JPH05150000A - 半導体デバイスの自動試験装置 - Google Patents
半導体デバイスの自動試験装置Info
- Publication number
- JPH05150000A JPH05150000A JP31457691A JP31457691A JPH05150000A JP H05150000 A JPH05150000 A JP H05150000A JP 31457691 A JP31457691 A JP 31457691A JP 31457691 A JP31457691 A JP 31457691A JP H05150000 A JPH05150000 A JP H05150000A
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- JP
- Japan
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- sample
- test
- temperature
- measured
- test tank
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体デバイスの信頼性試験を自動化して能
率良く評価試験を行うこと。 【構成】 半導体デバイスで成る試料（２）にストレス
を加えるための試験槽（１）と、試験槽（１）の温度を
変化させる温度制御装置（８）と、測定する試料（２）
を選択する試料選択器（５）と、試料（２）の特性値を
測定する測定器（６）と、試料（２）に電力を供給する
試料用電源（３）と、試料（２）に入力信号を印加する
入力信号発生器（４）を備え、温度制御装置（８）と、
試料選択器（５）と、測定器（６）と、試料用電源
（３）を制御し、収集したデータの処理を行うための計
算機（７）からなる半導体デバイスの自動試験装置。
率良く評価試験を行うこと。 【構成】 半導体デバイスで成る試料（２）にストレス
を加えるための試験槽（１）と、試験槽（１）の温度を
変化させる温度制御装置（８）と、測定する試料（２）
を選択する試料選択器（５）と、試料（２）の特性値を
測定する測定器（６）と、試料（２）に電力を供給する
試料用電源（３）と、試料（２）に入力信号を印加する
入力信号発生器（４）を備え、温度制御装置（８）と、
試料選択器（５）と、測定器（６）と、試料用電源
（３）を制御し、収集したデータの処理を行うための計
算機（７）からなる半導体デバイスの自動試験装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は信頼性試験で用いられて
いる試験装置に関わり、特に半導体デバイスの自動試験
装置に関する。
いる試験装置に関わり、特に半導体デバイスの自動試験
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高性能、高機能化にと
もない、半導体デバイスの信頼性を短期評価することが
重要な問題となっている。現在では、半導体デバイスの
信頼性を短期評価するため、デバイスを試験槽に入れ、
試験槽内を常温より高い温度、高い圧力の条件下に置
き、試験を行う加速試験が行われている。加速試験で
は、試料の状態がどのように変化しているのかを調べる
ために、一定時間毎に試料の特性値の測定を行っている
が、試料の測定は多くの場合手作業で行っており、試料
を測定器に接続し、測定をするためには、試験槽内の温
度と圧力を常温と常圧まで下げなければならない。試験
槽内の温度と圧力を常温と常圧まで下げる場合、試料に
急激な負荷がかかるのを防ぐため、試験槽内の温度と圧
力を徐々に下げる必要があるので、多くの時間を要す
る。試料の測定を終了し、引き続き試験を行う場合も同
様に多くの時間を要する。また、常温と常圧下で測定し
たデータは温度ドリフト等の外乱やノイズを含むことが
多く、データの信頼度が下がる。さらに、試料を常温と
常圧下で測定すると、高温と高圧下では不良と判別され
たものが、常温と常圧下では特性値が変化し、正常と判
別されることもあり、正確な故障判別が出来ない。
もない、半導体デバイスの信頼性を短期評価することが
重要な問題となっている。現在では、半導体デバイスの
信頼性を短期評価するため、デバイスを試験槽に入れ、
試験槽内を常温より高い温度、高い圧力の条件下に置
き、試験を行う加速試験が行われている。加速試験で
は、試料の状態がどのように変化しているのかを調べる
ために、一定時間毎に試料の特性値の測定を行っている
が、試料の測定は多くの場合手作業で行っており、試料
を測定器に接続し、測定をするためには、試験槽内の温
度と圧力を常温と常圧まで下げなければならない。試験
槽内の温度と圧力を常温と常圧まで下げる場合、試料に
急激な負荷がかかるのを防ぐため、試験槽内の温度と圧
力を徐々に下げる必要があるので、多くの時間を要す
る。試料の測定を終了し、引き続き試験を行う場合も同
様に多くの時間を要する。また、常温と常圧下で測定し
たデータは温度ドリフト等の外乱やノイズを含むことが
多く、データの信頼度が下がる。さらに、試料を常温と
常圧下で測定すると、高温と高圧下では不良と判別され
たものが、常温と常圧下では特性値が変化し、正常と判
別されることもあり、正確な故障判別が出来ない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な加速試験を行う場合、試料の測定時に温度ドリフト等
による不確定な要素が含まれるため、測定した試料デー
タの信頼性が低くなっていた。また、試験槽の温度を測
定のたびに常温、常圧まで下げる必要があるため、多く
の時間を費やしていた。
な加速試験を行う場合、試料の測定時に温度ドリフト等
による不確定な要素が含まれるため、測定した試料デー
タの信頼性が低くなっていた。また、試験槽の温度を測
定のたびに常温、常圧まで下げる必要があるため、多く
の時間を費やしていた。
【０００４】そこで本発明の目的は、試験の自動化を行
い、試料の特性値を測定するために試験槽の温度を下げ
る必要を無くすことで、温度ドリフト等による不確定な
要素を排除し、信頼性の高いデータの収集を行うこと
と、特性値を測定するまでのリードタイムを無くすこと
で試験時間の短縮を図ることがある。また、計算機を用
いて収集したデータから劣化傾向を判別し、その変化率
を基に試験槽の温度を変化させ、試料の劣化を促進する
ことにより、試験時間の短縮を図ることを目的とする。
い、試料の特性値を測定するために試験槽の温度を下げ
る必要を無くすことで、温度ドリフト等による不確定な
要素を排除し、信頼性の高いデータの収集を行うこと
と、特性値を測定するまでのリードタイムを無くすこと
で試験時間の短縮を図ることがある。また、計算機を用
いて収集したデータから劣化傾向を判別し、その変化率
を基に試験槽の温度を変化させ、試料の劣化を促進する
ことにより、試験時間の短縮を図ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の目的を達
成するために、試料にストレスを加えるための試験槽
と、試験槽の温度を変化させる温度制御装置と、測定す
る試料を選択する試料選択器と、試料を測定する測定器
と、試料に電力を供給する試料用電源と、試料に入力信
号を印加する入力信号発生器を備え、温度制御回路と、
試料選択器と、測定器と、入力信号発生器を制御し、収
集したデータの処理を行うための計算機を設ける。
成するために、試料にストレスを加えるための試験槽
と、試験槽の温度を変化させる温度制御装置と、測定す
る試料を選択する試料選択器と、試料を測定する測定器
と、試料に電力を供給する試料用電源と、試料に入力信
号を印加する入力信号発生器を備え、温度制御回路と、
試料選択器と、測定器と、入力信号発生器を制御し、収
集したデータの処理を行うための計算機を設ける。
【０００６】
【作用】このように構成された試験装置により、試験の
自動化を行い、試料の特性値を測定するために試験槽の
温度を下げる必要を無くすことで、温度ドリフト等によ
る不確定な要素を排除し、信頼性の高いデータの収集を
行うことが出来る。また、特性値を測定するまでのリー
ドタイムを無くすことで試験時間の短縮を図ることが出
来る。さらに、計算機を用いて収集したデータから劣化
傾向を判別し、その変化率を基に試験槽の温度を変化さ
せ、試料の劣化を促進することにより、試験時間の短縮
を図ることが出来る。
自動化を行い、試料の特性値を測定するために試験槽の
温度を下げる必要を無くすことで、温度ドリフト等によ
る不確定な要素を排除し、信頼性の高いデータの収集を
行うことが出来る。また、特性値を測定するまでのリー
ドタイムを無くすことで試験時間の短縮を図ることが出
来る。さらに、計算機を用いて収集したデータから劣化
傾向を判別し、その変化率を基に試験槽の温度を変化さ
せ、試料の劣化を促進することにより、試験時間の短縮
を図ることが出来る。
【０００７】
【実施例】以下本案の一実施例を図１から図３を用いて
説明する。図１において、試験槽１には試験対象の半導
体デバイスである試料２（複数）を配置する。試料２に
は電力を供給する試料用電源３と、入力信号を印加する
入力信号発生器４と、測定する試料を選択する試料選択
器５を接続する。試料選択器５には選択された試料の特
性値を測定するために測定器６を接続する。入力信号発
生器４、試料選択器５、測定器６は、これらを一括して
制御するために計算機７に接続する。測定したデータの
処理を計算機７で行い、劣化傾向を判別し、その判別に
より試験槽１の温度を変化させるため、計算機７と温度
制御装置８を接続して半導体デバイスの自動試験装置を
構成する。
説明する。図１において、試験槽１には試験対象の半導
体デバイスである試料２（複数）を配置する。試料２に
は電力を供給する試料用電源３と、入力信号を印加する
入力信号発生器４と、測定する試料を選択する試料選択
器５を接続する。試料選択器５には選択された試料の特
性値を測定するために測定器６を接続する。入力信号発
生器４、試料選択器５、測定器６は、これらを一括して
制御するために計算機７に接続する。測定したデータの
処理を計算機７で行い、劣化傾向を判別し、その判別に
より試験槽１の温度を変化させるため、計算機７と温度
制御装置８を接続して半導体デバイスの自動試験装置を
構成する。
【０００８】図２に上記自動試験装置のフローを示す。
なお、図中の21から29はフローチャートの各ステップを
示す。これらはすべて計算機７で実行する。計算機７
は、試験終了時間を判別する条件文（ステップ23）を満
足するまで、以下に説明するステップを繰り返し実行す
る。初期設定（ステップ21）で試験終了時間、サンプリ
ング周期、故障判定基準（測定した試料の特性値がこの
値を超えた場合、故障とみなす基準となる値）等の設定
を行い、初期測定（22）では、試料の初期値を得るた
め、試料選択器５で測定する試料を選択し、測定器６で
各試料の特性値の測定を行う。次にサンプリング周期毎
に試料の測定を行い（ステップ24）、劣化傾向の算出
（ステップ25）を行う。劣化の傾向は、サンプリング周
期毎に測定した特性値のデータの内、最も新しい時点で
測定した特性値と、その１つ前の時点で測定した特性値
との差から変化率を求め、その変化量によって行う。劣
化が小である（特性値の変化率が小である）と判別（ス
テップ26）された場合、劣化を促進させるため、温度制
御装置８を用いて試験槽１の温度を上げる（ステップ2
7）。試験槽１の温度変化で、試験条件が途中で変化し
ても、劣化傾向の算出（ステップ25）で温度上昇によっ
て短縮された試験時間の等価換算を行うため、問題なく
評価出来る。劣化が小でなかった場合、劣化が大である
かを判別し（ステップ28）、劣化が大であった場合は、
より正確に劣化の傾向を測定することが出来るように、
サンプリング周期を短くする（ステップ29）。劣化が小
でなく（ステップ26）、かつ大でないと判別（ステップ
28）された場合は、サンプリング周期、試験温度の変更
を行わずに試験を継続する。
なお、図中の21から29はフローチャートの各ステップを
示す。これらはすべて計算機７で実行する。計算機７
は、試験終了時間を判別する条件文（ステップ23）を満
足するまで、以下に説明するステップを繰り返し実行す
る。初期設定（ステップ21）で試験終了時間、サンプリ
ング周期、故障判定基準（測定した試料の特性値がこの
値を超えた場合、故障とみなす基準となる値）等の設定
を行い、初期測定（22）では、試料の初期値を得るた
め、試料選択器５で測定する試料を選択し、測定器６で
各試料の特性値の測定を行う。次にサンプリング周期毎
に試料の測定を行い（ステップ24）、劣化傾向の算出
（ステップ25）を行う。劣化の傾向は、サンプリング周
期毎に測定した特性値のデータの内、最も新しい時点で
測定した特性値と、その１つ前の時点で測定した特性値
との差から変化率を求め、その変化量によって行う。劣
化が小である（特性値の変化率が小である）と判別（ス
テップ26）された場合、劣化を促進させるため、温度制
御装置８を用いて試験槽１の温度を上げる（ステップ2
7）。試験槽１の温度変化で、試験条件が途中で変化し
ても、劣化傾向の算出（ステップ25）で温度上昇によっ
て短縮された試験時間の等価換算を行うため、問題なく
評価出来る。劣化が小でなかった場合、劣化が大である
かを判別し（ステップ28）、劣化が大であった場合は、
より正確に劣化の傾向を測定することが出来るように、
サンプリング周期を短くする（ステップ29）。劣化が小
でなく（ステップ26）、かつ大でないと判別（ステップ
28）された場合は、サンプリング周期、試験温度の変更
を行わずに試験を継続する。
【０００９】図３は特性値の経時変化を示すグラフであ
る。ｘ1 からｘ5 は特性値をサンプリングした時刻を示
す。ｘ2 の時点で劣化を小と判別すると、温度制御装置
８で試験槽１の温度を上げ、劣化を促進させる。これに
より、特性値はより早く初期値設定（ステップ21）で設
定した故障判定基準に達する。また、劣化を促進した結
果、ｘ3 の時点で劣化が大と判別された場合、劣化が急
激に進み、劣化の傾向を詳細に測定することが困難にな
るため、サンプリング周期を短くして試験を継続する。
劣化が大でもなく、小でもないと判別された場合は、サ
ンプリング周期、試験温度の変更を行わずに試験を継続
する。
る。ｘ1 からｘ5 は特性値をサンプリングした時刻を示
す。ｘ2 の時点で劣化を小と判別すると、温度制御装置
８で試験槽１の温度を上げ、劣化を促進させる。これに
より、特性値はより早く初期値設定（ステップ21）で設
定した故障判定基準に達する。また、劣化を促進した結
果、ｘ3 の時点で劣化が大と判別された場合、劣化が急
激に進み、劣化の傾向を詳細に測定することが困難にな
るため、サンプリング周期を短くして試験を継続する。
劣化が大でもなく、小でもないと判別された場合は、サ
ンプリング周期、試験温度の変更を行わずに試験を継続
する。
【００１０】
【発明の効果】以上述ベたように、本発明によれば、試
験の自動化を行い、試料の特性値を測定するために試験
槽の温度を下げる必要を無くすことで、温度ドリフト等
による不確定な要素を排除し、信頼性の高いデータの収
集を行うことが出来る。また、特性値を測定するまでの
リードタイムを無くすことで試験時間の短縮を図ること
が出来る。さらに、計算機を用いて収集したデータから
劣化傾向を判別し、その変化率を基に試験槽の温度を変
化させ、試料の劣化を促進することにより、試験時間の
短縮を図ることが出来、能率の良い信頼性試験を行うこ
との可能な半導体デバイスの自動試験装置を提供するこ
とができる。
験の自動化を行い、試料の特性値を測定するために試験
槽の温度を下げる必要を無くすことで、温度ドリフト等
による不確定な要素を排除し、信頼性の高いデータの収
集を行うことが出来る。また、特性値を測定するまでの
リードタイムを無くすことで試験時間の短縮を図ること
が出来る。さらに、計算機を用いて収集したデータから
劣化傾向を判別し、その変化率を基に試験槽の温度を変
化させ、試料の劣化を促進することにより、試験時間の
短縮を図ることが出来、能率の良い信頼性試験を行うこ
との可能な半導体デバイスの自動試験装置を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例を示す構成図。
【図２】上記実施例の動作を示すフローチャート。
【図３】本発明の作用を説明するための特性値の経時変
化を示すグラフ。
化を示すグラフ。
１…試験槽、２…試料、３…試料電源、４…入力信号発
生器、５…試料選択器、６…測定器、７…計算機、８…
温度制御装置。
生器、５…試料選択器、６…測定器、７…計算機、８…
温度制御装置。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体の試験装置において、試料にスト
レスを加えるための試験槽と、試験槽の温度を変化させ
る温度制御装置と、測定する試料を選択する試料選択器
と、試料の特性値を測定する測定器と、試料に電力を供
給する試料用電源と、試料に入力信号を印加する入力信
号発生器を備え、温度制御回路と、試料選択器と、測定
器と、試料用電源を制御し、収集したデータの処理を行
うための計算機からなる半導体デバイスの自動試験装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31457691A JPH05150000A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体デバイスの自動試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31457691A JPH05150000A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体デバイスの自動試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05150000A true JPH05150000A (ja) | 1993-06-15 |
Family
ID=18054955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31457691A Pending JPH05150000A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体デバイスの自動試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05150000A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112798924A (zh) * | 2019-11-14 | 2021-05-14 | 爱斯佩克株式会社 | 检查装置、检查系统以及检查方法 |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31457691A patent/JPH05150000A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112798924A (zh) * | 2019-11-14 | 2021-05-14 | 爱斯佩克株式会社 | 检查装置、检查系统以及检查方法 |
| JP2021081199A (ja) * | 2019-11-14 | 2021-05-27 | エスペック株式会社 | 検査装置、検査システム、及び検査方法 |
| CN112798924B (zh) * | 2019-11-14 | 2024-08-06 | 爱斯佩克株式会社 | 检查装置、检查系统以及检查方法 |
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