
る。図中、22は一対の対向基板のうち一方における透
明電極であり、走査電極(走査線S1、S2…)に相当
し、23は他方の基板における透明電極であり情報電極
(情報線I1、I2…)に相当し、これらの交差部にお
いて画素が形成される。これら電極間に双安定性を示す
カイラルスメクチック液晶が挟持される。
【0016】なお、図2では、説明を簡略化するために
白黒の二値信号を表示する場合を例として、図2におけ
る斜線で示されている画素が「黒表示」に、その他の画
素が「白表示」に対応するものとする。このような表示
を行うために、例えば、まず液晶を双安定状態のうち第
1の状態に揃え画面を「白表示」に揃えてクリアにした
後、各画素毎の白(第1の状態の保持)、黒の書込み
(第2の状態へのスイッチング)を行う。そして、実際
には、走査電極、情報電極間に所定の電圧パルス(例え
ば、電圧波高値3V0、パルス幅Δtとする)を加え画
面を「白表示」とした後、情報信号に応じて各画素毎の
階調表示を行う。
【0017】図3は、全画面又は所定画面をクリアした
(白表示とした)後に書込みを行う際の駆動信号の基本
的な波形を示すものであり、(a)と(b)は夫々選択
された走査線(走査電極)に付与される電気信号2V0
と、選択されない走査線に付与される電気信号(0)で
あり、(c)と(d)は夫々選択された(黒表示を行
う)データ線(走査電極)に付与される電気信号(V
0)と、選択されない(白表示を行う)データ線に付与
される電気信号(−V0)を示す。
【0018】一方、図4(a)〜(e)は、図3に示す
書込みの駆動信号、特に図3(a)及び(c)による黒
表示用の波形に加えて、データ線に印加される階調信号
の波形を示すものであり(実際には極性は図示と逆とな
る)、図5(a)〜(e)は、これらの階調信号を付与
された際の、各画素に走査線及び情報線から印加される
階調信号(白にクリアとした後の階調情報に応じて黒に
反転させる電圧信号)の合成波形を示す。そして、図6
は図5に示す合成波形が印加された画素におけるクロス
ニコル下での顕微鏡観察での液晶の状態を模写した図で
ある。
【0019】図4(a)は、第1階調信号の電圧波形
(0)で、かかる信号が付加された該当画素には図5
(a)に示す3V0の電圧信号が印加される。この場
合、当該画素では図6(e)に示すような画素全体が白
表示から黒表示に反転、即ち、液晶が第1の状態から第
2の状態へスイッチングする。
【0020】図4(e)は、第5階調信号の電圧波形
(V4)であり、かかる信号が付加された該当画素には
図5(e)に示す液晶の反転開始電圧よりわずかに小さ
い(実質的に反転開始電圧)以下の3V0−V4の信号
電圧が印加される。この場合、当該画素では図6(a)
に示すような画素内に実質的に黒表示に反転していない
状態が形成される。そして、図4(b)、(c)、
(d)は、夫々第2階調信号(V1)、第3階調信号
(V2)、及び第4階調信号(V3)を示すものであ
り、夫々の階調信号は0<|V1|<|V2|<|V3
|<|V4|に設定されている。
【0021】本発明では、前述したように液晶素子1に
おいて、画素内においてカイラルスメクチック相を呈す
る液晶の層傾き角の分布(−6°〜+6°)により液晶
の2状態間での反転電圧に分布が生じている。このよう
な液晶の層傾き角の分布に応じた反転電圧を考慮し、V
1、V2、V3、V4、V0の値を設定して、画素に階
調情報に応じて図5(a)〜(e)に示すような上記の
反転開始電圧(3V0−V4)、又はこれを超え、完全
反転電圧(3V0)より小さい電圧である(3V0−V
1)(図5(b))、(3V0−V2)(図5
(c))、(3V0−V3)(図5(d))、完全反転
電圧(3V0)のいずれかの電圧が印加され、画素内に
おける白のドメイン領域に対して黒に反転するドメイン
の割合を制御する(図6に示す画素内で、黒ドメイン7
1と白ドメイン72とが混在した状態)。例えば、(3
V0−V1)(図5(b))の電圧が印加された画素で
は図6(d)に示すような状態、(3V0−V2)(図
5(c))の電圧が印加された画素では図6(c)に示
すような状態、(3V0−V3)(図5(d))の電圧
が印加された画素では図6(b)に示すような状態を表
示することができる。
【0022】なお、図4に示す階調信号では、パルス幅
Δtを一定にし、電圧値(パルス波高値)を0〜V4で
制御したが、例えば電圧値をV0程度で一定としてパル
ス幅Δtを階調信号情報に応じて制御し、画素に応じた
種々のレベルの電圧を印加することもできる。
【0023】本発明では、前述したような液晶素子1に
おいて、画素内においてカイラルスメクチック相を呈す
る液晶の層傾き角の分布(−6°〜+6°)を形成する
べく、液晶材料(液晶13)として、好ましくはフルオ
ロカーボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両
末端部分が中心核によって結合され、スメクチック中間
相又は潜在的スメクチック中間相を持つフッ素含有液晶
化合物を含有する液晶組成物を用いる。特に好ましく
は、下記一般式(I)、或いは(II)で表されるフッ
素含有液晶化合物を用いることができる。
【0024】一般式(I)
【0025】
【化3】 を表わす。
【0026】ga、ha、iaは独立に0〜3の整数
(但し、ga+ha+iaは少なくとも2である)を表
わす。
【0027】夫々のL1 とL2 は独立に、単結合、−C
O−O−、−O−CO−、−CO−S−、−S−CO
−、−CO−Se−、−Se−CO−、−CO−Te
−、−Te−CO−、−CH2 CH2 −、−CH=CH
−、−C≡C−、−CH=N−、−N=CH−、−CH
2 O−、−O−CH2 −、−CO−又は−O−を表わ
す。夫々のX1 、Y1 、Z1 はA1 、A2 、A3 の置換
基であり、独立に−H、−Cl、−F、−Br、−I、
−OH、−OCH3 、−CH3 、−CN、又は−NO2
を表わし、夫々のja、ma、naは独立に0〜4の整
数を表わす。
【0028】J1 は、−CO−O−(CH2ra−、−
O−(CH2ra−、−(CH2ra−、−O−SO2
−、−SO2 −、−SO2 −(CH2ra−、−O−
(CH2ra−O−(CH2rb−、−(CH2ra
N(Cpa2pa+1 )−SO2 −、又は−(CH2ra
N(Cpa2pa+1 )−CO−を表わす。ra及びrb
は、独立に1〜20であり、Paは0〜4である。
【0029】R1 は、−O−Cqa2qa −O−Cqb
2qb+1 、−Cqa2qa −O−Cqb2qb+1 、−Cqa
2qa −R3 、−O−Cqa2qa −R3 、−CO−O−C
qa2qa−R3 、又は−O−CO−Cqa2qa −R3
表わし、直鎖状、分岐状のいずれかであっても良い(但
し、R3 は、−O−CO−Cqb2qb+1 、−CO−O−
qb2qb+1 、−H、−Cl、−F、−CF3 、−NO
2 、−CNを表わし、qa及びqbは独立に1〜20で
ある)。
【0030】R2 は、Cxa2xa −Xを表わす(Xは−
H又は−Fを表わし、xaは1〜20の整数である)。
【0031】一般式(II)
【0032】
【化4】 を表わす。
【0033】gb、hb、ibは独立に0〜3の整数
(但し、gb+hb+ibは少なくとも2である)を表
わす。
【0034】夫々のL3 とL4 は独立に、単結合、−C
O−O−、−O−CO−、−CO−S−、−S−CO
−、−CO−Se−、−Se−CO−、−CO−Te
−、−Te−CO−、−(CH2 CH2ka−(kaは
1〜4)、−CH=CH−、−C≡C−、−CH=N
−、−N=CH−、−CH2 O−、−O−CH2 −、−
CO−又は−O−を表わす。
【0035】夫々のX2 、Y2 、Z2 はA4 、A5 、A
6 の置換基であり、独立に−H、−Cl、−F、−B
r、−I、−OH、−OCH3 、−CH3 、−CF3
−O−CF3 、−CN、又は−NO2 を表わし、夫々の
jb、mb、nbは独立に0〜4の整数を表わす。
【0036】J2 は、−CO−O−Crc2rc −、−O
−Crc2rc −、−Crc2rc −、−O−(Csa2sa
−O)ta−Crd2rd −、−O−SO2 −、−SO2
−、−SO2 −Crc2rc −、−Crc2rc −N(Cpb
2pb+1 )−SO2 −、−Crc2rc −N(Cpb
2pb+1 )−CO−であり、rc及びrdは独立に1〜2
0であり、saは夫々の(Csa2sa −O)に独立に1
〜10であり、taは1〜6であり、pbは0〜4であ
る。
【0037】R4 は、−O−(Cqc2qc −O)wa−C
qd2qd+1 、−(Cqc2qc −O)wa−Cqd2qd+1
−Cqc2qc −R6 、−O−Cqc2qc −R6 、−CO
−O−Cqc2qc −R6 、又は−O−CO−CqC2qc
−R6 を表わし、直鎖状、分岐状のいずれかであっても
良い(但し、R6 は、−O−CO−Cqd2qd+1 、−C
O−O−Cqd2qd+1 、−Cl、−F、−CF3 、−N
2 、−CN又は−Hを表わし、qc及びqdは独立に
1〜20の整数、waは1〜10の整数である)。
【0038】R5 は、(Cxb2xb −O)za−Cya
2ya+1 で表わされる(但し、上記式中xbは夫々の(C
xb2xb −O)に独立に1〜10であり、yaは1〜1
0であり、zaは1〜10である)。
【0039】上記一般式(I)で表される化合物は、特
開平2−142753号公報、米国特許第5,082,
583号に記載の方法によって得ることができ、その具
体例についても同公報に記載のものが挙げられる。
【0040】また、上記一般式(II)で表される化合
物は、国際公開WO93122396、特公平7−50
6368号公報に記載の方法によって得ることができ、
その具体例についても同公報に記載のものが挙げられ
る。
【0041】図17は、上述した液晶素子1を備えた液
晶装置の構成を示すブロック図である。この液晶装置3
0は、上述した液晶素子1と、駆動制御部31と、グラ
フィックコントローラ32とを備えている。
【0042】液晶素子1は、例えば1280×1024
画素を有しており、各画素はマトリクス配置された走査
電極(図示省略 )と情報電極(図示省略 )との交差部分
により構成されている。また、液晶素子1には、走査信
号印加回路33と情報信号印加回路34が接続されてい
る。
【0043】駆動制御部31は、走査信号制御回路35
と、情報信号制御回路36と、駆動制御回路37からな
り、走査信号制御回路35は走査信号印加回路33に走
査線アドレスデータを出力し、情報信号制御回路36は
情報信号印加回路34に階調情報を含む表示データを出
力する。また、走査信号制御回路35、情報信号制御回
路36には、グラフィックコントローラ32から駆動制
御回路37を介してデータと走査方式信号等が入力され
る。
【0044】グラフィックコントローラ32から出力さ
れるデータは、走査信号制御回路35、情報信号制御回
路36でそれぞれアドレスデータと表示データとに変換
され、走査方式信号は、そのまま走査信号印加回路33
及び情報信号印加回路34に入力される。
【0045】また、走査信号印加回路33は、アドレス
データによって決まる液晶素子1の走査電極(図示省略
)へ走査方式信号によって決まる波形の走査信号を印加
し、情報信号印加回路34は、液晶素子1の情報電極
(図示省略 )へ表示データによって送られる白黒、階調
の表示内容と走査方式信号の2つによって決まる波形の
情報信号を印加するように構成されている。 [実施例]以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。
【0046】(実施例1)図1に示した液晶素子1を作
製した。ガラス基板4,5として基板ガラスとして後述
する層傾き角測定におけるX線の吸収を低減するため
に、厚さが80μm程度のガラス(例えば、コーニング
社製、商品名:マイクロシート) を用いた。そして、こ
のガラス基板4,5上に、それぞれ膜厚が150nm程
度の透明電極(ITO膜) 6,7及び絶縁膜(例えば、
Ta25 ) 10,11をスパッタリング法によって形
成し、更に例えばスピンコート法によって配向制御膜
8,9を形成した。
【0047】ガラス基板4への配向制御膜8の形成は、
2700rpmの速度で回転しているガラス基板4にポ
リイミド形成液(東レ(株) 社製、商品名:LP64の
NMP/nBC=2/1の0.7重量%溶液) を垂らし
て、20秒間回転させた。その後、80℃で5分間前乾
燥を行った後、270℃で約1時間加熱して焼成処理を
施した。そして、ナイロン布によるラビング処理を施し
た。
【0048】一方、ガラス基板5への配向制御膜9の形
成は、2000rpmの速度で回転しているガラス基板
5にシランカップリング剤(チッソ(株) 社製、商品
名:ODS−Eのエタノールの0.5重量%溶液) を垂
らして、20秒間回転させた。その後、80℃で5分間
前乾燥を行った後、180℃で約1時間加熱して乾燥処
理を施した。
【0049】そして、配向制御膜8,9上にスペーサ
(例えば、平均粒径2.0μmのシリカビース)10を
散布し、ガラス基板4,5を2.0μmのギャップで貼
り合わせて、セル(空セル) を得た。次いで、このセル
に等方相を示す温度において以下に示す液晶化合物を有
する液晶組成物を真空注入した。
【0050】液晶組成物として、以下の構造式で示され
る化合物A及びBを混合比(重量比) A/B=90/5
で混合したものを用いた。
【0051】
【化5】 この液晶組成物の物性パラメータは、以下に示す通りで
ある。
【0052】 そして、この液晶組成物を4℃/minで室温まで徐冷
することによって配向させて液晶素子1(サンプル1)
を得た。
【0053】このようにして作製された液晶素子1(サ
ンプル1) を90°のクロスニコル下に配向し、図8に
示す駆動波形(一画素に両基板の電極から印加される合
成波形 )を印加して適当な電圧Vw のパルスで書き込み
を行う。具体的には、白によるクリア後に黒に書き込ん
だ。
【0054】図9乃至図13は、図8に示した駆動波形
を印加した際に、書き込み電圧Vwを印加後、電圧V1
の情報信号波形を印加した状態での上述した図1に示す
液晶素子1の液晶13の一画素(約300μm×300
μm) 部分反転状態を示す顕微鏡写真である。
【0055】これらの図(写真) によれば、図8に示し
た駆動波形のパルス幅ΔTを徐々に増加させた時におけ
る白から黒へ反転する途中での部分反転状態を示してい
る。なお、写真に添した記矢印Aは、一方のガラス基板
4の一軸配向処理軸を示している。
【0056】この実験結果から明らかなように、ガラス
基板4の一軸配向処理方向Aに対して垂直方向、即ち、
Sc* の層方向に黒の部分反転状態が徐々に拡がってい
くことが分かる。
【0057】次に、この液晶素子1(サンプル1) に、
例えば、図14に示すような双極性パルス(パルス幅Δ
T=50μsec )を繰り返し連続印加し(白に書き込
む)、印加電圧Vinを変化させた時の直交クロスニコル
下において、測定装置(例えば、浜松フォトニクス(株
)社製、フォトマルチプライヤー )で光学応答を検知し
ながら透過光強度の変化を測定した。
【0058】そして、上述した液晶素子1との比較を行
うために、上記と同様に形成されたセル(空セル) に、
等方相において以下に示す液晶化合物を混合した液晶組
成物を真空注入して液晶素子(サンプル2) を得た。
【0059】サンプル2において用いた液晶組成物にお
ける成分の混合比率と特性について以下に示す。
【0060】
【化6】 上記において、各液晶組成物の構造を示すアルファベッ
トは、下記に示す環状骨格を意味する。また、側鎖基に
おける「*」印は、不斉炭素原子であることを意味す
る。
【0061】
【化7】 図15は、このときの測定結果を示す図であり、M1
本発明に係る液晶素子1(サンプル1) による測定結
果、M2 は比較用液晶素子(サンプル2) による測定結
果である。なお、この測定は30℃の温度で行った。
【0062】この測定結果から明らかなように、本実施
例に係るサンプル1の方がサンプル2よりも印加電圧V
inの増加につれてなだらかに透過光強度が増大してお
り、優れた階調表示特性を有していることが分かる。
【0063】この印加電圧と透過光強度の関係をもとに
して、例えば図3〜図5、図7に示すような階調表示用
の駆動波形を用い、特に図4に示す階調信号の電圧を設
定して階調情報に応じて画素に最適な電圧を印加して、
強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶での優れた階
調表示を実現することができる。
【0064】サンプル1における上述した液晶組成物か
らなる液晶13の層傾き角δの分布を測定した。
【0065】このような構成の液晶素子中での液晶13
の層傾き角を測定するには、基本的にはクラーク(Clar
k)及びラガーウオル(Lagerwall)によって発表された方
法[ジャパン ディスプレイ(Japan Display)、86、
9月30日〜10月2日、1986年、pp.456−
458]、或いは大内等の方法[ジャパニーズ ジャー
ナル オブ アプライド フィジックス(J.J.A.P)、2
7(5) (1988)、pp.L725−728]と同
様の方法を用いた。
【0066】なお、この測定は透過法で行うため、前述
したように液晶素子1のガラス基板4,5は、吸収の少
ない十分に薄いものを用いた。
【0067】この層傾き角を測定する測定装置は、例え
ば、回転対陰極方式のMACサイエンス社製のX線回折
装置を用い銅のKα線とした。そして、液晶13の層に
よる回折角にこのX線回折装置を合わせて液晶素子をス
キャンし、上述した文献に示された方法で層傾き角δを
測定した。この測定は室温で行った。図16にこの測定
結果を示す。
【0068】なお、図16に示した層傾き角δの各測定
データ(図では、16の測定チャート )は、以下のよう
にして得られたものである。先ず、X線回折装置から出
射されるX線のビーム径を30μm×30μmに絞って
スキャンを行い、検出されるピーク強度を大きくするた
め、必要に応じて計測時間を増やして測定を行った。そ
して、液晶素子の一方のガラス基板4の一軸配向処理方
向に沿って数十μmステップで移動して、各画素内での
層傾き角δを測定した。
【0069】図16に示す結果より、本実施例に係る液
晶素子1(サンプル1) の液晶13の層傾き角δが画素
内で−6°〜+6°程度の範囲で分布しているのが分か
る。即ち、液晶13の層構造は場所によっては均一では
なく、ある場所では層傾き角δが画素内で±6°〜±6
°のシェブロン構造、また、別の場所では層傾き角δが
画素内で0°のブックシェルフ構造等のように、様々な
層構造が混在していることが認識される。
【0070】図16に示す測定結果と、図9〜図13に
示す観察結果を考慮すれば、液晶素子1(サンプル1)
は、液晶13の層傾き角δが画素内で−6°〜+6°程
度の範囲で分布を持つことによって生じる電気光学効果
の違いを利用して良好な階調表示特性を得ることができ
る。
【0071】一方、比較用液晶素子(サンプル2) につ
いても同様なX線回折測定を行ったが、サンプル1のよ
うな液晶の層傾き角の場所依存性は示さず、液晶の層傾
き角は±10.0°程度の均一なシェブロン構造であ
り、階調表示特性は本実施例の液晶素子1よりも悪かっ
た。
【0072】(実施例2)実施例1では一方のガラス基
板4だけに配向処理を施した構成であったが、本実施例
では、図1に示した液晶素子1のガラス基板4,5の両
方に配向処理を施した。
【0073】即ち、配向制御膜8,9の形成は、270
0rpmの速度で回転しているガラス基板4にポリイミ
ド形成液(東レ(株) 社製、商品名:LP64のNMP
/nBC=2/1の0.7重量%溶液) を垂らして、2
0秒間回転させた。その後、80℃で5分間前乾燥を行
った後、270℃で約1時間加熱して焼成処理を施し
た。そして、ナイロン布によるラビング処理を施した。
他の構成は実施例1と同様にして、液晶素子1(サンプ
ル3) を得た。
【0074】そして、本実施例の液晶素子(サンプル
3) においても、実施例1と同様に図14に示すような
双極性パルスを連続印加し、印加電圧Vinを変化させ
て透過光強度を変化させたところ、図15に示す結果と
同様に優れた階調表示特性を得ることが明らかであっ
た。
【0075】このように、液晶素子1のガラス基板4,
5に対する配向処理がその一方か両方かに拘らず、層傾
き角に分布を持つ液晶化合物を用いることにより、良好
な階調表示特性を得ることができる。
【0076】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
液晶の層傾き角が所定の範囲で分布するように形成した
ことによって、良好な部分反転が得られ、階調表示特性
の優れた液晶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る液晶素子の構造を示
す断面図。
【図2】本発明の実施の形態に係る液晶素子の電極構造
を模式的に示す図。
【図3】(a) 〜(d) は本発明の液晶装置で用いる基
本的な駆動波形の例を示す図。
【図4】(a) 〜(e) は本発明の液晶装置で用いる階
調信号の波形の例を示す図。
【図5】(a) 〜(e) は本発明の液晶装置で画素に印
加される階調信号の波形の例を示す図。
【図6】(a) 〜(e) は本発明の液晶装置で画素に印
加される階調信号の波形が印加された際に画素における
液晶の状態を模写した図。
【図7】マトリックス電極構造において、時分割駆動に
よる階調表示を行う場合の駆動波形を示す図。
【図8】本発明の実施例において、液晶素子に印加され
る駆動波形の一例を示す図。
【図9】本発明の実施例に係る液晶素子の部分反転状態
の液晶配向を示した図面に変わる顕微鏡写真。
【図10】本発明の実施例に係る液晶素子の部分反転状
態の液晶配向を示した図面に変わる顕微鏡写真。
【図11】本発明の実施例に係る液晶素子の部分反転状
態の液晶配向を示した図面に変わる顕微鏡写真。
【図12】本発明の実施例に係る液晶素子の部分反転状
態の液晶配向を示した図面に変わる顕微鏡写真。
【図13】本発明の実施例に係る液晶素子の部分反転状
態の液晶配向を示した図面に変わる顕微鏡写真。
【図14】本発明の実施例において、液晶素子に印加さ
れる電圧パルス波形の一例を示す図。
【図15】本発明の実施例における液晶素子と比較用液
晶素子の、パルス印加電圧を変化させた時の透過光強度
の変化を示す図。
【図16】本発明の実施例1に係る液晶素子の液晶の層
傾き角の分布を示す図。
【図17】本発明に係る液晶装置の構成を示すブロック
図。
【符号の説明】
1 液晶素子 4,5 ガラス基板(基板) 6,7 透明電極 8,9 配向制御膜 13 液晶(カイラルスメクチック液晶) 30 液晶装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C09K 19/30 C09K 19/30 19/32 19/32 19/34 19/34 19/40 19/40 G02F 1/137 G02F 1/137 (72)発明者 棟方 博英 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 丸山 朋子 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 岡田 伸二郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 夫々電極を有し互いに対向するように配
    置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された
    少なくとも2状態をとるカイラルスメクチック相を呈す
    る液晶とを有する液晶素子と、前記電極により前記液晶
    に対して電圧を印加し該液晶の分子の配列状態を制御す
    る駆動制御手段を備えた液晶装置において、 前記液晶のスメクチック液晶層の傾き角が、画素内で所
    定の範囲で分布を持つように形成されており、前記スメ
    クチック液晶層の傾き角の分布に応じて前記液晶のスイ
    ッチングしきい値に分布が形成されており、前記駆動制
    御手段は階調信号に応じて前記液晶に電圧を印加し、前
    記液晶素子において中間調表示を行う、 ことを特徴とする液晶装置。
  2. 【請求項2】 前記スメクチック液晶層の傾き角の分布
    が−6°〜+6°の範囲である、 請求項1記載の液晶装置。
  3. 【請求項3】 前記液晶が、電界に対して双安定性を有
    する強誘電性を示す液晶である、 請求項1記載の液晶装置。
  4. 【請求項4】 前記液晶が、温度降下に従って等方相、
    スメクチックA相、カイラルスメクチック相の順に相転
    移する、 請求項3記載の液晶装置。
  5. 【請求項5】 前記一対の基板の一方に一軸処理された
    配向制御膜を有し、他方に一軸処理の施されていない配
    向制御膜を有する、 請求項1記載の液晶装置。
  6. 【請求項6】 前記液晶が、フルオロカーボン末端部分
    及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核に
    よって結合され、スメクチック中間相又は潜在的スメク
    チック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する液
    晶組成物である、 請求項1記載の液晶装置。
  7. 【請求項7】 前記液晶が、下記の一般式(I)で表さ
    れるフッ素含有液晶化合物を含有する、 請求項6記載の液晶装置。 一般式(I) 【化1】 を表わす。ga、ha、iaは独立に0〜3の整数(但
    し、ga+ha+iaは少なくとも2である)を表わ
    す。夫々のL1 とL2 は独立に、単結合、−CO−O
    −、−O−CO−、−CO−S−、−S−CO−、−C
    O−Se−、−Se−CO−、−CO−Te−、−Te
    −CO−、−CH2 CH2 −、−CH=CH−、−C≡
    C−、−CH=N−、−N=CH−、−CH2 O−、−
    O−CH2 −、−CO−又は−O−を表わす。夫々のX
    1 、Y1 、Z1 はA1 、A2 、A3 の置換基であり、独
    立に−H、−Cl、−F、−Br、−I、−OH、−O
    CH3 、−CH3 、−CN、又は−NO2 を表わし、夫
    々のja、ma、naは独立に0〜4の整数を表わす。
    1 は、−CO−O−(CH2ra−、−O−(CH
    2ra−、−(CH2ra−、−O−SO2 −、−SO
    2 −、−SO2 −(CH2ra−、−O−(CH2ra
    −O−(CH2rb−、−(CH2ra−N(Cpa
    2pa+1 )−SO2 −、又は−(CH2ra−N(Cpa
    2pa+1 )−CO−を表わす。ra及びrbは、独立に1
    〜20であり、Paは0〜4である。R1 は、−O−C
    qa2qa −O−Cqb2qb+1 、−Cqa2qa −O−Cqb
    2qb+1 、−Cqa2qa −R3 、−O−Cqa2qa −R
    3 、−CO−O−Cqa2qa−R3 、又は−O−CO−
    qa2qa −R3 を表わし、直鎖状、分岐状のいずれか
    であっても良い(但し、R3 は、−O−CO−Cqb
    2qb+1 、−CO−O−Cqb2qb+1 、−H、−Cl、−
    F、−CF3 、−NO2 、−CNを表わし、qa及びq
    bは独立に1〜20である)。R2 は、Cxa2xa −X
    を表わす(Xは−H又は−Fを表わし、xaは1〜20
    の整数である)。
  8. 【請求項8】 前記液晶が、下記の一般式(II)で表
    されるフッ素含有液晶化合物を含有する、 請求項6記載の液晶装置。 一般式(II) 【化2】 を表わす。gb、hb、ibは独立に0〜3の整数(但
    し、gb+hb+ibは少なくとも2である)を表わ
    す。夫々のL3 とL4 は独立に、単結合、−CO−O
    −、−O−CO−、−CO−S−、−S−CO−、−C
    O−Se−、−Se−CO−、−CO−Te−、−Te
    −CO−、−(CH2 CH2ka−(kaは1〜4)、
    −CH=CH−、−C≡C−、−CH=N−、−N=C
    H−、−CH2 O−、−O−CH2 −、−CO−又は−
    O−を表わす。夫々のX2 、Y2 、Z2 はA4 、A5
    6 の置換基であり、独立に−H、−Cl、−F、−B
    r、−I、−OH、−OCH3 、−CH3 、−CF3
    −O−CF3 、−CN、又は−NO2 を表わし、夫々の
    jb、mb、nbは独立に0〜4の整数を表わす。J2
    は、−CO−O−Crc2rc −、−O−Crc2rc −、
    −Crc2rc −、−O−(Csa2sa −O)ta−Crd
    2rd −、−O−SO2 −、−SO2 −、−SO2 −Crc
    2rc −、−Crc2rc −N(Cpb2pb+1 )−SO2
    −、−Crc2rc −N(Cpb2pb+1 )−CO−であ
    り、rc及びrdは独立に1〜20であり、saは夫々
    の(Csa2sa −O)に独立に1〜10であり、taは
    1〜6であり、pbは0〜4である。R4 は、−O−
    (Cqc2qc −O)wa−Cqd2qd+1 、−(Cqc2qc
    −O)wa−Cqd2qd+1 、−Cqc2qc −R6 、−O−
    qc2qc −R6 、−CO−O−Cqc2qc −R6 、又
    は−O−CO−CqC2qc −R6 を表わし、直鎖状、分
    岐状のいずれかであっても良い(但し、R6 は、−O−
    CO−Cqd2qd+1 、−CO−O−Cqd2qd+1 、−C
    l、−F、−CF3 、−NO2 、−CN、又は−Hを表
    わし、qc及びqdは独立に1〜20の整数、waは1
    〜10の整数である)。R5 は、(Cxb2xb −O)za
    −Cya2ya+1 で表わされる(但し、上記式中xbは夫
    々の(Cxb2xb −O)に独立に1〜10であり、ya
    は1〜10であり、zaは1〜10である)。
  9. 【請求項9】 複数の行及び列に沿って配列した複数の
    画素を有し、前記駆動制御手段が、一画素において前記
    液晶が少なくとも2状態のうちの一方の状態に配向する
    ように電圧を印加する第一の段階と、前記一方の状態に
    配向した前記液晶に階調情報に応じた信号電圧を印加
    し、前記液晶による中間調表示を行う第二の段階とを有
    するように駆動する、 請求項1記載の液晶装置。
  10. 【請求項10】 前記第二の段階で階調情報に応じた信
    号電圧は、パルスであり、該パルスの波高値が階調に応
    じて制御されている、 請求項9記載の液晶装置。
  11. 【請求項11】 前記第二の段階で階調情報に応じた信
    号電圧は、パルスであり、該パルスの幅が階調に応じて
    制御されている、 請求項9記載の液晶装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008195609A (ja) * 1999-01-07 2008-08-28 Canon Inc メソ構造体及びシリカメソ構造体
CN113741077A (zh) * 2021-08-13 2021-12-03 山东蓝贝思特教装集团股份有限公司 一种单层双稳态液晶临摹装置及方法

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