JPH05145173A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH05145173A JPH05145173A JP30515291A JP30515291A JPH05145173A JP H05145173 A JPH05145173 A JP H05145173A JP 30515291 A JP30515291 A JP 30515291A JP 30515291 A JP30515291 A JP 30515291A JP H05145173 A JPH05145173 A JP H05145173A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0092—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
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Abstract
(57)【要約】
【目的】短波長のレーザ光を得るために面発光レーザ素
子上にＳＨＧ素子を一体として形成した構造の半導体レ
ーザ素子とする。 【構成】垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出射
面の反射鏡上部に、一定の周期で分極を反転したＬｉＮ
ｂＯ3 多層膜を積層し、またはＬｉＮｂＯ3 多層膜の上
下両面にレーザ光の波長に対する反射鏡を設けて光共振
器構造とすることにより、垂直共振器半導体レーザ素子
とＳＨＧ素子とが一体として結合された青色発光可能な
半導体レーザ素子とすることができる。
子上にＳＨＧ素子を一体として形成した構造の半導体レ
ーザ素子とする。 【構成】垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出射
面の反射鏡上部に、一定の周期で分極を反転したＬｉＮ
ｂＯ3 多層膜を積層し、またはＬｉＮｂＯ3 多層膜の上
下両面にレーザ光の波長に対する反射鏡を設けて光共振
器構造とすることにより、垂直共振器半導体レーザ素子
とＳＨＧ素子とが一体として結合された青色発光可能な
半導体レーザ素子とすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、垂直共振器型面発光レ
ーザ素子の上部に、ＬｉＮｂＯ3 で構成する第２高調波
発生（ＳＨＧ）素子を配置した半導体レーザ素子に関す
る。
ーザ素子の上部に、ＬｉＮｂＯ3 で構成する第２高調波
発生（ＳＨＧ）素子を配置した半導体レーザ素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置は、小型で高出力のコ
ヒーレントな光を発振する光源として、各種の光通信機
器や光情報機器に使用されている。現在、この半導体レ
ーザ素子から得られる光の波長は、０．７８〜１．５５
μｍの近赤外線領域の波長である。この半導体レーザ装
置を光メモリー等へ応用する場合、より短波長の光が求
められているが、現在の技術では、この種の半導体レー
ザ装置を容易に実現するのは難しい。したがって、半導
体レーザ装置の出力程度の低入力パワーでも、効率よく
波長変換できる波長変換素子を得ることができればその
効果は極めて大きい。
ヒーレントな光を発振する光源として、各種の光通信機
器や光情報機器に使用されている。現在、この半導体レ
ーザ素子から得られる光の波長は、０．７８〜１．５５
μｍの近赤外線領域の波長である。この半導体レーザ装
置を光メモリー等へ応用する場合、より短波長の光が求
められているが、現在の技術では、この種の半導体レー
ザ装置を容易に実現するのは難しい。したがって、半導
体レーザ装置の出力程度の低入力パワーでも、効率よく
波長変換できる波長変換素子を得ることができればその
効果は極めて大きい。
【０００３】波長変換素子とくに第２高調波発生（ＳＨ
Ｇ）素子は、エキシマレーザなどでは得難いコヒーレン
トな短波長光を得るデバイスとして重要であり、最近、
ＬｉＮｂＯ3 で構成されるＳＨＧ素子を用いて、波長８
４０ｎｍのレーザダイオードと一体化したモジュール
が、既に一部で実用化され始めている。これは、ＬｉＮ
ｂＯ3 基板に幅２μｍ，深さ０．４μｍの光導波路を形
成し、変換効率の改善を図ったものであり、このモジュ
ールは、大別して半導体レーザ素子，レンズ系，ＳＨＧ
素子の組み合わせで構成されるものである。
Ｇ）素子は、エキシマレーザなどでは得難いコヒーレン
トな短波長光を得るデバイスとして重要であり、最近、
ＬｉＮｂＯ3 で構成されるＳＨＧ素子を用いて、波長８
４０ｎｍのレーザダイオードと一体化したモジュール
が、既に一部で実用化され始めている。これは、ＬｉＮ
ｂＯ3 基板に幅２μｍ，深さ０．４μｍの光導波路を形
成し、変換効率の改善を図ったものであり、このモジュ
ールは、大別して半導体レーザ素子，レンズ系，ＳＨＧ
素子の組み合わせで構成されるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のような半導体レ
ーザ素子，レンズ系，ＳＨＧ素子の組み合わせからなる
装置では、これらの光軸アライメント方法の良否が容器
の大きさ，コスト，特性，信頼性に大きな影響を及ぼ
す。また、半導体レーザ光を２μｍ×０．４μｍの入射
断面積を持つＬｉＮｂＯ3 光導波路に効率よく入射する
には限界があり，ＳＨＧ素子の変換効率を向上させるの
に障害となっている。さらに、結合レンズ系を必要とす
るので、大きさや重さの点で光ピックアップ等への応用
上不利である。これらのことから、同一基板上に半導体
レーザ素子とＳＨＧ素子がモノリシックに構成され、レ
ンズ系を介することなく直接結合されることが望まし
い。
ーザ素子，レンズ系，ＳＨＧ素子の組み合わせからなる
装置では、これらの光軸アライメント方法の良否が容器
の大きさ，コスト，特性，信頼性に大きな影響を及ぼ
す。また、半導体レーザ光を２μｍ×０．４μｍの入射
断面積を持つＬｉＮｂＯ3 光導波路に効率よく入射する
には限界があり，ＳＨＧ素子の変換効率を向上させるの
に障害となっている。さらに、結合レンズ系を必要とす
るので、大きさや重さの点で光ピックアップ等への応用
上不利である。これらのことから、同一基板上に半導体
レーザ素子とＳＨＧ素子がモノリシックに構成され、レ
ンズ系を介することなく直接結合されることが望まし
い。
【０００５】一方、面発光レーザ素子は、基板に垂直に
光を取り出すものであり、基板に平行に光を取り出す通
常の半導体レーザ素子に比べて、単一縦モード動作，大
放射面積，狭出射角，２次元アレー化など多くの利点が
あり、近年開発が進められている。本発明の目的は、上
述の問題点を克服して、この面発光レーザ素子上にＳＨ
Ｇ素子をモノリシックに一体として構成した半導体レー
ザ素子を提供することにある。
光を取り出すものであり、基板に平行に光を取り出す通
常の半導体レーザ素子に比べて、単一縦モード動作，大
放射面積，狭出射角，２次元アレー化など多くの利点が
あり、近年開発が進められている。本発明の目的は、上
述の問題点を克服して、この面発光レーザ素子上にＳＨ
Ｇ素子をモノリシックに一体として構成した半導体レー
ザ素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の半導体レーザ素子は、垂直共振器型面発
光半導体レーザ素子の光出射面の反射鏡上部に、一定の
周期で分極を反転したＬｉＮｂＯ3 多層膜を積層し、ま
たはＬｉＮｂＯ3 多層膜の上下両面にレーザ光の波長に
対する反射鏡を設けて光共振器構造とするものである。
めに、本発明の半導体レーザ素子は、垂直共振器型面発
光半導体レーザ素子の光出射面の反射鏡上部に、一定の
周期で分極を反転したＬｉＮｂＯ3 多層膜を積層し、ま
たはＬｉＮｂＯ3 多層膜の上下両面にレーザ光の波長に
対する反射鏡を設けて光共振器構造とするものである。
【０００７】
【作用】本発明の半導体レーザ素子は上記のように構成
したため、ＬｉＮｂＯ3 膜に入射した波長λのレーザ光
は、２次高調波（波長λ／２）を発生する。一定周期、
特にコヒーレンス長の整数倍の膜厚で分極反転して積層
したＬｉＮｂＯ3 多層膜内では、２次高調波が打ち消し
合わずに増大し、擬似位相整合が行なわれる。また、Ｌ
ｉＮｂＯ3 多層膜の上下両面に設けた反射鏡により構成
する共振器内では、レーザ光強度は増幅され、効率よく
２次高調波が発生する。面発光半導体レーザ素子とＬｉ
ＮｂＯ3 多層膜とはモノリシックに一体化されているか
ら、結合効率は１００％に近い。以上のことから、高効
率のＳＨＧ素子を有する半導体レーザ素子を実現するこ
とができる。
したため、ＬｉＮｂＯ3 膜に入射した波長λのレーザ光
は、２次高調波（波長λ／２）を発生する。一定周期、
特にコヒーレンス長の整数倍の膜厚で分極反転して積層
したＬｉＮｂＯ3 多層膜内では、２次高調波が打ち消し
合わずに増大し、擬似位相整合が行なわれる。また、Ｌ
ｉＮｂＯ3 多層膜の上下両面に設けた反射鏡により構成
する共振器内では、レーザ光強度は増幅され、効率よく
２次高調波が発生する。面発光半導体レーザ素子とＬｉ
ＮｂＯ3 多層膜とはモノリシックに一体化されているか
ら、結合効率は１００％に近い。以上のことから、高効
率のＳＨＧ素子を有する半導体レーザ素子を実現するこ
とができる。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例について
説明する。図１は垂直共振器型半導体レーザ素子の上部
に、ＬｉＮｂＯ3 分極反転多層膜９を形成した本発明の
素子構造を示す模式断面図である。この素子の特徴的な
構造は、ＡｌＧａＡｓの埋め込み高抵抗層５で電流を狭
窄し、活性層４上下に半導体多層膜反射鏡３，６を形成
してあり、さらにその上部にＬｉＮｂＯ3 を厚さの周期
１０．７μｍで分極を反転し、５００層のＬｉＮｂＯ3
分極反転多層膜９を形成したことにある。２はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板，７はｐ側リング電極，８はＳｉＯ2 膜，１は
ｎ側電極を表わす。
説明する。図１は垂直共振器型半導体レーザ素子の上部
に、ＬｉＮｂＯ3 分極反転多層膜９を形成した本発明の
素子構造を示す模式断面図である。この素子の特徴的な
構造は、ＡｌＧａＡｓの埋め込み高抵抗層５で電流を狭
窄し、活性層４上下に半導体多層膜反射鏡３，６を形成
してあり、さらにその上部にＬｉＮｂＯ3 を厚さの周期
１０．７μｍで分極を反転し、５００層のＬｉＮｂＯ3
分極反転多層膜９を形成したことにある。２はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板，７はｐ側リング電極，８はＳｉＯ2 膜，１は
ｎ側電極を表わす。
【０００９】図２（ａ）〜（ｄ）に本発明素子を製作す
る工程を示し、図１と共通部分を同一符号で表わす。ま
ず、厚さ１００μｍ，キャリア密度１×１０18ｃｍ-3の
ｎ−ＧａＡｓ基板２の上にＡＬＥ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａ
ｙｅｒ Ｅｐｉｔａｘｙ）技術を用いた分子線気相成長
法（ＭＢＥ法）でＡｌ1 Ｇａ0.9 Ａｓ／をλ／４厚さづ
つ４０ペアー積層した半導体多層膜反射鏡３を形成す
る。このとき、各層にはＳｅを１×１０18ｃｍ-3レベル
ドーピングしてｎ型の低抵抗とする。次に、厚さ３μ
ｍ，キャリア密度１×１０17ｃｍ-3のｐ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ活性層４を形成する［図２（ａ）］。
る工程を示し、図１と共通部分を同一符号で表わす。ま
ず、厚さ１００μｍ，キャリア密度１×１０18ｃｍ-3の
ｎ−ＧａＡｓ基板２の上にＡＬＥ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａ
ｙｅｒ Ｅｐｉｔａｘｙ）技術を用いた分子線気相成長
法（ＭＢＥ法）でＡｌ1 Ｇａ0.9 Ａｓ／をλ／４厚さづ
つ４０ペアー積層した半導体多層膜反射鏡３を形成す
る。このとき、各層にはＳｅを１×１０18ｃｍ-3レベル
ドーピングしてｎ型の低抵抗とする。次に、厚さ３μ
ｍ，キャリア密度１×１０17ｃｍ-3のｐ−Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ活性層４を形成する［図２（ａ）］。
【００１０】この後、半導体多層膜反射鏡３上の全面に
ＳｉＯ2 膜（図示を省略）を形成し、中央の直径１０ｍ
ｍの円形部分以外をエッチングにより除去した後、残さ
れたＳｉＯ2 膜をマスクにして活性層４の外周部分を除
去し、得られた円形の活性層４を厚さ３μｍ，抵抗率１
０6 Ωｃｍ以上の高抵抗Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層５で埋
め込み、ＳｉＯ2 マスクを除去する［図２（ｂ）］。
さらに、再び前述と同一の半導体多層膜反射鏡６を形成
する。各層には、Ｚｎを１×１０18ｃｍ-3レベルドーピ
ングしてｐ型とする。［図２（ｃ）］。
ＳｉＯ2 膜（図示を省略）を形成し、中央の直径１０ｍ
ｍの円形部分以外をエッチングにより除去した後、残さ
れたＳｉＯ2 膜をマスクにして活性層４の外周部分を除
去し、得られた円形の活性層４を厚さ３μｍ，抵抗率１
０6 Ωｃｍ以上の高抵抗Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層５で埋
め込み、ＳｉＯ2 マスクを除去する［図２（ｂ）］。
さらに、再び前述と同一の半導体多層膜反射鏡６を形成
する。各層には、Ｚｎを１×１０18ｃｍ-3レベルドーピ
ングしてｐ型とする。［図２（ｃ）］。
【００１１】次いで、基板２の下面全面にＡｕＧｅ／Ａ
ｕ２層からなるｎ電極１を、エピタキシャル層側上面に
ＳｉＯ2 膜をマスクとしてＡｕＺｎ／Ａｕ２層からなる
ｐリング電極７を形成し、オーミック特性にするため
に、Ｈ2 ／Ｎ2 混合気中で４５０℃，１０分間アニール
を施す［図２（ｄ）］。
ｕ２層からなるｎ電極１を、エピタキシャル層側上面に
ＳｉＯ2 膜をマスクとしてＡｕＺｎ／Ａｕ２層からなる
ｐリング電極７を形成し、オーミック特性にするため
に、Ｈ2 ／Ｎ2 混合気中で４５０℃，１０分間アニール
を施す［図２（ｄ）］。
【００１２】さらに、マスクのＳｉＯ2 膜を除去し、成
長温度４５０℃としてＭＢＥ法によりＬｉＮｂＯ3 の多
層膜を積層するが、このときＬｉＮｂＯ3 は厚さの周期
１０．７μｍ毎に、ＬｉとＮｂの組成比を変化させ、一
方は成膜後のＬｉ／Ｎｂ比が０．９５，他方はＬｉ／Ｎ
ｂ比が０．９２となるように成長条件をコントロールす
る。このような交互にＬｉ／Ｎｂ比が異なる一層１０．
７μｍのＬｉＮｂＯ3 層を５００層形成した後、ＬｉＮ
ｂＯ3 のキューリー点直下の１０８０℃で、９０分間熱
処理を行ない、分極反転構造を形成する。リング電極７
の一部は、金属マスクでＬｉＮｂＯ3 形成前にマスクし
て電極面を露出させておく。なお、ＬｉＮｂＯ3 形成前
に、リング電極７付加による凹凸を平坦化するために、
ＳｉＯ2 膜またはＡｌ2 Ｏ3 膜をレーザ発振波長のλ／
２の整数倍の厚さ堆積させてもよい。かくして図１に示
す構造の半導体レーザ素子を得ることができる。この素
子を室温で作動させたところ、レーザ光出力／ｍＷ（推
定）で１５ｎＷ，発振波長４１５ｎｍが得られた。変換
効率は０．００１５％であった。
長温度４５０℃としてＭＢＥ法によりＬｉＮｂＯ3 の多
層膜を積層するが、このときＬｉＮｂＯ3 は厚さの周期
１０．７μｍ毎に、ＬｉとＮｂの組成比を変化させ、一
方は成膜後のＬｉ／Ｎｂ比が０．９５，他方はＬｉ／Ｎ
ｂ比が０．９２となるように成長条件をコントロールす
る。このような交互にＬｉ／Ｎｂ比が異なる一層１０．
７μｍのＬｉＮｂＯ3 層を５００層形成した後、ＬｉＮ
ｂＯ3 のキューリー点直下の１０８０℃で、９０分間熱
処理を行ない、分極反転構造を形成する。リング電極７
の一部は、金属マスクでＬｉＮｂＯ3 形成前にマスクし
て電極面を露出させておく。なお、ＬｉＮｂＯ3 形成前
に、リング電極７付加による凹凸を平坦化するために、
ＳｉＯ2 膜またはＡｌ2 Ｏ3 膜をレーザ発振波長のλ／
２の整数倍の厚さ堆積させてもよい。かくして図１に示
す構造の半導体レーザ素子を得ることができる。この素
子を室温で作動させたところ、レーザ光出力／ｍＷ（推
定）で１５ｎＷ，発振波長４１５ｎｍが得られた。変換
効率は０．００１５％であった。
【００１３】本発明の半導体レーザ素子は、ＬｉＮｂＯ
3 分極反転多層膜９の上下に反射膜を形成することも有
効である。この場合は、図２（ｄ）の工程に続き、Ａｌ
2 Ｏ 3 λ／４膜，ＴｉＯ2 λ／４膜，Ａｌ2 Ｏ3 λ／２
膜を順次電子ビーム蒸着法で形成し、次いで、ＬｉＮｂ
Ｏ3 分極反転多層膜９を形成後、最上層にＡｌ2 Ｏ3 λ
／４膜，ＴｉＯ2 λ／４膜，Ａｌ2 Ｏ3 λ／２膜を順次
形成することにより素子を構成する。これらの膜の反射
率は共に５０％とした。このようにして、ＬｉＮｂＯ3
多層膜９で構成されるＳＨＧ素子を共振器化することに
より、レーザ光基本波のパワーを増幅する。共振器の反
射率は、下部の半導体レーザ素子および取り出すＳＨＧ
の出力を考慮して任意に選択する。
3 分極反転多層膜９の上下に反射膜を形成することも有
効である。この場合は、図２（ｄ）の工程に続き、Ａｌ
2 Ｏ 3 λ／４膜，ＴｉＯ2 λ／４膜，Ａｌ2 Ｏ3 λ／２
膜を順次電子ビーム蒸着法で形成し、次いで、ＬｉＮｂ
Ｏ3 分極反転多層膜９を形成後、最上層にＡｌ2 Ｏ3 λ
／４膜，ＴｉＯ2 λ／４膜，Ａｌ2 Ｏ3 λ／２膜を順次
形成することにより素子を構成する。これらの膜の反射
率は共に５０％とした。このようにして、ＬｉＮｂＯ3
多層膜９で構成されるＳＨＧ素子を共振器化することに
より、レーザ光基本波のパワーを増幅する。共振器の反
射率は、下部の半導体レーザ素子および取り出すＳＨＧ
の出力を考慮して任意に選択する。
【００１４】以上の共振器型構造をとることにより、前
述と同様の動作条件において、ＳＨＧ出力は９５０μ
Ｗ，発振波長４１５ｎｍとなり、変換効率は０．０９５
％であった。なお、この素子のＬｉＮｂＯ3 膜厚は、全
体で約５．３ｍｍである。変換効率はこの長さの２乗に
比例し、基本波出力１０ｍＷに換算すると、３．８％と
なり、良好な結果が得られる。
述と同様の動作条件において、ＳＨＧ出力は９５０μ
Ｗ，発振波長４１５ｎｍとなり、変換効率は０．０９５
％であった。なお、この素子のＬｉＮｂＯ3 膜厚は、全
体で約５．３ｍｍである。変換効率はこの長さの２乗に
比例し、基本波出力１０ｍＷに換算すると、３．８％と
なり、良好な結果が得られる。
【００１５】これまでの例では、ＳＨＧ材料としてＬｉ
ＮｂＯ3 を用いた分極反転構造としたが、ＬｉＴａＯ3
分極反転構造とすることも可能である。これはＬｉＮｂ
Ｏ3 の場合と同様に、ＮＢＥ法における膜形成条件およ
びＬｉ／Ｔａ比を変え、キューリー点直下６００℃で９
０分間アニールすることにより分極反転構造が形成され
る。またＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ），ＺｎＳｅを用いて
同様な分極反転構造を形成し、ＳＨＧ素子を実現するこ
ともできる。
ＮｂＯ3 を用いた分極反転構造としたが、ＬｉＴａＯ3
分極反転構造とすることも可能である。これはＬｉＮｂ
Ｏ3 の場合と同様に、ＮＢＥ法における膜形成条件およ
びＬｉ／Ｔａ比を変え、キューリー点直下６００℃で９
０分間アニールすることにより分極反転構造が形成され
る。またＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ），ＺｎＳｅを用いて
同様な分極反転構造を形成し、ＳＨＧ素子を実現するこ
ともできる。
【００１６】
【発明の効果】短波長の半導体レーザ光を得るために、
半導体レーザ素子とＳＨＧ素子との組み合わせが有効で
あるが、基板の主面と平行な方向にレーザ光を出射する
半導体レーザ素子では、レンズ系を必要とし光軸の整合
などに困難な点があるのに対して、本発明の半導体レー
ザ素子は、垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出
射面に形成した半導体多層膜反射鏡上に、一定周期で分
極を反転したＬｉＮｂＯ 3 多層膜を備え、また、ＬｉＮ
ｂＯ3 多層膜の上下両端面に、この半導体レーザ素子の
発振波長に対応する反射鏡を形成して共振器構造とする
ことにより、垂直共振器半導体レーザ素子とＳＨＧ素子
とが一体として結合され、レンズ系を介することなく青
色発光可能な半導体レーザ素子を得ることができる。
半導体レーザ素子とＳＨＧ素子との組み合わせが有効で
あるが、基板の主面と平行な方向にレーザ光を出射する
半導体レーザ素子では、レンズ系を必要とし光軸の整合
などに困難な点があるのに対して、本発明の半導体レー
ザ素子は、垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出
射面に形成した半導体多層膜反射鏡上に、一定周期で分
極を反転したＬｉＮｂＯ 3 多層膜を備え、また、ＬｉＮ
ｂＯ3 多層膜の上下両端面に、この半導体レーザ素子の
発振波長に対応する反射鏡を形成して共振器構造とする
ことにより、垂直共振器半導体レーザ素子とＳＨＧ素子
とが一体として結合され、レンズ系を介することなく青
色発光可能な半導体レーザ素子を得ることができる。
【図１】本発明の半導体レーザ素子の構造を示す模式断
面図
面図
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体レーザ素子の
製造工程図
製造工程図
１ ｎ側電極 ２ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３ 半導体多層膜反射鏡 ４ 活性層 ５ 埋め込み高抵抗層 ６ 半導体多層膜反射鏡 ７ ｐ側リング電極 ８ ＳｉＯ2 膜 ９ ＬｉＮｂＯ3 分極反転多層膜
Claims (4)
- 【請求項１】垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光
出射面に形成した半導体多層膜反射鏡上に、一定の周期
で分極を反転したＬｉＮｂＯ3 多層膜を備えたことを特
徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ素子のＬｉＮ
ｂＯ3 多層膜の代わりに、ＬｉＴａ3 多層膜，ＫＴｉＯ
ＰＯ4 多層膜，ＺｎＳｅ多層膜のうちのいずれかを用い
ることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体レーザ素子のＬｉＮ
ｂＯ3 多層膜の上下両端面に形成し、この半導体レーザ
素子の発振波長に対応する反射鏡を備えたことを特徴と
する半導体レーザ素子。 - 【請求項４】請求項３記載の半導体レーザ素子のＬｉＮ
ｂＯ3 多層膜の代わりに、ＬｉＴａ3 多層膜，ＫＴｉＯ
ＰＯ4 多層膜，ＺｎＳｅ多層膜のうちのいずれかを用い
ることを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30515291A JPH05145173A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30515291A JPH05145173A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145173A true JPH05145173A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17941702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30515291A Pending JPH05145173A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145173A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654874A1 (en) * | 1993-11-22 | 1995-05-24 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal |
| US5513204A (en) * | 1995-04-12 | 1996-04-30 | Optical Concepts, Inc. | Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump |
| US5724375A (en) * | 1996-07-17 | 1998-03-03 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser with enhanced second harmonic generation and method of making same |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP30515291A patent/JPH05145173A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654874A1 (en) * | 1993-11-22 | 1995-05-24 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal |
| US5513204A (en) * | 1995-04-12 | 1996-04-30 | Optical Concepts, Inc. | Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump |
| US5724375A (en) * | 1996-07-17 | 1998-03-03 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser with enhanced second harmonic generation and method of making same |
| US5918108A (en) * | 1996-07-17 | 1999-06-29 | W. L. Gore & Associates, Inc | Vertical cavity surface emitting laser with enhanced second harmonic generation and method of making same |
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