JPH05144918A - Ｉｃ製造用高真空装置のゴミ発生箇所調査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スパッタ，ドライエッチングなどのロードロ
ックを備えた高真空装置内におけるゴミ発生箇所を調査
するにあたって、数枚の鏡面ウェハーを１枚ずつ装置内
の異なる搬送系路で搬送する場合、それらをより短時間
で行う。 【構成】 １ウェハー毎にウェハーの搬送系路による工
程８，９，１０を連続的に自動で切換える機能をもたせ
ているため、ウェハーの一部同時搬送ができ、より短時
間で調査できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ製造用高真空装置
のゴミ発生箇所調査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にＩＣ製造ラインにおいては、ゴミ
が製品の歩留りに大きな影響を及ぼす。そこで、以下
〜のように、各装置に対してゴミ増加数を算出し、ゴ
ミ管理している場合が多い。 鏡面ウェハーに付着しているゴミ数をレーザーゴミチ
ェッカーでカウントする。 を行ったウェハーを各装置内で搬送、又は処理を
行う。 を行ったウェハーに付着しているゴミ数をレーザ
ーゴミチェッカーでカウントする。 のゴミ数−のゴミ数＝ゴミ増加数を計算する。 そしてのゴミ増加数が管理限界を越えた場合、ゴミ発
生箇所を調達することが極めて重要である。

【０００３】通常、特にスパッタリング，ドライエッチ
ングなどのＩＣ製造用高真空装置において、ゴミ発生箇
所を調査する場合、下記（１）〜（４）の方法が取られ
ていた。 （１）チャンバーを大気開放した後、装置の動作点検を
行いながら、接触するなどしてゴミが発生していると思
われる箇所を目視で探す。 （２）チャンバーを大気開放した後、装置を動作させ、
吸入式ゴミチェックカウンターなどでゴミが多く発生す
る動作箇所を探す。 （３）鏡面ウェハーに付着したゴミを定性分析し、含ま
れる元素により発生箇所を推測する。 （４）各鏡面ウェハーをそれぞれ装置内で異なる搬送系
路で搬送した後、各ウェハーのゴミ増加数の比較検討を
行い、ゴミ発生箇所を推測する。

【０００４】以上（１）〜（４）の調査方法の中では、
チャンバーの大気開放やゴミの定性分析を行い最も簡便
な（４）の方法が用いられる場合が多い。

【０００５】そこで（４）の調査方法を図面を使って説
明する。図１（Ｂ）は、あるスパッタリング装置内で通
常スパッタされるウェハーの搬送系路を示している。４
は通常のスパッタリング時の搬送系路、５はロッドロッ
ク部、６はスパッタリング部、７は逆スパッタリング部
である。この搬送系路４を元に、スパッタリング装置内
のゴミ発生箇所を調査するため、３枚の鏡面ウェハーを
用いて各ウェハーをそれぞれ図１（Ａ）の１〜３の系路
で順次搬送する。また図１（Ａ）のようにウェハーを搬
送する前後に、１〜３の各搬送系路を取るウェハーをレ
ーザーゴミチェッカーにかけ、ゴミ増加数を計算する。

【０００６】そして、もし系路２，３のウェハーと系路
１のウェハー間のゴミ増加数に大きな差があれば、逆ス
パッタエッチング部７でゴミが多く発生している可能性
が高いと判断できる。

【０００７】また、もし系路３のウェハーと系路１，２
のウェハー間のゴミ増加数に大きな差があれば、スパッ
タリング部６でゴミが発生している可能性が高いと判断
できる。

【０００８】ロードロックが備えられた従来のスパッタ
リング，ドライエッチングなどのＩＣ製造用高真空装置
の場合、１ウェハー毎あるいは１バッチ毎にウェハーの
搬送系路を変更する使用方法を考慮していないため、上
記ゴミ発生箇所調査を行うときには、１ウェハー毎ある
いは１バッチ毎にプログラムを入力し直す必要がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したゴミ発生箇所
調査方法を、ロードロックを備えた従来のスパッタリン
グ，ドライエッチングなどのＩＣ製造用高真空装置に適
用する場合、次の問題点があった。

【００１０】１ウェハー毎又は１バッチ毎にプログラム
を入力し直す手間が必要である。また、同一搬送系路及
び処理をウェハー（又はバッチ）連続で行う場合は、先
行ウェハー（又はバッチ）の搬送および処理を行ってい
る間、次ウェハー（又はバッチ）をロードロックで真空
引き待機させることにより、搬送及び処理時間の節約が
可能なのであるが、ゴミ発生箇所調査のようにウェハー
（又はバッチ）毎に搬送系路又は処理を変更する場合、
次ウェハー（又はバッチ）をロードロックで真空引き待
機させることができないために時間を要する。

【００１１】本発明の目的は、上記欠点を解消し、ゴミ
発生箇所調査を短時間で行える機能を有したＩＣ製造用
高真空装置のゴミ発生箇所調査方法を提供することにあ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るＩＣ製造用高真空装置のゴミ発生箇所
調査方法においては、ＩＣ製造用高真空装置の真空箇所
を含む複数の処理部でのゴミ発生箇所を調査するＩＣ製
造用高真空装置のゴミ発生箇所調査方法であって、ウェ
ハー毎又はバッチ毎にウェハーを装置の任意の搬送系路
に連続可逆的に搬送させるものである。

【００１３】

【作用】ウェハーを任意部分に連続的，可逆的に搬送
し、ゴミ発生箇所を調査する。

【００１４】

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。

【００１５】（実施例１）図２は、ゴミ発生箇所調査の
ため３枚の鏡面ウェハーを図１（Ａ），（Ｂ）で示した
ロードロック付きスパッタ装置内で搬送した場合、要す
る時間を示す図である。

【００１６】図２において、１１は、本発明の実施例１
に基づき本発明の装置でゴミ発生箇所を調査した場合に
要する時間を示す。また、１２は従来装置でゴミ発生箇
所を調査した場合に要する時間を示す。

【００１７】従来装置の場合、図１（Ａ）の搬送系路１
でウェハー１枚を完全に搬送する工程８が終了した後、
プログラムを入力し直し、次に図１（Ａ）の搬送系路２
でウェハー１枚を完全に搬送する工程９が終了し、プロ
グラムを入力し直し、さらに工程１０でウェハー搬送を
行う。そのため、再入力１回当たりの時間をα分とする
と、計１２＋１０＋２＋２α＝２４＋２α分時間を要し
ている。

【００１８】これに対して本発明による装置の場合、図
１（Ａ）の搬送系路１による工程８においてウェハーが
投入されて４分後に、図１（Ａ）の搬送系路２による工
程９においてウェハーが投入されロードロック部５で真
空引き待機している。

【００１９】また工程９においてウェハーが搬送されて
いる間、工程８に代って、図１（Ａ）の搬送系路３によ
る工程１０に投入されたウェハーは、ロードロック部５
での搬送まで完了し取り出される。

【００２０】このようにウェハー２枚の同時処理が可能
であるため、要する時間は、１２＋１０＋２−８（工程
８，９でのウェハーの同時処理時間）−２（工程９，１
０でのウェハーの同時処理時間）＋４（工程９の工程
８，１０に対する待機時間）＝１８分となる。

【００２１】（実施例２）実施例１の場合、搬送系路１
つにつきゴミチェックウェハー１回しか搬送していな
い。実施例２は、図１（Ａ）において３．２．１．２．
３．１．又は２．３．１．１．３．３．２．１．２．の
ように各系路を２回，３回…と複数回、しかもランダム
に自動搬送するものである。実施例２の場合、より適確
にゴミ発生箇所を判断できるという利点がある。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、装
置内のゴミ発生箇所調査にあたって、１ウェハー又は１
バッチ毎に連続的に搬送系路を自動で切換える機能を有
しているため、従来装置と比較して調査時間を２０〜３
０％削減し、またプログラムを入力し直す手間が入らな
いという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は、あるスパッタリング装置においてゴ
ミ発生箇所調査を行う場合、各鏡面ウェハーの搬送系路
を示した図、（ｂ）は、同スパッタリング装置において
スパッタされるウェハーの通常の搬送系路を示した図で
ある。

【図２】本発明による装置と従来装置において、ゴミ発
生箇所調査を行った場合に要する時間を示した図であ
る。

【符号の説明】

１ ゴミ発生箇所調査のための搬送系路 ２ ゴミ発生箇所調査のための搬送系路 ３ ゴミ発生箇所調査のための搬送系路 ４ 通常のスパッタリング時の搬送系路 ５ ロードロック部 ６ スパッタリング部 ７ 逆スパッタエッチング部 ８ 搬送系路１によるウェハー搬送工程 ９ 搬送系路２によるウェハー搬送工程 １０ 搬送系路３によるウェハー搬送工程 １１ 本発明による装置でゴミ発生箇所調査した場合に
要する時間 １２ 従来装置でゴミ発生箇所調査した場合に要する時
間

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＣ製造用高真空装置の真空箇所を含む
   複数の処理部でのゴミ発生箇所を調査するＩＣ製造用高
   真空装置のゴミ発生箇所調査方法であって、 ウェハー毎又はバッチ毎にウェハーを装置の任意の搬送
   系路に連続可逆的に搬送させることを特徴とするＩＣ製
   造用高真空装置のゴミ発生箇所調査方法。